Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Институт Физики Полупроводников Со Ан СссрfiledCriticalИнститут Физики Полупроводников Со Ан Ссср
Priority to SU3005010/26ApriorityCriticalpatent/SU948170A1/en
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU948170A1publicationCriticalpatent/SU948170A1/en
Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава в запаянной ампуле, включающий предварительный перегрев расплава, затравливание в носике ампулы и последующую направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода монокристаллов, предварительный перегрев ведут не более чем на 5-10C выше температуры плавления, затравливание проводят с регистрацией температуры в носике ампулы, и при наличии пика на температурной кривой процесс затравливания возобновляют.The method of growing single crystals of semiconductor materials from the melt in a sealed ampoule, including melt preheat, seeding in the spout of the ampoule and subsequent directional crystallization, characterized in that, in order to increase the yield of single crystals, the preheat is not more than 5-10C above the melting point , seeding is carried out with the registration of the temperature in the spout of the ampoule, and if there is a peak in the temperature curve, the seeding process is resumed.
SU3005010/26A1980-09-181980-09-18
METHOD OF CULTIVATION OF SEMICONDUCTOR SINGLE-CRYSTALS
SU948170A1
(en)