JPH0389622A - パワートランジスタ及びこれにより制御される負荷の監視方法 - Google Patents
パワートランジスタ及びこれにより制御される負荷の監視方法Info
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- JPH0389622A JPH0389622A JP2166951A JP16695190A JPH0389622A JP H0389622 A JPH0389622 A JP H0389622A JP 2166951 A JP2166951 A JP 2166951A JP 16695190 A JP16695190 A JP 16695190A JP H0389622 A JPH0389622 A JP H0389622A
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H47/00—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
- H01H47/002—Monitoring or fail-safe circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/18—Modifications for indicating state of switch
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- Electronic Switches (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
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- Power Sources (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特許請求の範囲第1項の上位概念による、パ
ワートランジスタの接続状態を監視するための回路に関
する。
ワートランジスタの接続状態を監視するための回路に関
する。
最近、いわゆる「インテリジェント」パワートランジス
タが知られており、これらのパワートランジスタはそれ
自体を、組み込まれたセンサ及び組み込まれた電子装置
によって短路、過電圧及び過熱から守ることができる(
シーメンス社雑誌「素子25J (1987) 5号)
。
タが知られており、これらのパワートランジスタはそれ
自体を、組み込まれたセンサ及び組み込まれた電子装置
によって短路、過電圧及び過熱から守ることができる(
シーメンス社雑誌「素子25J (1987) 5号)
。
これらのトランジスタは、付加的にハウジング内に組み
込まれた監視装置を持っており、この監視装置は、許容
できない動作条件がある場合に、トランジスタを不導通
にする。これによってパワートランジスタは破壊から守
られる。
込まれた監視装置を持っており、この監視装置は、許容
できない動作条件がある場合に、トランジスタを不導通
にする。これによってパワートランジスタは破壊から守
られる。
いわゆる状態出力端を介して、更に、負荷の短路又は無
負荷運転(遮断)があるかどうかをマイクロコンピュー
タに通報することも可能である。
負荷運転(遮断)があるかどうかをマイクロコンピュー
タに通報することも可能である。
しかし負荷の不完全な短路又はいわゆる分路、すなわち
小さすぎる抵抗は、一般に確認されない。この分路は、
例えば、負荷が長い接続導線を介して短路されている場
合に、生ずる。この至らせる。
小さすぎる抵抗は、一般に確認されない。この分路は、
例えば、負荷が長い接続導線を介して短路されている場
合に、生ずる。この至らせる。
しかし負荷のほかに最終トランジスタ自体も欠陥がある
こともある。最終トランジスタが、トリガ信号により不
導通にされた状態においてそれにも拘らずいわゆる漏れ
電流を通す場合がそうである。この欠陥も、適当な対策
を講じることができるようにするために、漏れ電流が許
容できないほど高い値を超えた場合に、絶対に表示され
なければならない。
こともある。最終トランジスタが、トリガ信号により不
導通にされた状態においてそれにも拘らずいわゆる漏れ
電流を通す場合がそうである。この欠陥も、適当な対策
を講じることができるようにするために、漏れ電流が許
容できないほど高い値を超えた場合に、絶対に表示され
なければならない。
本発明の基礎になっている課題は、このような表示又は
パワートランジスタの状態監視を可能にする回路を示す
ことである。この場合、開かれた負荷、負荷の短路又は
分路及びパワートランジスタの大きすぎる漏れ電流が確
認可能でなければならない。
パワートランジスタの状態監視を可能にする回路を示す
ことである。この場合、開かれた負荷、負荷の短路又は
分路及びパワートランジスタの大きすぎる漏れ電流が確
認可能でなければならない。
この課題は、監視回路が、パワートランジスタにかかる
電圧及び負荷にかかる電圧を所定の電圧範囲にわたって
監視するように構成されていることによって解決される
。従属特許請求の範囲に本発明の好ましい拡張が記載さ
れている。
電圧及び負荷にかかる電圧を所定の電圧範囲にわたって
監視するように構成されていることによって解決される
。従属特許請求の範囲に本発明の好ましい拡張が記載さ
れている。
図面に示された実施例について本発明を以下に詳細に説
明する。
明する。
第1図に、最終トランジスタl又は負荷3の在来の状態
確認用回路が概略的に示されている。
確認用回路が概略的に示されている。
負荷3、この場合は電磁弁のコイル、は最終トランジス
タ1を介して電池電圧+UBを供給される。最終トラン
ジスタlは増幅回路2の一部であり、この増幅回路は更
に別の電子素子〈図示せず)を含んでいる。増幅回路2
は、入力信号UINを持つ導線5を介してマイクロプロ
セッサ4によりトリガされる。トランジスタl又は負荷
3の状態は接続点UAにおいて検出されかつ導線6を介
して状態信号UStatとしてマイクロプロセッサ4へ
送られる。
タ1を介して電池電圧+UBを供給される。最終トラン
ジスタlは増幅回路2の一部であり、この増幅回路は更
に別の電子素子〈図示せず)を含んでいる。増幅回路2
は、入力信号UINを持つ導線5を介してマイクロプロ
セッサ4によりトリガされる。トランジスタl又は負荷
3の状態は接続点UAにおいて検出されかつ導線6を介
して状態信号UStatとしてマイクロプロセッサ4へ
送られる。
マイクロプロセッサ4はトリガ信号UINを状態信号U
Statと論理結合しかつそれから最終トランジスタl
及び負荷3の状態を確認する。マイクロプロセッサの状
態入力端は高レベル信号又は低レベル信号を評価するこ
とができ、この場合、低レベル信号は例えば2■より小
さくなければならず、高レベル信号は例えば4vより大
きくなければならない。
Statと論理結合しかつそれから最終トランジスタl
及び負荷3の状態を確認する。マイクロプロセッサの状
態入力端は高レベル信号又は低レベル信号を評価するこ
とができ、この場合、低レベル信号は例えば2■より小
さくなければならず、高レベル信号は例えば4vより大
きくなければならない。
1!池電圧十uBは例えば12Vである。導通状態の最
終トランジスタlの抵抗は例えば0.250である。負
荷3の抵抗は例えば150である。
終トランジスタlの抵抗は例えば0.250である。負
荷3の抵抗は例えば150である。
トランジスタlの導通状態において電圧UAが4vより
大きい状態電圧UStatを発生する場合、マイクロプ
ロセッサは、負荷Jが正常に違いないことを確認する。
大きい状態電圧UStatを発生する場合、マイクロプ
ロセッサは、負荷Jが正常に違いないことを確認する。
しかし2vより小さいUStatが発生される場合、マ
イクロプロセッサは、負荷の短路があるに違いないこと
を確認する。
イクロプロセッサは、負荷の短路があるに違いないこと
を確認する。
トランジスタ1の不導通状態において状態信号U が
高レベル値を持つ場合、マイクロブ5tat ロセツサは負荷3の遮断(開かれた負荷)を確認し又は
トランジスタが所定の量を超えた場合にはトランジスタ
の漏れ電流を確認する。
高レベル値を持つ場合、マイクロブ5tat ロセツサは負荷3の遮断(開かれた負荷)を確認し又は
トランジスタが所定の量を超えた場合にはトランジスタ
の漏れ電流を確認する。
第1図による公知の回路の欠点は、例えば0.60の値
の負荷3の分路が、電池により供給される大きい電流の
ために状態電圧UStatが高レベルのままであるから
、回路により確認されないということにある。従って健
全な負荷3は、この負荷が大きすぎる電流をとるにも拘
らず、マイクロプロセッサに通報される。
の負荷3の分路が、電池により供給される大きい電流の
ために状態電圧UStatが高レベルのままであるから
、回路により確認されないということにある。従って健
全な負荷3は、この負荷が大きすぎる電流をとるにも拘
らず、マイクロプロセッサに通報される。
これらの欠点は第2図による本発明の回路により取り除
かれる。この回路はパワートランジスタlを含んでおり
、このパワートランジスタは電池電圧+UBを供給され
、負荷3を付勢する。
かれる。この回路はパワートランジスタlを含んでおり
、このパワートランジスタは電池電圧+UBを供給され
、負荷3を付勢する。
入力信号DINは導線5を介してトランジスタlのベー
スへ導かれる。状態信号UStatは導線6を介して出
力される。第1図に示されているように、導線5及び6
を別の(図示されていない)マイクロプロセッサと接続
することができる。
スへ導かれる。状態信号UStatは導線6を介して出
力される。第1図に示されているように、導線5及び6
を別の(図示されていない)マイクロプロセッサと接続
することができる。
第1図の場合と同じように、負荷3にかかる電圧UAが
評価される。このために比較器8が使用され、この比較
器は例えば2vより小さい入力電圧において低レベル信
号を発生しかつ例えば4vより大きい入力電圧において
高レベル信号を発生する。
評価される。このために比較器8が使用され、この比較
器は例えば2vより小さい入力電圧において低レベル信
号を発生しかつ例えば4vより大きい入力電圧において
高レベル信号を発生する。
第1図に示された回路装置に加えて、パワートランジス
タ1にかかる電圧は別の比較器7によって検出される。
タ1にかかる電圧は別の比較器7によって検出される。
この電圧がトランジスタlの導通状態において例えば2
vより小さい場合に、比較器7は高レベル信号を発生す
る。トランジスタlにおける電圧降下が2vより大きい
場合に、比較器は低レベル信号を発生する。
vより小さい場合に、比較器7は高レベル信号を発生す
る。トランジスタlにおける電圧降下が2vより大きい
場合に、比較器は低レベル信号を発生する。
両方の比較器7及び8の出力は2つのANDゲート10
及び11へ供給されている。ANDゲート10の第2の
入力端は導+1!5、すなわちトランジスタlのトリガ
信号UINと接続されている。
及び11へ供給されている。ANDゲート10の第2の
入力端は導+1!5、すなわちトランジスタlのトリガ
信号UINと接続されている。
ANDゲート11の第2の入力端はインバータ9を介し
て同様に導線5と接続されている。
て同様に導線5と接続されている。
ANDゲート10及び11の出力端はORゲート12を
介してまとめられており、このORゲートの出力導線6
は状態信号UStatを出力する。
介してまとめられており、このORゲートの出力導線6
は状態信号UStatを出力する。
第2図による本発明の回路は次のように動作する。
パワートランジスタlを介した比較器7により、導通さ
れたパワートランジスタの状態(UIN=高レベル)が
検査される。トランジスタにおいて低下する電圧(UB
UA)が2vより小さい場合、比較器7は高レベル
信号を発生する。この高レベル信号は、今やトリガされ
たANDゲート10及びORゲーh 12を介して出力
導線6へ送られる。
れたパワートランジスタの状態(UIN=高レベル)が
検査される。トランジスタにおいて低下する電圧(UB
UA)が2vより小さい場合、比較器7は高レベル
信号を発生する。この高レベル信号は、今やトリガされ
たANDゲート10及びORゲーh 12を介して出力
導線6へ送られる。
それによりマイクロプロセッサは、負荷3が正常であり
かつトランジスタlが導通していることを確認する。
かつトランジスタlが導通していることを確認する。
しかし比較器7の出力信号が低レベルであり、すなわち
大きすぎる電圧降下がトランジスタlに起こる場合、マ
イクロプロセッサは、負荷3の過負荷状態又は短路があ
るに違いないこと、又はトランジスタlが完全には導通
していないことを確認する。
大きすぎる電圧降下がトランジスタlに起こる場合、マ
イクロプロセッサは、負荷3の過負荷状態又は短路があ
るに違いないこと、又はトランジスタlが完全には導通
していないことを確認する。
区別するために、別の比較器8が使われる。
トランジスタ1の入力信号DINが低レベルを持ち、す
なわちトランジスタlが不導通にされている場合は、負
荷3にかかる電圧がこの比較器し5より検査される。こ
の状態において電圧DAが2■より小さい又は等しい値
を持つ場合に、マイクロプロセッサは、負荷3が正常で
ありかつトランジスタlが不導通にされていることを確
認する。この場合に比較器8は低レベル信号を発生し、
この低レベル信号は、今や導通されたANDゲート11
及びORゲート12を介して状態信号UStatとして
出力される。
なわちトランジスタlが不導通にされている場合は、負
荷3にかかる電圧がこの比較器し5より検査される。こ
の状態において電圧DAが2■より小さい又は等しい値
を持つ場合に、マイクロプロセッサは、負荷3が正常で
ありかつトランジスタlが不導通にされていることを確
認する。この場合に比較器8は低レベル信号を発生し、
この低レベル信号は、今や導通されたANDゲート11
及びORゲート12を介して状態信号UStatとして
出力される。
電圧UAが4vより大きい又は等しい場合に、比較器8
は高レベル信号を発生し、この高レベル信号は再び導線
6を介してUStatとして出力される。この場合にマ
イクロプロセッサ4はトランジスタlの短路又はトラン
ジスタlの太きすぎる漏れ電流又は負荷3の遮断(開か
れた負荷)を確認する。
は高レベル信号を発生し、この高レベル信号は再び導線
6を介してUStatとして出力される。この場合にマ
イクロプロセッサ4はトランジスタlの短路又はトラン
ジスタlの太きすぎる漏れ電流又は負荷3の遮断(開か
れた負荷)を確認する。
第2図による回路の本質的な利点は、この回路によりト
ランジスタ1の導通状態において負荷の分路の容易には
実証できない欠陥を確認することができかつ不導通状態
においてトランジスタlの漏れ電流を確認することがで
きることである。
ランジスタ1の導通状態において負荷の分路の容易には
実証できない欠陥を確認することができかつ不導通状態
においてトランジスタlの漏れ電流を確認することがで
きることである。
それによって、負荷がトリガに応じて実際に付勢又は消
勢されているかどうかが分かる。
勢されているかどうかが分かる。
第2図による回路全体はパワートランジスタ1のハウジ
ングの中に組み込まれているのが有利である。
ングの中に組み込まれているのが有利である。
本発明による回路を、本発明思想の枠から出ることなし
に、第2図に例として示されたのとは別様に構成するこ
ともできることはもちろんである。
に、第2図に例として示されたのとは別様に構成するこ
ともできることはもちろんである。
例えばANDゲート10.11の代わりに比較器7゜8
の特別の入力端を設けることができ、これらの比較器は
入力信号UINにより動作可能である。
の特別の入力端を設けることができ、これらの比較器は
入力信号UINにより動作可能である。
更に、比較器7,8の出力端も直接マイクロプロセッサ
4に接続できかつこのマイクロプロセッサにより適当に
評価され得る。
4に接続できかつこのマイクロプロセッサにより適当に
評価され得る。
第1図は従来の技術による状態確認用回路の構成図、第
2図は本発明による状態確認用回路の構成図である。 1・・・最終トランジスタ、3・・・負荷チル・ハフツ
ング
2図は本発明による状態確認用回路の構成図である。 1・・・最終トランジスタ、3・・・負荷チル・ハフツ
ング
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 監視回路が、パワートランジスタ(1)にかかる電
圧及び負荷(3)にかかる電圧を所定の電圧範囲にわた
つて監視するように構成されていることを特徴とする、
パワートランジスタの接続状態を監視するための回路。 2 監視が電圧比較器(7、8)により行なわれること
を特徴とする、請求項1に記載の回路。 3 パワートランジスタ(1)の不導通状態において、
負荷(3)にかかる電圧が監視され、パワートランジス
タ(1)の導通状態において、トランジスタ(1)にか
かる電圧が監視されることを特徴とする、請求項1及び
2のうち1つに記載の回路。 4 パワートランジスタ(1)の導通状態において、こ
のパワートランジスタのトリガ信号 (U_I_N=高レベル)により比較器(7)がパワー
トランジスタ(1)を介して動作可能であり、パワート
ランジスタ(1)の不導通状態において、パワートラン
ジスタ(1)のトリガ信号(U_I_N=低レベル)に
より比較器(8)が負荷(3)を介して動作可能である
ことを特徴とする、請求項1ないし3のうち1つに記載
の回路。 5 動作が、後に接続されたANDゲート(10、11
)により行なわれ、この場合、ANDゲート(10)が
トリガ信号(U_I_N)により直接導通可能であり、
ANDゲート(11)がインバータ(9)を介して導通
可能であることを特徴とする、請求項4に記載の回路。 6 ANDゲート(10、11)の出力信号がORゲー
ト(12)を介して状態信号(U_S_t_a_t)に
まとめられていることを特徴とする、請求項1ないし5
のうち1つに記載の回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3927647.3 | 1989-08-22 | ||
DE3927647 | 1989-08-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family
ID=6387591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0413938B1 (ja) |
JP (1) | JP3028371B2 (ja) |
AT (1) | ATE131324T1 (ja) |
CS (1) | CS277638B6 (ja) |
DE (1) | DE59009947D1 (ja) |
PL (1) | PL163372B1 (ja) |
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