JP2980175B2 - 量子ドット構造の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
量子ドット構造の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子の製造方法Info
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Description
バーサタイルディスク(DVD)等の高密度光ディスク
用光源、信号、照明等の用途で用いられるAlGaIn
N系発光素子に関する。
構造とも呼ばれる)を活性層に用いた半導体発光素子の
研究が盛んに行われている。量子ドット構造では、キャ
リアの3次元的な閉じこめによる量子効果のため、電子
状態が離散化し、半導体レーザの低しきい値化、温度特
性の改善、変調特性・雑音特性の改善など多くの効果が
期待されている。
て、電子線描画とエッチングを組み合わせた方法、V溝
基板上への成長を用いた方法などが試みられている。し
かし、微細構造を作製する技術的な困難さ等からあまり
良好な結果が得られていない。
下の文献に示すように自己形成的な量子ドット構造の作
製方法が報告されている(H.Kamada et a
l,13th Symposium Record o
n Alloy Semiconductor Phy
sics and Electronics,p25−
26(1994))。自己形成量子ドット構造(自己形
成量子ディスクと呼ばれている)は、有機金属気相成長
法(MOVPE法)による結晶成長において、AlGa
As下地結晶の上に、格子整合する組成からずれたIn
GaAs薄膜を成長し、その後待機時間を設けること
で、図5に示すように、InGaAs薄膜自身が表面エ
ネルギを最低化するようにディスク状に再変形する現象
である。
板370上に、Alx Ga1-X As層360、Iny G
a1-y As層350、Alx Ga1-X As層340、I
nyGa1-y As層330、Alx Ga1-X As層32
0が順に形成され、Alx Ga1-X As層320にIn
z Ga1-z Asディスク310が作製されている。
の自己形成量子ディスクの作製方法には以下の問題があ
る。自己形成量子ディスク構造では、InGaAsの格
子ずれによる表面エネルギの変調を利用して量子ドット
構造を作製する。このため、ドットサイズを大きく変化
させることが難しく、現状量子効果が得られる程度に十
分小さいドットは得られていない。また、InGaAs
の組成ずれでドットのサイズが決まるため、サイズと組
成を独立に制御することが原理的に困難である。また、
InGaAsがエネルギの大きいAlGaAsで埋め込
まれた図5に示すような最終的な量子ドットの構造を作
製するためには、InGaAsドットがAlGaAs層
の下に潜り込むマストランスポートという特殊な現象を
用いる。このため、工程が複雑で高度な制御性を必要と
する問題がある。
に十分小さな量子ドット構造を簡便かつ容易に作製でき
る製造方法を提供することにある。
イズと組成を独立に制御できる製造方法を提供すること
にある。
の形状を制御することにより、偏光制御性を有する量子
ドット構造を作製する製造方法を提供することにある。
を用いた半導体発光素子の製造方法を提供することにあ
る。
構造は、活性層が、該活性層よりも高エネルギの半導体
で埋め込まれた量子ドット構造において、該活性層の結
晶成長温度が該活性層を構成する半導体の融点の絶対温
度の0.4倍以下の低温成長であり、かつ該活性層が引
っ張り歪みを受けるような条件下で成長することを特徴
とする。
層が、該活性層よりも高エネルギの半導体で埋め込まれ
た量子ドット構造において、該活性層の結晶成長温度が
該活性層を構成する半導体の融点の絶対温度の0.3倍
以下の低温成長であり、かつ該活性層がほぼ無歪みとな
るような条件下で成長することを特徴とする。
InN、もしくはAlGaNで構成されることを特徴と
する。
は、基板上に下地となる平坦な結晶層を作製する工程
と、その上に量子ドット構造を作製する工程と、さらに
その上に量子ドット構造を埋め込む全面成長層を作製す
る工程をこの記載順に含むことを特徴とする。
半導体である場合、GaあるいはAlによる陽イオンと
Nによる陰イオンの原料供給比を変えることで該活性層
を構成する化合物半導体のストイキオメトリを変化さ
せ、該活性層に印加される静水圧性の歪み量を制御する
ことができる。
と、量子ドッ卜構造の成長温度の成長温度差を変化させ
ることにより、活性層に印加される2軸性の歪み量を制
御することができる。
をダブルヘテロ構造中に含むようにして製造することが
できる。
ロ構造中に含むようにして偏光制御型の半導体発光素子
を製造することができる。
法を用いて作製したAlGaInN系半導体レーザの構
造図を図1に、本発明の偏光制御型量子ドット構造の製
造方法を用いて作製したAlGaInN系偏光制御型半
導体発光素子の構造図を図2に、分子線エピタキシー法
(MBE法)成長GaNにおけるグレインサイズの成長
温度依存性を図3に、MBE成長GaNにおけるグレイ
ンサイズの歪み量依存性を図4にそれぞれ示す。
法及びMBE法を、結晶材料としてAlGaInN系を
用いて説明するが、他の結晶成長法、他の結晶材料につ
いても同様に適用できる。
形態である、量子ドット構造の製造方法及びそれを用い
た半導体レーザの製造方法について説明する。図1の半
導体レーザは2回のMOVPE成長と1回のMBE成長
で作製される。まず、1回目のMOVPE成長におい
て、サファイア(0001)面(c面)基板190上
に、GaNバッファ層180を介して、厚膜のn−Ga
Nクラッド層170を平坦な下地結晶として成長させ
る。
によりn−AlGaNクラッド層130、GaN量子ド
ット活性層110(この層は多重量子井戸構造でも良
い)、p−AlGaNクラッド層120で成る量子ドッ
ト構造を作製する。このとき、MBE成長の成長条件と
して、結晶成長温度がGaN結晶の融点の絶対温度の
0.4倍以下の低温成長(例えば500℃程度)で、な
おかつ引っ張り歪みがかかるような成長条件で成長させ
る。これは、例えば、原子半径の小さいN原子の組成比
をストイキオメトリより大きくすることにより引っ張り
歪みを印加できる。あるいは、下地結晶の成長温度と量
子ドットの成長温度差を変化させることにより、下地結
晶との間で生じる2軸性歪みの量を制御できる。
り、量子効果の得られる程度に十分小さいサイズの量子
ドットを簡便に得られる。しかも、量子ドットのサイズ
は、成長温度・歪み量の組み合わせで調整できるため、
ドットサイズと活性層の組成を独立に制御することが可
能である。なお、ここで言う活性層の組成とは、例えば
活性層の組成をInGaNとし、In量により発振波長
を制御しようとした場合、本発明ではInとGaの比率
を自由に選べるという意味である。
量子ドット構造をAlGaNクラッド層120で埋込成
長させ、その後、全面にp−AlGaNクラッド層15
0、p−GaNキャップ層160を成長させて結晶成長
を完了する。
ッチングにより、図1に示すように、メサストライプ状
のレーザ構造を形成し、表面にSiO2 誘電体絶縁膜2
00を形成すると共に、p電極210、n電極220を
形成することにより、本発明のAlGaInN系量子ド
ット構造半導体レーザが得られる。
成長温度及び印加される歪み量で制御できる理由を図
3、図4を用いて説明する。図3はMBE成長GaNの
グレインサイズの成長温度依存性を示し、横軸は成長温
度の逆数でアーレニウスプロットしている。図4はMB
E成長GaNのグレインサイズの歪み量依存性を示して
いる。歪みの指標として低温フォトルミネセンスのエキ
シトンピーク波長がよく対応することが知られており、
その波長を図4の横下軸に示している。また、同波長か
ら換算した2軸性歪みの歪み量を図4の横上軸に併記し
ている。図3、図4は、我々の実験において明らかにな
った結果である(H.Fujii etal.,Mat
erials Research Society S
ymposium Proceedings,VOl.
449,p.227−232(1997))。
レインサイズが指数関数的に減少する様子が分かる。グ
レインサイズは結晶成長中に結晶表面を拡散する成長原
料種の拡散長を示していると考えられ、拡散長が成長温
度に律速されることを示している。このことから、成長
温度の制御により量子ドットのサイズを制御可能である
ことがわかる。
を、左側は引っ張り性歪みを示す。図4より、圧縮性歪
みが大きいほどグレインサイズが大きく拡散長が大きい
ことがわかる。これは、圧縮性歪みを印加することによ
り、面内での結晶格子間隔が狭くなり、結晶成長中の原
料種の拡散に対するエネルギバリアが小さくなり、拡散
長が大きくなるためと考えられる。逆に、引っ張り歪み
を印加することで、格子間隔を広げ拡散に対するエネル
ギバリアを高めることで、量子ドットのサイズを小さく
することが可能であると考えられる。
径の大きく異なるGa原子(またはAl原子)とN原子
の組成比(原料供給比)を変えることで、活性層を構成
する化合物半導体のストイキオメトリを変化させること
により静水圧性の歪みを導入する第1の方法がある。あ
るいは、下地結晶の成長温度と量子ドット構造の成長温
度に温度差を設け、下地との間で2軸性の歪みを与える
第2の方法でも良い。いずれにしても上記の2つの方法
が可能で、どちらか一方、あるいは両者を適当に組み合
わせることで、量子ドット構造に印加される歪み量の制
御が可能となる。
と引っ張り歪み量の制御をうまく組み合わせることで、
量子効果の得られる程度に十分小さい量子ドット構造を
作製することが可能となる。本発明では、量子ドットサ
イズの制御に、成長温度の変化及び引っ張り歪み量の変
化による成長原料種の運動学的な変化(具体的には拡散
長の変化)を利用している。このため、従来の自己形成
量子ディスク構造の表面エネルギの変化を利用した方法
と異なり、本発明では量子ドット構造を広範な範囲で制
御可能で、なおかつ、量子ドット活性層の組成とサイズ
の制御を独立に行うことが可能である。その結果、本発
明の図1のAlGaInN系半導体レーザでは、従来に
比べ、大幅に低しきい値で良好な特性を有する発振特性
を得ることができる。
施の形態である、偏光制御型の半導体発光素子について
説明する。図2に示された構造の製造方法は、基本的に
図1と同様で、2回のMOVPE成長と1回のMBE成
長、ドライエッチングの組み合わせで作製できる。図1
と異なる点は、量子ドット構造形成の際に、量子ドット
構造がほぼ無歪みとなる成長条件で作製することであ
る。
印加された歪みに依存することがわかっており、ほぼ無
歪み状態で形成された量子ドット構造は[11−20]
方向に1辺を有する六角錘形状となることがわかってい
る。このことから、量子ドット構造をほぼ無歪みで形成
することにより、図2に示すように、活性層に六角錘量
子ドット構造の密集した量子ドット半導体発光素子を得
ることができる。なお、この場合、量子ドットサイズの
制御は成長温度のみで行うため、図1よりも低温の、融
点の絶対温度の0.3倍以下(例えば350℃)で成長
させる必要がある。また、図2では、発光ダイオードと
して動作し、光を上面から取り出すためp電極215を
透明電極とする。これにより得られた図2の半導体発光
素子では、六角錘の形状に対応した6回対称の対称性を
有する方向に偏光制御された量子ドット半導体発光素子
が得られる。
法及びそれを用いた半導体発光素子の製造方法の実施例
について具体的に説明する。図1は、本発明による量子
ドット構造の製造方法を用いて作製したAlGaInN
系半導体レーザの構造を示し、図2は、本発明による偏
光制御型量子ドッ卜構造の製造方法を用いて作製したA
lGaInN系偏光制御型半導体発光素子の構造を示
す。
VPE法及びMBE法を、結晶材料としてAlGaIn
N系を用いて説明するが、他の結晶成長方法、他の結晶
材料についても同様に適用できる。また、基板としてサ
ファイア(0001)面(c面)をあげるが、他の基
板、方位についても同様な効果が得られる。
OVPE成長において、サファイア(0001)面(c
面)基板190上に、500℃にてGaNバッファ層1
80を成長させた後、1050℃にて4μm厚のn−G
aNクラッド層170を平坦な下地結晶として成長させ
る。次に、この平坦な下地の上に、MBE成長により5
00℃にて、1.0μm厚のn−AlGaNクラッド層
130、5nm厚のGaN量子ドット活性層110(こ
の層はInGaN/GaN等の多重量子井戸構造でも良
い)、0.2μm厚のp−AlGaNクラッド層120
で成る量子ドット構造を作製する。このとき、MBE成
長の成長条件として、量子ドット構造に引っ張り歪みが
かかるように、N組成の大きい条件(N/III 族比を大
きくする)で成長を行い、量子ドットサイズとして10
nm程度の小さいものとした。
050℃において、量子ドット構造をAlGaNクラッ
ド層140で埋込成長させ、その後、全面に0.8μm
厚のp−AlGaNクラッド層150、0.3μm厚の
p−GaNキャップ層160を成長させ、結晶成長を完
了する。その後、フォトリソグラフィーとドライエッチ
ングによりn−GaNクラッド層170の途中までエッ
チングを行い、図1に示すようにメサストライプ状のレ
ーザ構造を形成する。最後に、表面にSiO2絶縁膜2
00及びp電極215、n電極220を形成して、Al
GaInN系量子ドット構造の半導体レーザが作製され
る。
は、図5の従来例に比べ、広範な範囲で量子ドット構造
のサイズ制御が可能で、量子効果を得られる程度に十分
小さくすることができる。しかも、量子ドット活性層の
組成とサイズを独立に制御可能である。この結果、本発
明のAlGaInN系量子ドット構造半導体レーザで
は、従来例に比べ、大幅に低しきい値で、良好な特性を
有する発振特性が得られた。
発光素子について説明する。図2の半導体発光素子の製
造方法は、基本的に図1と同様で、2回のMOVPE成
長と1回のMBE成長、ドライエッチングの組み合わせ
で作製できる。図1と異なる点は、量子ドット構造形成
の際に、量子ドット構造がほぼ無歪みとなる成長条件で
作製することである。
とし、量子ドットはほぼ無歪みとなるように、N/III
族比を調整した。具体的には、Gaセルの温度は一定と
し、原料として用いた、N2 プラズマガンを通して供給
するN2 流量を変化させた。これにより、図2に示すよ
うな六角錘が密集した量子ドット構造が得られた。その
後、図1と同様に電極形成プロセスまでを完了し、偏光
制御型の半導体発光素子を作製した。なお、図2では導
波路形状を有しているが、上面から光を取り出す構造で
あれば、どんな形状でも良い。
素子では、六角錘の形状に対応した偏光制御された発光
が得られた。
ドット構造の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子
の製造方法によれば、量子ドット構造のサイズの制御を
成長原料種の拡散長の制御により行うため、サイズの広
範な制御が可能で、しかも組成とサイズを独立して制御
することが可能である。その結果、従来例に比べ、大幅
に低しきい値で良好な特性を有するAlGaInN系半
導体レーザが作製可能である。
形成することにより、偏光制御性を有する半導体発光素
子が作製可能である。
造の製造方法を用いて作製したAlGaInN系半導体
レーザの構造を示す。
造の製造方法を用いて作製した偏光制御型の半導体発光
素子の構造を示す。
インサイズの成長温度依存性を説明するための測定結果
を示した図である。
インサイズの歪み量依存性を説明するための測定結果を
示した図である。
図を示す。
Claims (8)
- 【請求項1】 活性層が、該活性層よりも高エネルギの
半導体で埋め込まれた量子ドット構造において、前記活
性層の結晶成長温度が該活性層を構成する半導体の融点
の絶対温度の0.4倍以下の低温成長であり、かつ該活
性層が引っ張り歪みを受けるような条件下で成長するこ
とを特徴とする量子ドット構造の製造方法。 - 【請求項2】 活性層が、該活性層よりも高エネルギの
半導体で埋め込まれた量子ドット構造において、前記活
性層の結晶成長温度が該活性層を構成する半導体の融点
の絶対温度の0.3倍以下の低温成長であり、かつ該活
性層がほぼ無歪みとなるような条件下で成長することを
特徴とする量子ドット構造の製造方法。 - 【請求項3】 前記活性層がGaN、またはGaIn
N、もしくはAlGaNで構成される請求項1あるいは
2記載の量子ドット構造の製造方法。 - 【請求項4】 基板上に下地となる平坦な結晶層を作製
する工程と、 その上に量子ドット構造を作製する工程と、 さらにその上に量子ドット構造を埋め込む全面成長層を
作製する工程をこの記載順に含むことを特徴とする請求
項1あるいは2記載の量子ドット構造の製造方法。 - 【請求項5】 前記活性層が化合物半導体であり、前記
GaあるいはAlによる陽イオンと前記Nによる陰イオ
ンの原料供給比を変えることで該活性層を構成する化合
物半導体のストイキオメトリを変化させ、該活性層に印
加される静水圧性の歪み量を制御することを特徴とする
請求項1記載の量子ドット構造の製造方法。 - 【請求項6】 前記下地となる結晶層の成長温度と、前
記量子ドット構造の成長温度の成長温度差を変化させる
ことにより、該活性層に印加される2軸性の歪み量を制
御することを特徴とする請求項1記載の量子ドット構造
の製造方法。 - 【請求項7】 請求項1記載の量子ドット構造をダブル
ヘテロ構造中に含むように製造することを特徴とする半
導体発光素子の製造方法。 - 【請求項8】 請求項2記載の量子ドット構造をダブル
ヘテロ構造中に含むように製造することを特徴とする偏
光制御型の半導体発光素子の製造方法。
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KR100721479B1 (ko) * | 2006-01-02 | 2007-05-23 | 한국과학기술연구원 | 성장 시간 정지를 이용한 저밀도 화합물 반도체 양자점제작방법 |
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