JPH04100201A - ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体とその製造方法 - Google Patents
ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体とその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体、特
にギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体に関するもので
ある。
にギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体に関するもので
ある。
（従来の技術）
従来から酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分としてＢｉ２Ｏ，
。
。
５ｂ２０３．５ｉＯｚ＋ Ｃ０，０！、 Ｍｎ０ｚ等の
少量の金属酸化物を副成分として含有した抵抗体は、優
れた電圧非直線性を示すことが広（知られており、その
性質を利用して避雷器等に使用されている。
少量の金属酸化物を副成分として含有した抵抗体は、優
れた電圧非直線性を示すことが広（知られており、その
性質を利用して避雷器等に使用されている。
一方、架空送配電線における電気事故のうち、半数以上
が雷による事故で占められており、送配電線への落雷に
より、鉄塔電位が上昇すると、アークホーンで放電し、
続いて故障電流（続流）が流れるため変電所の遮断器で
遮断し、停電していた。この問題を解決するためギャッ
プレス避雷器が用いられるが、ギャップレス避雷器は応
答性が良く、続流遮断性が良好であるが、常時課電され
ている為、信頼性に問題があり、故障時に再送電できな
い欠点があった。この為、第１図に模式的に示すような
ギャップ付避雷装置が注目されている。これは概念的に
は碍子装置２のアークホーン１に避雷機能を持たせたも
ので、限流要素部３と直列ギャップ４とから構成される
。限流要素部３は電圧非直線抵抗特性を有する酸化亜鉛
素子を直列に接続し、絶縁物（＊管）内に収納し、ある
いは絶縁物（エチレン・プロピレンゴム）によりモール
ドしたものである。これにより、送配電線への落；で鉄
塔電位が上昇したときに直列ギャップ４で放電させ、短
時間のうちに限流要素部の非直線抵抗特性を利用して続
流を遮断し、変電所の遮断器が動作することによる停電
の防止を狙っている。
が雷による事故で占められており、送配電線への落雷に
より、鉄塔電位が上昇すると、アークホーンで放電し、
続いて故障電流（続流）が流れるため変電所の遮断器で
遮断し、停電していた。この問題を解決するためギャッ
プレス避雷器が用いられるが、ギャップレス避雷器は応
答性が良く、続流遮断性が良好であるが、常時課電され
ている為、信頼性に問題があり、故障時に再送電できな
い欠点があった。この為、第１図に模式的に示すような
ギャップ付避雷装置が注目されている。これは概念的に
は碍子装置２のアークホーン１に避雷機能を持たせたも
ので、限流要素部３と直列ギャップ４とから構成される
。限流要素部３は電圧非直線抵抗特性を有する酸化亜鉛
素子を直列に接続し、絶縁物（＊管）内に収納し、ある
いは絶縁物（エチレン・プロピレンゴム）によりモール
ドしたものである。これにより、送配電線への落；で鉄
塔電位が上昇したときに直列ギャップ４で放電させ、短
時間のうちに限流要素部の非直線抵抗特性を利用して続
流を遮断し、変電所の遮断器が動作することによる停電
の防止を狙っている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、こうしたギャップ付避雷装置では、既存の鉄塔
間に新たにギャップ付避雷装置を挿入しなければならな
いので、避雷装置のコンパクト化が問題となり、従って
限流要素部の短縮化が必要となる。また、アークホーン
１との絶縁協調も問題であり、落雷時に直列ギャップ４
に閃絡させてアークホーン１での閃絡を防止する必要が
ある。
間に新たにギャップ付避雷装置を挿入しなければならな
いので、避雷装置のコンパクト化が問題となり、従って
限流要素部の短縮化が必要となる。また、アークホーン
１との絶縁協調も問題であり、落雷時に直列ギャップ４
に閃絡させてアークホーン１での閃絡を防止する必要が
ある。
落雷時に直列ギャップ４に優先的に閃絡させるためには
、限流要素部３内の電圧非直線抵抗体素子の個数を減少
させ、電流が直列ギャップ４側へ流れ易くすることが考
えられる。しかし、上記素子の個数を大幅に減少させる
と、従来よりも電流が流れ易いことから、続流遮断性が
悪化する。また、直列ギャップの間隔を縮小することも
考えられるが、この場合には遮断器の開閉により発生す
る開閉サージで閃絡する可能性がある。
、限流要素部３内の電圧非直線抵抗体素子の個数を減少
させ、電流が直列ギャップ４側へ流れ易くすることが考
えられる。しかし、上記素子の個数を大幅に減少させる
と、従来よりも電流が流れ易いことから、続流遮断性が
悪化する。また、直列ギャップの間隔を縮小することも
考えられるが、この場合には遮断器の開閉により発生す
る開閉サージで閃絡する可能性がある。
（課題を解決するための手段）
本発明の目的は避雷装置の限流要素部を短縮でき、かつ
、続流遮断性、雷サージ放電耐量、開閉サージ放電耐量
及び課電寿命に優れた電圧非直線抵抗体を提供すること
である。
、続流遮断性、雷サージ放電耐量、開閉サージ放電耐量
及び課電寿命に優れた電圧非直線抵抗体を提供すること
である。
本発明の更なる目的はアークホーンとの絶縁協調性に優
れた電圧非直線抵抗体を提供することである。
れた電圧非直線抵抗体を提供することである。
本発明は、
■ 酸化ビスマスをＢｉｇ（ｈに換算して０．５〜１．
２ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化コバルトをＣｏｔ（ｈに換算して０．３〜１．
５ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化マンガンをＭｎ０ｇに換算して０．２〜０．８
ｓｏｌｅ％、 ■ 酸化アンチモンを５ｂｚｏｚに換算して０．５〜１
．５霞ｏ１ｅ％、 ■ 酸化クロムをＣｒ２Ｏ，に換算して０．１〜１．５
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ケイ素を５ｉｆｔに換算して０．６〜２．０５
ｏｌｅ％、■ 酸化ニッケルをＮｉＯに換算して０．８
〜２．５ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化アルミニウムをＡＩ、Ｏ，に換算して０．００
４〜０．０４ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ホウ素を８．０３ニ換算しＴｏ、０００１〜０
．０５ｓｏｌｅ％、 ■ 酸化銀をＡｇ、Ｏに換算して０．００１〜０．０５
ｓｏｌｅ％、及び ■ 酸化亜鉛 残部 を含有し、 ＠ ０．Ｉ Ａ／Ｃ１ｌ”の電流密度における制限電
圧が焼結体単位厚さに換算して２５０〜３５０ Ｖ／閣
、＠ ０．Ｉ Ａ／ｃｍ”と０．１１１Ａ／ＣＩ”の
電流密度における制限電圧比Ｖｏ、 ｔａ／Ｖｓ、 ｒ
ｗａａが１．２〜１．７、［株］ 単位面積当り５に八
／ｃｍ！の雷サージ電流（４／１０μｓ波形）を２回印
加した前後の０．Ｉ Ａ／ｃｍ”の電流密度における制
限電圧低下率が３％以下、の特性を有することを特徴と
するギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体である。
２ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化コバルトをＣｏｔ（ｈに換算して０．３〜１．
５ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化マンガンをＭｎ０ｇに換算して０．２〜０．８
ｓｏｌｅ％、 ■ 酸化アンチモンを５ｂｚｏｚに換算して０．５〜１
．５霞ｏ１ｅ％、 ■ 酸化クロムをＣｒ２Ｏ，に換算して０．１〜１．５
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ケイ素を５ｉｆｔに換算して０．６〜２．０５
ｏｌｅ％、■ 酸化ニッケルをＮｉＯに換算して０．８
〜２．５ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化アルミニウムをＡＩ、Ｏ，に換算して０．００
４〜０．０４ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ホウ素を８．０３ニ換算しＴｏ、０００１〜０
．０５ｓｏｌｅ％、 ■ 酸化銀をＡｇ、Ｏに換算して０．００１〜０．０５
ｓｏｌｅ％、及び ■ 酸化亜鉛 残部 を含有し、 ＠ ０．Ｉ Ａ／Ｃ１ｌ”の電流密度における制限電
圧が焼結体単位厚さに換算して２５０〜３５０ Ｖ／閣
、＠ ０．Ｉ Ａ／ｃｍ”と０．１１１Ａ／ＣＩ”の
電流密度における制限電圧比Ｖｏ、 ｔａ／Ｖｓ、 ｒ
ｗａａが１．２〜１．７、［株］ 単位面積当り５に八
／ｃｍ！の雷サージ電流（４／１０μｓ波形）を２回印
加した前後の０．Ｉ Ａ／ｃｍ”の電流密度における制
限電圧低下率が３％以下、の特性を有することを特徴と
するギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体である。
本発明はまた、ｉ） 次の組成
■ 酸化ビスマスをＢｉ２Ｏ２に換算して０．５〜１．
２ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化コバルトをＣｏｔＯ，に換夏計して０．３〜１
．５ 閣ｏ１ｅ％、 ■ 酸化マンガンをＭｎ０ｚに換算して０．２〜０．８
−０１８％、 ■ 酸化アンチモンを５ｂｚｏｓに換算して０．５〜１
．５ ｙｐｏｌｅ％、 ■ 酸化クロムをＣｒｔ（ｈに換算して０．１〜１．５
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ケイ素を５ｉＯｔに換算して０．６〜２．０５
ｏｌｅ％、■ 酸化ニッケルをＮｉＯに換算して０．８
〜２．５ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化アルミニウムをＡｈＯｓに換算して０．００４
〜０．０４ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ホウ素をＢ２Ｏ３に換算して０．０００１〜０
．０５ｍｏｌｅ％、 （１０） 酸化銀をＡｇ、０に換算して０．００１〜０
．０５ｍｏｌｅ％、及び ■ 酸化亜鉛 残部 を含有する電圧非直線抵抗体素体を形成し、ｉｉ）
前記素体の形成に当っては、■の酸化亜鉛と■の酸化ア
ルミニウムに相当する量のアルミニウムを含む溶液を混
合し、噴霧乾燥させ、これを仮焼し、この仮焼物に他の
前述の金属酸化物を混合したものを用い、造粒し、成形
し、 ｆｉｉ） １１３０〜１２４０℃で本焼成し、〜）５
３０〜９００℃で熱処理する ことを特徴とするギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体
の製造方法である。
２ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化コバルトをＣｏｔＯ，に換夏計して０．３〜１
．５ 閣ｏ１ｅ％、 ■ 酸化マンガンをＭｎ０ｚに換算して０．２〜０．８
−０１８％、 ■ 酸化アンチモンを５ｂｚｏｓに換算して０．５〜１
．５ ｙｐｏｌｅ％、 ■ 酸化クロムをＣｒｔ（ｈに換算して０．１〜１．５
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ケイ素を５ｉＯｔに換算して０．６〜２．０５
ｏｌｅ％、■ 酸化ニッケルをＮｉＯに換算して０．８
〜２．５ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化アルミニウムをＡｈＯｓに換算して０．００４
〜０．０４ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ホウ素をＢ２Ｏ３に換算して０．０００１〜０
．０５ｍｏｌｅ％、 （１０） 酸化銀をＡｇ、０に換算して０．００１〜０
．０５ｍｏｌｅ％、及び ■ 酸化亜鉛 残部 を含有する電圧非直線抵抗体素体を形成し、ｉｉ）
前記素体の形成に当っては、■の酸化亜鉛と■の酸化ア
ルミニウムに相当する量のアルミニウムを含む溶液を混
合し、噴霧乾燥させ、これを仮焼し、この仮焼物に他の
前述の金属酸化物を混合したものを用い、造粒し、成形
し、 ｆｉｉ） １１３０〜１２４０℃で本焼成し、〜）５
３０〜９００℃で熱処理する ことを特徴とするギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体
の製造方法である。
限流要素部の短縮化に対しては２つの方法で対処した。
まず、第１の方法は定格電圧を印加した時に限流要素部
の素子を流れる最大電流を素子単位面積（ＣＩ”）当た
り、０．１蒙Ａを０．１Ａに増大することである。従来
の避雷器では上記電流を０．１蒙Ａとして設計されてい
たが、この値を引き上げることにより限流要素部の素子
数減少が可能となる。
の素子を流れる最大電流を素子単位面積（ＣＩ”）当た
り、０．１蒙Ａを０．１Ａに増大することである。従来
の避雷器では上記電流を０．１蒙Ａとして設計されてい
たが、この値を引き上げることにより限流要素部の素子
数減少が可能となる。
さらに上記電流を増大させた場合には続流遮断性が悪化
するため、これ以上の引上げは不可である。
するため、これ以上の引上げは不可である。
然し、このように電流値を増大した場合には雷サージ印
加後の制限電圧低下に充分注意しなければならない、な
ぜならばこの制限電圧の低下は続流遮断性及び課電寿命
の悪化をもたらすが、この悪影響は素子の電圧−電流特
性により明らかなように０．１ ｍＡ／ａｍ”の電流密
度における制限電圧Ｖａ、 ＩＩＩＡ／Ｃ＠” （以
下ＶＯ，Ｉｓ＆と記載）の低下より０．１１１Ａ／３”
の電流密度における制限電圧ｖｏ、 ＩＡ／Ｃｍ”（以
下Ｖ１１．１Ａと記載）の低下の方が大きいからである
。従って、従来素子では雷サージ印加による制限電圧低
下は約１０％まで許容されていたが、本発明の素子では
この低下を３％以下まで抑制しなければ使用に耐えない
。
加後の制限電圧低下に充分注意しなければならない、な
ぜならばこの制限電圧の低下は続流遮断性及び課電寿命
の悪化をもたらすが、この悪影響は素子の電圧−電流特
性により明らかなように０．１ ｍＡ／ａｍ”の電流密
度における制限電圧Ｖａ、 ＩＩＩＡ／Ｃ＠” （以
下ＶＯ，Ｉｓ＆と記載）の低下より０．１１１Ａ／３”
の電流密度における制限電圧ｖｏ、 ＩＡ／Ｃｍ”（以
下Ｖ１１．１Ａと記載）の低下の方が大きいからである
。従って、従来素子では雷サージ印加による制限電圧低
下は約１０％まで許容されていたが、本発明の素子では
この低下を３％以下まで抑制しなければ使用に耐えない
。
なお、本発明では、制限電圧低下を引きおこす雷サージ
電流は電流密度５に＾／Ｃ１ｌ” （４／１Ｏｕｓ波
形）とし、２回印加して特性低下を評価した。これは一
般に避雷器において雷サージ電流は上記電流２回印加で
設計されているからである。
電流は電流密度５に＾／Ｃ１ｌ” （４／１Ｏｕｓ波
形）とし、２回印加して特性低下を評価した。これは一
般に避雷器において雷サージ電流は上記電流２回印加で
設計されているからである。
次に、第２の方法は限流要素部中素子の制限電圧Ｖ。、
＋４を上げることである。この制限電圧を上げることに
よっても限流要素部素子数の減少が可能となる。然しこ
の制限電圧が３５０Ｖ／■を越えると素子の雷サージ放
電耐量が低下すると共に課電寿命も悪化する。また、こ
の制限電圧が２５０Ｖ／閣では限流要素部短縮の効果が
な（なる。なお、ギャップ付避雷碍子は限流要素部が常
時課電されないため、課電寿命は一般に考慮されないが
、直列ギャップ４が鳥等の異物により長時間導通状態に
なることも予想されるため、課電寿命も考慮する必要が
ある。
＋４を上げることである。この制限電圧を上げることに
よっても限流要素部素子数の減少が可能となる。然しこ
の制限電圧が３５０Ｖ／■を越えると素子の雷サージ放
電耐量が低下すると共に課電寿命も悪化する。また、こ
の制限電圧が２５０Ｖ／閣では限流要素部短縮の効果が
な（なる。なお、ギャップ付避雷碍子は限流要素部が常
時課電されないため、課電寿命は一般に考慮されないが
、直列ギャップ４が鳥等の異物により長時間導通状態に
なることも予想されるため、課電寿命も考慮する必要が
ある。
本発明は上述の目的を実現できる電圧非直線抵抗体及び
その製造方法を提供する。
その製造方法を提供する。
酸化ビスマスはＢｉｇ（ｈに換算して、０．５〜１．２
ｍｏｌｅ％、好ましくは０．６〜０．９ ｍｏｌｅ％、
を用いる。
ｍｏｌｅ％、好ましくは０．６〜０．９ ｍｏｌｅ％、
を用いる。
Ｂｉ２ＯｉはＺｎＯ粒子間に粒界層を形成しているが、
バリスタ特性の発現に関係するショットキー障壁の形成
に係わっていると考えられる重要な添加物である。
バリスタ特性の発現に関係するショットキー障壁の形成
に係わっていると考えられる重要な添加物である。
０．５ ｍｏｌｅ％未満では雷サージ放電耐量が低下し
、１．２５ｏｌｅ％を越えると雷サージ印加後の制限電
圧（ＶＯ，ｌｓＡ／ｅ＠” ）の低下率（以下ΔＶ１１
．１Ａと記す）が増大する。
、１．２５ｏｌｅ％を越えると雷サージ印加後の制限電
圧（ＶＯ，ｌｓＡ／ｅ＠” ）の低下率（以下ΔＶ１１
．１Ａと記す）が増大する。
酸化コバルト及び酸化マンガンはＣｏ、０３及びＭｎＯ
２に換算し、Ｃｏ２Ｏｚ ０．３〜１．５ ｍｏｌｅ％
、好ましくは０．５〜１．２ ｍｏｌｅ％、Ｍｎ０ｚ
Ｏ，２〜０．８ ｍｏｌｅ％、好ましくは０．３〜０．
７ ｓｇｏｌｅ％、を用いる。Ｃｏ２Ｏｘ及びＭｎＯ，
はその一部がＺｎＯ粒子内に固溶するとともに、一部は
粒界層に析出してショットキー障壁の高さを高める作用
を有する。また、障壁の安定性にも関係していると考え
られる。 Ｃｏ２Ｏ３が０．３■ｏｌｅ％未満では雷サ
ージ印加後のΔＶ＠、ＩＡが増大し、１．５５ｏｌｅ％
を越えるとやはり雷サージ印加後のΔ■。１．が増大し
、Ｍｎ０ｚが０．２■ｏｌｅ％未満では課電寿命が悪化
し、０．８−ｏｌｅ％を越えるとやはり課電寿命が悪化
する。
２に換算し、Ｃｏ２Ｏｚ ０．３〜１．５ ｍｏｌｅ％
、好ましくは０．５〜１．２ ｍｏｌｅ％、Ｍｎ０ｚ
Ｏ，２〜０．８ ｍｏｌｅ％、好ましくは０．３〜０．
７ ｓｇｏｌｅ％、を用いる。Ｃｏ２Ｏｘ及びＭｎＯ，
はその一部がＺｎＯ粒子内に固溶するとともに、一部は
粒界層に析出してショットキー障壁の高さを高める作用
を有する。また、障壁の安定性にも関係していると考え
られる。 Ｃｏ２Ｏ３が０．３■ｏｌｅ％未満では雷サ
ージ印加後のΔＶ＠、ＩＡが増大し、１．５５ｏｌｅ％
を越えるとやはり雷サージ印加後のΔ■。１．が増大し
、Ｍｎ０ｚが０．２■ｏｌｅ％未満では課電寿命が悪化
し、０．８−ｏｌｅ％を越えるとやはり課電寿命が悪化
する。
酸化アンチモン及び酸化クロムはｓｂ、ｏ、及びＣｒ２
Ｏｓに換算して、５ｂ２Ｏｓ ０．５〜１．５ ｍｏｌ
ｅ％、好ましくは０．８〜１．２ ｍｏｌｅ％、Ｃｒ２
Ｏｓ ０．１〜１．５ｍｏｌｅ％、好ましくは０．３〜
１．０ ｍｏｌｅ％、を用いる。
Ｏｓに換算して、５ｂ２Ｏｓ ０．５〜１．５ ｍｏｌ
ｅ％、好ましくは０．８〜１．２ ｍｏｌｅ％、Ｃｒ２
Ｏｓ ０．１〜１．５ｍｏｌｅ％、好ましくは０．３〜
１．０ ｍｏｌｅ％、を用いる。
５ｂ２Ｏｉ 、Ｃｒ２ＯｚはＺｎＯと反応してスピネル
相を形成することにより、ＺｎＯ粒子の異常粒成長を抑
制して、焼結体の均一性を向上する作用を有する。
相を形成することにより、ＺｎＯ粒子の異常粒成長を抑
制して、焼結体の均一性を向上する作用を有する。
Ｓｂ、０３が０．５園ｏｌｅ％未満では雷サージ印加後
のΔＶＯ，ｌＡが悪化し、雪サージ放電耐量が悪化し、
１．５５ｏｌｅ％越えるとやはり雷サージ印加後のΔＶ
＠、１Ｍが悪化し、開閉サージ放電耐量が悪化し、雷サ
ージ放電耐量が悪化し、Ｃｒｚ（ｈが０．１■ｏｌｅ％
未満では雷サージ印加後のΔＶＯ，ｌＡが悪化し、１．
５５ｏｌｅ％を越えるとやはり雷サージ印加後のΔＶＯ
，ｌＡが悪化する。
のΔＶＯ，ｌＡが悪化し、雪サージ放電耐量が悪化し、
１．５５ｏｌｅ％越えるとやはり雷サージ印加後のΔＶ
＠、１Ｍが悪化し、開閉サージ放電耐量が悪化し、雷サ
ージ放電耐量が悪化し、Ｃｒｚ（ｈが０．１■ｏｌｅ％
未満では雷サージ印加後のΔＶＯ，ｌＡが悪化し、１．
５５ｏｌｅ％を越えるとやはり雷サージ印加後のΔＶＯ
，ｌＡが悪化する。
酸化ケイ素はＳｉＯ□に換算して、０．６〜２．０ ｍ
ｏｌｅ％、好ましくは０．７〜１．４ ｍｏｌｅ％、を
用いる。
ｏｌｅ％、好ましくは０．７〜１．４ ｍｏｌｅ％、を
用いる。
Ｓｉｎ、は粒界層に析出して、ＺｎＯ粒子の粒成長を抑
制する効果がある。非晶質シリカを用いると反応性が向
上し、特性が向上するため好ましい。ＳｉＯ□が０．６
■ｏｌｅ％未満では雷サージ放電耐量が悪化し、２．０
■ａｌｅ％を越えると雷サージ放電耐量が悪化し、雷サ
ージ印加後のΔＶＯ，ＩＡが悪化する。
制する効果がある。非晶質シリカを用いると反応性が向
上し、特性が向上するため好ましい。ＳｉＯ□が０．６
■ｏｌｅ％未満では雷サージ放電耐量が悪化し、２．０
■ａｌｅ％を越えると雷サージ放電耐量が悪化し、雷サ
ージ印加後のΔＶＯ，ＩＡが悪化する。
酸化ニッケルはＮｉＯに換算して、０．８〜２．５ ｍ
ｏｌｅ％、好ましくは１．０〜１．５ ｍｏｌｅ％、を
用いる。ＮｉＯの添加は雷サージ印加後のΔＶ＠、ＩＡ
と大電流域における制限電圧比（ＶｓｍＡ／−、”／Ｖ
。１Ａ／ｃｍ” 、以下ＶｓｍＡ／Ｖｏ、 ＋ａと記す
）の改善に効果がある。ＮｉＯが０．８ ｍｏｌｅ％未
満では雪サージ印加後のΔＶｅ、ＩＡと大電流域におけ
る制限電圧比（Ｖｓｍａ／Ｖｃｉ、 ＋ Ａ）が改善さ
れず、１，５ｍｏｌｅ％を越えると雪サージ印加後のΔ
Ｖ６．ｌＡ逆に悪化し、開閉サージ放電耐量が悪化する
。
ｏｌｅ％、好ましくは１．０〜１．５ ｍｏｌｅ％、を
用いる。ＮｉＯの添加は雷サージ印加後のΔＶ＠、ＩＡ
と大電流域における制限電圧比（ＶｓｍＡ／−、”／Ｖ
。１Ａ／ｃｍ” 、以下ＶｓｍＡ／Ｖｏ、 ＋ａと記す
）の改善に効果がある。ＮｉＯが０．８ ｍｏｌｅ％未
満では雪サージ印加後のΔＶｅ、ＩＡと大電流域におけ
る制限電圧比（Ｖｓｍａ／Ｖｃｉ、 ＋ Ａ）が改善さ
れず、１，５ｍｏｌｅ％を越えると雪サージ印加後のΔ
Ｖ６．ｌＡ逆に悪化し、開閉サージ放電耐量が悪化する
。
酸化アルミナはＡ１□０．に換算して、０．００４〜０
．０４ｍｏｌｅ％、好ましくは０．００６〜０．０２ｗ
１ｏｌｅ％、を用いる。Ａ１ｚ０３はＺｎＯに固溶して
ＺｎＯ粒子抵抗を下げ、大電流域における制限電圧比（
Ｖ、□／Ｖｏ、 ＋ａ）を改善する効果がある。また、
微小電流域の■−■特性の低下効果（Ｖｏ、 ＋ａ／Ｖ
ｏ、 ｒ−ｈの値が大きい）と誘電率向上効果もある。
．０４ｍｏｌｅ％、好ましくは０．００６〜０．０２ｗ
１ｏｌｅ％、を用いる。Ａ１ｚ０３はＺｎＯに固溶して
ＺｎＯ粒子抵抗を下げ、大電流域における制限電圧比（
Ｖ、□／Ｖｏ、 ＋ａ）を改善する効果がある。また、
微小電流域の■−■特性の低下効果（Ｖｏ、 ＋ａ／Ｖ
ｏ、 ｒ−ｈの値が大きい）と誘電率向上効果もある。
然し、添加量が増すと雷サージ印加後のΔＶ０．１Ａが
低下する。 Ａｌｚ（ｈが０．００４５ｔｏｌｅ％未満
では制限電圧比（Ｖｏ、 ＋ａ／Ｖｏ、 １−Ａ）が１
．２未満になるとともに大電流域における制限電圧比の
改善効果がない。０．０４ｓｏｌｅ％を越えると制限電
圧比（Ｖ６．ＩＡハ。１．Ａ）が１．７を越えるととも
に大電流域における制限電圧比が頭打ちとなり、雷サー
ジ放電耐量は低下し雷サージ印加後のΔＶ（１，１Ａが
低下する。
低下する。 Ａｌｚ（ｈが０．００４５ｔｏｌｅ％未満
では制限電圧比（Ｖｏ、 ＋ａ／Ｖｏ、 １−Ａ）が１
．２未満になるとともに大電流域における制限電圧比の
改善効果がない。０．０４ｓｏｌｅ％を越えると制限電
圧比（Ｖ６．ＩＡハ。１．Ａ）が１．７を越えるととも
に大電流域における制限電圧比が頭打ちとなり、雷サー
ジ放電耐量は低下し雷サージ印加後のΔＶ（１，１Ａが
低下する。
酸化ホウ素と酸化銀はＢ２０．及びＡｇ２Ｏに換算して
、Ｂｔｕｓ Ｏ，０００１〜０．０５ｍｏｌｅ％、好ま
しくは０．００１〜０．０３ｗｏｌｅ％、Ａｇｚｏ ０
．００１〜０．０５霞ｏ１ｅ％、好ましくは０．００４
〜０．０３ｍｏｌｅ％、を用いる。Ｂ２Ｏ３とＡｇ２Ｏ
はともに粒界層を安定化する作用がある（Ａｇを含むホ
ウケイ酸ビスマスガラスとして添加すると課電寿命が向
上するため好ましい、なお、ガラス中にはＺｎＯ等他０
金属酸化物を含んでも良い）。Ｂ２０゜が０．０００１
ｇ＋ｏｌｅ％未満では課電寿命向上効果が少なく、０．
０５ｗｏｌｅ％を越えると雷サージ印加後のΔＶＯ，Ｉ
Ａが悪化する。 Ａｇ、０が０．００１５ｏｌｅ％未満
ではΔＶＯ，ｌＡ改善効果が少なく 、０．０５５ｔｏ
ｌｅ％を越えると逆にΔ■。、５．が悪化する。
、Ｂｔｕｓ Ｏ，０００１〜０．０５ｍｏｌｅ％、好ま
しくは０．００１〜０．０３ｗｏｌｅ％、Ａｇｚｏ ０
．００１〜０．０５霞ｏ１ｅ％、好ましくは０．００４
〜０．０３ｍｏｌｅ％、を用いる。Ｂ２Ｏ３とＡｇ２Ｏ
はともに粒界層を安定化する作用がある（Ａｇを含むホ
ウケイ酸ビスマスガラスとして添加すると課電寿命が向
上するため好ましい、なお、ガラス中にはＺｎＯ等他０
金属酸化物を含んでも良い）。Ｂ２０゜が０．０００１
ｇ＋ｏｌｅ％未満では課電寿命向上効果が少なく、０．
０５ｗｏｌｅ％を越えると雷サージ印加後のΔＶＯ，Ｉ
Ａが悪化する。 Ａｇ、０が０．００１５ｏｌｅ％未満
ではΔＶＯ，ｌＡ改善効果が少なく 、０．０５５ｔｏ
ｌｅ％を越えると逆にΔ■。、５．が悪化する。
０．１ Ａ／ＣＩ”の電流密度における制限電圧ＶＯ，
ＩＡを２５０〜３５０ Ｖ／ｍ （好ましくは２６０〜
３１０ Ｖ／ｍ）とする理由は、上述したように２５０
Ｖ／ｍ未満では限流要素部の小型化ができず、３５０
Ｖ／閣を越えると雷サージ放電耐量が低下する為であ
る。この為には、上述した組成で本焼を１１３０〜１２
４０°Ｃで行なう。
ＩＡを２５０〜３５０ Ｖ／ｍ （好ましくは２６０〜
３１０ Ｖ／ｍ）とする理由は、上述したように２５０
Ｖ／ｍ未満では限流要素部の小型化ができず、３５０
Ｖ／閣を越えると雷サージ放電耐量が低下する為であ
る。この為には、上述した組成で本焼を１１３０〜１２
４０°Ｃで行なう。
制限電圧変化率ΔＶｏ、ｔａ （４／Ｌｏμｓ ５１
（Ａ／Ｃ１ｌ”２回印加後）を３％以下（好ましくは１
％以下）とする理由は、３％を越えると上述したように
続流遮断性及び課電寿命が悪化するため、定格電圧印加
時に素子を流れる最大電流を０．１Ａ／ＣＩ”とする避
雷器設計（以下ｖ０１．設計と記す）が不可能となる為
である。
（Ａ／Ｃ１ｌ”２回印加後）を３％以下（好ましくは１
％以下）とする理由は、３％を越えると上述したように
続流遮断性及び課電寿命が悪化するため、定格電圧印加
時に素子を流れる最大電流を０．１Ａ／ＣＩ”とする避
雷器設計（以下ｖ０１．設計と記す）が不可能となる為
である。
制限電圧変化率ΔＶ１１．ＩＡを３％以下とする為には
、上述した組成で ■ 熱処理を５３０℃〜９００℃で好ましくは２時間以
上（より好ましくは５ｈｒ以上）行ない、Ａｈｔｈ量は
０．０４ｍｏｌｅ％以下とし、 ■ ＡＩとＺｎＯとの仮焼は５００〜１０００℃、好ま
しくは６００〜９００℃とする。
、上述した組成で ■ 熱処理を５３０℃〜９００℃で好ましくは２時間以
上（より好ましくは５ｈｒ以上）行ない、Ａｈｔｈ量は
０．０４ｍｏｌｅ％以下とし、 ■ ＡＩとＺｎＯとの仮焼は５００〜１０００℃、好ま
しくは６００〜９００℃とする。
制限電圧変化率ΔＶｏ、ｓｍ／ｃｍ”を１％以下とする
為には、上述した組成で ■ 熱処理を５５０〜８５０°Ｃ好ましくは２時間以上
（好ましくは５ｈｒ以上）行ない、Ａｌ２Ｏ：ｌ量は０
．０２ ｍｏｌｅ％以下とし、 ■ ＡＩとＺｎＯとの仮焼は５００〜１０００”Ｃ１好
ましくは６００〜９００℃とし、 ■ ＺｎＯとアルミニウムとの仮焼物及び金属酸化物の
微粉砕をアトライターで混合する。アトライタでの混合
はＡＩを固溶したＺｎＯと金属酸化物の混合分散が均一
に行なわれるため素子の均一性が向上し、良好な電気特
性が得られる。特に雪サージ印加後の制限電圧低下が改
善される。
為には、上述した組成で ■ 熱処理を５５０〜８５０°Ｃ好ましくは２時間以上
（好ましくは５ｈｒ以上）行ない、Ａｌ２Ｏ：ｌ量は０
．０２ ｍｏｌｅ％以下とし、 ■ ＡＩとＺｎＯとの仮焼は５００〜１０００”Ｃ１好
ましくは６００〜９００℃とし、 ■ ＺｎＯとアルミニウムとの仮焼物及び金属酸化物の
微粉砕をアトライターで混合する。アトライタでの混合
はＡＩを固溶したＺｎＯと金属酸化物の混合分散が均一
に行なわれるため素子の均一性が向上し、良好な電気特
性が得られる。特に雪サージ印加後の制限電圧低下が改
善される。
制限電圧比ΔＶｏ、 ＋ ａ／Ｖｏ、 ｌ−Ａを１．２
〜１．７（好ましくは１．３〜１．５）とする理由は、
１．２未満では微小電流域で電流が流れ難くなるため、
落雷時に確実に直列ギャップ４側で閃絡させることがで
きず、アークホーンとの絶縁協調特性が悪くなるためで
ある。また１、７を越えるとアークホーンとの絶縁協調
は良好であるが、直列ギャップ４が鳥等の異物によって
長時間導通状態となる場合に過大な電流が流れ、熱暴走
して素子が破壊する為である。
〜１．７（好ましくは１．３〜１．５）とする理由は、
１．２未満では微小電流域で電流が流れ難くなるため、
落雷時に確実に直列ギャップ４側で閃絡させることがで
きず、アークホーンとの絶縁協調特性が悪くなるためで
ある。また１、７を越えるとアークホーンとの絶縁協調
は良好であるが、直列ギャップ４が鳥等の異物によって
長時間導通状態となる場合に過大な電流が流れ、熱暴走
して素子が破壊する為である。
制限電圧比Δｖａ、 ＋ａ／Ｖｏ、 ｌ＋ｅＡを１．２
〜１．７ トする為には、上述した組成で ■ 熱処理を５３０〜９００°Ｃで好ましくは２時間以
上（より好ましくは５ｈｒ以上）行ない、Ａ１．０３量
は０．００４〜０．０４ｗｏｌｅ％以下とし、上記と同
様として処理する。
〜１．７ トする為には、上述した組成で ■ 熱処理を５３０〜９００°Ｃで好ましくは２時間以
上（より好ましくは５ｈｒ以上）行ない、Ａ１．０３量
は０．００４〜０．０４ｗｏｌｅ％以下とし、上記と同
様として処理する。
制限電圧比Ｖｏ、 ＋ａ／Ｖｏ、 ｔｅａを１．３〜１
．５とする為には、 ■ 熱処理を５５０〜８５０℃で好ましくは２時間以上
（より好ましくは５ｈｒ以上）行ない、Ａｌ２Ｏ３量は
０．００６〜０．０２ｍｏｌｅ％とし、上記と同様とし
て処理する。
．５とする為には、 ■ 熱処理を５５０〜８５０℃で好ましくは２時間以上
（より好ましくは５ｈｒ以上）行ない、Ａｌ２Ｏ３量は
０．００６〜０．０２ｍｏｌｅ％とし、上記と同様とし
て処理する。
通常、熱処理を５５０〜７００°Ｃで行なうと、開閉サ
ージ耐量が良好となる為、より好ましい。
ージ耐量が良好となる為、より好ましい。
また、ＩＯＡ／Ｃ１ｌ”と０．Ｉ Ａ／Ｃ１ｍ”の電流
密度における制限電圧比ＬｏＡ７ｃｍ”／Ｖｏ、 ＩＡ
／ｅｌｌ”は１．１５〜１．３５、特に１．２〜１．３
が好ましい。このようにすると続流遮断性がさらに改善
される。また、開閉サージ耐量も良好となる。この為に
はＢ２０．量を０．００１〜０．０］、ｍｏｌｅ％、Ａ
ｇ２Ｏ量を０．００６〜０．０２ｍｏｌｅ％とする。
密度における制限電圧比ＬｏＡ７ｃｍ”／Ｖｏ、 ＩＡ
／ｅｌｌ”は１．１５〜１．３５、特に１．２〜１．３
が好ましい。このようにすると続流遮断性がさらに改善
される。また、開閉サージ耐量も良好となる。この為に
はＢ２０．量を０．００１〜０．０］、ｍｏｌｅ％、Ａ
ｇ２Ｏ量を０．００６〜０．０２ｍｏｌｅ％とする。
また、大電流域における制限電圧比（Ｖｓｍａ／Ｖ＋、
ＩＡ）は２．３以下、特に２．２以下が好ましい。こ
のようにすると限流要素部がより短縮されるとともに、
雷サージ耐量等も向上する。この為にはＡ１．０．量は
０．００５ ｍｏｌｅ％以上、特に０．００７ ｍｏｌ
ｅ％以上が好ましい。
ＩＡ）は２．３以下、特に２．２以下が好ましい。こ
のようにすると限流要素部がより短縮されるとともに、
雷サージ耐量等も向上する。この為にはＡ１．０．量は
０．００５ ｍｏｌｅ％以上、特に０．００７ ｍｏｌ
ｅ％以上が好ましい。
本発明に係る電圧非直線抵抗体を得るには、まずＡＩと
ＺｎＯとの仮焼を行なう、即ち、予め酸化亜鉛と所定量
のアルミニウムを含む溶液を混合し、噴霧乾燥させ、こ
れを仮焼し、この仮焼物に金属酸化物を混合することに
より、制限電圧比ＶＯ，ＩＡ／Ｖ＠、 ＩｍＡ及び雷サ
ージ印加後のΔ■。、ＩＡを制御することができるとと
もに、雷サージ放電耐量、大電流域における制限電圧比
及び課電寿命が改善される。
ＺｎＯとの仮焼を行なう、即ち、予め酸化亜鉛と所定量
のアルミニウムを含む溶液を混合し、噴霧乾燥させ、こ
れを仮焼し、この仮焼物に金属酸化物を混合することに
より、制限電圧比ＶＯ，ＩＡ／Ｖ＠、 ＩｍＡ及び雷サ
ージ印加後のΔ■。、ＩＡを制御することができるとと
もに、雷サージ放電耐量、大電流域における制限電圧比
及び課電寿命が改善される。
この場合には以下のような作用効果を得ることができる
。
。
（１）アルミニウムを溶液で酸化亜鉛と混合しているた
め、原子レベルで酸化亜鉛中へ固溶する。従って、均一
性が良好となるとともに、酸化亜鉛の粒子抵抗が大きく
低下する。ここで、溶液は水溶液、たとえば硝酸塩、塩
化物の水溶液等が好ましい、また混合溶液の固形分濃度
は５０〜７５ｗｔ％が好ましい。
め、原子レベルで酸化亜鉛中へ固溶する。従って、均一
性が良好となるとともに、酸化亜鉛の粒子抵抗が大きく
低下する。ここで、溶液は水溶液、たとえば硝酸塩、塩
化物の水溶液等が好ましい、また混合溶液の固形分濃度
は５０〜７５ｗｔ％が好ましい。
（２）混合物スラリーを噴霧乾燥させて一気に水分を除
去しているため、アルミニウムの濃度分布が均一な乾燥
物が得られる。従って均一性が良好となる。このとき、
混合物をバット等の中でゆっ（りと乾燥させると、酸化
亜鉛とアルミニウムが部分的に濃度差を生じ好ましくな
い、なお、噴霧乾燥温度は２００〜５００°Ｃが好まし
い。
去しているため、アルミニウムの濃度分布が均一な乾燥
物が得られる。従って均一性が良好となる。このとき、
混合物をバット等の中でゆっ（りと乾燥させると、酸化
亜鉛とアルミニウムが部分的に濃度差を生じ好ましくな
い、なお、噴霧乾燥温度は２００〜５００°Ｃが好まし
い。
（３）乾燥後の粉体を仮焼することにより、酸化亜鉛粒
子の中へ均一に充分にアルミニウムが固溶する。従来の
方法では、アルミニウムの酸化亜鉛への固溶は、酸化亜
鉛及び金属酸化物の混合物を本焼することにより行われ
ているため、アルミニウムは酸化亜鉛に充分固溶されな
いのみならず、粒界層中に残留し、雷サージ印加後の制
限電圧、雷サージ放電耐量及び課電寿命等に悪影響を与
える。
子の中へ均一に充分にアルミニウムが固溶する。従来の
方法では、アルミニウムの酸化亜鉛への固溶は、酸化亜
鉛及び金属酸化物の混合物を本焼することにより行われ
ているため、アルミニウムは酸化亜鉛に充分固溶されな
いのみならず、粒界層中に残留し、雷サージ印加後の制
限電圧、雷サージ放電耐量及び課電寿命等に悪影響を与
える。
なお、この仮焼温度は５００〜１０００℃、より好まし
くは６００〜９００℃が好ましい、５００℃未満ではア
ルミニウムの固溶が不充分となり、１０００℃を越える
と酸化亜鉛の焼結が急速に進むためである。
くは６００〜９００℃が好ましい、５００℃未満ではア
ルミニウムの固溶が不充分となり、１０００℃を越える
と酸化亜鉛の焼結が急速に進むためである。
より具体的には、まず０．５μ−程度の粒度に調整した
酸化亜鉛原料とアルミニウムを所定量含む溶液（例えば
硝酸アルミニウム水溶液等）と所定の分散剤等とを混合
し、得られた混合物を例えばスプレードライヤにより噴
霧乾燥させて乾燥した粉体を得る。その後、得られた粉
体を５００〜１０００℃の温度、好ましくは酸化雰囲気
下で仮焼し、好ましくは３μ−以下、より好ましくは１
ｕ−以下の所定の粒度の酸化亜鉛原料を得る。ここで得
られた酸化亜鉛原料を粉砕するとより好ましい、そして
、この酸化亜鉛原料を、所定の粒度に調整した酸化ビス
マス、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化アンチモン、
酸化クロム、酸化ケイ素、酸化ニッケル、酸化銀、酸化
ホウ素等よりなる添加物の所定量を混合する。なお、こ
の場合酸化銀、酸化ホウ素の代わりに硝酸銀、ホウ酸を
用いてもよい、好ましくは銀を含むホウケイ酸ビスマス
ガラスを用いるとよい。これら原料粉末に対して所定量
の結合剤（好ましくはポリビニルアルコール水溶液及び
分散剤）等を加え、デイスパーミル好ましくはアトライ
タにより混合した後、好ましくはスプレードライヤによ
り造粒して造粒を得る。造粒後、成形圧力８００〜２０
０００ ｋｇ／ｃｍ”の下で所定の形状に成形する。そ
して成形体を昇降温速度３０〜７０°Ｃ／ｈｒで８００
〜１ＯＯＯ℃、保持時間１〜５時間という条件で仮焼成
する。
酸化亜鉛原料とアルミニウムを所定量含む溶液（例えば
硝酸アルミニウム水溶液等）と所定の分散剤等とを混合
し、得られた混合物を例えばスプレードライヤにより噴
霧乾燥させて乾燥した粉体を得る。その後、得られた粉
体を５００〜１０００℃の温度、好ましくは酸化雰囲気
下で仮焼し、好ましくは３μ−以下、より好ましくは１
ｕ−以下の所定の粒度の酸化亜鉛原料を得る。ここで得
られた酸化亜鉛原料を粉砕するとより好ましい、そして
、この酸化亜鉛原料を、所定の粒度に調整した酸化ビス
マス、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化アンチモン、
酸化クロム、酸化ケイ素、酸化ニッケル、酸化銀、酸化
ホウ素等よりなる添加物の所定量を混合する。なお、こ
の場合酸化銀、酸化ホウ素の代わりに硝酸銀、ホウ酸を
用いてもよい、好ましくは銀を含むホウケイ酸ビスマス
ガラスを用いるとよい。これら原料粉末に対して所定量
の結合剤（好ましくはポリビニルアルコール水溶液及び
分散剤）等を加え、デイスパーミル好ましくはアトライ
タにより混合した後、好ましくはスプレードライヤによ
り造粒して造粒を得る。造粒後、成形圧力８００〜２０
０００ ｋｇ／ｃｍ”の下で所定の形状に成形する。そ
して成形体を昇降温速度３０〜７０°Ｃ／ｈｒで８００
〜１ＯＯＯ℃、保持時間１〜５時間という条件で仮焼成
する。
尚、アトライタでの混合は媒体としてジルコニアポール
を用い、アジテータアーム（撹拌棒）も材質の安定化さ
れたジルコニアを用い、タンクの内張りは有機性樹脂（
好ましくはナイロン樹脂）を用いると汚染が極めて少な
くなり好ましい、また、スラリー温度が４０°Ｃを越え
ないように管理することによりスラリーのゲル化が防止
でき、酸化亜鉛と金属酸化物が良好に分散・混合し、均
−混合及び混合効率の面で好ましい。ここで混合のため
の時間は１〜１０時間が好ましく、より好ましくは２〜
５時間である。また、媒体としてのジルコニアボールは
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）又は酸化カルシウム（Ｃ
ａＯ）等で安定化したジルコニアも使用できるが、酸化
イツトリウム（Ｙｚ（ｈ）で安定化したジルコニアを使
用すると好ましい。
を用い、アジテータアーム（撹拌棒）も材質の安定化さ
れたジルコニアを用い、タンクの内張りは有機性樹脂（
好ましくはナイロン樹脂）を用いると汚染が極めて少な
くなり好ましい、また、スラリー温度が４０°Ｃを越え
ないように管理することによりスラリーのゲル化が防止
でき、酸化亜鉛と金属酸化物が良好に分散・混合し、均
−混合及び混合効率の面で好ましい。ここで混合のため
の時間は１〜１０時間が好ましく、より好ましくは２〜
５時間である。また、媒体としてのジルコニアボールは
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）又は酸化カルシウム（Ｃ
ａＯ）等で安定化したジルコニアも使用できるが、酸化
イツトリウム（Ｙｚ（ｈ）で安定化したジルコニアを使
用すると好ましい。
なお、仮焼成の前に成形体を昇降温速度１０〜１００”
Ｃ／ｈｒで４００〜６００°Ｃ１保持時間１〜１０時間
で加熱し結合剤を飛散除去することが好ましい。これを
脱脂体という。ここで素体とは成形体、脱脂体及び仮焼
体を意味する。
Ｃ／ｈｒで４００〜６００°Ｃ１保持時間１〜１０時間
で加熱し結合剤を飛散除去することが好ましい。これを
脱脂体という。ここで素体とは成形体、脱脂体及び仮焼
体を意味する。
次に、仮焼成した仮焼体の側面に側面高抵抗層を形成す
る。酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ケイ素、酸化
亜鉛等の所定量に有機結合剤としてエチルセルロース、
ブチルカルピトール、酢酸ｎブチル等を加えた側面高抵
抗層用混合物ペーストを、６０〜３００μ−の厚さに仮
焼体の側面に塗布する。なお、前記混合物ペーストは成
形体または脱脂体に塗布してもよい。次に、これを昇降
温速度２０〜１００℃／ｈｒ （好ましくは３０〜ｂ
１１３０〜１２４０℃、好ましくは保持時間３〜７時間
という条件で本焼成する。
る。酸化ビスマス、酸化アンチモン、酸化ケイ素、酸化
亜鉛等の所定量に有機結合剤としてエチルセルロース、
ブチルカルピトール、酢酸ｎブチル等を加えた側面高抵
抗層用混合物ペーストを、６０〜３００μ−の厚さに仮
焼体の側面に塗布する。なお、前記混合物ペーストは成
形体または脱脂体に塗布してもよい。次に、これを昇降
温速度２０〜１００℃／ｈｒ （好ましくは３０〜ｂ
１１３０〜１２４０℃、好ましくは保持時間３〜７時間
という条件で本焼成する。
次に空気中で好ましくは昇降温速度２００℃／ｈｒ以下
で、５３０〜９００°Ｃ（好ましくは５５０〜８５０℃
）で、好ましくは２時間以上（より好ましくは５時間以
上）、熱処理する。
で、５３０〜９００°Ｃ（好ましくは５５０〜８５０℃
）で、好ましくは２時間以上（より好ましくは５時間以
上）、熱処理する。
なお、ガラス粉末に有機結合剤としてエチルセルロース
、ブチルカルピトール、酢酸ｎブチル等を加えたガラス
ペーストを前記の側面高抵抗層上に１００〜３００μ−
の厚さに塗布し、空気中で昇降温速度２００℃／ｈｒ以
下、５３０〜９００°Ｃ１保持時間２時間以上という条
件で熱処理することによりガラス層の成形を同時に実施
することも可能である。
、ブチルカルピトール、酢酸ｎブチル等を加えたガラス
ペーストを前記の側面高抵抗層上に１００〜３００μ−
の厚さに塗布し、空気中で昇降温速度２００℃／ｈｒ以
下、５３０〜９００°Ｃ１保持時間２時間以上という条
件で熱処理することによりガラス層の成形を同時に実施
することも可能である。
その後、得られた電圧非直線抵抗体の両端面を、ＳｉＣ
、Ａ１ｚ０３ 、ダイヤモンド等の１４００〜５２００
０相当の研磨剤により、水または油を使用して研磨する
０次に研磨面を洗浄後、研磨した両端面に例えばアルミ
ニウム等によって、電極を例えば溶射により設けて、電
圧非直線抵抗体を得る。
、Ａ１ｚ０３ 、ダイヤモンド等の１４００〜５２００
０相当の研磨剤により、水または油を使用して研磨する
０次に研磨面を洗浄後、研磨した両端面に例えばアルミ
ニウム等によって、電極を例えば溶射により設けて、電
圧非直線抵抗体を得る。
なお、本発明の組成以外に電圧非直線抵抗体の使用目的
に応じて、それらによる効果をあまり損うことのない物
質を加えてもよいことは、言うまでもないことである。
に応じて、それらによる効果をあまり損うことのない物
質を加えてもよいことは、言うまでもないことである。
（実施例）
以下、本発明を実施及び比較例につきさらに詳細に説明
する。
する。
１〜６１び １〜３４
次の第１表に示す組成の素体を、第１表に示す製造方法
で処理して、φ４７ｍＸｈ２２．５閣の実施例１〜６１
及び比較例１〜３４の電圧非直線抵抗体を製造した。こ
れ等の抵抗体の特性は第１表に示す通りであった。
で処理して、φ４７ｍＸｈ２２．５閣の実施例１〜６１
及び比較例１〜３４の電圧非直線抵抗体を製造した。こ
れ等の抵抗体の特性は第１表に示す通りであった。
ここで電圧非直線抵抗体組成については第１表に示す通
りであるが、シリカは非晶質シリカを用い、Ｂｔｕｓ及
びＡｇ、Ｏはガラス化して用いた。
りであるが、シリカは非晶質シリカを用い、Ｂｔｕｓ及
びＡｇ、Ｏはガラス化して用いた。
また、ＡＩとＺｎＯとの仮焼は硝酸アルミニウム水溶液
を用い、３００℃で噴霧乾燥した後、７００℃の温度で
仮焼した。この仮焼物をボットミル等で平均粒子径が１
μ−以下になるように粉砕した。
を用い、３００℃で噴霧乾燥した後、７００℃の温度で
仮焼した。この仮焼物をボットミル等で平均粒子径が１
μ−以下になるように粉砕した。
ＺｎＯと金属酸化物の混合については主にアトライタを
使用し、酸化イツトリウムで安定化と７でジルコニアボ
ールを用い、３時間混合した。アトライタを使用しない
ものについては、デイスパーミルで３時間混合した。
使用し、酸化イツトリウムで安定化と７でジルコニアボ
ールを用い、３時間混合した。アトライタを使用しない
ものについては、デイスパーミルで３時間混合した。
本焼は第１表に示す温度で保持時間は５時間という条件
で行った。
で行った。
熱処理は第１表に示す温度で保持時間は５時間という条
件で行った。但し、実施例５．１４．２４゜３８は保持
時間を２時間の条件で行った。
件で行った。但し、実施例５．１４．２４゜３８は保持
時間を２時間の条件で行った。
電気特性については、制限電圧（Ｖｏ、＋ａで表示；単
位ホルト）、制限電圧比（Ｖ（１，ＩＡ／Ｖ６．ｌ−Ａ
テ表示） 、５ｋＡ／ ’ＣＩ” Ｉ：Ｄ雷サージ電
流（４／１０ ｕ ｓ波形）を２回印加（５分間隔）し
た前後の制限電圧低下率（Δｖ０．１＾で表示；単位％
）、雷サージ放電耐量及び課電寿命を評価した。
位ホルト）、制限電圧比（Ｖ（１，ＩＡ／Ｖ６．ｌ−Ａ
テ表示） 、５ｋＡ／ ’ＣＩ” Ｉ：Ｄ雷サージ電
流（４／１０ ｕ ｓ波形）を２回印加（５分間隔）し
た前後の制限電圧低下率（Δｖ０．１＾で表示；単位％
）、雷サージ放電耐量及び課電寿命を評価した。
雷サージ放電耐量はエネルギー値（単位キロジュール（
ＫＪ）電流×電圧×印加時間値；クリア値）で示した。
ＫＪ）電流×電圧×印加時間値；クリア値）で示した。
雷サージ放電耐量は電流値で評価した場合にはＶ＠、Ｉ
Ａの高い素子はど印加電圧が高くなるため、放電耐量値
は低い値を示す、従って正当な評価ができない。
Ａの高い素子はど印加電圧が高くなるため、放電耐量値
は低い値を示す、従って正当な評価ができない。
課電寿命はアレニウスプロットより換算し、４０℃課電
率８５％で１年良好なものはＯ印で示し、４０°Ｃ課電
率８５％で１０年以上良好でものは◎で示した。
率８５％で１年良好なものはＯ印で示し、４０°Ｃ課電
率８５％で１０年以上良好でものは◎で示した。
なお、本発明は電圧非直線体の寸法には影響されず、例
えば直径１５０閣の円盤に於いても同一結果を示した。
えば直径１５０閣の円盤に於いても同一結果を示した。
（効 果）
本発明は上述の組成で酸化亜鉛とアルミニウムの仮焼を
行った上で、電圧非直線抵抗体素体を形成し、上述の温
度で本焼し、高温熱処理することにより、優れた電圧−
電流特性が得られる（第２図参照）。
行った上で、電圧非直線抵抗体素体を形成し、上述の温
度で本焼し、高温熱処理することにより、優れた電圧−
電流特性が得られる（第２図参照）。
しかも、雷サージ印加後における制限電圧（Ｖｏ、 ＋
ａ）の低下率が小さいため、避雷器としてＶＯ，ｌＡ設
計が可能となり、また、制限電圧（Ｖｌ１．ＩＡ ）も
高いため、避雷器の限流要素部の短縮が可能となる。
ａ）の低下率が小さいため、避雷器としてＶＯ，ｌＡ設
計が可能となり、また、制限電圧（Ｖｌ１．ＩＡ ）も
高いため、避雷器の限流要素部の短縮が可能となる。
好ましくはアルミニウムを固溶した酸化亜鉛と金属酸化
物の混合にアトライタを用いることにより、上記制限電
圧（Ｖｏ、＋ａ ）の低下率をより小さくでき、更に、
限流要素部の短縮が可能となる。
物の混合にアトライタを用いることにより、上記制限電
圧（Ｖｏ、＋ａ ）の低下率をより小さくでき、更に、
限流要素部の短縮が可能となる。
また、制限電圧比（ＶＯ，ＩＡ／ＶＯ，ｌ−Ａ ）を上
述の値にすることにより、ギャップ放電特性が改善され
、アークホーンとの絶縁協調性が向上する。
述の値にすることにより、ギャップ放電特性が改善され
、アークホーンとの絶縁協調性が向上する。
さらに、雷サージ放電耐量、開閉サージ放電耐量、大電
流域における制限電圧及び課電寿命も良好であるため、
ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体として極めて優れ
ている。
流域における制限電圧及び課電寿命も良好であるため、
ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体として極めて優れ
ている。
第１図は送電鉄塔に用いるアークホーンとギャップ付避
雷器との説明図、 第２図は従来の電圧非直線抵抗体の電圧−電流特性と本
発明の電圧非直線抵抗体の電圧−電流特性とを示す特性
線図である。 第２図 を流文贋（Ａんｍす 手続補正書 平成 ３年 ２月２８日 特許庁長官 植 松 敏 殿１、事
件の表示 平成２年特許願第２１７２０５号 ２、発明の名称 ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体とその製造方法３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （４０６） 日本碍子株式会社 ４、代 埋入 「発明の詳細な説明」の欄 一１憤＼ １、明細書第１頁第４行〜第４頁第１１行の特許請求の
範囲を次の通り訂正する。 「２、特許請求の範囲 １．（１） 酸化ビスマスをＢｉｚ（ｈに換算して０．
５〜１．２ ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化コバルトをＣＯ□０３に換算して０．３〜１．
５ ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化マンガンをＭｎ０ｚに換算して０．２〜０．８
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化アンチモンをＳｂ２Ｏ３に換算して０．５〜１
．５ ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化クロムをＣｒｚ（ｈに換算して０．１〜１．５
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ケイ素を５ｉＯｚに換算して０．６〜２．０ｍ
ｏｌｅ％、 ■ 酸化ニッケルをＮｉＯに換算して０．８〜２．５
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化アルミニウムをＡ１□０３に換算して０．００
４〜０．０４ｎ＋ｏｌｅ％、 ■ 酸化ホウ素をＢ２Ｏ３に換算して０．０００１〜０
．０５ｍｏｌｅ％、 （１０） 酸化銀をＡｇＪに換算して０．００１〜０．
０５ｍｏｌｅ％、及び ■ 酸化亜鉛 残部 を含有し、 ■ ０．Ｉ Ａ／ｃｍ”の電流密度における制限電圧が
焼結体単位厚さに換算して２５０〜３５０Ｖ／ｍｍ。 ■ ０．１ Ａ／ｃｍ” と０．１ ｍＡ／ｃｍ”の電
流密度における制限電圧比ｖｏ、 ＋Ａ／Ｖｏ、 １ｍ
Ａが１．２〜１．７、 ■ 単位面積当り５ＫＡ／ｃｍ”の雷サージ電流（４／
１０μｓ波形）を２回印加した前後の０．Ｌ Ａ／ｃｍ
２の電流密度における制限電圧仏工率が３％以下、 の特性を有することを特徴とするギャップ付避雷器用電
圧非直線抵抗体。 ２、ｉ） 次の組成 ■ 酸化ビスマスをＢｉ２Ｏｉに換算して０．５〜１．
２ ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化コバルトをＣｏ２Ｏ：＋に換算して０．３〜１
．５ ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化マンガンをＭｎ０ｚに換算して０．２〜０．８
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化アンチモンを５ｂｚ０３に換算して０゜５〜１
．５ ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化クロムをＣｒｚ（ｈに換算して０．１〜１．５
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ケイ素をＳｉＯ□に換算して０．６〜２．０ｍ
ｏｌｅ％、 ■ 酸化ニッケルをＮｉＯに換算して０．８〜２．５
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化アルミニウムをＡｌｚ０３に換算して０．００
４〜０．０４ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ホウ素を８２０３に換算してｏ、ｏｏｏｉ〜０
．Ｑ５ｍｏｌｅ％、 （１０） 酸化銀をＡｇ２Ｏに換算して０．００１〜０
．０５ｍｏｌｅ％、及び ■ 酸化亜鉛 残部 を含有する電圧非直線抵抗体素体を形成し、ｉｉ）
前記素体の形成に当っては、■の酸化亜鉛と■の酸化ア
ルミニウムに相当する量のアルミニウムを含む溶液を混
合し、噴霧乾燥させ、これを仮焼し、この仮焼物に他の
前述の金属酸化物を混合したものを用い、造粒し、成形
し、 山） １１３０〜１２４０°Ｃで本焼成し、ｉｖ）
５３０〜９００°Ｃで熱処理することを特徴とするギ
ャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体の製造方法。」 ２、明細書第７頁第６行の「放電耐量」と「及び」との
間に「、大電流域における制限電圧」を挿入する。 ３、同第１１頁第９行冒頭のｒｍＡ／ｃｍ” Ｊを「Ａ
／Ｃ１！１２と訂正する。 ４、同第１２頁第５行末尾の’２５０Ｖ／ｍｍＪの次に
「未満」を加入する。 ５、同第１３頁第２行の「ｖｏ、＋ｆｉＡ／ｃｍ２」を
’ＶＯ，ＩＡ／ ｃ ｍ Ｚ Ｊと訂正する。 ６、同第１５頁第１０行の「アルミナ」を「アルミニウ
ム」と訂正する。 ７、同第１６頁第８行のｒｏ、ｏ０４ 、を’０．００
２ Ｊと訂正する。 ８、同第１７頁第１行の「できず、」とｒ３５０ Ｊと
の間に「また雷サージ印加後のΔＶＯ，ＩＡが悪化し、
」を挿入し、 同頁第５行、第１２行及び第１９行の「変化率」を「低
下率」と夫々訂正する。 ９、同第１８頁第２行の「好ましくは」を「より好まし
くは」と訂正し、 同頁第１２行の「Δ」を削除する。 １０．同第１９頁第２行の「Δ、１を削除し、同頁第７
行及び第１３行の「上記」を「■は上記」と夫々訂正し
、 同頁第９行の「為には、Ｊの次に「上述した組成で」を
加入し、 同頁未行の「この為には」と’ Ｂｚ０３Ｊとの間に「
上述した組成で」を挿入する。 １１、同第２０頁第５行の「耐量」を「放電耐量」と訂
正し、「この為には」と”Ａ１２ｏ３Ｊとの間に「上述
した組成で」を挿入する。 １２、同第２３頁第５行の「溶液及び分散剤）」を「溶
液）及び分散剤」と訂正し、 同頁第１４行「材質の安定化された」を「安定化」と訂
正する。 １３、同第２７頁第１行の「安定化して」を「安定化し
た」と訂正し、 する耐量（各２回印加）であり、」を挿入し、同頁未行
の「耐量値」を「耐量電流値」と訂正する。 １４、同第２８頁第４行の「良好て」を「良好な」と訂
正し、 同真第６行のｒ１５０」を「７０」と訂正する。 １５、同第３０頁第１表（続−１）の実施例３５０行の
Ａｇ２Ｏの欄の値ｒｏ、００４ 、Ｉをｒｏ、ｏ０２
ｊと訂正する。 １６、同第３３頁第１８行の「さらに、」と「雷」との
間に「続流遮断性、」を挿入する。
雷器との説明図、 第２図は従来の電圧非直線抵抗体の電圧−電流特性と本
発明の電圧非直線抵抗体の電圧−電流特性とを示す特性
線図である。 第２図 を流文贋（Ａんｍす 手続補正書 平成 ３年 ２月２８日 特許庁長官 植 松 敏 殿１、事
件の表示 平成２年特許願第２１７２０５号 ２、発明の名称 ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体とその製造方法３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （４０６） 日本碍子株式会社 ４、代 埋入 「発明の詳細な説明」の欄 一１憤＼ １、明細書第１頁第４行〜第４頁第１１行の特許請求の
範囲を次の通り訂正する。 「２、特許請求の範囲 １．（１） 酸化ビスマスをＢｉｚ（ｈに換算して０．
５〜１．２ ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化コバルトをＣＯ□０３に換算して０．３〜１．
５ ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化マンガンをＭｎ０ｚに換算して０．２〜０．８
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化アンチモンをＳｂ２Ｏ３に換算して０．５〜１
．５ ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化クロムをＣｒｚ（ｈに換算して０．１〜１．５
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ケイ素を５ｉＯｚに換算して０．６〜２．０ｍ
ｏｌｅ％、 ■ 酸化ニッケルをＮｉＯに換算して０．８〜２．５
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化アルミニウムをＡ１□０３に換算して０．００
４〜０．０４ｎ＋ｏｌｅ％、 ■ 酸化ホウ素をＢ２Ｏ３に換算して０．０００１〜０
．０５ｍｏｌｅ％、 （１０） 酸化銀をＡｇＪに換算して０．００１〜０．
０５ｍｏｌｅ％、及び ■ 酸化亜鉛 残部 を含有し、 ■ ０．Ｉ Ａ／ｃｍ”の電流密度における制限電圧が
焼結体単位厚さに換算して２５０〜３５０Ｖ／ｍｍ。 ■ ０．１ Ａ／ｃｍ” と０．１ ｍＡ／ｃｍ”の電
流密度における制限電圧比ｖｏ、 ＋Ａ／Ｖｏ、 １ｍ
Ａが１．２〜１．７、 ■ 単位面積当り５ＫＡ／ｃｍ”の雷サージ電流（４／
１０μｓ波形）を２回印加した前後の０．Ｌ Ａ／ｃｍ
２の電流密度における制限電圧仏工率が３％以下、 の特性を有することを特徴とするギャップ付避雷器用電
圧非直線抵抗体。 ２、ｉ） 次の組成 ■ 酸化ビスマスをＢｉ２Ｏｉに換算して０．５〜１．
２ ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化コバルトをＣｏ２Ｏ：＋に換算して０．３〜１
．５ ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化マンガンをＭｎ０ｚに換算して０．２〜０．８
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化アンチモンを５ｂｚ０３に換算して０゜５〜１
．５ ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化クロムをＣｒｚ（ｈに換算して０．１〜１．５
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ケイ素をＳｉＯ□に換算して０．６〜２．０ｍ
ｏｌｅ％、 ■ 酸化ニッケルをＮｉＯに換算して０．８〜２．５
ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化アルミニウムをＡｌｚ０３に換算して０．００
４〜０．０４ｍｏｌｅ％、 ■ 酸化ホウ素を８２０３に換算してｏ、ｏｏｏｉ〜０
．Ｑ５ｍｏｌｅ％、 （１０） 酸化銀をＡｇ２Ｏに換算して０．００１〜０
．０５ｍｏｌｅ％、及び ■ 酸化亜鉛 残部 を含有する電圧非直線抵抗体素体を形成し、ｉｉ）
前記素体の形成に当っては、■の酸化亜鉛と■の酸化ア
ルミニウムに相当する量のアルミニウムを含む溶液を混
合し、噴霧乾燥させ、これを仮焼し、この仮焼物に他の
前述の金属酸化物を混合したものを用い、造粒し、成形
し、 山） １１３０〜１２４０°Ｃで本焼成し、ｉｖ）
５３０〜９００°Ｃで熱処理することを特徴とするギ
ャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体の製造方法。」 ２、明細書第７頁第６行の「放電耐量」と「及び」との
間に「、大電流域における制限電圧」を挿入する。 ３、同第１１頁第９行冒頭のｒｍＡ／ｃｍ” Ｊを「Ａ
／Ｃ１！１２と訂正する。 ４、同第１２頁第５行末尾の’２５０Ｖ／ｍｍＪの次に
「未満」を加入する。 ５、同第１３頁第２行の「ｖｏ、＋ｆｉＡ／ｃｍ２」を
’ＶＯ，ＩＡ／ ｃ ｍ Ｚ Ｊと訂正する。 ６、同第１５頁第１０行の「アルミナ」を「アルミニウ
ム」と訂正する。 ７、同第１６頁第８行のｒｏ、ｏ０４ 、を’０．００
２ Ｊと訂正する。 ８、同第１７頁第１行の「できず、」とｒ３５０ Ｊと
の間に「また雷サージ印加後のΔＶＯ，ＩＡが悪化し、
」を挿入し、 同頁第５行、第１２行及び第１９行の「変化率」を「低
下率」と夫々訂正する。 ９、同第１８頁第２行の「好ましくは」を「より好まし
くは」と訂正し、 同頁第１２行の「Δ」を削除する。 １０．同第１９頁第２行の「Δ、１を削除し、同頁第７
行及び第１３行の「上記」を「■は上記」と夫々訂正し
、 同頁第９行の「為には、Ｊの次に「上述した組成で」を
加入し、 同頁未行の「この為には」と’ Ｂｚ０３Ｊとの間に「
上述した組成で」を挿入する。 １１、同第２０頁第５行の「耐量」を「放電耐量」と訂
正し、「この為には」と”Ａ１２ｏ３Ｊとの間に「上述
した組成で」を挿入する。 １２、同第２３頁第５行の「溶液及び分散剤）」を「溶
液）及び分散剤」と訂正し、 同頁第１４行「材質の安定化された」を「安定化」と訂
正する。 １３、同第２７頁第１行の「安定化して」を「安定化し
た」と訂正し、 する耐量（各２回印加）であり、」を挿入し、同頁未行
の「耐量値」を「耐量電流値」と訂正する。 １４、同第２８頁第４行の「良好て」を「良好な」と訂
正し、 同真第６行のｒ１５０」を「７０」と訂正する。 １５、同第３０頁第１表（続−１）の実施例３５０行の
Ａｇ２Ｏの欄の値ｒｏ、００４ 、Ｉをｒｏ、ｏ０２
ｊと訂正する。 １６、同第３３頁第１８行の「さらに、」と「雷」との
間に「続流遮断性、」を挿入する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．（１）酸化ビスマスをＢｉ＿２Ｏ＿３に換算して０
．５〜１．２ｍｏｌｅ％、 （２）酸化コバルトをＣｏ＿２Ｏ＿３に換算して０．３
〜１．５ｍｏｌｅ％、 （３）酸化マンガンをＭｎＯ＿２に換算して０．２〜０
．８ｍｏｌｅ％、 （４）酸化アンチモンをＳｂ＿２Ｏ＿３に換算して０．
５〜１．５ｍｏｌｅ％、 （５）酸化クロムをＣｒ＿２Ｏ＿３に換算して０．１〜
１．５ｍｏｌｅ％、 （６）酸化ケイ素をＳｉＯ＿２に換算して０．６〜２．
０ｍｏｌｅ％、 （７）酸化ニッケルをＮｉＯに換算して０．８〜２．５
ｍｏｌｅ％、 （８）酸化アルミニウムをＡｌ＿２Ｏ＿３に換算して０
．００４〜０．０４ｍｏｌｅ％、 （９）酸化ホウ素をＢ＿２Ｏ＿３に換算して０．０００
１〜０．０５ｍｏｌｅ％、 （１０）酸化銀をＡｇ＿２Ｏに換算して０．００１〜０
．０５ｍｏｌｅ％、及び （１１）酸化亜鉛残部 を含有し、 （１２）０．１Ａ／ｃｍ＾２の電流密度における制限電
圧が焼結体単位厚さに換算して２５０〜３５０Ｖ／ｍｍ
、 （１３）０．１Ａ／ｃｍ＾２と０．１ｍＡ／ｃｍ＾２の
電流密度における制限電圧比Ｖ＿０＿．＿１＿Ａ／Ｖ＿
０＿．＿１＿ｍ＿Ａが１．２〜１．７、 （１４）単位面積当り５ＫＡ／ｃｍ＾２の雷サージ電流
（４／１０μｓ波形）を２回印加した前後の０．１Ａ／
ｃｍ＾２の電流密度における制限電圧変化率が３％以下
、 の特性を有することを特徴とするギャップ付避雷器用電
圧非直線抵抗体。 ２．ｉ）次の組成 （１）酸化ビスマスをＢｉ＿２Ｏ＿３に換算して０．５
〜１．２ｍｏｌｅ％、 （２）酸化コバルトをＣｏ＿２Ｏ＿３に換算して０．３
〜１．５ｍｏｌｅ％、 （３）酸化マンガンをＭｎＯ＿２に換算して０．２〜０
．８ｍｏｌｅ％、 （４）酸化アンチモンをＳｂ＿２Ｏ＿３に換算して０．
５〜１．５ｍｏｌｅ％、 （５）酸化クロムをＣｒ＿２Ｏ＿３に換算して０．１〜
１．５ｍｏｌｅ％、 （６）酸化ケイ素をＳｉＯ＿２に換算して０．６〜２．
０ｍｏｌｅ％、 （７）酸化ニッケルをＮｉＯに換算して０．８〜２．５
ｍｏｌｅ％、 （８）酸化アルミニウムをＡｌ＿２Ｏ＿３に換算して０
．００４〜０．０４ｍｏｌｅ％、 （９）酸化ホウ素をＢ＿２Ｏ＿３に換算して０．０００
１〜０．０５ｍｏｌｅ％、 （１０）酸化銀をＡｇ＿２Ｏに換算して０．００１〜０
．０５ｍｏｌｅ％、及び （１１）酸化亜鉛残部 を含有する電圧非直線抵抗体素体を形成し、 ｉｉ）前記素体の形成に当っては、（１１）の酸化亜鉛
と（８）の酸化アルミニウムに相当する量のアルミニウ
ムを含む溶液を混合し、噴霧乾燥させ、これを仮焼し、
この仮焼物に他の前述の金属酸化物を混合したものを用
い、造粒し、成形し、 ｉｉｉ）１１３０〜１２４０℃で本焼成し、 ｉｖ）５３０〜９００℃で熱処理することを特徴とする
ギャップ付避雷器用電圧非直線抵抗体の製造方法。
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