NL7903197A - Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrolumines- cerende halfgeleiderinrichting en elektroluminescerende halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrolumines- cerende halfgeleiderinrichting en elektroluminescerende halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze Download PDFInfo
- Publication number
- NL7903197A NL7903197A NL7903197A NL7903197A NL7903197A NL 7903197 A NL7903197 A NL 7903197A NL 7903197 A NL7903197 A NL 7903197A NL 7903197 A NL7903197 A NL 7903197A NL 7903197 A NL7903197 A NL 7903197A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- etching
- layers
- active
- semiconductor device
- layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 57
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 32
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 10
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 241000397426 Centroberyx lineatus Species 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/978—Semiconductor device manufacturing: process forming tapered edges on substrate or adjacent layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Description
► V &·+ β N.V. Philips’ Gloeilampenfabrieken 23-4-79 1 ΡΗΝ 9^34 "Werkwijze voor het vervaardigen van een elektroluminesce-rende halfgeleiderinrichting en elektroluminescerende half-geleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze".
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een elektroluminescerende halfgeleiderinrichting waarbij op een hoofdvlak van een substraat epitaxiale éénkristallijne lagen, waaronder een aktieve laag, 5 worden gegroeid en de lagen onder toepassing van een etsmas-ker worden geëtst, waarbij spiegelvlakken worden verkregen ter begrenzing van aktieve gebieden in hun lengterichting.
Met de uitdrukking "aktief" worden lagen en gebieden aangeduid waarin straling kan worden opgewekt.
10 Een werkwijze van de bovengenoemde soort is be kend uit IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol QE 13, no. 8, Augustus 1977* blz. 628 tot 63 1 ·
Hierbij worden op een substraat van n-type gallium-arsenide achtereenvolgens epitaxiale lagen van n-type gallium-15 aluminiumarsenide, p-type galliumarsenide (de aktieve laag), p-type galliumaluminiumarsenide en p-type galliumarsenide gevormd.
Vervolgens wordt door etsen de breedte van de aktieve gebieden vastgelegd en door selektief neerslaan van 20 polykristallijn galliumarsenidefosfide met een hoge soortelijke weerstand de gebieden onderling geïsoleerd. Daarna wordt door een etsbehandeling de lengte van de aktieve gebieden vastgelegd waarbij de spiegelvlakken worden gevormd.
Een nadeel van de vorming van spiegelvlakken door etsen is, dat de genoemde lagen vaak verschillende etssnel- 79 fl3197 23-4-79 2 PHN 9k3h t heden hebben, dat in het bijzonder versneld etsen bij de scheidingsvlakken tussen de lagen kan optreden en dat ook andenszins het geëtste vlak onregelmatigheden kan vertonen, waardoor de werking van de inrichting ongunstig kan worden 5 beïnvloed.
In de praktijk worden de spiegelvlakken daarom vaak niet door etsen maar door splijten van het door de lagen gevormde kristal verkregen. Nadelen van het splijten zijn echter dat integratie van de aktieve gebieden met an-10 dere aktieve of passieve komponenten in één kristal praktisch onmogelijk is, dat koppeling van het licht tussen dis-krete aktieve of passieve komponeneten een zeer nauwkeurig werk is en dat bedekken van de spiegels met een beschermende laag alleen na splijting kan worden uitgevoerd en 15 daardoor zeer tijdrovend is.
Met de uitvinding wordt onder meer beoogd de nadelen van de bekende werkwijzen althans in belangrijke mate te vermijden. Zij berust onder meer op het inzicht dat de fabrikage van elektroluminescerende halfgeleiderinrichtingen, 20 in het bijzonder halfgeleiderlaserinrichtingen, veel eenvoudiger kan worden indien, in plaats van splijten, etsproces-sen kunnen worden toegepast en deze etsprocessen worden gevolgd door een behandeling die de effekten van verschillende etssnelheden op het te etsen vlak te niet doet. De werk-25 wijze wordt volgens de uitvinding derhalve daardoor gekenmerkt, dat na het etsen op de spiegelvlakken vanuit een gasfase een epitaxiale éénkristallijne beschermende laag wordt gegroeid.
Met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding 30 worden vlakke en evenwijdige spiegels verkregen, die praktisch geen oneffenheden vertonen. Dit hangt waarschijnlijk samen met het feit dat vaak op plaatsen van afwijkend grote etssnelheid ook epitaxiale groei vanuit de gasfase met afwijkend grote snelheid optreedt. Er kan een uitstekende hech-35 tende en passiverende laag worden verkregen waarmee opper-vlakterekombinaties worden voorkomen.
Bij voorkeur worden de spiegelvlakken in de (oiTj - of [oio]- richting of een dicht bij deze richtingen gele- 7903197 23-4-79 3 PHN 9434 β gen richting geëtst. Zulke richtingen hebben een relatief geringe ets- en groeisnelheid. Ook hoeft op dergelijke richtingen slechts een betrekkelijk dunne beschermende laag te worden gegroeid en is de kans gering dat andere lagen met 5 geringere groeisnelheid zich onder een hoek met de spiegelvlakken storend gaan ontwikkelen.
Bij voorkeur bestaat de aktieve laag uit gallium-arsenide of galliumaluminiumarsenide en de onder en boven de aktieve laag liggende lagen uit galliumaluminiumarsenide 10 van onderling tegengesteld geleidingstype en een aluminium-gehalte dat tenminste 25 atoomprocenten groter is dan dat van de aktieve laag.
Bij voorkeur bestaat de beschermende laag uit isolerend galliumaluminiumarsenide met een aluminiumgehal-15 te dat groter is dan dat van de aktieve laag. Een dergelijke laag is doorlatend voor de gegenereerde straling en sluit ladingsdragers op in het aktieve gebied.
Met de werkwijze volgens de uitvinding worden vlakke en evenwijdige spiegelvlakken vooral dan verkregen 20 indien bij het etsen in laterale richting gezien in de lagen een hol profiel wordt verkregen.
Bij voorkeur wordt hierbij eerst een etsmiddel toegepast waarbij een zwaluwstaartprofiel wordt verkregen en vervolgens een etsmiddel waarmee niet-preferentieel wordt 25 geëtst.
De beschermende epitaxiale laag kan op een gebruikelijke wijze van andere lagen worden voorzien.
De aktieve gebieden kunnen onderling in de breed-terichting bijvoorbeeld worden begrensd door een protonen-30 bombardement.
De uitvinding heeft ook betrekking op een elek-troluminescerende halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding, waarin de aktieve gebieden geïntegreerd zijn met andere aktieve en/of 35 passieve elementen.
De uitvinding zal nu worden toegelicht aan de hand van een voorbeeld en van bijgaande tekening.
In de tekening stellen de figuren 1,2,3 en 4 schematisch in 7903197 > * 23-4-79 4 PHN 9434 0 doorsnede elektroluminescerende halfgeleiderinrichtingen voor in achtereenvolgende stadia van vervaardiging met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding.
Bij de onderhavige werkwijze wordt bijvoorbeeld 5 een halfgeleiderlaserinrichting vervaardigd waarbij op een hoofdvlak 1 van een substraat 2 epitaxiale lagen 3»4,5 en 6 waaronder een aktieve laag 4 gegroeid worden(zie figuur 1). Vervolgens worden de lagen 3»4,5 en 6 onder toepassing van een etsmasker 8 geëtst, waarbij spiegelvlakken 9 worden ver-10 kregen ter begrenzing van aktieve gebieden 10 in de lengterichting. (zie figuur 4).
Volgens de uitvinding wordt na het etsen op de spiegelvlakken 9 vanuit een gasfase een epitaxiale eenkris-tallijne beschermende laag 11 gegroeid.
15 Hierbij kunnen vlakke, evenwijdige spiegels 12 worden verkregen.
Spiegelvlakken 9 worden bij voorkeur in of nabij de [01T]- of (01oj- richting geëtst daar in deze richtingen de ets- en groeisnelheden relatief gering zijn en reeds na 20 groei van betrekkelijk dunne lagen 11 vlakke en evenwijdige spiegels 12 worden verkregen.
Goede spiegels worden vooral dan verkregen indien bij het etsen in laterale richting gezien een hol profiel 16 wordt verkregen. Daartoe wordt dan bij voorkeur eerst 25 een etsmiddel toegepast waarbij een zwaluwstaartprofiel wordt verkregen (zie figuur 3) en vervolgens een etsmiddel waarmee niet-preferentieel wordt geëtst.
Bij de werkwijze volgens de uitvinding kan een (10O)-hoofdvlak 1 van een galliumarsenide.substraat 2 van 30 het n-geleidingstype en met een donorenconcentratie van 17 3 8.10 per cm op een gebruikelijke wijze met behulp van vloeistoffaseepitaxie achtereenvolgens worden voorzien van een n-type galliumarsenidelaag (niet getekend) met dezelfde donorenconcentratie als het substraat en een dikte van 35 8 /um, van een n-type galliumaluminiumarsenidelaag 3 met een 17 3 donorenconcentratie van 3·10 per cm , een dikte van 1,5ƒum en een atoomfraktie van aluminium ten opzichte van aluminium plus gallium gelijk 0,30 en een aktieve laag 4 van gallium- 7903197 23-4-79 5 PHN 9434 0 arsenide of galliumaluminiumarsenide met een atoomfraktie van aluminium ten opzichte van aluminium plus gallium tussen 0 en 0,03» een dikte van 0,3/um en een concentratie aan 17 3 acceptoren kleiner dan 1.10 per cm .
S Op laag 4 wordt op gebruikelijke wijze een p-type galliumaluminiumarsenidelaag 5 met een acceptorenconcentra-17 3 tie van 5*10 per cm , een dikte van l,5^um en een atoomfraktie van aluminium ten opzichte van aluminium plus gallium gelijk 0,30 gegroeid en op laag 5 een p-type gallium- 17 10 arsenidelaag 6 met een acceptorenconcentratie van 5*10 ‘ 3 per cm en een dikte van 1^um.
Ter verkrijging van streepvormige lasers van ca.
5ƒum breed en ca. 250^um lengte wordt het oppervlak van laag 6 voorzien van een 0,15^nm dikke aluminiumoxidelaag 7 15 door opdampen met behulp van een elektronenkanon (zie figuur 2) .
In deze aluminiumoxidelaag worden op een gebruikelijke wijze in de lengterichting weergegeven openingen 19 van 3yum breed en 250yum lang gemaakt in de [pnj- richting 20 met een onderlinge afstand in de breedterichting van 300yum en in de lengterichting van 50^um.
Via de openingen 19 worden zinkkontaktdiffusiege-bieden 18 in de laag 6 gevormd.
Vervolgens wordt over het oppervlak met de ope-25 ningen 19 een tweede aluminiumoxidelaag aangebracht. Uit de aluminiumoxidelagen wordt een etsmasker 8 gevormd.
In de lagen 3»4,5 en 6 worden via 30^um brede openingen 15 in het etsmasker 8 uit aluminiumoxide met behulp van een etsbad bestaande uit 1 volumedeel ammonia 25 ge-30 wichtsprocenten, 1 volumedeel waterstofperoxide 30 gewichts-procenten en 1 volumedeel water, kanalen 14 in de [011]-richting met een zwaluwstaartprofiel 17 geëtst, welke kanalen aan het hoofdvlak 1 ca. 40^um breed zijn.
Vervolgens wordt via dezelfde openingen 15 geëtst 35 met een bad bestaande uit 3 volumedelen geconcentreerd zwavelzuur, 1 volumedeel waterstofperoxide 30 gewichtsprocenten en 1 volumedeel water waarbij het zwaluwstaartprofiel 17 overgaat in een hol profiel 16.
7903197 .Λ » 23-4-79 6 ΡΗΝ 9434 *
Daarna wordt op een gebruikelijke wijze vanuit een gasfase een éénkristallijne beschermende laag 11 uit galliumaluminiumarsenide gegroeid. Genoemde gasfase bevat trimethylgallium, trimethylaluminium en arseenwaterstof in 5 waterstof als draaggas. Laag 11 is van het n-type maar niet opzettelijk gedoteerd, heeft een atoomfraktie aan aluminium ten opzichte van aluminium plus gallium van 0,30, een dikte 3 van 1,5^um en een donorenconcentratie van ca. 5· 10 cm"5.
De weerstand van laag 11 is hoger dan die van laag 4 waar-10 door geen storende kortsluitstroom tussen de lagen 3 en 5 via laag 11 loopt. Er worden vlakke en evenwijdige spiegels in de foi1J- richting verkregen.
De opgegeven dikte van laag 11 geldt vooral voor het centrale deel, bij het hoofdvlak 1 en bij laag 6 kan 15 deze dikte afwijkend zijn.
Op het etsmasker zet zich polykristallijn galliumaluminiumarsenide af (niet getekend) dat met behulp van een 3 3 redoxetsbad bestaande uit 50 cm water, 2,5 cm geconcentreerd zwavelzuur, 4 g cuprochloride en 875 mg cuprichloride 20 verwijderd kan worden. Vervolgens worden de vensters in de eerste aluminiumoxidelaag 7 weer opengemaakt voor het aanbrengen van kontakten.
De lengte van de aktieve gebieden 10 bedraagt 260yum.
25 Op een gebruikelijke wijze worden de laserinrich- tingen verder afgewerkt.
Het zal duidelijk zijn dat de werkwijze volgens de uitvinding niet beperkt is tot het gegeven voorbeeld, maar dat binnen het raam van de uitvinding vele variaties 30 mogelijk zijn.
Op de beschermende laag 11 kan een laag van alu-miniumoxide worden aangebracht tegen atmosferische invloeden .
De aktieve gebieden kunnen bijvoorbeeld gelijktij-35 dig in de breedte- en lengterichting door etsen worden begrensd. Daarna kunnen gelijktijdig voor- en zijvlakken van een beschermende laag worden voorzien.
Met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding 7903197 23-4-79 7 PKSr 9434 t kunnen elektroluminescerende halfgeleiderxnrichtxngen worden vervaardigd die met andere passieve en of aktieve elementen zoals lichtgeleiders en fotodetektoren zijn geïntegreerd.
5 In plaats van de beschreven etsmethode waarbij een hol etsprofiel wordt verkregen, kan ook met behulp van sputteren worden geëtst, waarbij met één etsstap een profiel wordt verkregen dat loodrecht op de lagen 3»4,5 en 6 staat« 10 15 20 25 30 35 7S03197
Claims (7)
1. Werkwijze voor het vervaardigen van een elektro- luminescerende halfgeleiderinrichting waarbij op een hoofdvlak van een substraat epitaxiale éénkristallijne lagen, waaronder een aktieve laag, worden gegroeid en de lagen on-5 der toepassing van een etsmasker worden geëtst en spiegelvlakken worden verkregen die aktieve gebieden in de lengterichting begrenzen, met het kenmerk, dat na het etsen op de spiegelvlakken vanuit een gasfase een epitaxiale éénkristalli jne beschermende laag wordt gegroeid.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de spiegelvlakken in de £θ1 *> of [OIO]- richting of een dicht bij deze richtingen gelegen richting worden geëtst.
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2 met het kenmerk, dat de aktieve laag uit galliumarsenide of galliumaluminium- 15 arsenide bestaat en de onder en boven de aktieve laag gelegen lagen uit galliumaluminiumarsenide van ondeding tegengesteld geleidingstype en een aluminiumgehalte dat tenminste 25 atoomprocenten groter is dan dat van de aktieve laag.
4. Werkwijze volgens conclusie 3» met het kenmerk, 20 dat de beschermende laag uit isolerend galliumaluminiumarsenide bestaat met een aluminiumgehalte dat groter is dan dat van de aktieve laag.
5· Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat bij het etsen in laterale richting gezien in de lagen een hol profiel wordt verkregen. 7903197 23-4-79 9 PHN 9^3^ g *r 'S*
6. Werkwijze volgens conclusie 5> met het kenmerk, dat eerst een etsmiddel -wordt toegepast waarbij een zwaluw-staartprofiel wordt verkregen en vervolgens een etsmiddel waarmee niet-preferentiëel wordt geëtst. 5
7* Elektroluminescerende halfgeleiderinrichting ver vaardigd met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding, waarin de aktieve gebieden geïntegreerd zijp met andere ak-tieve- en/of passieve elementen. 10 15 20 25 30 35 7903197
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7903197A NL7903197A (nl) | 1979-04-24 | 1979-04-24 | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrolumines- cerende halfgeleiderinrichting en elektroluminescerende halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze |
| FR8008776A FR2455365A1 (fr) | 1979-04-24 | 1980-04-18 | Dispositif semiconducteur electroluminescent et son procede de fabrication |
| US06/141,511 US4341010A (en) | 1979-04-24 | 1980-04-18 | Fabrication of electroluminescent semiconductor device utilizing selective etching and epitaxial deposition |
| GB8013015A GB2047962B (en) | 1979-04-24 | 1980-04-21 | Mirror surface for electroluminescent semiconductor device |
| JP5181380A JPS55143082A (en) | 1979-04-24 | 1980-04-21 | Method of fabricating electroluminescent semiconductor device |
| IT21530/80A IT1140886B (it) | 1979-04-24 | 1980-04-21 | Dispositivo semiconduttore ad elettroluminescenza |
| DE19803015422 DE3015422A1 (de) | 1979-04-24 | 1980-04-22 | Verfahren zur herstellung einer elektrolumineszierenden halbleiteranordnung und durch dieses verfahren hergestellte elektrolumineszierende halbleiteranordnung |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7903197 | 1979-04-24 | ||
| NL7903197A NL7903197A (nl) | 1979-04-24 | 1979-04-24 | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrolumines- cerende halfgeleiderinrichting en elektroluminescerende halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL7903197A true NL7903197A (nl) | 1980-10-28 |
Family
ID=19833037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL7903197A NL7903197A (nl) | 1979-04-24 | 1979-04-24 | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrolumines- cerende halfgeleiderinrichting en elektroluminescerende halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4341010A (nl) |
| JP (1) | JPS55143082A (nl) |
| DE (1) | DE3015422A1 (nl) |
| FR (1) | FR2455365A1 (nl) |
| GB (1) | GB2047962B (nl) |
| IT (1) | IT1140886B (nl) |
| NL (1) | NL7903197A (nl) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4276098A (en) * | 1980-03-31 | 1981-06-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Batch processing of semiconductor devices |
| US4751708A (en) * | 1982-03-29 | 1988-06-14 | International Business Machines Corporation | Semiconductor injection lasers |
| GB8406432D0 (en) * | 1984-03-12 | 1984-04-18 | British Telecomm | Semiconductor devices |
| GB8413170D0 (en) * | 1984-05-23 | 1984-06-27 | British Telecomm | Production of semiconductor devices |
| CA1247947A (en) * | 1984-07-31 | 1989-01-03 | Masaru Wada | Method of manufacturing semiconductor device |
| US4652333A (en) * | 1985-06-19 | 1987-03-24 | Honeywell Inc. | Etch process monitors for buried heterostructures |
| JP2822195B2 (ja) * | 1989-01-19 | 1998-11-11 | ソニー株式会社 | 半導体レーザーの製造方法 |
| JPH02199892A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-08 | Nec Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| US5179035A (en) * | 1989-09-15 | 1993-01-12 | U.S. Philips Corporation | Method of fabricating two-terminal non-linear devices |
| DE4427840A1 (de) * | 1994-07-28 | 1996-02-01 | Osa Elektronik Gmbh | Verfahren zur Effizienzerhöhung von A¶I¶¶I¶¶I¶B¶V¶ - Halbleiter-Chips |
| US6355567B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-03-12 | International Business Machines Corporation | Retrograde openings in thin films |
| KR100529632B1 (ko) * | 2003-10-01 | 2005-11-17 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US7141486B1 (en) * | 2005-06-15 | 2006-11-28 | Agere Systems Inc. | Shallow trench isolation structures comprising a graded doped sacrificial silicon dioxide material and a method for forming shallow trench isolation structures |
| CN112968099B (zh) * | 2020-08-06 | 2022-02-25 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种氧化铝图形化方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2168936B1 (nl) * | 1972-01-27 | 1977-04-01 | Labo Electronique Physique | |
| US3824493A (en) * | 1972-09-05 | 1974-07-16 | Bell Telephone Labor Inc | Fundamental mode, high power operation in double heterostructure junction lasers utilizing a remote monolithic mirror |
| US3833435A (en) * | 1972-09-25 | 1974-09-03 | Bell Telephone Labor Inc | Dielectric optical waveguides and technique for fabricating same |
| US3865646A (en) * | 1972-09-25 | 1975-02-11 | Bell Telephone Labor Inc | Dielectric optical waveguides and technique for fabricating same |
| US4121177A (en) * | 1973-05-28 | 1978-10-17 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and a method of fabricating the same |
| JPS5269285A (en) * | 1975-12-05 | 1977-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser device |
| US4178564A (en) * | 1976-01-15 | 1979-12-11 | Rca Corporation | Half wave protection layers on injection lasers |
| US4171234A (en) * | 1976-07-20 | 1979-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating three-dimensional epitaxial layers utilizing molecular beams of varied angles |
| NL7609607A (nl) * | 1976-08-30 | 1978-03-02 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. |
| US4230997A (en) * | 1979-01-29 | 1980-10-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Buried double heterostructure laser device |
-
1979
- 1979-04-24 NL NL7903197A patent/NL7903197A/nl not_active Application Discontinuation
-
1980
- 1980-04-18 FR FR8008776A patent/FR2455365A1/fr active Granted
- 1980-04-18 US US06/141,511 patent/US4341010A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-04-21 GB GB8013015A patent/GB2047962B/en not_active Expired
- 1980-04-21 IT IT21530/80A patent/IT1140886B/it active
- 1980-04-21 JP JP5181380A patent/JPS55143082A/ja active Pending
- 1980-04-22 DE DE19803015422 patent/DE3015422A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1140886B (it) | 1986-10-10 |
| US4341010A (en) | 1982-07-27 |
| FR2455365B1 (nl) | 1985-02-15 |
| DE3015422C2 (nl) | 1987-12-03 |
| GB2047962B (en) | 1983-04-20 |
| FR2455365A1 (fr) | 1980-11-21 |
| DE3015422A1 (de) | 1980-11-06 |
| IT8021530A0 (it) | 1980-04-21 |
| GB2047962A (en) | 1980-12-03 |
| JPS55143082A (en) | 1980-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL7903197A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrolumines- cerende halfgeleiderinrichting en elektroluminescerende halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze | |
| US5739552A (en) | Semiconductor light emitting diode producing visible light | |
| Nakamura et al. | CW operation of distributed‐feedback GaAs‐GaAlAs diode lasers at temperatures up to 300 K | |
| US4594603A (en) | Semiconductor device with disordered active region | |
| US4511408A (en) | Semiconductor device fabrication with disordering elements introduced into active region | |
| US6238947B1 (en) | Semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same | |
| US5316968A (en) | Method of making semiconductor surface emitting laser | |
| US4215319A (en) | Single filament semiconductor laser | |
| US5721750A (en) | Laser diode for optoelectronic integrated circuit and a process for preparing the same | |
| JPS6351557B2 (nl) | ||
| JP2833438B2 (ja) | 単一波長受光素子 | |
| US3768151A (en) | Method of forming ohmic contacts to semiconductors | |
| CA1089571A (en) | Contacting structure on a semiconductor arrangement | |
| US5521402A (en) | Semiconductor optical functional element of loading resistor integrated type | |
| US4206468A (en) | Contacting structure on a semiconductor arrangement | |
| US4416011A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| US3752714A (en) | Method for selective epitaxial deposition of intermetallic semiconductor compounds | |
| US5215929A (en) | Method of manufacturing pn-junction device II-VI compound semiconductor | |
| US5122478A (en) | Impurity diffusion method | |
| EP0442203B1 (en) | A method of making ohmic low resistance w-sb contacts to iii-v semiconductor materials | |
| RU2783353C1 (ru) | Способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе многослойной структуры | |
| JP3011501B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| JPS6037786A (ja) | 負性抵抗素子とその製造方法 | |
| KR910005392B1 (ko) | 접합전류 제한 영역을 갖는 이중 헤테로 접합형 발광다이오드의 제조방법 | |
| JPH09199801A (ja) | Ｉｉ−ｖｉ族半導体デバイス及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |