Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Со Ан СссрfiledCriticalИнститут Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority to SU3005010/26ApriorityCriticalpatent/SU948170A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU948170A1publicationCriticalpatent/SU948170A1/ru
Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава в запаянной ампуле, включающий предварительный перегрев расплава, затравливание в носике ампулы и последующую направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода монокристаллов, предварительный перегрев ведут не более чем на 5-10C выше температуры плавления, затравливание проводят с регистрацией температуры в носике ампулы, и при наличии пика на температурной кривой процесс затравливания возобновляют.
SU3005010/26A1980-09-181980-09-18Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов
SU948170A1
(ru)