JPS6037786A - 負性抵抗素子とその製造方法 - Google Patents
負性抵抗素子とその製造方法Info
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- JPS6037786A JPS6037786A JP14720083A JP14720083A JPS6037786A JP S6037786 A JPS6037786 A JP S6037786A JP 14720083 A JP14720083 A JP 14720083A JP 14720083 A JP14720083 A JP 14720083A JP S6037786 A JPS6037786 A JP S6037786A
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- type gaas
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/88—Tunnel-effect diodes
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用公賓・
本発明は負性抵抗素子とその製造方法に関するものであ
る。
る。
従来例の（７ヤ成とその問題点
従来の負性抵抗素子は、ｐ＋ ｎ＋接合あるいはｎ−ｎ
−ｎ サントイ・ソチ措造を使ったものであり、素子作
製においては高精度の要求される多ｆｉ−’Ｉのエピタ
士シセル成長などが必要であった。まｊこ、このような
従来の負性抵５抗素子で（：ｌ、その（１“５３’ｔｌ
ｊ上、他の素子との七ノシリックな集（ｄ化が困すサで
あるのが現伏である。
−ｎ サントイ・ソチ措造を使ったものであり、素子作
製においては高精度の要求される多ｆｉ−’Ｉのエピタ
士シセル成長などが必要であった。まｊこ、このような
従来の負性抵５抗素子で（：ｌ、その（１“５３’ｔｌ
ｊ上、他の素子との七ノシリックな集（ｄ化が困すサで
あるのが現伏である。
発明の目的
本発明は製造工程が容易で、しかも他の能Ｔｉｌ Ｂよ
び受動素子との５（１猜化ができる新規な負（（Ｊ抵抗
素子とその製造方法を提供することを目的とする。
び受動素子との５（１猜化ができる新規な負（（Ｊ抵抗
素子とその製造方法を提供することを目的とする。
発明の描成
本発明の負性抵抗素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板にｎ（ｊｌ
電極を設けると共に、前記ｎ型ＧａＡｓ基板に金Ｃ（と
シリコンとの合金または混合物を接触あるいは融合して
成るｐ側電極を設け１こことを特徴とす２）。
電極を設けると共に、前記ｎ型ＧａＡｓ基板に金Ｃ（と
シリコンとの合金または混合物を接触あるいは融合して
成るｐ側電極を設け１こことを特徴とす２）。
まｔこ、本発明の負性抵抗素子のｌｌｊ、ｌｌ造方法は
、ｎ型ＧａＡｓ基板に金属とシリコンの混合物を付着し
、その徒に加熱処理して前記ｎ型ＧａＡｓ基板に金１閂
吉シリ］ンとの合金まｔこは混合物を接触もたば融合し
てｐ側電砿を形成することを待（１“々とする。
、ｎ型ＧａＡｓ基板に金属とシリコンの混合物を付着し
、その徒に加熱処理して前記ｎ型ＧａＡｓ基板に金１閂
吉シリ］ンとの合金まｔこは混合物を接触もたば融合し
てｐ側電砿を形成することを待（１“々とする。
実施例の説明
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明による負性抵抗素子の断面植式図を示す。計
Ｊ造は、ｎ型ＧａＡｓ（ｎ −＝ １刈０１７ｃｍ−３
）基板（１）−＋ユにター）タルおよびシリ］、、Ｉを
同時にＩ（Ｆスバ・フタ法により％ｉ：ｊ ’ｊ”：ｉ
する。本実施例ては３００ワ・リド出力のスバ・ツタを
５ｘｌＯ−ＬｏｒｒＯ）Ａｒ雰囲気下で２０分間行なう
ことにより、２４００Ａ Ｏ） 前着膜厚を得ｆこ。
図は本発明による負性抵抗素子の断面植式図を示す。計
Ｊ造は、ｎ型ＧａＡｓ（ｎ −＝ １刈０１７ｃｍ−３
）基板（１）−＋ユにター）タルおよびシリ］、、Ｉを
同時にＩ（Ｆスバ・フタ法により％ｉ：ｊ ’ｊ”：ｉ
する。本実施例ては３００ワ・リド出力のスバ・ツタを
５ｘｌＯ−ＬｏｒｒＯ）Ａｒ雰囲気下で２０分間行なう
ことにより、２４００Ａ Ｏ） 前着膜厚を得ｆこ。
ソシてこの蒸若厄をづラズマエ・リチにＪ：す２５０μ
ｍ〆の”ｒＦｊ ｊ：’）Ｉｉパターンにエツチングし
、ぞして７５０°Ｃ〜８５０℃の７１１ｉ１度で、Ｎ２
８’ｊ囲気でｊ゛ニールてＴａ Ｏ，４’６Ｓ菫０．５
４ （）−川）ｉｉｊｉＪ ？ｊ、ｔ： ’、Ｈｊｉｉ
ｌ（１イト ｉ辱ｆこ。 ンし た 、ｎ ｊｌ；！
ｊ ＧａＡ ｓ 、２ｉ！； 板（１）のＨ，ｉｊ １
ｒｉｓにはｎ （ｉ！ＩＪ ＩＬＸ ４．ｉｊｉ （４
） ｌしてＡｕＧｅ／Ａｕを、；芙着しテ５００１ｃて
合金化づることによって形成した。
ｍ〆の”ｒＦｊ ｊ：’）Ｉｉパターンにエツチングし
、ぞして７５０°Ｃ〜８５０℃の７１１ｉ１度で、Ｎ２
８’ｊ囲気でｊ゛ニールてＴａ Ｏ，４’６Ｓ菫０．５
４ （）−川）ｉｉｊｉＪ ？ｊ、ｔ： ’、Ｈｊｉｉ
ｌ（１イト ｉ辱ｆこ。 ンし た 、ｎ ｊｌ；！
ｊ ＧａＡ ｓ 、２ｉ！； 板（１）のＨ，ｉｊ １
ｒｉｓにはｎ （ｉ！ＩＪ ＩＬＸ ４．ｉｊｉ （４
） ｌしてＡｕＧｅ／Ａｕを、；芙着しテ５００１ｃて
合金化づることによって形成した。
本来、′１’ａＳｉｘをｎ 型ＧａＡｓ ；！ｊ、ｉ仮
（１）上に蒸着しｔこ局舎、ｆｌｌ： ｆ！Ｊでの処理
ではシヨ・ソ１−十一旬性、高温ではＧａＡｓと合金化
してλ−三・ツク′侍性を示すのが一般的である。しか
し、木（Ｒ造の、ＬうにＴａＳｉｘの合金化をｎ型Ｇａ
Ａｓ基板（１）上へｑｔ体の混訃物をイ」着しｔコ後に
高温処理した場合、ｎ型ＧａＡｓ基板（１）とｐ ＱＩ
ＦＩＹ １７ｉ （３１との界面で不安定な遷移領域（
２）が現オ）れ、電流−電圧特性に影響を及ぼず。
（１）上に蒸着しｔこ局舎、ｆｌｌ： ｆ！Ｊでの処理
ではシヨ・ソ１−十一旬性、高温ではＧａＡｓと合金化
してλ−三・ツク′侍性を示すのが一般的である。しか
し、木（Ｒ造の、ＬうにＴａＳｉｘの合金化をｎ型Ｇａ
Ａｓ基板（１）上へｑｔ体の混訃物をイ」着しｔコ後に
高温処理した場合、ｎ型ＧａＡｓ基板（１）とｐ ＱＩ
ＦＩＹ １７ｉ （３１との界面で不安定な遷移領域（
２）が現オ）れ、電流−電圧特性に影響を及ぼず。
第２図は本実施例における半導体素子の脣１１Ｊニー軍
流特性を示し、ＶＦ”１２０ｍＶ伺近で負性抵抗素子鳴
かあられれ、ｌｆ−り電流の１／８にまて’＋’ｉ４１
ｊＥ力青、・°２少し１こ後に電流が回復するというト
↓字型負性抵抗特性を程している。なオｊ前記Ｚ′移テ
゛］鱈１（２）はＴａ吉Ｓｉとの合金ま１：、は混合物
が、ｎ ’９）、 ＧａＡ３ツアー仮（１）に）’ｉ２
ｆ”Ｊ’ｌ！あるいはｒ’ｉＪ！合の何れかの状［す
にゾ、Ｃつで発生し７て０るものと思われる。この、１
．うな「（作置性は前記ア二〜ル温度が７５０℃〜８５
０°Ｃの何れのものにおＬＮても得られ１こ。
流特性を示し、ＶＦ”１２０ｍＶ伺近で負性抵抗素子鳴
かあられれ、ｌｆ−り電流の１／８にまて’＋’ｉ４１
ｊＥ力青、・°２少し１こ後に電流が回復するというト
↓字型負性抵抗特性を程している。なオｊ前記Ｚ′移テ
゛］鱈１（２）はＴａ吉Ｓｉとの合金ま１：、は混合物
が、ｎ ’９）、 ＧａＡ３ツアー仮（１）に）’ｉ２
ｆ”Ｊ’ｌ！あるいはｒ’ｉＪ！合の何れかの状［す
にゾ、Ｃつで発生し７て０るものと思われる。この、１
．うな「（作置性は前記ア二〜ル温度が７５０℃〜８５
０°Ｃの何れのものにおＬＮても得られ１こ。
なお、上記実施例においてはシリサイド金入１を−ｆａ
として説明しｆこが、これはＷ、Ｒ，Ｔｏなどこの他の
金属でもアニール条件によって（４負斗抵抗を得ること
が可能である。ｎにすＧａＡＳもＩＸＨ１１７ｃｍ−３
にＬＲ：定されるものでもなかつＬこ。
として説明しｆこが、これはＷ、Ｒ，Ｔｏなどこの他の
金属でもアニール条件によって（４負斗抵抗を得ること
が可能である。ｎにすＧａＡＳもＩＸＨ１１７ｃｍ−３
にＬＲ：定されるものでもなかつＬこ。
まｊこ」−記実雄側ではアニール、ＬりもＨ’ＨｉＪに
所定の電極ノヘターンにエツチングし１こか、これはＬ
行定のＮｔ・徂ｔＳター−ＪＩこエラチン’）１．、ｆ
こＣ，ｒ、 ｌこアニールしても同様の動量が得られｔ
：。
所定の電極ノヘターンにエツチングし１こか、これはＬ
行定のＮｔ・徂ｔＳター−ＪＩこエラチン’）１．、ｆ
こＣ，ｒ、 ｌこアニールしても同様の動量が得られｔ
：。
発明の効采
以に説明の」：うに本発明の負性抵抗は金１１と半ノ、
「表体の接合に、■：る１こめｐ−トーｎ１−；り（合
をイ■してＪ３らず、ＦＦ、 ｆこ低′１−１？界で負
ｔＩ ’ｔＪ ｌ：ｌ：、が得られるにめ、従来の工１
Ｊ、ｌ＝タイ」−Ｆ’？〕）ｊごノダイオードとは全く
異一つｔこイ１．ｊ造のものであり、そのｔｉ２ ｊｉ
ニア上、１１；Ｌの素子とのＬノシリ・リフな！１．ｘ
ｌＥ’ｉ’を化が可能である。
「表体の接合に、■：る１こめｐ−トーｎ１−；り（合
をイ■してＪ３らず、ＦＦ、 ｆこ低′１−１？界で負
ｔＩ ’ｔＪ ｌ：ｌ：、が得られるにめ、従来の工１
Ｊ、ｌ＝タイ」−Ｆ’？〕）ｊごノダイオードとは全く
異一つｔこイ１．ｊ造のものであり、そのｔｉ２ ｊｉ
ニア上、１１；Ｌの素子とのＬノシリ・リフな！１．ｘ
ｌＥ’ｉ’を化が可能である。
ま？コ、本発明の（［す遣方法によると一１ニ記素子を
容易に実現することができるものである。
容易に実現することができるものである。
第１図は本発明に−ｌ二る負性抵抗素子の断面模式［４
、第２［？ｌは本発明による負性抵抗素子の電圧−電流
’：！ｆｆＪ三である。 （１）−ｎ ！１ｉ’−！ＧａＡｓノ＋”、 ＷＭ 、
（２） −遷移ｊｊｌｄ 城、 、 ｔｏｏ −ｐ
１１ ’ｉ’６極、（４）・・ｎ側ｍ（、電 代理人 青 木 八 弘 第１図 第２図
、第２［？ｌは本発明による負性抵抗素子の電圧−電流
’：！ｆｆＪ三である。 （１）−ｎ ！１ｉ’−！ＧａＡｓノ＋”、 ＷＭ 、
（２） −遷移ｊｊｌｄ 城、 、 ｔｏｏ −ｐ
１１ ’ｉ’６極、（４）・・ｎ側ｍ（、電 代理人 青 木 八 弘 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ｎ型ＧａＡｓ基板にｎ側１１テ極を設けると共に、
１）り記ｎ型ＧａＡｓ基板に金５とシリ］ントの合金ま
たは混合物を接触あるいは融合して成るｐ側電極を設け
た負性抵抗素子。 ２、ｎ型ＧａＡｓ７ｆｌｉ仮に金屑とシリコンの混合物
を付着し、その後に加熱処理して前記ｎ型ＧａＡｓ基板
に金１．・４シリコシとの合金または混合物を接触まｔ
コは融合してｐ側電極を形成する負性抵抗不予の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14720083A JPS6037786A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 負性抵抗素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14720083A JPS6037786A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 負性抵抗素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037786A true JPS6037786A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15424817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14720083A Pending JPS6037786A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 負性抵抗素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037786A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6054086A (en) * | 1995-03-24 | 2000-04-25 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Process of making high-strength yarns |
| US6127293A (en) * | 1994-12-16 | 2000-10-03 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Laminated bodies and woven and nonwoven fabrics comprising α-olefin polymeric adhesion materials catalyzed with cyclopentadienyl catalyst |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14720083A patent/JPS6037786A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6127293A (en) * | 1994-12-16 | 2000-10-03 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Laminated bodies and woven and nonwoven fabrics comprising α-olefin polymeric adhesion materials catalyzed with cyclopentadienyl catalyst |
| US6054086A (en) * | 1995-03-24 | 2000-04-25 | Nippon Petrochemicals Co., Ltd. | Process of making high-strength yarns |
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