JPH04103122A - 金属―半導体オーミック接触方法 - Google Patents
金属―半導体オーミック接触方法Info
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- JPH04103122A JPH04103122A JP2221958A JP22195890A JPH04103122A JP H04103122 A JPH04103122 A JP H04103122A JP 2221958 A JP2221958 A JP 2221958A JP 22195890 A JP22195890 A JP 22195890A JP H04103122 A JPH04103122 A JP H04103122A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属−半導体オーミック接触方法、特にｐ型
の２ｎＳｘＳｅｌ−ｘ（０≦ｘ≦１）による半導体によ
って例えば青色発光をなす発光ダイオード、レーザー等
を構成する場合に当たって、そのｐ型の２ｎＳｘＳａ＋
−ｘの半導体に対して電極をオーミックに接触する場合
に用いる金属−半導体オーミック接触方法に係わる。
の２ｎＳｘＳｅｌ−ｘ（０≦ｘ≦１）による半導体によ
って例えば青色発光をなす発光ダイオード、レーザー等
を構成する場合に当たって、そのｐ型の２ｎＳｘＳａ＋
−ｘの半導体に対して電極をオーミックに接触する場合
に用いる金属−半導体オーミック接触方法に係わる。
本発明は、ｐ型の２ｎＳＳｅ系半導体に対する金属例え
ば八Ｕのオーミック接触に先立って半導体表面の少くと
も上記金属とのオーミック接触を行うべき部分を予め酸
化処理しておくことによってそのオーミック接触を再現
性よく高信頼性をもって行うことができるようにする。
ば八Ｕのオーミック接触に先立って半導体表面の少くと
も上記金属とのオーミック接触を行うべき部分を予め酸
化処理しておくことによってそのオーミック接触を再現
性よく高信頼性をもって行うことができるようにする。
例えば青色の発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー等の
高輝度素子は、２ｎＳＳｅ系半導体によって構成される
。ところが、この種のＺｎＳＳｅ系の例えｆ ２ｎＳ半
導体、特にｐ型の不純物がドープされたＺｎＳに対する
その電橋金属としてＡｕもしくはへＵ合金の直接的オー
ミック接触は、常に良好に行えるとは限らないものであ
り、信頼性及び歩留りに問題が生じている。
高輝度素子は、２ｎＳＳｅ系半導体によって構成される
。ところが、この種のＺｎＳＳｅ系の例えｆ ２ｎＳ半
導体、特にｐ型の不純物がドープされたＺｎＳに対する
その電橋金属としてＡｕもしくはへＵ合金の直接的オー
ミック接触は、常に良好に行えるとは限らないものであ
り、信頼性及び歩留りに問題が生じている。
本発明は、上述したｐ型の２ｎＳＳｅ系半導体に対する
オーミック接触を確実に再現性よく高信頼性をもってし
たがって高歩留りをもって得ることができるようにした
金属−半導体オーミック接触方法を提供するものである
。
オーミック接触を確実に再現性よく高信頼性をもってし
たがって高歩留りをもって得ることができるようにした
金属−半導体オーミック接触方法を提供するものである
。
本発明は、ｐ型のＸｎ５ｘＳｅ＋−ｘ （０≦ｘ≦１）
よりなる半導体に対する金属をオーミック接触するに先
立ってその半導体〔１）の少くとも金属（２）とのオー
ミック接触部を予め例えば熱酸化もしくはプラズマ酸化
等によって酸化処理する。
よりなる半導体に対する金属をオーミック接触するに先
立ってその半導体〔１）の少くとも金属（２）とのオー
ミック接触部を予め例えば熱酸化もしくはプラズマ酸化
等によって酸化処理する。
上述の本発明方法によって得たｐ型のＺｎ５ｘＳｅ＋−
ｘ半導体に対する金属接触は良好なオーミック接触する
ことが確かめられた。その理由は明確ではないが、半導
体に対する熱酸化、すなわち酸素原子の導入によって半
導体表面が、よりｐ型化されることによってショットキ
ーバリアの形成が生じにくくなることに因ると思われる
。
ｘ半導体に対する金属接触は良好なオーミック接触する
ことが確かめられた。その理由は明確ではないが、半導
体に対する熱酸化、すなわち酸素原子の導入によって半
導体表面が、よりｐ型化されることによってショットキ
ーバリアの形成が生じにくくなることに因ると思われる
。
第１図を参照して本発明による金属−半導体オーミック
接触方法の実施例を説明する。
接触方法の実施例を説明する。
図示の例ではｐ型の不純物例えばＯ，Ｌｉ、Ｎがドープ
された２ｒｌＳｘＳｅｌ−ｘ（Ｄ≦ｘ≦１）よりなる半
導体（１）に対するＡｕもしくはへＵ合金による金属す
なわち電極（２）のオーミック接触を行う場合であり、
二〇オーミック接触作業に先立って、半導体（２）のこ
の金ＦＥ （１）との少くとも接触部を含んで例えば全
面的に自然酸化によらず積極的に酸化処理を施す。
された２ｒｌＳｘＳｅｌ−ｘ（Ｄ≦ｘ≦１）よりなる半
導体（１）に対するＡｕもしくはへＵ合金による金属す
なわち電極（２）のオーミック接触を行う場合であり、
二〇オーミック接触作業に先立って、半導体（２）のこ
の金ＦＥ （１）との少くとも接触部を含んで例えば全
面的に自然酸化によらず積極的に酸化処理を施す。
この酸化処理は例えば熱酸化によって行うこともできる
が、短時間で処理できる常温中の酸素プラズマによる酸
化処理法を適用することが有利である。この酸素プラズ
マによる酸化、処理の条件は例えば０．１±０．３ｔａ
ｒｒ、 １００±５０Ｗ、 ３０＝ ５秒間で室温とし
得る。
が、短時間で処理できる常温中の酸素プラズマによる酸
化処理法を適用することが有利である。この酸素プラズ
マによる酸化、処理の条件は例えば０．１±０．３ｔａ
ｒｒ、 １００±５０Ｗ、 ３０＝ ５秒間で室温とし
得る。
このプラズマ法酸化は、室温が望ましく、これよりその
温度を高めると、酸化処理時間が短くなり過ぎて、安定
した制御が難しくなってくる。また、この酸化は、自然
酸化による場合は１ケ月掛り、熱酸化でも１００℃の場
合２日間掛り、かと云ってこの熱酸化を高温とすること
は半導体への熱的影響の問題が生ずることから低温、短
時間で処理できるプラズマ酸化が望ましい。
温度を高めると、酸化処理時間が短くなり過ぎて、安定
した制御が難しくなってくる。また、この酸化は、自然
酸化による場合は１ケ月掛り、熱酸化でも１００℃の場
合２日間掛り、かと云ってこの熱酸化を高温とすること
は半導体への熱的影響の問題が生ずることから低温、短
時間で処理できるプラズマ酸化が望ましい。
そして、このプラズマ酸化処理後、金属（２）としてＡ
ｕを例えば蒸着する。
ｕを例えば蒸着する。
第２図は第１図に示すように、ＭＢＥ （分子線エピタ
キシー）で酸素Ｏをドープしたｐ型の２ｎＳｅ半導体（
１）上に、対のＡｕ金属（電極）（２）を本発明方法に
よって、すなわち酸素プラズマによって酸化した後に＾
Ｕ電極を被着した場合の両電楊金属（２）闇の電流電圧
特性曲線を示す。これによればその特性が直線性を示し
ており、良好にオーミック接触されていることがわかる
。
キシー）で酸素Ｏをドープしたｐ型の２ｎＳｅ半導体（
１）上に、対のＡｕ金属（電極）（２）を本発明方法に
よって、すなわち酸素プラズマによって酸化した後に＾
Ｕ電極を被着した場合の両電楊金属（２）闇の電流電圧
特性曲線を示す。これによればその特性が直線性を示し
ており、良好にオーミック接触されていることがわかる
。
これに比し第３図は熱酸化処理前の同様のｐ型の２ｎＳ
Ｓｅに同様のＡｕ蒸着の金属（２）による対の電極を形
成した場合の両電極間の電流−電圧特性を示す。この場
合、ショットキーバリアが生じていることがわかる。
Ｓｅに同様のＡｕ蒸着の金属（２）による対の電極を形
成した場合の両電極間の電流−電圧特性を示す。この場
合、ショットキーバリアが生じていることがわかる。
このように本発明方法を適用した場合、良好なオーミッ
ク接触が得られることがわかった。また、その再現性に
も優れ例えば青色発光のＬＥＤ、半導体レーザー等に適
用した場合においてその歩留りの向上と信頼性の向上が
はかられた。
ク接触が得られることがわかった。また、その再現性に
も優れ例えば青色発光のＬＥＤ、半導体レーザー等に適
用した場合においてその歩留りの向上と信頼性の向上が
はかられた。
上述したように本発明方法によれば、ｐ型の２ｕＳＳｅ
系半導体に対して良好に電極のオーミック接触を行うこ
とができるので、青色のＬＥＤ、半導体レーザー等の高
輝度素子に適用して歩留りの向上、信頼性の同上をはか
ることができる。
系半導体に対して良好に電極のオーミック接触を行うこ
とができるので、青色のＬＥＤ、半導体レーザー等の高
輝度素子に適用して歩留りの向上、信頼性の同上をはか
ることができる。
第１図は本発明方法を適用した半導体装置の一例の路線
的拡大断面図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明方法
及び従来方法によって得たオーミック接触部の電流−電
圧特性曲線図である。 （１）は半導体、（２）は金属（電極）である。
的拡大断面図、第２図及び第３図はそれぞれ本発明方法
及び従来方法によって得たオーミック接触部の電流−電
圧特性曲線図である。 （１）は半導体、（２）は金属（電極）である。
Claims (1)
- ｐ型のＺｎＳ＿ｘＳｅ＿１＿−＿ｘ（０≦ｘ≦１）よ
りなる半導体に対する金属のオーミック接触作業に先立
って、上記半導体の上記金属とのオーミック接触部を酸
化処理することを特徴とする金属−半導体オーミック接
触方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221958A JPH04103122A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 金属―半導体オーミック接触方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221958A JPH04103122A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 金属―半導体オーミック接触方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103122A true JPH04103122A (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=16774826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2221958A Pending JPH04103122A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 金属―半導体オーミック接触方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04103122A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006135293A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 化合物半導体素子の電極形成方法 |
-
1990
- 1990-08-23 JP JP2221958A patent/JPH04103122A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006135293A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 化合物半導体素子の電極形成方法 |
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