CS277638B6 - Circuit arrangement for checking of a for power transistor switching state - Google Patents

Circuit arrangement for checking of a for power transistor switching state Download PDF

Info

Publication number
CS277638B6
CS277638B6 CS903575A CS357590A CS277638B6 CS 277638 B6 CS277638 B6 CS 277638B6 CS 903575 A CS903575 A CS 903575A CS 357590 A CS357590 A CS 357590A CS 277638 B6 CS277638 B6 CS 277638B6
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
power transistor
load
comparator
microprocessor
voltage
Prior art date
Application number
CS903575A
Other languages
English (en)
Inventor
Jens Groger
Karl-Heinz Hesse
Wolfgang Gudat
Gerhard Ruhnau
Original Assignee
Wabco Westinghouse Fahrzeug
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wabco Westinghouse Fahrzeug filed Critical Wabco Westinghouse Fahrzeug
Publication of CS277638B6 publication Critical patent/CS277638B6/cs

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H47/00Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
    • H01H47/002Monitoring or fail-safe circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/18Modifications for indicating state of switch

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Power Sources (AREA)

Description

Oblast techniky
Vynález se týká zapojení ke kontrole spínacího stavu výkonového tranzistoru, který je připojen na napětí baterie, přičemž v dráze emitor-kolektor je zapojena zátěž a báze výkonového tranzistoru je prostřednictvím vedení zapojena na výstup mikroprocesoru a vstup mikroprocesoru je prostřednictvím dalšího vedení spojen s výstupem zapojení.
Dosavadní stav techniky
V poslední době se staly známými tak zvané inteligentní výkonové tranzistory, které se sami mohou chránit prostřednictvím integrovaných snímačů a integrovaných elektronických obvodů proti' zkratu, přepětí a nadměrné teplotě, viz Zeitschrift Siemens Components 25 (1987) sešit 5.
Tyto tranzitory mají za tím účelem přídavně v pouzdru integrované kontrolní zařízení, které tranzistor při výskytu nepřípustných provozních podmínek vypne. Tím se chrání výkonový tranzistor před zničením.
Pomocí tak zvaného výchozího stavu je možné hlásit nadřazenému mikropočítači, zda došlo ke zkratu nebo k chodu naprázdno při přerušení zátěže.
Všeobecně nelze však rozpoznat nedokonalý zkrat, příp. takzvaný vedlejší zkrat, tj. v případě velmi malého odporu zátěže. Toto· nastane tehdy, jestliže je zátěž s pravým zkratem spojena prostřednictvím dlouhého spojovacího vedení. Taková závada vytváří nadproud, který po nějaké době vede k přehřátí tranzistoru a/nebo zátěže.
Kromě zátěže může také být vadný koncový tranzistor. To je v tom případě, jestliže v nevybuzeném uzavřeném stavu propouští tak zvaný zbytkový proud. Také tato závada musí být bezpodmínečně indikována, jestliže zbytkový proud přestoupí nepřípustně vysoké hodnoty, aby se mohla učinit příslušná opatření.
Podstata vynálezu
Úkolem vynálezu je navrhnout takové zapojení, které umožňuje indikaci příp. kontrolu stavu výkonového tranzistoru. Přitom mají být rozpoznatelné jak přerušení zátěže, tak i zkrat, příp. vedlejší zkrat zátěže, tak také příliš vysoký zbytkový proud výkonového tranzistoru.
Tento úkol se řeší podle vynálezu zapojením ke kontrole spínacího stavu výkonového tranzistoru, který je připojen na napětí baterie, přičemž v dráze emitor-kolektor je zapojena zátěž a báze výkonového tranzistoru je prostřednictvím vedení zapojena na výstup mikroprocesoru a vstup mikroprocesoru je prostřednictvím dalšího vedení spojen s výstupem zapojení.
Podstata vynálezu pak spočívá v tom, že zapojení obsahuje první komparátor, jehož vstupy jsou zapojeny na kolektor a emitor výkonového tranzistoru a druhý komparátor, jehož vstupy jsou zapojeny na emitor výkonového tranzistoru a na kostru.
z
Dalším význakem vynálezu je, že výstupy obou komparátorů jsou připojeny přes součinové členy a součtový člen na mikroprocesor.
Posledním význakem vynálezu pak je, že výstupy obou komparátorů jsou přímo připojeny na mikroprocesor.
Přehled obrázků na výkrese
Vynález bude v dalším textu blíže objasněn na příkladu provedení, znázorněného na připojeném výkresu.
Na obr. 1 je znázorněno principielní zapojení pro rozpoznání stavu tranzistoru podle vynálezu.
Na obr. 2 je znázorněno konkrétní provedení zapojení pro rozpoznání stavu tranzistoru podle vynálezu.
V obr. 1 je znázorněno principielní zapojení k rozpoznání stavu výkonového tranzistoru 1, jakož i zátěže 3. Zátěž 3, zde cívka magnetického ventilu, je napájena napětím +Ug baterie přes výkonový tranzistor 1. Výkonový tranzistor 1 je částí zesilovacího obvodu 2, který obsahuje ještě další neznázorněné elektronické prvky. Zesilovací obvod 2 je vybuzován mikroprocesorem χ vstupním signálem UIN po vedení 5. Stav výkonového tranzistoru χ stejně jako zátěže 3 se snímá na spojovacím bodu UA a po vedení 6 se přivádí mikroprocesoru 4 jako stavový signál Usbab.
Mikroprocesor 4 slučuje vstupní signál UjN se stavovým signálem Ustat a rozPo2ná z toho stav výkonového tranzistoru 1 a zátěže χ. Stavový vstup mikroprocesoru 4 může vyhodnocovat H-signály nebo L-signály, přičemž L-signál musí být menší např. než 2 V a H-signál musí být např. větší než 4 V.
Napětí +UB baterie činí např. 12 V. Odpor výkonového tranzistoru χ ve vodivém stavu činí např. 0,25 Ω. Odpor zátěže χ činí např. 15 Ω.
V případě, že ve vodivém stavu výkonového tranzistoru χ vytváří napětí spojovacího bodu UA, po dělení napěúovým děličem, stavové napětí Ugtat větší než 4 V, pak mikroprocesor rozpozná, že zátěž 3 musí být v pořádku. Jestliže se však stavové napětí UStat vytváří menší než 2 V, pak mikroprocesor 4 rozpozná, že musí být zkrat zátěže χ.
V případě, že ve vypnutém stavu výkonového tranzistoru χ má stavový signál Ugtat hodnotu H /High/, rozpozná mikroprocesor 4 přerušení zátěže χ nebo zbytkový proud výkonového tranzistoru X, jestliže tento proud přestoupí určitou hodnotu.
\ ϊί i\ v l·
Konkrétní provedení zapojení podle vynálezu je znázorněno v obr. 2. Toto sestává opět z výkonového tranzistoru 1, který je napájen napětím +UB baterie a řídí zátěž 3,. Vstupní signál UIN se vede po vedení £ k bázi výkonového tranzistoru 1. Stavový signál HStat se odebírá na vedení 6. Jak je v obr. 1 znázorněno, mohou být vedení 5 a 6 spojena s neznázorněným mikroprocesorem.
Obdobně jako v obr. 1 se na zátěži 3. vyhodnocuje napětí UA.
K tomu účelu se používá druhý komparátor 8, který při vstupním napětí menším nežli např. 2 V vyšle L-signál a při vstupním napětí větším nežli např. 4 V vyšle H-signál.
Přídavně k uspořádání znázorněnému v obr. 1 se rovněž snímá napětí na výkonovém tranzistoru 1 prostřednictvím prvního komparátoru 7. Jestliže toto napětí je ve vodivém stavu výkonového tranzistoru 1 menší nežli např. 2 V, vyšle první komparátor 7 H-signál. Při větším napěťovém úbytku na výkonovém tranzistoru 1 nežli 2 V vyšle L-signál.
Výstupy obou komparátorů 7 a 8 jsou přivedeny dvěma součinovým členům 10 a 11. Druhý přípoj součinového členu 10 je spojen s vedením 5, tedy s řídicím signálem UjN výkonového tranzistoru £. Druhý přípoj součinového členu 11 je přes invertor 9 rovněž spojen s vedením 5..
Výstupy součinového členu 10 a 11 jsou sloučeny prostřednictvím součtového členu 12, na jehož výstupním vedení 6 je stavový signál Ustat<
Funkce zapojení podle vynálezu podle obr. 2 je následující.
První komparátor 7 prošetřuje stav zapnutého výkonového tranzistoru 1, tj. zda UIN = Η. V případě, že úbytek napětí (Ug-UA) na výkonovém tranzistoru 1 je menší nežli 2 V, vyšle první komparátor 7 H-signál. Tento se přes nyní vybuzený součinový člen 10 a součtový člen 12 dále vede na výstupní vedení
6. pro stavový signál Ugfaf.
Mikroprocesor 4 tak rozpozná, že zátěž 3 je v pořádku a výkonový tranzistor 1 vede.
V případě však, že výstupní signál prvního komparátoru 7 je L-signál, tj. že na výkonovém tranzistoru 1 je příliš velký úbytek napětí, rozpozná nadřazený mikroprocesor, že na zátěži 3. je stav přetížení, nebo že na zátěži 3. musí být zkrat, nebo že výkonový tranzistor 1 není úplně vodivý.
Pro rozlišení slouží druhý komparátor 8.. Tímto druhým komparátorem £ se zkoumá napětí na zátěži tehdy, jestliže vstupní signál UIN výkonového tranzistoru 1 má úroveň L, tj. -výkonový tranzistor 1 je uzavřen. Jestliže v tomto stavu má napětí UA hodnotu menší nebo rovnou 2 V, rozpozná nadřazený mikroprocesor, že zátěž 3. je v pořádku a výkonový tranzistor 1 je uzavřen.
t
V tomto případě vyšle druhý komparátor 8 L-signál, který je pak prostřednictvím nyní zapnutého součinového členu 11 a součtového členu 12 vyslán jako stavový signál Ugtat.
V případě, že napětí je větší nebo rovno 4 V, vyšle druhý komparátor 8 H-signál, který je opět na vedení 6. vyslán jako stavový signál Ugtat. V tomto případě reaguje mikroprocesor 4 jako na zkrat výkonového tranzistoru 1, nebo na příliš velký zbytový proud výkonového tranzistoru 1, nebo na přerušení zátěže
3.
Podstatná přednost zapojení podle obr. 2 spočívá v tom, že lze rozpoznat v zapnutém stavu výkonového tranzistoru 1 jinak obtížně dokazovatelnou závadu tzv. vedlejší zkrat zátěže a ve, vypnutém stavu zbytkový proud výkonového tranzistoru 1.
Tím lze rozpoznat, zda zátěž 3_, podle režimu řízení, je skutečně zapnutá nebo vypnutá.
Je účelné, integrovat celé zapojení podle obr. 2 v pouzdru výkonového tranzistoru 1.
Zapojení podle vynálezu se může také přirozeně jinak, vytvořit, nežli jak je jako příklad znázorněno v obr. 2, aniž by překročilo rámec myšlenky vynálezu.
Tak se může například místo součinných členů 10 , 11, uspořádat zvláštní vstup komparátorů 7, 8, prostřednictvím kterého jsou aktivovány vstupním signálem UIN.
Dále mohou být výstupy komparátorů 7, 8. připojeny přímo na mikroprocesor 1 a jím vyhodnocovány.

Claims (3)

PATENTOVÉ NÁROKY
1. -Zapojení ke kontrole spínacího stavu výkonového tranzistoru, který je připojen na napětí baterie, přičemž v dráze emitor-kolektor je zapojena zátěž a báze výkonového tranzistoru je prostřednictvím vedení zapojeno na výstup mikroprocesoru a vstup mikroprocesoru je prostřednictvím dalšího vedení spojen s výstupem zapojení, vyznačující se tím, že obsahuje první komparátor /7/, jehož vstupy jsou zapojeny na kolektor a emitor výkonového tranzistoru /11/ a druhý komparátor. /8/, jehož vstupy jsou zapojeny na emitor výkonového tranzistoru /1/ a na kostru /GND/.
2. Zapojení podle bodu 1, vyznačující se tím, že výstupy komparátorů /7, 8/ jsou připojeny přes součinové členy /10,
11/ a součtový člen /12/ na mikroprocesor /4/.
3. Zapojení podle bodu 1, vyznačující se tím, že výstupy komparátorů /7, 8/ jsou přímo připojeny na mikroprocesor /4/.
CS903575A 1989-08-22 1990-07-18 Circuit arrangement for checking of a for power transistor switching state CS277638B6 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3927647 1989-08-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS277638B6 true CS277638B6 (en) 1993-03-17

Family

ID=6387591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS903575A CS277638B6 (en) 1989-08-22 1990-07-18 Circuit arrangement for checking of a for power transistor switching state

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5119312A (cs)
EP (1) EP0413938B1 (cs)
JP (1) JP3028371B2 (cs)
AT (1) ATE131324T1 (cs)
CS (1) CS277638B6 (cs)
DE (1) DE59009947D1 (cs)
PL (1) PL163372B1 (cs)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5689428A (en) 1990-09-28 1997-11-18 Texas Instruments Incorporated Integrated circuits, transistors, data processing systems, printed wiring boards, digital computers, smart power devices, and processes of manufacture
DE4301605C1 (de) * 1993-01-22 1994-05-26 Daimler Benz Ag Verfahren und Anordnung zum Überwachen des Ein- und Ausschaltens eines steuerbaren Leistungshalbleiterbauelements in einer leistungselektronischen Schaltung
US5567550A (en) * 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
US5510725A (en) * 1994-06-10 1996-04-23 Westinghouse Electric Corp. Method and apparatus for testing a power bridge for an electric vehicle propulsion system
US5569966A (en) * 1994-06-10 1996-10-29 Northrop Grumman Corporation Electric vehicle propulsion system power bridge with built-in test
US5510950A (en) * 1994-10-05 1996-04-23 Ford Motor Company Method and circuit for controlling and monitoring a load
DE19507072A1 (de) * 1995-03-01 1996-09-05 Bosch Gmbh Robert Schaltung zum Ein- und Ausschalten einer elektrischen Last
DE19507071A1 (de) * 1995-03-01 1996-09-05 Bosch Gmbh Robert Schaltung zum Ein- und Ausschalten einer elektrischen Last
US5872952A (en) 1995-04-17 1999-02-16 Synopsys, Inc. Integrated circuit power net analysis through simulation
US5838947A (en) * 1996-04-02 1998-11-17 Synopsys, Inc. Modeling, characterization and simulation of integrated circuit power behavior
US5920452A (en) * 1998-06-01 1999-07-06 Harris Corporation Circuit and method for protecting from overcurrent conditions and detecting an open electrical load
DE19849097A1 (de) * 1998-10-24 2000-04-27 Abb Daimler Benz Transp Verfahren zur Schaltzustandsüberwachung eines IGBT und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE19959402B4 (de) * 1999-12-09 2006-07-06 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Treiberschaltung
EP1207622B1 (en) * 2000-11-21 2013-02-27 Omron Corporation Semiconductor relay system
US7583037B2 (en) 2006-06-23 2009-09-01 Spacesaver Corporation Mobile storage unit with holding brake and single status line for load and drive detection
DE102012219243A1 (de) * 2012-10-22 2014-04-24 Conti Temic Microelectronic Gmbh Verfahren und Schaltungseinheit zum Ermitteln von Fehlerzuständen einer Halbbrückenschaltung
US9871508B2 (en) * 2014-12-19 2018-01-16 Monolithic Power Systems, Inc. Smart switch for connecting an input power supply to a load

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US255067A (en) * 1882-03-14 Island
US4174496A (en) * 1978-08-02 1979-11-13 Rockwell International Corporation Monolithic solid state power controller
DE2966268D1 (en) * 1978-10-21 1983-11-10 Ward Goldstone Ltd A switching circuit
US4558389A (en) * 1980-01-14 1985-12-10 Honeywell Inc. Control logic safety monitoring circuit means
US4363068A (en) * 1980-08-18 1982-12-07 Sundstrand Corporation Power FET short circuit protection
DE3150703C2 (de) * 1981-12-21 1985-07-04 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Ansteuerschaltung für kurzschlußfeste Ausgabestufen
DE3216833A1 (de) * 1982-05-05 1983-11-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Schutzschaltung fuer einen schalttransistor
FI69228C (fi) * 1982-07-07 1985-12-10 Helvar Oy Skyddsfoerfarande foer en som vaexelspaenningskoppling fungerande effekttransistor
IT1212775B (it) * 1983-09-27 1989-11-30 Ates Componenti Elettron Dispositivo di protezione contro i cortocircuiti per un circuito integrato ed un carico ad esso collegato.
JPS60227326A (ja) * 1984-04-25 1985-11-12 日本信号株式会社 負荷駆動用スイツチ回路の監視装置
US4628397A (en) * 1984-06-04 1986-12-09 General Electric Co. Protected input/output circuitry for a programmable controller
US4626954A (en) * 1984-09-06 1986-12-02 Eaton Corporation Solid state power controller with overload protection
US4651252A (en) * 1985-03-29 1987-03-17 Eaton Corporation Transistor fault tolerance method and apparatus
EP0197707A2 (en) * 1985-04-01 1986-10-15 Motorola, Inc. Electronic circuit breaker
US4641231A (en) * 1985-12-06 1987-02-03 General Electric Company Apparatus and method for failure testing of a control turn-off semiconductor
US4680664A (en) * 1985-12-09 1987-07-14 Hughes Tool Company Overcurrent protection circuit for power transistors
US4713720A (en) * 1986-05-14 1987-12-15 Litton Systems, Inc. Fast acting solid state AC circuit breaker
DE3621375A1 (de) * 1986-06-26 1988-01-14 Diehl Gmbh & Co Schaltungsanordnung mit einem mikroprozessor
US4945445A (en) * 1988-09-29 1990-07-31 Gentron Corporation Current sense circuit

Also Published As

Publication number Publication date
DE59009947D1 (de) 1996-01-18
PL163372B1 (en) 1994-03-31
EP0413938A1 (de) 1991-02-27
JPH0389622A (ja) 1991-04-15
US5119312A (en) 1992-06-02
JP3028371B2 (ja) 2000-04-04
PL286559A1 (en) 1991-03-11
EP0413938B1 (de) 1995-12-06
ATE131324T1 (de) 1995-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CS277638B6 (en) Circuit arrangement for checking of a for power transistor switching state
US6239515B1 (en) Circuit for the protection of electrical devices
CN110277770B (zh) 模块存储器联接的双重保险装置
JP4254227B2 (ja) バッテリーパック
US5144517A (en) Intrinsically safe barrier device
US10044180B2 (en) Electronic circuit breaker for an electrical load in an on-board electrical system of a motor vehicle
EP0513344A1 (en) Fail-resistant solid state interruption system
EP3820009B1 (en) Protection system
CN103515933A (zh) 电路保护器
CA2030060C (en) Circuit breaker or fuse failure alarm circuits for dc telecom and ac distribution circuits
WO2018168273A1 (ja) 回路保護装置及び電圧検出装置
CN101427467A (zh) 半导体开关的安全设备
JP3098432B2 (ja) 電源回路
KR20190094714A (ko) 배터리 보호 회로 및 이를 포함하는 배터리 팩
JP2000201429A (ja) 過電圧保護回路
US5703746A (en) Electric junction box and electric current distribution system
US6236553B1 (en) Safety relay
KR101939698B1 (ko) 전동기 보호계전기 시험장치의 접점 소손 보호를 위한 단락 보호장치
JPH09140051A (ja) 電源装置
US20030112571A1 (en) Self-diagnostic solid state relay
JPH10116552A (ja) スイッチング装置
KR102546826B1 (ko) 배터리 제어 장치 및 이의 단락 검출 방법
WO2020137451A1 (ja) 電流遮断システム
EP1306955A2 (en) Mobile high voltage network
JP2022144510A (ja) バッテリ監視装置