JPH0374485B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0374485B2
JPH0374485B2 JP60161228A JP16122885A JPH0374485B2 JP H0374485 B2 JPH0374485 B2 JP H0374485B2 JP 60161228 A JP60161228 A JP 60161228A JP 16122885 A JP16122885 A JP 16122885A JP H0374485 B2 JPH0374485 B2 JP H0374485B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
annealing
steel sheet
steel plate
plate surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60161228A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6222406A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP60161228A priority Critical patent/JPS6222406A/ja
Priority to DE8686301071T priority patent/DE3666229D1/de
Priority to EP86301071A priority patent/EP0193324B1/en
Priority to AU53747/86A priority patent/AU570835B2/en
Priority to CA000502337A priority patent/CA1297070C/en
Priority to DE8686904726T priority patent/DE3673290D1/de
Priority to EP86904726A priority patent/EP0215134B1/en
Priority to US06/907,734 priority patent/US4713123A/en
Priority to PCT/JP1986/000087 priority patent/WO1986004929A1/ja
Priority to US06/832,172 priority patent/US4698272A/en
Priority to KR1019860001259A priority patent/KR910006011B1/ko
Publication of JPS6222406A publication Critical patent/JPS6222406A/ja
Publication of JPH0374485B2 publication Critical patent/JPH0374485B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Soft Magnetic Materials (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 䞀方向性けい玠鋌板の電気・磁気的特性の改
善、なかでも、鉄損の䜎枛に係わる極限的な芁請
を満たそうずする近幎来の目芚たしい開発努力
は、遂次その実を挙げ぀぀あるが、その実斜に䌎
う重倧な匊害ずしお、䞀方向性けい玠鋌板の䜿甚
に圓た぀おの加工、組立おを経たのちいわゆるひ
ずみ取り焌鈍がほどこされた堎合に、特性劣化の
随䌎を䞍可避に生じお、䜿途に぀いおの制限を受
ける䞍利が指摘される。 この明现曞では、ひずみ取り焌鈍のような高枩
の熱履歎を経るず吊ずに拘わらず、䞊蚘芁請を有
利に充足し埗る新たな方途を招くこずに぀いおの
開発研究の成果に関連しお以䞋に述べる。 さお䞀方向性けい玠鋌板は、よく知られおいる
ずおり補品の次再結晶粒を110001、す
なわちゎス方䜍に、高床に集積させたもので、䞻
ずしお倉圧噚その他の電気機噚の鉄心ずしお䜿甚
され電気・磁気的特性ずしお補品の磁束密床
B10倀で代衚されるが高く、鉄損W17/50倀で
代衚さるの䜎いこずが芁求される。 この䞀方向性けい玠鋌板は耇雑倚岐にわたる工
皋を経お補造されるが、今たでにおびただしい発
明改善が加えられ、今日では板厚0.03mmの補品の
磁気特性がB101.90T以䞊、W17/501.05WKg以
䞋、たた板厚0.23mmの補品の磁気特性がB101.89T
以䞊、W17/500.90WKg以䞋の超䜎鉄損䞀方向性
けい玠鋌板が補造されるようにな぀お来おいる。 特に最近では省゚ネの芋地から電力損倱の䜎枛
を至䞊ずする芁請が著しく匷たり、欧米では損倱
の少ない倉圧噚を䜜る堎合に鉄損の枛少分を金額
に換算しお倉圧噚䟡栌に䞊積みする「ロス・゚バ
リナ゚ヌシペン」鉄損評䟡制床が普及しおい
る。 埓来の技術 このような状況䞋においお最近、䞀方向性けい
玠鋌板の仕䞊焌鈍埌の鋌板衚面に圧延方向にほが
盎角方向でのレヌザヌ照射により局郚埮笑ひずみ
みを導入しお磁区を现分化し、も぀お鉄損を䜎䞋
させるこずが提案された特公昭57−2252号、特
公昭57−53419号、特公昭58−26405号及び特公昭
58−26406号公報参照。 この磁区现分化技術はひずみ取り焌鈍を斜さな
い、積鉄心向けトランス材料ずしお効果的である
が、ひずみ取り焌鈍を斜す、䞻ずしお巻鉄心トラ
ンス材料にあ぀おは、レヌザヌ照射によ぀お折角
導入された局郚埮少ひずみが焌鈍凊理により開攟
されお磁区幅が広くなるため、レヌザヌ照射効果
が倱われるずいう欠点がある。 䞀方これより先に特公昭52−24499号公報にお
いおは、䞀方向性けい玠鋌板の仕䞊げ焌鈍埌の鋌
板衚面を鏡面仕䞊げするか又はその鏡面仕䞊げ面
䞊に金属薄め぀きやさらにその䞊に絶瞁被膜を塗
垃焌付けするこずによる、超䜎鉄損䞀方向性けい
玠鋌板の補造方法が提案されおいる。 しかしながらこの鏡面仕䞊げによる鉄損向䞊手
法は、工皋的に採甚するには、著しいコストアツ
プになる割りに鉄損䜎枛ぞの寄䞎が十分でない
䞊、ずくに鏡面仕䞊埌に䞍可欠な絶瞁被膜を塗垃
焌付した埌の密着性に問題があるため、珟圚の補
造工皋においお採甚されるに至぀おはいない。 たた特公昭56−4150号公報においおも鋌板衚面
を鏡面仕䞊げした埌、酞化物セラミツクス薄膜を
蒞着する方法が提案されおいる。しかしながらこ
の方法も600℃以䞊の高枩焌鈍を斜すず鋌板ずセ
ラミツク局ずがはく離するため、実際の補造工皋
では採甚できない。 発明が解決しようずする問題点 発明者らは䞊蚘した鏡面仕䞊による鉄損向䞊の
実効をより有利に匕き出すこずも含めその堎合で
も、今日の省゚ネ材料開発の芳点では䞊蚘したご
ずきコストアツプの䞍利を凌駑する特性、なかで
も高枩凊理でも特性劣化を䌎うこずなくしお絶瞁
局の密着性、耐久性の問題を克服するこずが肝芁
ず考え、このような基本認識に立脚し、ずくに、
仕䞊焌鈍枈みの方向性けい玠鋌板衚面䞊の酞化物
を陀去した堎合、さらにはその埌に研磚を斜し鏡
面状態ずする堎合も含め、該酞化物陀去埌におけ
る鋌板凊理方法の根本的改善によ぀おずくに有利
な超䜎鉄損化を達成するこずが発明の目的であ
る。 問題点を解決するための手段 䞊述した目的は次の事項を骚子ずする構成によ
぀お有利に充足される。 0.01〜0.06重量、Si2.0〜4.0重量、
Mn0.01〜0.20重量、Sb0.005〜0.20重量、
さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
た次再結晶焌鈍を斜しおから、鋌板衚面䞊に
MgOを䞻成分ずする焌鈍分離剀を塗垃し、匕続
き仕䞊焌鈍を斜しお110001方䜍の次再
結晶粒を発達させ、それに䌎぀お生成した鋌板衚
面䞊のフオルステラむト質被膜を陀去したのち、
CVD、むオンプレヌテむング、又はむオンむン
プランテヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混合盞
を介し鋌板衚面に匷固に被着した、Ti、Zr、Cr、
Mo、、Al、及びSiの窒化物及び又は炭化
物、Nb及びAlのほう化物、Mo及びZrのけい化
物、Siのりん化物䞊びに、Feの硫化物、のうち
から遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵力被膜
を圢成させるこず第発明。 0.01〜0.06重量、Si2.0〜4.0重量、
Mn0.01〜0.20重量、Sb0.005〜0.20重量、
さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
た次再結晶焌鈍を斜しおから、鋌板衚面䞊に
MgOを䞻成分ずする焌鈍分離剀を塗垃し、匕続
き仕䞊焌鈍を斜しお110001方䜍の次再
結晶粒を発達させ、それに䌎぀お生成した鋌板衚
面䞊のフオルステラむト質被膜を陀去したのち、
CVD、むオンプレヌテむング、又はむオンむン
プランテヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混合盞
を介し鋌板衚面に匷固に被着した、Ti、Zr、Cr、
Mo、、Al、及びSiの窒化物及び又は炭化
物、Nb及びAlのほう化物、Mo及びZrのけい化
物、Siのりん化物䞊びに、Feの硫化物、のうち
から遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵力被膜
を圢成させたのち、りん酞塩ずコロむダルシリカ
を䞻成分ずする、絶瞁被膜を圢成させるこず第
発明。 0.01〜0.06重量、Si2.0〜4.0重量、
Mn0.01〜0.20重量、Sb0.005〜0.20重量、
さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
た次再結晶焌鈍を斜しおから、鋌板衚面䞊に
MgOを䞻成分ずする焌鈍分離剀を塗垃し、匕続
き仕䞊焌鈍を斜しお110001方䜍の次再
結晶粒を発達させ、それに䌎぀お生成した鋌板衚
面䞊のフオルステラむト質被膜を陀去し研磚によ
り鋌板衚面を鏡面仕䞊げしたのち、CVD、むオ
ンプレヌテむング、又はむオンむンプランテヌシ
ペンにより、鋌板䞭Feずの混合盞を介し鋌板衚
面に匷固に被着した、Ti、Zr、Cr、Mo、、
Al、及びSiの窒化物及び又は炭化物、Nb及
びAlのほう化物、Mo及びZrのけい化物、Siのり
ん化物䞊びに、Feの硫化物、のうちから遞んだ
少なくずも皮からなる極薄匵力被膜を圢成させ
るこず第発明。 0.01〜0.06重量、Si2.0〜4.0重量、
Mn0.01〜0.20重量、Sb0.005〜0.20重量、
さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
た次再結晶焌鈍を斜しおから、鋌板衚面䞊に
MgOを䞻成分ずする焌鈍分離剀を塗垃し、匕続
き仕䞊焌鈍を斜しお110001方䜍の次再
結晶粒を発達させ、それに䌎぀お生成した鋌板衚
面䞊のフオルステラむト質被膜を陀去し研磚によ
り鋌板衚面を鏡面仕䞊げしたのち、CVD、むオ
ンプレヌテむング、又はむオンむンプランテヌシ
ペンにより、鋌板䞭Feずの混合盞を介し鋌板衚
面に匷固に被着した、Ti、Zr、Cr、Mo、、
Al、及びSiの窒化物及び又は炭化物、Nb及
びAlのほう化物、Mo及びZrのけい化物、Siのり
ん化物䞊びに、Feの硫化物、のうちから遞んだ
少なくずも皮からなる極薄匵力被膜を圢成させ
たのち、りん酞塩ずコロむダルシリカを䞻成分ず
する絶瞁被膜を圢成させるこず第発明。 0.01〜0.06重量、Si2.0〜4.0重量、
Mn0.01〜0.20重量、Sb0.005〜0.20重量、
さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
た次再結晶焌鈍を斜しおから、その埌の次再
結晶及び鈍化焌鈍を含む最終仕䞊焌鈍の際に䞻ず
しおSi及びFeの酞化物に察しお鋌板衚面ずの間
におけるフオルステラむトの生成反応を抑制する
焌鈍分離剀を鋌板衚面䞊に塗垃し、匕続き仕䞊焌
鈍を斜しお110001方䜍の次再結晶粒を
発達させ、鋌板衚面䞊の酞化物被膜を陀去したの
ち、CVD、むオンプレヌテむング、又はむオン
むンプランテヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混
合盞を介し鋌板衚面に匷固に被着した、Ti、Zr、
Cr、Mo、、Al、及びSiの窒化物及び又は
炭化物、Nb及びAlのほう化物、Mo及びZrのけ
い化物、Siのりん化物䞊びに、Feの硫化物、の
うちから遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵力
被膜を圢成させるこず第発明。 0.01〜0.06重量、Si2.0〜4.0重量、
Mn0.01〜0.20重量、Sb0.005〜0.20重量、
さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
た次再結晶焌鈍を斜しおから、その埌の次再
結晶及び玔化焌鈍を含む最終仕䞊焌鈍の際に䞻ず
しおSi及びFeの酞化物に察しお鋌板衚面ずの間
におけるフオルステラむトの生成反応を抑制する
焌鈍分離剀を鋌板衚面䞊に塗垃し、匕続き仕䞊焌
鈍を斜しお110001方䜍の次再結晶粒を
発達させ、鋌板衚面䞊の酞化物被膜を陀去したの
ち、CVD、むオンプレヌテむング、又はむオン
むンプランテヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混
合盞を介し鋌板衚面に匷固に被着した、Ti、Zr、
Cr、Mo、、Al、及びSiの窒化物及び又は
炭化物、Nb及びAlのほう化物、Mo及びZrのけ
い化物、Siのりん化物䞊びに、Feの硫化物、の
うちから遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵力
被膜を圢成させたのち、りん酞塩をコロむダルシ
リカを䞻成分ずする絶瞁被膜を圢成させるこず
第発明。 0.01〜0.06重量、Si2.0〜4.0重量、
Mn0.01〜0.20重量、Sb0.005〜0.20重量、
さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
た次再結晶焌鈍を斜しおから、その埌の次再
結晶及び玔化焌鈍を含む最終仕䞊焌鈍の際に䞻ず
しおSi及びFeの酞化物に察しお鋌板衚面ずの間
におけるフオルステラむトの生成反応を抑制する
焌鈍分離剀を鋌板衚面䞊に塗垃し、匕続き仕䞊焌
鈍を斜しお110001方䜍の次再結晶粒を
発達させ、鋌板衚面䞊の酞化物被膜を陀去し研磚
により鋌板衚面を鏡面仕䞊げしたのち、CVD、
むオンプレヌテむング、又はむオンむンプランテ
ヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混合盞を介し鋌
板衚面に匷固に被着した、Ti、Zr、Cr、Mo、
、Al、及びSiの窒化物及び又は炭化物、
Nb及びAlのほう化物、Mo及びZrのけい化物、
Siのりん化物䞊びに、Feの硫化物、のうちから
遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵力被膜を圢
成させるこず第発明。 0.01〜0.06重量、Si2.0〜4.0重量、
Mn0.01〜0.20重量、Sb0.005〜0.20重量、
さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
た次再結晶焌鈍を斜しおから、その埌の次再
結晶及び鈍化焌玔を含む最終仕䞊焌鈍の際に䞻ず
しおSi及びFeの酞化物に察しお鋌板衚面ずの間
におけるフオルステラむトの生成反応を抑制する
焌鈍分離剀を鋌板衚面䞊に塗垃し、匕続き仕䞊焌
鈍を斜しお110001方䜍の次再結晶粒を
発達させ、鋌板衚面䞊の酞化物被膜を陀去し研磚
により鋌板衚面を鏡面仕䞊げしたのち、CVD、
むオンプレヌテむング、又はむオンむンプランテ
ヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混合盞を介し鋌
板衚面に匷固に被着した、Ti、Zr、Cr、Mo、
、Al、及びSiの窒化物及び又は炭化物、
Nb及びAlのほう化物、Mo及びZrのけい化物、
Siのりん化物䞊びに、Feの硫化物、のうちから
遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵力被膜を圢
成させたのち、りん酞塩ずコロむダルシリカを䞻
成分ずする絶瞁被膜を圢成させるこず第発
明。 䞊蚘各発明の成功が導かれた具䜓的実隓に埓぀
お説明を進める。 (a) C0.042重量、Si3.12重量、Mn0.062重量
、S0.004重量、Se0.020重量、及び
sb0.025重量 (b) C0.039重量、Si3.09重量、Mn0.059重量
、S0.008重量、Se0.014重量及びsb0.025
重量 をそれぞれ含有するけい玠鋌スラブを熱間圧延に
より2.4mm厚の熱延板ずした。 その埌950℃の䞭間焌鈍を挟み回の冷間圧延
を斜しお0.30mm厚の最終冷延板ずした。 その埌820℃の湿氎玠䞭で脱炭を兌ねる次再
結晶焌鈍を斜した埌皮類の冷延鋌板をおのおの
分しお、 (1) 鋌板衚面䞊にMgOを䞻成分ずする焌鈍分離
剀をスラリヌ状にしお塗垃 (2) 鋌板衚面䞊にAl2O360重量、MgO25重
量、ZrO210重量、TiO2重量か
ら成る焌鈍分離剀を甚い、スラリヌ状塗垃にお
通りの凊理を行いその埌䜕れも850℃で50時
間の焌鈍により次再結晶させた埌、1200℃で
時間也氎玠䞭で鈍化焌鈍を斜した。 その埌鋌板衚面䞊のフオルステラむト被膜ある
いは酞化物を、 (A) 酞掗により陀去したもの、および、 (B) 酞掗陀去埌化孊研磚により鋌板衚面を䞭心線
平均粗さ0.4Ό以䞋の鏡面状態にしたものに぀
いおその埌CVDにより鋌板衚面䞊にTiN0.6ÎŒ
厚の極薄匵力被膜を圢成させた。 (A)、(B)䜕れに぀いおも郚の詊料はりん酞塩ず
コロむダルシリカを䞻成分ずするコヌテむング液
を塗垃し、コヌテむング凊理を斜した。 そのずきの補品の磁気特性を通垞工皋材ず比范
しお衚に瀺す。
【衚】
【衚】 衚から明らかなように玠材成分(a)、(b)の各䞀
方向性けい玠鋌板は、䜕れもこの発明の凊理工皋
で凊理する通垞工皋材比范材にくらべお磁束
密床B10で0.01〜0.02T、鉄損W17/50で0.12〜
0.20WKgず倧幅に特性向䞊するこずが泚目され
る。 䜜甚 このような倧幅の特性向䞊は埓来䞀方向性けい
玠鋌板の絶瞁性確保のためフオルステラむト䞋地
被膜を甚いおいたのに察し、この発明はフオルス
テラむト䞋地被膜を甚いず、前蚘極薄匵力被膜を
甚いたためである。 この極薄匵力被膜は鋌板ずの間の匷力な匵力を
加えるこずによ぀お磁区を现分化するずずもに、
鋌䞭の、等を被膜䞭に拡散させ玔床を向䞊さ
せる効果も加わるために磁区特性を倧幅に向䞊さ
せるこずができたず考えられる。 ここにこの発明においお玠材の含有成分および
工皋条件を限定する理由を以䞋にのべる。 は0.01重量より少ないず熱延集合組織制埡
が困難で倧きな䌞長粒が圢成されるため磁気特性
が劣化し、䞀方が0.06重量より倚いず脱炭工
皋で脱炭に時間がかかり経枈的でないので0.01〜
0.06重量の範囲にする必芁がある。 Siは2.0重量より少ないず電気抵抗が䜎く枊
電流損倱増倧に基づく鉄損倀が倧きくなり、䞀方
4.0重量より倚いず冷延の際にぜい性割れを生
じ易いため、2.0〜4.0重量の範囲内にする必芁
がある。 Mnは䞀方向性けい玠鋌板の次再結晶を巊右
する分散析出盞むンヒビタヌのMnSあるい
はMnSeを圢成する重芁な成分である。Mn量が
0.01重量を䞋廻るず次再結晶を起させるのに
必芁なMnSなどの党䜓量が䞍足し、䞍完党次
再結晶を起こすず同時に、ブリスタヌず呌ばれる
衚面欠陥が増倧する。䞀方Mn量が0.2重量を超
えるず、スラブ加熱時においおMnSなどの解離
固溶が困難ずなる。たたかりに解離・固溶が行な
われたずしおも、熱延時に析出する分離析出盞は
粗倧化しやすく、抑制剀ずしお望たれる最適サむ
ズ分垃は損なわれ、磁気特性は劣化するのでMn
は0.01〜0.2重量の範囲にする必芁がある。 Sbは発明者らがか぀お開瀺した特公昭38−
8214号公報によれば、0.005〜0.1重量、たたは
同様に発明者らがさきに開瀺した特公昭51−
13469号公報によれば0.005〜0.2重量においお、
埮现のSeたたはずずもに含有されるこずによ
り、次粒の成長が抑制されるこずが知られおい
るずおりであり、その含有量は0.005重量より
少ないず次再結晶粒抑制効果が少なく、䞀方
0.2重量より倚いず磁束密床が䜎䞋し始めお磁
気特性を劣化させるのでSbは0.005〜0.2重量の
範囲内にする必芁がある。 次にこの発明による䞀連の補造工皋に぀いお説
明する。たず玠材を溶補するにはLD転炉、電気
炉、平炉その他公知の補鋌炉を甚いお行い埗るこ
ずは勿論、真空凊理、真空溶解を䜵甚するこずが
できる。 この堎合溶鋌䞭に含有される、Seの䜕れか
少なくずも皮に加えおSbを溶鋌䞭に添加する
には、埓来公知の䜕れの方法を甚いるこずもで
き、䟋えばLD転炉、RH脱ガス終了時又は造塊
時の溶鋌䞭に添加するこずができる。 連続鋳造スラブたたは造塊した鋌塊はそれぞれ
公知の方法で熱間圧延に付される。通垞スラブを
熱延板に圧延するのは圓然で、埗らえる熱延板の
厚みは埌続の冷延工皋の支配を受けるが通垞1.5
〜3.5mm厚皋床ずするこずは有利である。 次に熱延板は必芁に応じお800〜1100℃での均
䞀焌鈍を経お回の冷間圧延で最終板厚ずする
回冷延法か又は、通垞850℃から1050℃の䞭間焌
鈍を挟んでさらに冷延する回冷延法にお、埌者
の堎合最初の圧䞋率は50から80皋床、最終の
圧䞋率は50から85皋床で0.15mmから0.35mm厚
の最終冷延板厚ずする。 最終冷延を終わり補品板厚に仕䞊げた鋌板は、
衚面脱脂埌750℃から850℃湿氎玠䞭で脱炭・次
再結晶焌鈍凊理を斜す。 このような凊理を行な぀た埌鋌板衚面䞊に焌鈍
分離剀を塗垃する。この際䞀般的には仕䞊げ焌鈍
埌の圢成を䞍可欠ずしおいたフオルステラむトを
ずくに圢成させない方がその埌の鋌板の鏡面凊理
を簡䟿にするのに有効であるので、焌鈍分離剀ず
しおMgO䞻䜓のものを甚いる堎合のほか、ずく
にAl2O3、ZrO2、TiO2などを、50以䞊MgOに
混入するのが奜たしい。 その埌次再結晶焌鈍を行うが、この工皋は
110001方䜍の次再結晶粒を充分発達させ
るために斜されるもので、通垞箱焌鈍によ぀お盎
ちに1000℃以䞊に昇枩し、その枩床に保持するこ
ずによ぀お行われる。 この堎合110001方䜍に、高床に揃぀た
次再結晶粒組織を発達させるために820℃から
900℃の䜎枩で保定焌鈍する方が有利であり、そ
のほか䟋えば、0.5〜15℃の昇枩速床の埐熱
焌鈍でもよい。 次再結晶焌鈍埌の鈍化焌鈍は、也氎玠䞭で
1100℃以䞊で〜20時間焌鈍を行぀お、鋌板の玔
化を達成するこずが必芁である。 この玔化焌鈍埌に鋌板衚面のフオルステラむト
被膜ないしは酞化物被膜を公知の酞掗などの化孊
陀去法や切削、研削などの機械的陀去法又はそれ
らの組合せにより陀去する。 この酞化物陀去凊理の埌、必芁に応じお化孊研
磚、電解研磚などの化孊的研磚や、バフ研磚など
の機械的研磚あるいはそれらの組合せなど埓来の
手法により鋌板衚面を鏡面状態぀たり䞭倮線平均
粗さ0.4Ό以䞋に仕䞊げる。 酞化物陀去埌又は鏡面研磚埌 CVD、むオンプレヌテむング又はむオンむン
プランテヌシペンにより、 Ti、Zr、Cr、Mo、、Al、及びSiの窒化物
及び又は炭化物、 Nb及びAlのほう化物、 Mo及びZrのけい化物、 Siのりん化物䞊びに、 Feの硫化物、 のうちから遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵
力被膜を圢成させる。 このようにしお鋌板衚面に被成された極薄匵力
被膜は、その構成成分が鋌板䞭にわずかに䟵入
し、その界面では該成分ず鋌板粒のFeずが混圚
した混合盞が圢成されるため、鋌板衚面に極めお
匷固に被着し、高い密着性を有する。 たたこの極薄匵力被膜は0.1〜2Ό皋床の厚み
たで圢成させるのが効果的である。 さらにこのように生成した極薄匵力被膜䞊にり
ん酞塩ずコロむダルシリカを䞻成分ずする絶瞁被
膜の塗垃焌付を行うこずが、100侇KVAにも䞊る
倧容量トランスの䜿途においお圓然に必芁であ
り、この絶瞁性焌付局の圢成の劂きは、埓来公知
の手法をそのたた甚いお良い。 実斜䟋 C0.41重量、Si.3.08重量、Mn0.061重量、
Se0.019重量、Sb0.025重量を含有するけい玠
鋌熱延板2.0mm厚を900℃で分間の均䞀化焌
鈍埌、950℃の䞭間焌鈍をはさんで回の冷間圧
延を斜しお0.23mm厚の最終冷延板ずした。その埌
820℃で分間の脱炭・次再結晶焌鈍を斜した
埌、Al2O360重量、MgO25重量、ZrO2
10重量、TiO2重量を䞻成分ずする焌
鈍分離剀をスラリヌ状に塗垃した。 その埌850℃で50時間の䜎枩保定の次再結晶
焌鈍を行な぀た。さらにその埌1200℃で時間也
氎玠䞭で玔化焌鈍を行な぀た埌、酞掗により衚面
の酞化物を陀去し、電解研磚により鋌板衚面を鏡
面状態にした。その埌CVD衚䞭無印むオン
プレヌテむング衚䞭の○印およびむオンむ
ンプランテヌシペン衚䞭の△印により皮々
の薄膜玄0.6〜0.7Ό厚を圢成させた埌、り
ん酞塩ずコロむダルシリカずを䞻成分ずするコヌ
テむング被膜を圢成させた。コヌテむング被膜の
圢成前埌における磁気特性を衚にたずめお瀺
す。
【衚】 発明の効果 䞀方向性けい玠鋌板の超䜎損化を有利に確保す
るこずができる。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  0.01〜0.06重量、 Si2.0〜4.0重量、 Mn0.01〜0.20重量、 Sb0.005〜0.20重量、 さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
    0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
    成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
    回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
    を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
    た次再結晶焌鈍を斜しおから、鋌板衚面䞊に
    MgOを䞻成分ずする焌鈍分離剀を塗垃し、匕続
    き仕䞊焌鈍を斜しお110001方䜍の次再
    結晶粒を発達させ、それに䌎぀お生成した鋌板衚
    面䞊のフオルステラむト質被膜を陀去したのち、 CVD、むオンプレヌテむング、又はむオンむ
    ンプランテヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混合
    盞を介し鋌板衚面に匷固に披着した、 Ti、Zr、Cr、Mo、、Al、及びSiの窒化物
    及び又は炭化物、 Nb及びAlのほう化物、 Mo及びZrのけい化物、 Siのりん化物䞊びに、 Feの硫化物、 のうちから遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵
    力被膜を圢成させるこずを特城ずする、䞀方向性
    けい玠鋌板の補造方法。  0.01〜0.06重量、 Si2.0〜4.0重量、 Mn0.01〜0.20重量、 Sb0.005〜0.20重量、 さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
    0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
    成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
    回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
    を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
    た次再結晶焌鈍を斜しおから、鋌板衚面䞊に
    MgOを䞻成分ずする焌鈍分離剀を塗垃し、匕続
    き仕䞊焌鈍を斜しお110001方䜍の次再
    結晶粒を発達させ、それに䌎぀お生成した鋌板衚
    面䞊のフオルステラむト質被膜を陀去したのち、 CVD、むオンプレヌテむング、又はむオンむ
    ンプランテヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混合
    盞を介し鋌板衚面に匷固に披着した、 Ti、Zr、Cr、Mo、、Al、及びSiの窒化物
    及び又は炭化物、 Nb及びAlのほう化物、 Mo及びZrのけい化物、 Siのりん化物䞊びに、 Feの硫化物、 のうちから遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵
    力被膜を圢成させたのち、りん酞塩ずコロむダル
    シリカを䞻成分ずする絶瞁被膜を圢成させるずを
    特城ずする、䞀方向性けい玠板の補造方法。  0.01〜0.06重量、 Si2.0〜4.0重量、 Mn0.01〜0.20重量、 Sb0.005〜0.20重量、 さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
    0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
    成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
    回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
    を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
    た次再結晶焌鈍を斜しおから、鋌板衚面䞊に
    MgOを䞻成分ずする焌鈍分離剀を塗垃し、匕続
    き仕䞊焌鈍を斜しお110001方䜍の次再
    結晶粒を発達させ、それに䌎぀お生成した鋌板衚
    面䞊のフオルステラむト質被膜を陀去し研磚によ
    り鋌板衚面を鏡面仕䞊げしたのち、 CVD、むオンプレヌテむング、又はむオンプ
    ランテヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混合盞を
    介し鋌板衚面に匷固に披着した、 Ti、Zr、Cr、Mo、、Al、及びSiの窒化物
    及び又は炭化物、 Nb及びAlのほう化物、 Mo及びZrのけい化物、 Siのりん化物䞊びに、 Feの硫化物、 のうちから遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵
    力被膜を圢成させるこずを特城ずする、䞀方向性
    けい玠鋌板の補造方法。  0.01〜0.06重量、 Si2.0〜4.0重量、 Mn0.01〜0.20重量、 Sb0.005〜0.20重量、 さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
    0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
    成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
    回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
    を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
    た次再結晶焌鈍を斜しおから、鋌板衚面䞊に
    MgOを䞻成分ずする焌鈍分離剀を塗垃し、匕続
    き仕䞊焌鈍を斜しお110001方䜍の次再
    結晶粒を発達させ、それに䌎぀お生成した鋌板衚
    面䞊のフオルステラむト質被膜を陀去し研磚によ
    り鋌板衚面を鏡面仕䞊げしたのち、 CVD、むオンプレヌテむング、又はむオンプ
    ランテヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混合盞を
    介し鋌板衚面に匷固に披着した、 Ti、Zr、Cr、Mo、、Al、及びSiの窒化物
    及び又は炭化物、 Nb及びAlのほう化物、 Mo及びZrのけい化物、 Siのりん化物䞊びに、 Feの硫化物、 のうちから遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵
    力被膜を圢成させたのち、りん酞塩ずコロむダル
    シリカを䞻成分ずする絶瞁被膜を圢成させるこず
    を特城ずする、䞀方向性けい玠板の補造方法。  0.01〜0.06重量、 Si2.0〜4.0重量、 Mn0.01〜0.20重量、 Sb0.005〜0.20重量、 さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
    0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
    成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
    回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
    を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
    た次再結晶焌鈍を斜しおから、その埌の次再
    結晶及び鈍化焌鈍を含む最終仕䞊焌鈍の際に䞻ず
    しおSi及びFeの酞化物に察しお鋌板衚面ずの間
    におけるフオルステラむトの生成反応を抑制する
    焌鈍分離剀を鋌板衚面䞊に塗垃し、匕続き仕䞊焌
    鈍を斜しお110001方䜍の次再結晶粒を
    発達させ、鋌板衚面䞊の酞化物被膜を陀去したの
    ち、 CVD、むオンプレヌテむング、又はむオンむ
    ンプランテヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混合
    盞を介し鋌板衚面に匷固に披着した、 Ti、Zr、Cr、Mo、、Al、及びSiの窒化物
    及び又は炭化物、 Nb及びAlのほう化物、 Mo及びZrのけい化物、 Siのりん化物䞊びに、 Feの硫化物、 のうちから遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵
    力被膜を圢成させるこずを特城ずする、䞀方向性
    けい玠鋌板の補造方法。  0.01〜0.06重量、 Si2.0〜4.0重量、 Mn0.01〜0.20重量、 Sb0.005〜0.20重量、 さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
    0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
    成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
    回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
    を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
    た次再結晶焌鈍を斜しおから、その埌の次再
    結晶及び玔化焌鈍を含む最終仕䞊焌鈍の際に䞻ず
    しおSi及びFeの酞化物に察しお鋌板衚面ずの間
    におけるフオルステラむトの生成反応を抑制する
    焌鈍分離剀を鋌板衚面䞊に塗垃し、匕続き仕䞊焌
    鈍を斜しお110001方䜍の次再結晶粒を
    発達させ、鋌板衚面䞊の酞化物被膜を陀去したの
    ち、 CVD、むオンプレヌテむング、又はむオンむ
    ンプランテヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混合
    盞を介し鋌板衚面に匷固に披着した、 Ti、Zr、Cr、Mo、、Al、及びSiの窒化物
    及び又は炭化物、 Nb及びAlのほう化物、 Mo及びZrのけい化物、 Siのりん化物䞊びに、 Feの硫化物、 のうちから遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵
    力被膜を圢成させたのち、りん酞塩ずコロむダル
    シリカを䞻成分ずする絶瞁被膜を圢成させるこず
    を特城ずする、䞀方向性けい玠鋌板の補造法。  0.01〜0.06重量、 Si2.0〜4.0重量、 Mn0.01〜0.20重量、 Sb0.005〜0.20重量、 さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
    0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
    成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
    回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
    を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
    た次再結晶焌鈍を斜しおから、その埌の次再
    結晶及び鈍化焌鈍を含む最終仕䞊焌鈍の際に䞻ず
    しおSi及びFeの酞化物に察しお鋌板衚面ずの間
    におけるフオルステラむトの生成反応を抑制する
    焌鈍分離剀を鋌板衚面䞊に塗垃し、匕続き仕䞊焌
    鈍を斜しお110001方䜍の次再結晶粒を
    発達させ、鋌板衚面䞊の酞化物被膜を陀去し研磚
    により鋌板衚面を鏡仕䞊げしたのち、 CVD、むオンプレヌテむング、又はむオンむ
    ンプランテヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混合
    盞を介し鋌板衚面に匷固に披着した、 Ti、Zr、Cr、Mo、、Al、及びSiの窒化物
    及び又は炭化物、 Nb及びAlのほう化物、 Mo及びZrのけい化物、 Siのりん化物䞊びに、 Feの硫化物、 のうちから遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵
    力被膜を圢成させるこずを特城ずする、䞀方向性
    けい玠鋌板の補造方法。  0.01〜0.06重量、 Si2.0〜4.0重量、 Mn0.01〜0.20重量、 Sb0.005〜0.20重量、 さらに及びSeのうち皮又は皮の合蚈で
    0.005〜0.1重量を含有し、残郚実質的にFeの組
    成になるけい玠鋌スラブを熱間圧延し、぀いで
    回の冷間圧延又は䞭間焌鈍を挟む回の冷間圧延
    を斜しお最終板厚の冷延板ずした埌、脱炭を兌ね
    た次再結晶焌鈍を斜しおから、その埌の次再
    結晶及び鈍化焌鈍を含む最終仕䞊焌鈍の際に䞻ず
    しおSi及びFeの酞化物に察しお鋌板衚面ずの間
    におけるフオルステラむトの生成反応を抑制する
    焌鈍分離剀を鋌板衚面䞊に塗垃し、匕続き仕䞊焌
    鈍を斜しお110001方䜍の次再結晶粒を
    発達させ、鋌板衚面䞊の酞化物被膜を陀去し研磚
    により鋌板衚面を鏡仕䞊げしたのち、 CVD、むオンプレヌテむング、又はむオンむ
    ンプランテヌシペンにより、鋌板䞭Feずの混合
    盞を介し鋌板衚面に匷固に披着した、 Ti、Zr、Cr、Mo、、Al、及びSiの窒化物
    及び又は炭化物、 Nb及びAlのほう化物、 Mo及びZrのけい化物、 Siのりん化物䞊びに、 Feの硫化物、 のうちから遞んだ少なくずも皮からなる極薄匵
    力被膜を圢成させたのち、りん酞塩ずコロむダル
    シリカを䞻成分ずする絶瞁被膜を圢成させるこず
    を特城ずする、䞀方向性けい玠鋌板の補造方法。
JP60161228A 1985-02-22 1985-07-23 䞀方向性けい玠鋌板の補造方法 Granted JPS6222406A (ja)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60161228A JPS6222406A (ja) 1985-07-23 1985-07-23 䞀方向性けい玠鋌板の補造方法
DE8686301071T DE3666229D1 (en) 1985-02-22 1986-02-17 Extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets
EP86301071A EP0193324B1 (en) 1985-02-22 1986-02-17 Extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets
AU53747/86A AU570835B2 (en) 1985-02-22 1986-02-19 Metal nitride/carbide coated grain oriented silicon steel sheet
CA000502337A CA1297070C (en) 1985-02-22 1986-02-20 Extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets
DE8686904726T DE3673290D1 (de) 1985-02-22 1986-02-21 Herstellungsverfahren fuer unidirektionale siliziumstahlplatte mit aussergewoehnlichem eisenverlust.
EP86904726A EP0215134B1 (en) 1985-02-22 1986-02-21 Process for producing unidirectional silicon steel plate with extraordinarily low iron loss
US06/907,734 US4713123A (en) 1985-02-22 1986-02-21 Method of producing extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets
PCT/JP1986/000087 WO1986004929A1 (en) 1985-02-22 1986-02-21 Process for producing unidirectional silicon steel plate with extraordinarily low iron loss
US06/832,172 US4698272A (en) 1985-02-22 1986-02-21 Extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets
KR1019860001259A KR910006011B1 (ko) 1985-02-22 1986-02-22 극저철손 결정 방향성 규소 강판

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60161228A JPS6222406A (ja) 1985-07-23 1985-07-23 䞀方向性けい玠鋌板の補造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6222406A JPS6222406A (ja) 1987-01-30
JPH0374485B2 true JPH0374485B2 (ja) 1991-11-27

Family

ID=15731062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60161228A Granted JPS6222406A (ja) 1985-02-22 1985-07-23 䞀方向性けい玠鋌板の補造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6222406A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53144419A (en) * 1977-05-23 1978-12-15 Kawasaki Steel Co Method of making one directional silicon steel plate with extremely low core loss

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53144419A (en) * 1977-05-23 1978-12-15 Kawasaki Steel Co Method of making one directional silicon steel plate with extremely low core loss

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6222406A (ja) 1987-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6335684B2 (ja)
JPS6332849B2 (ja)
JPH0327631B2 (ja)
JPH0374485B2 (ja)
JPS6354767B2 (ja)
JPS6332850B2 (ja)
JPH0374488B2 (ja)
JPS63250419A (ja) 鉄損の極めお䜎い方向性電磁鋌板の補造方法
JPH0337845B2 (ja)
JPS6335687B2 (ja)
JPS6335685B2 (ja)
JPH0222421A (ja) 超䜎鉄損䞀方向性珪玠鋌板の補造方法
JPH0374486B2 (ja)
JPH01159322A (ja) 超䜎鉄損䞀方向性珪玠鋌板の補造方法
JPS6230302A (ja) 超䜎鉄損䞀方向性けい玠鋌板の補造方法
JPS6270520A (ja) 超䜎鉄損䞀方向性けい玠鋌板の補造方法
JPH0663034B2 (ja) 鉄損の極めお䜎い方向性けい玠鋌板の補造方法
JPS6335686B2 (ja)
JPH0577749B2 (ja)
JPS6263408A (ja) 超䜎鉄損䞀方向性けい玠鋌板の補造方法
JPS6269503A (ja) 超䜎鉄損方向性けい玠鋌板およびその補造方法
JPH0765105B2 (ja) 超䜎鉄損䞀方向性けい玠鋌板の補造方法
JPH0327633B2 (ja)
JPS63303009A (ja) 超䜎鉄損䞀方向性珪玠鋌板の補造方法
JPH0413426B2 (ja)