JPH0143405Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0143405Y2 JPH0143405Y2 JP12758584U JP12758584U JPH0143405Y2 JP H0143405 Y2 JPH0143405 Y2 JP H0143405Y2 JP 12758584 U JP12758584 U JP 12758584U JP 12758584 U JP12758584 U JP 12758584U JP H0143405 Y2 JPH0143405 Y2 JP H0143405Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crucible
- flux
- crystal growth
- electric furnace
- Prior art date
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- Expired
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案はフラツクス法による単結晶育成装置に
関する。更に詳しくはフラツクス法により良質
で、かつ大型の単結晶を育成することができる単
結晶育成装置に関する。
関する。更に詳しくはフラツクス法により良質
で、かつ大型の単結晶を育成することができる単
結晶育成装置に関する。
従来の技術
従来のフラツクス法の単結晶育成装置は、円筒
型ルツボを垂直に設け、該ルツボの中心軸を中心
に断続的に回転させるように構成されている。し
かし、このような単結晶育成装置では、回転軸方
向の温度分布を均一に保つ効果はあるが、溶融物
の撹拌は水平方向だけ行われ、上下方向の撹拌は
不十分である。特に溶融物の溶質成分と溶媒との
比重差のために生ずる溶融物中の組成が不均一と
なり、良質の単結晶を育成し難い欠点があつた。
型ルツボを垂直に設け、該ルツボの中心軸を中心
に断続的に回転させるように構成されている。し
かし、このような単結晶育成装置では、回転軸方
向の温度分布を均一に保つ効果はあるが、溶融物
の撹拌は水平方向だけ行われ、上下方向の撹拌は
不十分である。特に溶融物の溶質成分と溶媒との
比重差のために生ずる溶融物中の組成が不均一と
なり、良質の単結晶を育成し難い欠点があつた。
考案の目的
本考案は従来のフラツクス法の単結晶育成装置
における欠点をなくすべくなされたもので、その
目的は溶融物中の組成を均一に保持し、良質で、
かつ大型の単結晶を容易に育成することができる
フラツクス法の単結晶育成装置を提供するにあ
る。
における欠点をなくすべくなされたもので、その
目的は溶融物中の組成を均一に保持し、良質で、
かつ大型の単結晶を容易に育成することができる
フラツクス法の単結晶育成装置を提供するにあ
る。
考案の構成
本考案者らはフラツクス法によるYIG単結晶の
育成について研究を重ねた結果、円筒型のルツボ
の中心軸を45゜傾斜させて、該軸を中心に常時一
定方向に一定速度で回転させながら単結晶を育成
させたところ、フラツクス等の異物を結晶内にと
り込むことがなく、良質で、かつ大型の単結晶が
容易に育成し得られることが分つた。また該ルツ
ボの中心軸の傾斜は30〜60゜の範囲であれば同様
な効果が得られ、この範囲外では単結晶内に異物
がとりこまれたりして良質の単結晶を育成し難い
ことが分つた。これらの知見に基いて本考案を完
成した。
育成について研究を重ねた結果、円筒型のルツボ
の中心軸を45゜傾斜させて、該軸を中心に常時一
定方向に一定速度で回転させながら単結晶を育成
させたところ、フラツクス等の異物を結晶内にと
り込むことがなく、良質で、かつ大型の単結晶が
容易に育成し得られることが分つた。また該ルツ
ボの中心軸の傾斜は30〜60゜の範囲であれば同様
な効果が得られ、この範囲外では単結晶内に異物
がとりこまれたりして良質の単結晶を育成し難い
ことが分つた。これらの知見に基いて本考案を完
成した。
本考案の単結晶育成装置を図面に基いて説明す
ると、図面は本考案の単結晶育成装置を電気炉に
取付けた実施態様を示すもので、第１図はその概
略図で、第２図はルツボをセツトした部分の態様
断面図である。
ると、図面は本考案の単結晶育成装置を電気炉に
取付けた実施態様を示すもので、第１図はその概
略図で、第２図はルツボをセツトした部分の態様
断面図である。
第２図において、１はルツボ、２は原料溶融
物、３は発熱体、４はアルミナ管、５はCP管
（アルミナ管）、６はアルミナフアイバー、７及び
１１はCP管、８は下部熱電対、９は上部熱電対、
１０はフラツクス除去用パイプ、１２，１３はモ
ルタルを示す。ルツボ１はアルミナ管４、CP管
５、７及び１１によつて保持され、CP管５とル
ツボ１の間にはアルミナフアイバー６を介して強
固に保持される。この周囲から発熱体３により加
熱され、原料は溶融物２となる。１２，１３は
CP管５、アルミナ管４を保持するモルタルであ
る。ルツボ１の温度は下部及び上部の熱電対８、
及び９により測定して一定温度に制御される。
物、３は発熱体、４はアルミナ管、５はCP管
（アルミナ管）、６はアルミナフアイバー、７及び
１１はCP管、８は下部熱電対、９は上部熱電対、
１０はフラツクス除去用パイプ、１２，１３はモ
ルタルを示す。ルツボ１はアルミナ管４、CP管
５、７及び１１によつて保持され、CP管５とル
ツボ１の間にはアルミナフアイバー６を介して強
固に保持される。この周囲から発熱体３により加
熱され、原料は溶融物２となる。１２，１３は
CP管５、アルミナ管４を保持するモルタルであ
る。ルツボ１の温度は下部及び上部の熱電対８、
及び９により測定して一定温度に制御される。
これらの全体を30〜60゜に傾斜させて第１図に
示すように回転できるようにする。１５は駆動モ
ーター、１６は回転シヤフト、１７はプーリー、
１８はローラー、８は下部熱電対、、９は上部熱
電対、１０はフラツクス除去用パイプ、１８はロ
ーラー、１９は電気炉制御用熱電対、２０はフラ
ツクス受器を示す。駆動用モーター１５を駆動さ
せ、回転シヤフト１６、プーリー１７、ローラー
１８を介して、電気炉１４全体を回転させる。電
気炉の温度は電気炉制御用熱電対１９により温度
を計り、その温度を制御する。
示すように回転できるようにする。１５は駆動モ
ーター、１６は回転シヤフト、１７はプーリー、
１８はローラー、８は下部熱電対、、９は上部熱
電対、１０はフラツクス除去用パイプ、１８はロ
ーラー、１９は電気炉制御用熱電対、２０はフラ
ツクス受器を示す。駆動用モーター１５を駆動さ
せ、回転シヤフト１６、プーリー１７、ローラー
１８を介して、電気炉１４全体を回転させる。電
気炉の温度は電気炉制御用熱電対１９により温度
を計り、その温度を制御する。
原料溶融物２は回転により撹拌されながら一定
時間保持された後、徐々に冷却することによつて
単結晶を育成される。その後電気炉を更に傾けて
フラツクスをフラツクス受器２０に取出し、放冷
後、単結晶を取出す。
時間保持された後、徐々に冷却することによつて
単結晶を育成される。その後電気炉を更に傾けて
フラツクスをフラツクス受器２０に取出し、放冷
後、単結晶を取出す。
実施例
縦型電気炉を45゜に傾け、1000mlの白金ルツボ
にフラツクスとしてB2O3、PbO及びPbF2の混合
粉末と、Y2O3，Fe2O3を下記の比率で混合した
もの2.5〜3.5Kg充填した。
にフラツクスとしてB2O3、PbO及びPbF2の混合
粉末と、Y2O3，Fe2O3を下記の比率で混合した
もの2.5〜3.5Kg充填した。
B2O3：PbO：PbF2：Y2O3：Fe2O3
５：25 ：40 ： ８ ：22（モル比）
約1250℃に加熱して溶融し、ルツボを3rpmの
回転速度で回転させながら約６時間保つた後、
0.2℃／ｈの降温速度で1050℃まで降温し、また
この温度から1000℃まで0.3℃／ｈで降温した後、
電気炉を傾けてフラツクスを除去した。除去後電
源を切つて自然放冷した後、単結晶を取出した。
得られた単結晶は黒色で、単結晶には異物が含ま
れなかつた。この単結晶の光磁気特性を従来法に
よる単結晶のそれを比較して示すと次の通りであ
る。
回転速度で回転させながら約６時間保つた後、
0.2℃／ｈの降温速度で1050℃まで降温し、また
この温度から1000℃まで0.3℃／ｈで降温した後、
電気炉を傾けてフラツクスを除去した。除去後電
源を切つて自然放冷した後、単結晶を取出した。
得られた単結晶は黒色で、単結晶には異物が含ま
れなかつた。この単結晶の光磁気特性を従来法に
よる単結晶のそれを比較して示すと次の通りであ
る。
育成方法 消光比 透過率
（dB） ％
本考案装置によるもの 50 73
FZ法 40 70以上
フラツクス法 35 65
（非回転）
フラツクス法 40 70以上
（垂直回転）
この結果が示すように、本考案の装置によるも
のが、従来法のものに比べて消光比が高く、透過
率が優れ、良質のものが得られることが判る。
のが、従来法のものに比べて消光比が高く、透過
率が優れ、良質のものが得られることが判る。
そして、仕込み原料３Kgで単結晶の収量は
540gであり、最大結晶は45φ×35mm、（250g）で
あつた。このように大きな結晶体が得られた。
540gであり、最大結晶は45φ×35mm、（250g）で
あつた。このように大きな結晶体が得られた。
考案の効果
本考案の装置を使用すると、従来装置を使用し
た場合に比べて良質で、かつ大きな単結晶を容易
に育成し得られる優れた効果を奏し得られる。
た場合に比べて良質で、かつ大きな単結晶を容易
に育成し得られる優れた効果を奏し得られる。
図面は本考案の単結晶育成装置を電気炉に取付
けた実施態様を示すもので、第１図はその概略
図、第２図はルツボをセツトした部分の態様断面
図を示す。 １……ルツボ、２……原料溶融物、３……発熱
体、４……アルミナ管、５……CP管、６……ア
ルミナフアイバー、７，１１……CP管、８……
下部熱電対、９……上部熱電対、１０……フラツ
クス除去用パイプ、１２，１３……モルタル、１
４……電気炉、１５……駆動モーター、１６……
回転シヤフト、１７……プーリー、１８……ロー
ラー、１９……電気炉制御用熱電対、２０……フ
ラツクス受器。
けた実施態様を示すもので、第１図はその概略
図、第２図はルツボをセツトした部分の態様断面
図を示す。 １……ルツボ、２……原料溶融物、３……発熱
体、４……アルミナ管、５……CP管、６……ア
ルミナフアイバー、７，１１……CP管、８……
下部熱電対、９……上部熱電対、１０……フラツ
クス除去用パイプ、１２，１３……モルタル、１
４……電気炉、１５……駆動モーター、１６……
回転シヤフト、１７……プーリー、１８……ロー
ラー、１９……電気炉制御用熱電対、２０……フ
ラツクス受器。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 円筒型ルツボを使用するフラツクス法の単結
晶育成装置において、円筒型ルツボの中心軸を
30〜60゜に傾斜させ、この中心軸を中心にルツ
ボを回転するように構成したことを特徴とする
フラツクス法の単結晶育成装置。 ２ 円筒型ルツボを電気炉中に固定し、全体を30
〜60゜に傾斜させ、この中心軸を中心に回転さ
せる実用新案登録請求の範囲第１項記載のフラ
ツクス法の単結晶育成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12758584U JPS6143273U (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12758584U JPS6143273U (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 単結晶育成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6143273U JPS6143273U (ja) | 1986-03-20 |
| JPH0143405Y2 true JPH0143405Y2 (ja) | 1989-12-15 |
Family
ID=30686227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12758584U Granted JPS6143273U (ja) | 1984-08-24 | 1984-08-24 | 単結晶育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6143273U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63157626U (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-17 |
-
1984
- 1984-08-24 JP JP12758584U patent/JPS6143273U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6143273U (ja) | 1986-03-20 |
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