JPH0413055U - - Google Patents
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- JPH0413055U JPH0413055U JP4994690U JP4994690U JPH0413055U JP H0413055 U JPH0413055 U JP H0413055U JP 4994690 U JP4994690 U JP 4994690U JP 4994690 U JP4994690 U JP 4994690U JP H0413055 U JPH0413055 U JP H0413055U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- crystal growth
- schematic diagram
- angle
- crystal
- Prior art date
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- Granted
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第1図は従来公知の液体封止垂直ブリツジマン
法によるGaAs結晶の育成を示す炉内の模式図
、第2図は結晶育成の原料充填時の模式図、第3
図は従来技術の問題点を説明する模式図、第4図
は本考案の効果の根拠を説明するための増径角度
と双晶境界発生の関係の計算結果を示す図をそれ
ぞれ示す。 1……種子結晶、2……成長結晶、3……融液
、4……液体封止剤、5……るつぼ、6……るつ
ぼホルダー、7……るつぼ軸、8……発熱体、9
……機密容器、10……固体の原料、11……固
体の液体封止剤、12……種子部、13……定径
部、14……増径部、15……双晶境界を各々示
す。
法によるGaAs結晶の育成を示す炉内の模式図
、第2図は結晶育成の原料充填時の模式図、第3
図は従来技術の問題点を説明する模式図、第4図
は本考案の効果の根拠を説明するための増径角度
と双晶境界発生の関係の計算結果を示す図をそれ
ぞれ示す。 1……種子結晶、2……成長結晶、3……融液
、4……液体封止剤、5……るつぼ、6……るつ
ぼホルダー、7……るつぼ軸、8……発熱体、9
……機密容器、10……固体の原料、11……固
体の液体封止剤、12……種子部、13……定径
部、14……増径部、15……双晶境界を各々示
す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 結晶成長に用いるるつぼにおいて、増経部の角
度(増経角度:θ)を、 10°≦θ≦30° (1) 40°≦θ≦70° (2) 式(1)または(2)の範囲に構成してなることを特
徴とする結晶成長用るつぼ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990049946U JP2546746Y2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 垂直ブリッジマン法用るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1990049946U JP2546746Y2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 垂直ブリッジマン法用るつぼ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0413055U true JPH0413055U (ja) | 1992-02-03 |
JP2546746Y2 JP2546746Y2 (ja) | 1997-09-03 |
Family
ID=31568073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1990049946U Expired - Lifetime JP2546746Y2 (ja) | 1990-05-14 | 1990-05-14 | 垂直ブリッジマン法用るつぼ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2546746Y2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006213549A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
JP2012236770A (ja) * | 2003-05-07 | 2012-12-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5537460A (en) * | 1978-09-07 | 1980-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Structure of crucible |
JPS5777091A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-14 | Hitachi Metals Ltd | Manufacture of single crystal |
-
1990
- 1990-05-14 JP JP1990049946U patent/JP2546746Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5537460A (en) * | 1978-09-07 | 1980-03-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Structure of crucible |
JPS5777091A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-14 | Hitachi Metals Ltd | Manufacture of single crystal |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012236770A (ja) * | 2003-05-07 | 2012-12-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶 |
JP5233070B2 (ja) * | 2003-05-07 | 2013-07-10 | 住友電気工業株式会社 | 燐化インジウム基板および燐化インジウム単結晶とその製造方法 |
JP2006213549A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
JP4529712B2 (ja) * | 2005-02-02 | 2010-08-25 | 日立電線株式会社 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2546746Y2 (ja) | 1997-09-03 |
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