JPH0390438U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0390438U JPH0390438U JP15201889U JP15201889U JPH0390438U JP H0390438 U JPH0390438 U JP H0390438U JP 15201889 U JP15201889 U JP 15201889U JP 15201889 U JP15201889 U JP 15201889U JP H0390438 U JPH0390438 U JP H0390438U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- semiconductor device
- interval
- opening
- epitaxial wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
第１図ａ，ｂは本考案に係る半導体装置のＮＰ
Ｎトランジスタに係る第１の実施例の平面図およ
び断面図、第２図ないし第４図は第１図ａ，ｂの
第１の実施例において、それぞれＢ（ベース）、
Ｅ（エミツタ）、Ｃ（コレクタ）に抵抗素子が形
成される構成を示す平面図、第５図ａ，ｂは本考
案に係る半導体装置のラテラルＰＮＰトランジス
タに係る第２の実施例の平面図および断面図、第
６図ないし第８図は第５図ａ，ｂの第２の実施例
においてそれぞれＢ（ベース）、Ｅ（エミツタ）
、Ｃ（コレクタ）に抵抗素子が形成される構成を
示す平面図、第９図ａ，ｂは本考案に係る半導体
装置の接合容量ダイオードに係る第３の実施例の
平面図および断面図、第１０図ないし第１１図は
第９図ａ，ｂの第３の実施例において、それぞれ
Ａ（アノード）、Ｋ（カソード）に抵抗素子が形
成される構成を示す平面図、第１２図は従来例を
示す等価回路図である。 Ｍ……エピタシヤルウエーハ、Ｅ……エミツタ
、Ｂ……ベース、Ｃ……コレクタ、Ｅａ，Ｂａ，
Ｃａ……開口部、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ……間隔、
Ａ……アノード、Ｋ……カソード、Ａａ，Ｋａ…
…開口部。
Ｎトランジスタに係る第１の実施例の平面図およ
び断面図、第２図ないし第４図は第１図ａ，ｂの
第１の実施例において、それぞれＢ（ベース）、
Ｅ（エミツタ）、Ｃ（コレクタ）に抵抗素子が形
成される構成を示す平面図、第５図ａ，ｂは本考
案に係る半導体装置のラテラルＰＮＰトランジス
タに係る第２の実施例の平面図および断面図、第
６図ないし第８図は第５図ａ，ｂの第２の実施例
においてそれぞれＢ（ベース）、Ｅ（エミツタ）
、Ｃ（コレクタ）に抵抗素子が形成される構成を
示す平面図、第９図ａ，ｂは本考案に係る半導体
装置の接合容量ダイオードに係る第３の実施例の
平面図および断面図、第１０図ないし第１１図は
第９図ａ，ｂの第３の実施例において、それぞれ
Ａ（アノード）、Ｋ（カソード）に抵抗素子が形
成される構成を示す平面図、第１２図は従来例を
示す等価回路図である。 Ｍ……エピタシヤルウエーハ、Ｅ……エミツタ
、Ｂ……ベース、Ｃ……コレクタ、Ｅａ，Ｂａ，
Ｃａ……開口部、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ……間隔、
Ａ……アノード、Ｋ……カソード、Ａａ，Ｋａ…
…開口部。
Claims (1)
- エピタシヤルウエハーに形成される拡散層とこ
の拡散層より小なる面積の開口部との間、あるい
は拡散層と拡散層と間の間隔において、抵抗値に
より静電破壊防止素子部が形成されることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15201889U JPH0390438U (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15201889U JPH0390438U (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0390438U true JPH0390438U (ja) | 1991-09-13 |
Family
ID=31698298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15201889U Pending JPH0390438U (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0390438U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162961A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5662355A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Hitachi Ltd | Electrostatic breakage preventive element |
| JPS63232364A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP15201889U patent/JPH0390438U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162961A (en) * | 1978-06-14 | 1979-12-25 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS5662355A (en) * | 1979-10-26 | 1981-05-28 | Hitachi Ltd | Electrostatic breakage preventive element |
| JPS63232364A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |