JPH04103134A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタ - Google Patents
ヘテロ接合バイポーラトランジスタInfo
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- JPH04103134A JPH04103134A JP22190990A JP22190990A JPH04103134A JP H04103134 A JPH04103134 A JP H04103134A JP 22190990 A JP22190990 A JP 22190990A JP 22190990 A JP22190990 A JP 22190990A JP H04103134 A JPH04103134 A JP H04103134A
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[概要コ
ヘテロ接合バイポーラトランジスタに関し、低消費電力
であると共に、素子の高速化を実現することができる半
導体装置を提供することを目的とし、 エミッタがベースよりも大きいバンドギャップエネルギ
ーを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて
、前記ベースが、伝導帯の底及び伝導帯の底よりも高エ
ネルギー側にそれぞれ第1の谷及び第2の谷を有し、か
つ前記第2の谷における電子の有効質量が、前記第1の
谷における電子の有効質量よりも小さく、前記エミッタ
が、伝導帯の底に前記第2の谷を有し、前記エミッタの
前記第2の谷を走行してきた電子が、前記エミッタと前
記ベースとの間に形成される伝導帯のエネルギースパー
クによって、前記ベースの前記第2の谷に注入されるよ
うに構成する。
であると共に、素子の高速化を実現することができる半
導体装置を提供することを目的とし、 エミッタがベースよりも大きいバンドギャップエネルギ
ーを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて
、前記ベースが、伝導帯の底及び伝導帯の底よりも高エ
ネルギー側にそれぞれ第1の谷及び第2の谷を有し、か
つ前記第2の谷における電子の有効質量が、前記第1の
谷における電子の有効質量よりも小さく、前記エミッタ
が、伝導帯の底に前記第2の谷を有し、前記エミッタの
前記第2の谷を走行してきた電子が、前記エミッタと前
記ベースとの間に形成される伝導帯のエネルギースパー
クによって、前記ベースの前記第2の谷に注入されるよ
うに構成する。
[産業上の利用分野]
本発明はヘテロ接合バイポーラトランジスタに関する。
HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)は、高速
かつ駆動能力の高い素子として注目されており、特にそ
の主流となっているAjGaAs/GaAs系のHBT
は、半導体素子中で、高速動作のトップデータを有して
いる。しかし、AjG a A s / G a A
s系は消費電力が大きいために高集積化が望めない。従
って、消費電力の小さなH’B Tを・他の材料を用い
て作成する研究が成されている。その代表としては、I
nAj!As/InGaAs系、InP/InGaAs
系、GaAs/ G e系などがある。
かつ駆動能力の高い素子として注目されており、特にそ
の主流となっているAjGaAs/GaAs系のHBT
は、半導体素子中で、高速動作のトップデータを有して
いる。しかし、AjG a A s / G a A
s系は消費電力が大きいために高集積化が望めない。従
って、消費電力の小さなH’B Tを・他の材料を用い
て作成する研究が成されている。その代表としては、I
nAj!As/InGaAs系、InP/InGaAs
系、GaAs/ G e系などがある。
[従来の技術]
従来のG a A s 、/ G e構造のNpn型H
BTのバンド構造を第3図に示す。
BTのバンド構造を第3図に示す。
即ち、このHBTは、バンドギャップエネルギーEgが
、 Eg=1.42eV のN型GaAscミ・ツタF142と、Eg=O,’6
6eV のP型Geベース層44と、n型Geコレクタ層46と
から構成されている。
、 Eg=1.42eV のN型GaAscミ・ツタF142と、Eg=O,’6
6eV のP型Geベース層44と、n型Geコレクタ層46と
から構成されている。
そしてN型GaAsエミツタ層42とP型Geベース1
44とのヘテロ接合面の伝導帯に形成されているエネル
ギースパークの高さΔEcは、ΔEc=0.06eV である、 また、P型Geベース層44の伝導帯の底にはL谷が形
成され、その上方の高エネルギー側には「谷が形成され
ている。このときのし谷とr谷とのエネルギー差、即ち
セパレーションエネルギーEr ELは、 Br EL=0.14eV である。
44とのヘテロ接合面の伝導帯に形成されているエネル
ギースパークの高さΔEcは、ΔEc=0.06eV である、 また、P型Geベース層44の伝導帯の底にはL谷が形
成され、その上方の高エネルギー側には「谷が形成され
ている。このときのし谷とr谷とのエネルギー差、即ち
セパレーションエネルギーEr ELは、 Br EL=0.14eV である。
[発明が解決しようとする課B]
上記従来のHBTにおいて、N型GaAsエミツタ層4
2からP型Geベース層44へ注入される電子は、高さ
ΔEc =0 、06 eVのエネルギースパークによ
ってホットエレクトロン効果を有するが、この注入され
たホットエレクトロンはその大部分がp型Geベース層
44においてはL谷を走行する。ところが、このし谷に
おける電子の有効質量m”/m’は、 m” /m0=Q、os〜x、6 と比較的重い。この・なめ、−電子はP型Geベース層
44中を進みに<<、ベース走行時間が長くなってしま
い、従って高速化を向上させることができないという間
籾があっfS。
2からP型Geベース層44へ注入される電子は、高さ
ΔEc =0 、06 eVのエネルギースパークによ
ってホットエレクトロン効果を有するが、この注入され
たホットエレクトロンはその大部分がp型Geベース層
44においてはL谷を走行する。ところが、このし谷に
おける電子の有効質量m”/m’は、 m” /m0=Q、os〜x、6 と比較的重い。この・なめ、−電子はP型Geベース層
44中を進みに<<、ベース走行時間が長くなってしま
い、従って高速化を向上させることができないという間
籾があっfS。
そこで本発明は、低消費電力であると共に、高速化を実
現することができる半導体装置を提供することを目的と
する。
現することができる半導体装置を提供することを目的と
する。
[課題を解決するための手段]
上記課題は、エミッタがベースよりも大きいバンドギャ
ップエネルギーを有するヘテロ接合バイポーラトランジ
スタにおいて、前記ベースが、伝導帯の底及び伝導帯の
底よりも高エネルギーJこそれぞれ第1の谷及び第2の
谷を有し、かつ前記第2の谷における電子の有効質量が
、前記第1の谷における電子の有効質量よりも小さく、
前記エミッタが、伝導帯の底に前記第2の谷を有し、前
記エミッタの前記第2の谷を走行してきた電子が、前記
エミッタと前記ベースとの間に形成される伝導帯のエネ
ルギースパークによって、前記ベースの前記第2の谷に
注入されることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタによって達成される。
ップエネルギーを有するヘテロ接合バイポーラトランジ
スタにおいて、前記ベースが、伝導帯の底及び伝導帯の
底よりも高エネルギーJこそれぞれ第1の谷及び第2の
谷を有し、かつ前記第2の谷における電子の有効質量が
、前記第1の谷における電子の有効質量よりも小さく、
前記エミッタが、伝導帯の底に前記第2の谷を有し、前
記エミッタの前記第2の谷を走行してきた電子が、前記
エミッタと前記ベースとの間に形成される伝導帯のエネ
ルギースパークによって、前記ベースの前記第2の谷に
注入されることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタによって達成される。
また、上記のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおい
て、前記エミッタがN型AJxGal−yAsで、かつ
その組成比Xが0.4程度であり、前記ベースがP型G
eであり、前記第1の谷がし谷であり、前記第2の谷が
「谷であることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタによって達成される。
て、前記エミッタがN型AJxGal−yAsで、かつ
その組成比Xが0.4程度であり、前記ベースがP型G
eであり、前記第1の谷がし谷であり、前記第2の谷が
「谷であることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトラ
ンジスタによって達成される。
[作 用]
エミッタとベースとのヘテロ接合面における伝導帯のエ
ネルギースパークの高さがベースにおける第1の谷と第
2の谷とのセパレーションエネルギーとかなり近い値で
あるため、エミッタの伝導帯の底の第2の谷を走行して
きた電子は、容易にベースの第2の谷に注入され、ベー
スにおいては第2の谷を走行することになる。そしてこ
の第2の谷における電子の有効質量は、第1の谷におけ
る電子の有効質量より小さいため、ベース走行時間は短
くなり、従って高速動作が実現される。
ネルギースパークの高さがベースにおける第1の谷と第
2の谷とのセパレーションエネルギーとかなり近い値で
あるため、エミッタの伝導帯の底の第2の谷を走行して
きた電子は、容易にベースの第2の谷に注入され、ベー
スにおいては第2の谷を走行することになる。そしてこ
の第2の谷における電子の有効質量は、第1の谷におけ
る電子の有効質量より小さいため、ベース走行時間は短
くなり、従って高速動作が実現される。
[実棒例]
以下、本発明を図示する実施例に基づいて具体的に説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例によるHBTを示す断面図で
ある。
ある。
n+型GaAs基板12の上に、厚さ500 rim、
a11度I X 10”cm−’のn+型GaAsサブ
エミッタ層14を介して、厚さ300 nm、濃度1×
IQ17cm−3のN型A、ll xea、−、As
<X=0.4>エミツタ層16が形成されている。なお
、このN型Aj 、Ga1−x Asエミツタ層16に
おける組成比Xを、x=0.4としたのは、N型AjG
aAsエミッタ層16における伝導帯の底に「谷が形成
されるようにするためである。
a11度I X 10”cm−’のn+型GaAsサブ
エミッタ層14を介して、厚さ300 nm、濃度1×
IQ17cm−3のN型A、ll xea、−、As
<X=0.4>エミツタ層16が形成されている。なお
、このN型Aj 、Ga1−x Asエミツタ層16に
おける組成比Xを、x=0.4としたのは、N型AjG
aAsエミッタ層16における伝導帯の底に「谷が形成
されるようにするためである。
そしてこのN型AJGaAsエミッタ層16及びN型A
JGaAsエミッタ層16との接合近傍のn十型GaA
sサブエミッタ層14の周囲には、ボロンを注入して高
抵抗化した電流狭窄層18が形成されている。
JGaAsエミッタ層16との接合近傍のn十型GaA
sサブエミッタ層14の周囲には、ボロンを注入して高
抵抗化した電流狭窄層18が形成されている。
また、N型AjGaAsエミッタ層16上には、Gaが
拡散された厚さ1100n、濃度cm−’のP+型Ge
ベース層20が形成されている。そしてこのp”型Ge
ベース層20と接続するP+型Ge外部ベース層22が
、電流狭窄層18上に形成されている。またP+型Ge
ベース層20の上には、厚さ500 nm、濃度3×1
0’cm−’のn型GeコレクタM24が形成され、更
にこのn型Geコレクタ層24上には、厚さ200 n
m、濃度3X1017cm−’のn+型Geコレクタコ
ンタクト層26が形成されている。
拡散された厚さ1100n、濃度cm−’のP+型Ge
ベース層20が形成されている。そしてこのp”型Ge
ベース層20と接続するP+型Ge外部ベース層22が
、電流狭窄層18上に形成されている。またP+型Ge
ベース層20の上には、厚さ500 nm、濃度3×1
0’cm−’のn型GeコレクタM24が形成され、更
にこのn型Geコレクタ層24上には、厚さ200 n
m、濃度3X1017cm−’のn+型Geコレクタコ
ンタクト層26が形成されている。
そしてn +型GaAs基板12裏面上、p“型Ge外
部ベース層22上及びn”型Geコレクタコンタクト層
26上には、それぞれエミッタ電極28、ベース電極3
0及びコレクタ$4132が形成されている。
部ベース層22上及びn”型Geコレクタコンタクト層
26上には、それぞれエミッタ電極28、ベース電極3
0及びコレクタ$4132が形成されている。
次に、第2図を用いて動作を説明する。
第2図は第1図のN型AjGaAsエミッタ層16、p
”型Geベース層20及びn型Geコレクタ層24のエ
ネルギーバンド図である。
”型Geベース層20及びn型Geコレクタ層24のエ
ネルギーバンド図である。
N型AjGaAsエミッタ層16におけるバンドギャッ
プエネルギーEgは、 Eg (Aj 0.4 Gao6As)=1.92eV
であり、伝導帯の底にはr谷が存在する。まなP“型G
eベース層20のバンドギャップエネルギーEgは、 Eg (Ge)=O166eV であり、その伝導帯の底にはL谷が存在する。そしてこ
のし谷の上方の高エネルギー側にはr谷が存在し、L谷
とr谷とのセパレーションエネルギーE、−ELは、 Er EL =0.14 eV である。
プエネルギーEgは、 Eg (Aj 0.4 Gao6As)=1.92eV
であり、伝導帯の底にはr谷が存在する。まなP“型G
eベース層20のバンドギャップエネルギーEgは、 Eg (Ge)=O166eV であり、その伝導帯の底にはL谷が存在する。そしてこ
のし谷の上方の高エネルギー側にはr谷が存在し、L谷
とr谷とのセパレーションエネルギーE、−ELは、 Er EL =0.14 eV である。
また、第3図に示される従来のHBTにおけるN型Ga
Asエミツタ層42とp型Geベース層44とのΔEc
/ΔEgは、電子親和力から計算すると、ΔEc/ΔE
gさ0.08程度となる。
Asエミツタ層42とp型Geベース層44とのΔEc
/ΔEgは、電子親和力から計算すると、ΔEc/ΔE
gさ0.08程度となる。
これをN型AJGaAsエミッタ層16とP”型Geベ
ース層20とのヘテロ接合に適用すると、このヘテロ接
合面に形成されるエネルギースパークの高さΔEcは、 ΔEc=0.10eV となる。従って、従来のN型GaAsエミッタ喘42と
p型Geベース層44とのヘテロ接合面でのエネルギー
スパークの高さΔEc=0.01eVと比較するとその
値は大きく、L谷とr谷のセパレーションエネルギーE
r ELと近い値となる。
ース層20とのヘテロ接合に適用すると、このヘテロ接
合面に形成されるエネルギースパークの高さΔEcは、 ΔEc=0.10eV となる。従って、従来のN型GaAsエミッタ喘42と
p型Geベース層44とのヘテロ接合面でのエネルギー
スパークの高さΔEc=0.01eVと比較するとその
値は大きく、L谷とr谷のセパレーションエネルギーE
r ELと近い値となる。
このため、N型AjGaAsエミッタ層16の「谷を走
行してきた電子は、N型AN GaAsエミツタ層16
とp +型Geベース層20との接合面に形成される高
さΔEc=0.10eVのエネルギースパークによって
P+型Geベース層20にホットエレクトロン注入され
るが、このときエネルギースパークの高さΔEc=0−
10eVとP“型Geベース層20におけるL谷とr谷
とのセパレーションエネルギーEr EL=0.14
eVとがかなり近い値となっているため、ホットエレク
トロン注入された電子は、P+型Geベース120のF
谷に容易に注入される。そしてこのP′+型Geベース
120のF谷を走行することになる。
行してきた電子は、N型AN GaAsエミツタ層16
とp +型Geベース層20との接合面に形成される高
さΔEc=0.10eVのエネルギースパークによって
P+型Geベース層20にホットエレクトロン注入され
るが、このときエネルギースパークの高さΔEc=0−
10eVとP“型Geベース層20におけるL谷とr谷
とのセパレーションエネルギーEr EL=0.14
eVとがかなり近い値となっているため、ホットエレク
トロン注入された電子は、P+型Geベース120のF
谷に容易に注入される。そしてこのP′+型Geベース
120のF谷を走行することになる。
ところで、P′″型Geベース!@20のL谷における
電子の有効質量m、”/m’が、 m” /m’≧0.08〜1.6 であるのに対して、「谷における電子の有効質量m ”
/ m ’は1桁はど小さくなる。このため、「谷を
走行する電子のベース走行時間は、従来のし谷を走行す
るのに比べると、約1桁程度短縮される。
電子の有効質量m、”/m’が、 m” /m’≧0.08〜1.6 であるのに対して、「谷における電子の有効質量m ”
/ m ’は1桁はど小さくなる。このため、「谷を
走行する電子のベース走行時間は、従来のし谷を走行す
るのに比べると、約1桁程度短縮される。
このように本実施例によれば、N型ANxGa−x A
s (x=0.4 )エミ・ツタ層16とP+型Geベ
ース層20とをヘテロ接合させたAjGaAs/Ge構
遺のHBTとすることにより、従来のAjGaAS/G
aAs系よりも低消費電力とすることができる。
s (x=0.4 )エミ・ツタ層16とP+型Geベ
ース層20とをヘテロ接合させたAjGaAs/Ge構
遺のHBTとすることにより、従来のAjGaAS/G
aAs系よりも低消費電力とすることができる。
また、p“型Geベース層20における伝導帯の底及び
伝導帯の上方の高エネルギー側にそれぞれ存在するし谷
及び「谷のセパレーションエネルギーEr ELが0
.14eVであるのに対して、N型AJlGaAsエミ
ッタ層16とp +型Geベース層20とのヘテロ接合
面に形成されるエネルギースパークの高さΔEcがQ、
1QeVとなり、両者が比較的近い値となることにより
、N型AjGaAsエミッタ層16の伝導帯の底に形成
されている「谷を走行してきた電子は、P”型Geベー
ス層20のr谷に容易にホットエレクトロン注入される
。
伝導帯の上方の高エネルギー側にそれぞれ存在するし谷
及び「谷のセパレーションエネルギーEr ELが0
.14eVであるのに対して、N型AJlGaAsエミ
ッタ層16とp +型Geベース層20とのヘテロ接合
面に形成されるエネルギースパークの高さΔEcがQ、
1QeVとなり、両者が比較的近い値となることにより
、N型AjGaAsエミッタ層16の伝導帯の底に形成
されている「谷を走行してきた電子は、P”型Geベー
ス層20のr谷に容易にホットエレクトロン注入される
。
従って、r谷を走行する電子のベース走行時間は、従来
のし谷を走行するのに比べて短縮され、HBTの高速動
作を実現することができる。
のし谷を走行するのに比べて短縮され、HBTの高速動
作を実現することができる。
なお、上記実施例においては、ベース・コレクタ接合面
積を小さくすることによってベース・コレクタ容量Ca
Cを小さくするためにコレクタトップ構造を用いている
が、これに限定されることはなく、通常のエミッタトッ
プ構造であっても勿論よい。
積を小さくすることによってベース・コレクタ容量Ca
Cを小さくするためにコレクタトップ構造を用いている
が、これに限定されることはなく、通常のエミッタトッ
プ構造であっても勿論よい。
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、エミッタがベースよりも
大きいバンドギャップエネルギーを有するヘテロ接合バ
イポーラトランジスタにおいて、ベースが伝導帯の底及
び伝導帯の底よりも高エネルギー側にそれぞれ第1の谷
及び第2の谷を有し、かつ第2の谷における電子の有効
質量が第1の谷における電子の有効質量よりも小さく、
またエミッタが伝導帯の底に第2の谷を有し、エミッタ
とベースとの間に形成される伝導帯のエネルギースパー
クの高さがベースにおける第1の谷と第2の谷とのセパ
レーションエネルギーに近い値になっているため、エミ
ッタの第2の谷を走行してきた電子をベースの第2の谷
に注入することができる。
大きいバンドギャップエネルギーを有するヘテロ接合バ
イポーラトランジスタにおいて、ベースが伝導帯の底及
び伝導帯の底よりも高エネルギー側にそれぞれ第1の谷
及び第2の谷を有し、かつ第2の谷における電子の有効
質量が第1の谷における電子の有効質量よりも小さく、
またエミッタが伝導帯の底に第2の谷を有し、エミッタ
とベースとの間に形成される伝導帯のエネルギースパー
クの高さがベースにおける第1の谷と第2の谷とのセパ
レーションエネルギーに近い値になっているため、エミ
ッタの第2の谷を走行してきた電子をベースの第2の谷
に注入することができる。
従って、ベースに注入された電子は、電子の有効質量が
相対的に小さい第2の谷を走行することになり、電子の
ベース走行時間を@締することができる。
相対的に小さい第2の谷を走行することになり、電子の
ベース走行時間を@締することができる。
また、エミッタ及びベースにA j X G a +−
x As (x=0.4>及びGeを用いることにより
、低消費電力とすることができる。
x As (x=0.4>及びGeを用いることにより
、低消費電力とすることができる。
これにより、高速化と共に高集積化を実現することがで
きる。
きる。
第1区は本発明の一実施例によるHBTを示す断面図、
第2図は第1図に示すHBTの動作を説明するためのエ
ネルギーバンド図、 第3図は従来のHBTのエネルギーバンド図である。 図において、 12 : n”型GaAs基板、 14:n”型GaAsサブエミツタ層、16:N型Aj
、Ga、−x As (x=Qエミッタ層、 18:電流狭窄層、 20:ρ“型Geベース層、 22:P+型Ge外部ベース層、 :n型Geコレクタ層、 :n“型Geコレクタコンタクト層、 :エミッタを極、 二ベース@極、 :コレクタ電極、 −N型GaAsエミッタ層、 :P型Geベース層、 =n型Geコレクタ層。
ネルギーバンド図、 第3図は従来のHBTのエネルギーバンド図である。 図において、 12 : n”型GaAs基板、 14:n”型GaAsサブエミツタ層、16:N型Aj
、Ga、−x As (x=Qエミッタ層、 18:電流狭窄層、 20:ρ“型Geベース層、 22:P+型Ge外部ベース層、 :n型Geコレクタ層、 :n“型Geコレクタコンタクト層、 :エミッタを極、 二ベース@極、 :コレクタ電極、 −N型GaAsエミッタ層、 :P型Geベース層、 =n型Geコレクタ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、エミッタがベースよりも大きいバンドギャップエネ
ルギーを有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにお
いて、 前記ベースが、伝導帯の底及び伝導帯の底よりも高エネ
ルギー側にそれぞれ第1の谷及び第2の谷を有し、かつ
前記第2の谷における電子の有効質量が、前記第1の谷
における電子の有効質量よりも小さく、 前記エミッタが、伝導帯の底に前記第2の谷を有し、 前記エミッタの前記第2の谷を走行してきた電子が、前
記エミッタと前記ベースとの間に形成される伝導帯のエ
ネルギースパークによって、前記ベースの前記第2の谷
に注入される ことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 2、請求項1記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ
において、 前記エミッタがN型Al_xGa_1_−_xAsで、
かつその組成比xが0.4程度であり、 前記ベースがp型Geであり、 前記第1の谷がL谷であり、 前記第2の谷がΓ谷である ことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22190990A JPH04103134A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22190990A JPH04103134A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04103134A true JPH04103134A (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=16774059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22190990A Pending JPH04103134A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04103134A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6426266B1 (en) | 1997-12-22 | 2002-07-30 | Nec Corporation | Manufacturing method for an inverted-structure bipolar transistor with improved high-frequency characteristics |
-
1990
- 1990-08-23 JP JP22190990A patent/JPH04103134A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6426266B1 (en) | 1997-12-22 | 2002-07-30 | Nec Corporation | Manufacturing method for an inverted-structure bipolar transistor with improved high-frequency characteristics |
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