JPS6222406A - 一方向性けい素鋼板の製造方法 - Google Patents
一方向性けい素鋼板の製造方法Info
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- JPS6222406A JPS6222406A JP60161228A JP16122885A JPS6222406A JP S6222406 A JPS6222406 A JP S6222406A JP 60161228 A JP60161228 A JP 60161228A JP 16122885 A JP16122885 A JP 16122885A JP S6222406 A JPS6222406 A JP S6222406A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
一方向性けい素鋼板の電気・磁気的特性の改善、なかで
も、鉄損の低減に係わる極限的な要請を満たそうとする
近年来の目覚ましい開発努力は、逐次その実を挙げつつ
あるが、その実施に伴う重大な弊害として、一方向性け
い素鋼板の使用に当たっての加工、組立てを経たのちい
わゆるひずみ取り焼鈍がほどこされた場合に、特性劣化
の随伴を不可避に生じて、使途についての制限を受ける
不利が指摘される。
も、鉄損の低減に係わる極限的な要請を満たそうとする
近年来の目覚ましい開発努力は、逐次その実を挙げつつ
あるが、その実施に伴う重大な弊害として、一方向性け
い素鋼板の使用に当たっての加工、組立てを経たのちい
わゆるひずみ取り焼鈍がほどこされた場合に、特性劣化
の随伴を不可避に生じて、使途についての制限を受ける
不利が指摘される。
この明細書では、ひずみ取り焼鈍のような高温の熱履歴
を経ると否とに拘わらず、上記要請を有利に充足し得る
新たな方途を拓くことについての開発研究の成果に関連
して以下に述べる。
を経ると否とに拘わらず、上記要請を有利に充足し得る
新たな方途を拓くことについての開発研究の成果に関連
して以下に述べる。
さて一方向性けい素鋼板は、よく知られているとおり製
品の２次再結晶粒を（１１０） （００１） 、すな
わちゴス方位に、高度に集積させたもので、主として変
圧器その他の電気機器の鉄心として使用され電気・磁気
的特性として製品の磁束密度（ｎ＋。
品の２次再結晶粒を（１１０） （００１） 、すな
わちゴス方位に、高度に集積させたもので、主として変
圧器その他の電気機器の鉄心として使用され電気・磁気
的特性として製品の磁束密度（ｎ＋。
値で代表される）が高く、鉄損（ＷＢｚｓ。値で代表さ
る）の低いことが要求される。
る）の低いことが要求される。
この一方向性けい素鋼板は複雑多岐にわたる工程を経て
製造されるが、今までにおびただしい発明改善が加えら
れ、今日では板厚０．３０＋＋ｎの製品の磁気特性が８
１゜１．９０Ｔ以上、讐、７７、。１．０５Ｗ／ｋｇ以
下、また板厚０．２３ｍｍの製品の磁気特性がＢＩ６１
．８９Ｔ以上、Ｗ Ｉ ’Ｉｔｓ。０．９０Ｗ／ｋｇ以
下の超低鉄損一方向性けい素鋼板が製造されるようにな
って来ている。
製造されるが、今までにおびただしい発明改善が加えら
れ、今日では板厚０．３０＋＋ｎの製品の磁気特性が８
１゜１．９０Ｔ以上、讐、７７、。１．０５Ｗ／ｋｇ以
下、また板厚０．２３ｍｍの製品の磁気特性がＢＩ６１
．８９Ｔ以上、Ｗ Ｉ ’Ｉｔｓ。０．９０Ｗ／ｋｇ以
下の超低鉄損一方向性けい素鋼板が製造されるようにな
って来ている。
特に最近では省エネの見地から電力損失の低減を特徴と
する請が著しく強まり、欧米では損失の少ない変圧器を
作る場合に鉄損の減少分を金額に換算して変圧器価格に
上積みする［ロス・エバリユエーション」 （鉄損評価
）制度が普及している。
する請が著しく強まり、欧米では損失の少ない変圧器を
作る場合に鉄損の減少分を金額に換算して変圧器価格に
上積みする［ロス・エバリユエーション」 （鉄損評価
）制度が普及している。
（従来の技術）
このような状況下において最近、一方向性けい素鋼板の
仕上焼鈍後の鋼板表面に圧延方向にほぼ直角方向でのレ
ーザー照射により局部微小ひすずみを導入して磁区を細
分化し、もって鉄損を低下させることが提案された（特
公昭５７−２２５２号、特公昭５７−５３４１９号、特
公昭５Ｂ−２６４０５号及び特公昭５８
’−２６４０６号公報参照）。
仕上焼鈍後の鋼板表面に圧延方向にほぼ直角方向でのレ
ーザー照射により局部微小ひすずみを導入して磁区を細
分化し、もって鉄損を低下させることが提案された（特
公昭５７−２２５２号、特公昭５７−５３４１９号、特
公昭５Ｂ−２６４０５号及び特公昭５８
’−２６４０６号公報参照）。
この磁区細分化技術はひずみ取り焼鈍を施さない、積鉄
心向はトランス材料として効果的であるが、ひずみ取り
焼鈍を施す、主として巻鉄心トランス材料にあっては、
レーザー照射によって折角導入された局部微少ひずみが
焼鈍処理により開放されて磁区幅が広くなるため、レー
ザー照射効果が失われるという欠点がある。
心向はトランス材料として効果的であるが、ひずみ取り
焼鈍を施す、主として巻鉄心トランス材料にあっては、
レーザー照射によって折角導入された局部微少ひずみが
焼鈍処理により開放されて磁区幅が広くなるため、レー
ザー照射効果が失われるという欠点がある。
一方これより先に特公昭５２−２４４９９号公報におい
ては、一方向性けい素鋼板の仕上げ焼鈍後の鋼板表面を
鏡面仕上げするか又はその鏡面仕上げ面上に金属薄めっ
きやさらにその上に絶縁被膜を塗布焼付けすることによ
る、超低鉄損一方向性けい素鋼板の製造方法が提案され
ている。
ては、一方向性けい素鋼板の仕上げ焼鈍後の鋼板表面を
鏡面仕上げするか又はその鏡面仕上げ面上に金属薄めっ
きやさらにその上に絶縁被膜を塗布焼付けすることによ
る、超低鉄損一方向性けい素鋼板の製造方法が提案され
ている。
しかしながらこの鏡面仕上げによる鉄損向上手法は、工
程的に採用するには、著しいコストアップになる割りに
鉄損低減への寄与が十分でない上、とくに鏡面仕上後に
不可欠な絶縁被膜を塗布焼付した後の密着性に問題があ
るため、現在の製造工程において採用されるに至っては
いない。
程的に採用するには、著しいコストアップになる割りに
鉄損低減への寄与が十分でない上、とくに鏡面仕上後に
不可欠な絶縁被膜を塗布焼付した後の密着性に問題があ
るため、現在の製造工程において採用されるに至っては
いない。
また特公昭５６−４１５０号公報においても鋼板表面を
鏡面仕上げした後、酸化物セラミックス薄膜を蒸着する
方法が提案されている。しかしながらこの方法も６００
℃以上の高温焼鈍を施すと鋼板とセラミックス層とがは
く離するため、実際の製造工程では採用できない。
鏡面仕上げした後、酸化物セラミックス薄膜を蒸着する
方法が提案されている。しかしながらこの方法も６００
℃以上の高温焼鈍を施すと鋼板とセラミックス層とがは
く離するため、実際の製造工程では採用できない。
（発明が解決しようとする問題点）
発明者らは上記した鏡面仕上による鉄損向上の実効をよ
り有利に引き出すことも含めその場合でも、今日の省エ
ネ材料開発の観点では上記したごときコストアップの不
利を凌駕する特性、なかで、も高温処理でも特性劣化を
伴うことなくして絶縁層の密着性、耐久性の問題を克服
することが肝要と考え、このような基本認識に立脚し、
と（に、仕上焼鈍済みの方向性けい素鋼板表面上の酸化
物を除去した場合、さらにはその後に研摩を施し鏡面状
態とする場合も含め、該酸化物除去後における鋼板処理
方法の根本的改善によってとくに有利な超低鉄損化を達
成することが発明の目的である。
り有利に引き出すことも含めその場合でも、今日の省エ
ネ材料開発の観点では上記したごときコストアップの不
利を凌駕する特性、なかで、も高温処理でも特性劣化を
伴うことなくして絶縁層の密着性、耐久性の問題を克服
することが肝要と考え、このような基本認識に立脚し、
と（に、仕上焼鈍済みの方向性けい素鋼板表面上の酸化
物を除去した場合、さらにはその後に研摩を施し鏡面状
態とする場合も含め、該酸化物除去後における鋼板処理
方法の根本的改善によってとくに有利な超低鉄損化を達
成することが発明の目的である。
（問題点を解決するための手段）
上述した目的は次の事項を骨子とする構成によって有利
に充足される。
に充足される。
Ｃ： ０．０１〜０．０６重量％、Ｓｉ ： ２．０
〜４．０重量％１Ｍｎ ： ０．０１〜０’、２０重量
％、Ｓｂ ： Ｏ，ＱＯ５〜０゜２０重量％、さらにＳ
及びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００５〜０．
１重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけい
素鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中
間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板
とした後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、
鋼板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し
、引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位
の２次再結晶粒を発達させ、それに伴って生成した鋼板
表面上のフォルステライト質被膜を除去したのち、ＣＶ
Ｄ 、イオンプレーティング、又はイオンインプランテ
ーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面
に強固に被着した、Ｔｆ 、 Ｚｒ 、 Ｈｆ 。
〜４．０重量％１Ｍｎ ： ０．０１〜０’、２０重量
％、Ｓｂ ： Ｏ，ＱＯ５〜０゜２０重量％、さらにＳ
及びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００５〜０．
１重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけい
素鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中
間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板
とした後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、
鋼板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し
、引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位
の２次再結晶粒を発達させ、それに伴って生成した鋼板
表面上のフォルステライト質被膜を除去したのち、ＣＶ
Ｄ 、イオンプレーティング、又はイオンインプランテ
ーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面
に強固に被着した、Ｔｆ 、 Ｚｒ 、 Ｈｆ 。
Ｖ 、 Ｎｂ ＋ Ｔａ ＋ Ｍｎ
＋ Ｃｒ ＋ ｌ’ｌｏ 、 Ｗ、Ｃｏ
、 Ｎｉ ＋ Ａ ｌ。
＋ Ｃｒ ＋ ｌ’ｌｏ 、 Ｗ、Ｃｏ
、 Ｎｉ ＋ Ａ ｌ。
Ｂ、及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、Ａｌ 、 Ｓ
ｉ 。
ｉ 。
Ｔｉ 、 Ｓｎ 、 Ｆｅ 、 Ｚｒ ＋ Ｔａ 、
及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 。
及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 。
Ｔｉ 、 Ｎｂ ｔ Ｔａ ＋ Ａ １ 、 Ｚｒ
、 ｌ（ｆ ＋ Ｖ ＋及び−のほう化物、Ｍｏ 、
Ｗ、’Ｍ 、 Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ、及びＳ
ｉのりん化物並びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちか
ら選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜を形成さ
せること（第１発明）。
、 ｌ（ｆ ＋ Ｖ ＋及び−のほう化物、Ｍｏ 、
Ｗ、’Ｍ 、 Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ、及びＳ
ｉのりん化物並びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちか
ら選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜を形成さ
せること（第１発明）。
Ｃ： ０．０１〜０．０６重量％、Ｓｉ ： ２．０
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１〜０．２０重量％
、Ｓｂ ： ０．００５〜０゜２０重量％、さらにＳ及
びＳｅのうち１種又は２種の合計でｏ、ｏｏｓ〜０．１
重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけい素
鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、鋼
板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、
引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位の
２次再結晶粒を発達させ、それに伴って生成した鋼板表
面上のフォルステライト質被膜を除去したのち、ＣＶＤ
、イオンプレーティング、又はイオンインプランテー
ションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に
強固に被着した、Ｔｉ 、 Ｚｒ 、 Ｉｆｆ 。
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１〜０．２０重量％
、Ｓｂ ： ０．００５〜０゜２０重量％、さらにＳ及
びＳｅのうち１種又は２種の合計でｏ、ｏｏｓ〜０．１
重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけい素
鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、鋼
板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、
引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位の
２次再結晶粒を発達させ、それに伴って生成した鋼板表
面上のフォルステライト質被膜を除去したのち、ＣＶＤ
、イオンプレーティング、又はイオンインプランテー
ションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に
強固に被着した、Ｔｉ 、 Ｚｒ 、 Ｉｆｆ 。
Ｖ 、 Ｎｂ ＊ Ｔａ １Ｍｎ ｔ Ｃｒ 、 Ｍｏ
、 Ｗ ＋ Ｃｏ 、 Ｎｉ ＋ Ａ １Ｂ、及びＳ
ｉの窒化物及び／又は炭化物、（４１！ 、 Ｓｉ 。
、 Ｗ ＋ Ｃｏ 、 Ｎｉ ＋ Ａ １Ｂ、及びＳ
ｉの窒化物及び／又は炭化物、（４１！ 、 Ｓｉ 。
Ｔｉ ＋ Ｓｎ 、 Ｆｅ 、 Ｚｒ 、 Ｔａ ｌ
及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 。
及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 。
Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、八 ｉｔ 、 Ｚｒ 、 ）Ｉｆ
＋ Ｖ ＋及び−のほう化物、Ｍｏ 、 Ｗ ＋ Ｔ
ｉ ＋ Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ、及びＳｉのり
ん化物並びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選ん
だ少なくとも１種からなる極薄張力被膜を形成させたの
ち、りん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする、絶縁
被膜を形成させること（第２発明）。
＋ Ｖ ＋及び−のほう化物、Ｍｏ 、 Ｗ ＋ Ｔ
ｉ ＋ Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ、及びＳｉのり
ん化物並びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選ん
だ少なくとも１種からなる極薄張力被膜を形成させたの
ち、りん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする、絶縁
被膜を形成させること（第２発明）。
Ｃ： ０．０１〜０，０６重重量、Ｓｉ ： ２．０
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１〜０．２０重量％
、Ｓｂ ： ０．００５〜０．２０重量％、ＳｂにＳ及
びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００５〜０．１
重量％を含存し、残部実質的にＦｅの組成になるけい素
鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、鋼
板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、
引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位の
２次再結晶粒を発達させ、それに伴って生成した鋼板表
面上のフォルステライト質被膜を除去し研摩により綱板
表面を鏡面仕上げしたのち、ＣＶＤ 、イオンプレーテ
ィング、又はイオンインプランテーションにより、鋼板
中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔ
ｉ 、 Ｚｒ 、 Ｈｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ
。
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１〜０．２０重量％
、Ｓｂ ： ０．００５〜０．２０重量％、ＳｂにＳ及
びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００５〜０．１
重量％を含存し、残部実質的にＦｅの組成になるけい素
鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、鋼
板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、
引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位の
２次再結晶粒を発達させ、それに伴って生成した鋼板表
面上のフォルステライト質被膜を除去し研摩により綱板
表面を鏡面仕上げしたのち、ＣＶＤ 、イオンプレーテ
ィング、又はイオンインプランテーションにより、鋼板
中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔ
ｉ 、 Ｚｒ 、 Ｈｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ
。
Ｍｎ ＋ Ｃｒ ＋ Ｍｏ ＋ Ｗ ＋
Ｃｏ ＋ Ｎｉ ＋ 八ｎ 、Ｂ、
及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、Ａ １ ＋
’Ｓｉ ＋ Ｔｉ ＋Ｓｎ ＋ Ｆｅ ＋ Ｚｒ ｌＴ
ａ ＋ 及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 、 Ｔｉ ＋Ｎｂ
、 Ｔａ 、 Ａｊ２ 、 Ｚｒ 、 Ｉｆ 、
Ｖ 、及び−のほう化物、Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｔｉ ＋
Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ。
Ｃｏ ＋ Ｎｉ ＋ 八ｎ 、Ｂ、
及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、Ａ １ ＋
’Ｓｉ ＋ Ｔｉ ＋Ｓｎ ＋ Ｆｅ ＋ Ｚｒ ｌＴ
ａ ＋ 及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 、 Ｔｉ ＋Ｎｂ
、 Ｔａ 、 Ａｊ２ 、 Ｚｒ 、 Ｉｆ 、
Ｖ 、及び−のほう化物、Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｔｉ ＋
Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ。
及びＳ’ｉのりん化物並びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、
のうちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜
を形成させること（第３発明）。
のうちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜
を形成させること（第３発明）。
Ｃ： ０．０１−０．０６重量％、Ｓｉ ： ２．０
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１〜０．２０重量％
、Ｓｂ ： ０．００５〜０．２０重量％、さらにＳ及
びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００５〜０．１
重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけい素
鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、鋼
板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、
引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位の
２次再結晶粒を発達させ、それに伴って生成した鋼板表
面上のフォルステライト質被膜を除去し研磨により鋼板
表面を鏡面仕上げしたのち、ＣｖＤ、イオンプレーティ
ング、又はイオンインプランテーションにより、鋼板中
Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ
、 Ｚｒ ＋ Ｈｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ
＋Ｍｎ 、 Ｃｒ 、 Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｃｏ 、
Ｎｉ 、 ＡＮ 、 Ｂ 、及びＳｉの窒化物及び／又
は炭化物、Ａｔｉ ＋ Ｓｉ＋ Ｔｓ ＋Ｓｎ ＋ Ｆ
ｅ ＋ Ｚｒ ＋ Ｔａ ＋及びＣｅの酸化物、Ｓｉ
、 Ｔｉ 。
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１〜０．２０重量％
、Ｓｂ ： ０．００５〜０．２０重量％、さらにＳ及
びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００５〜０．１
重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけい素
鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、鋼
板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、
引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位の
２次再結晶粒を発達させ、それに伴って生成した鋼板表
面上のフォルステライト質被膜を除去し研磨により鋼板
表面を鏡面仕上げしたのち、ＣｖＤ、イオンプレーティ
ング、又はイオンインプランテーションにより、鋼板中
Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ
、 Ｚｒ ＋ Ｈｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ
＋Ｍｎ 、 Ｃｒ 、 Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｃｏ 、
Ｎｉ 、 ＡＮ 、 Ｂ 、及びＳｉの窒化物及び／又
は炭化物、Ａｔｉ ＋ Ｓｉ＋ Ｔｓ ＋Ｓｎ ＋ Ｆ
ｅ ＋ Ｚｒ ＋ Ｔａ ＋及びＣｅの酸化物、Ｓｉ
、 Ｔｉ 。
Ｎｂ ＋ Ｔａ ＋ Ａｅ ＋ Ｚｒ ＋ Ｈｆ ＋
Ｖ ＋及び−のほう化物、Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｔｉ
＋ Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ。
Ｖ ＋及び−のほう化物、Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｔｉ
＋ Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ。
及びＳｉのりん化物並びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、の
うちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜を
形成させたのち、りん酸塩とコロイダルシリカを主成分
とする絶縁被膜を形成させること（第４発明）。
うちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜を
形成させたのち、りん酸塩とコロイダルシリカを主成分
とする絶縁被膜を形成させること（第４発明）。
Ｃ： ０．０１〜０．０６重量％、Ｓｉ ： ２．０
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１〜０．２０重量％
、Ｓｂ ： ０．００５〜０．２０重量％、さらにＳ及
びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００５〜０．１
重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけい素
鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、そ
の後の２次再結晶及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍の際
に主としてＳｉ及びＦｅの酸化物に対して鋼板表面との
間におけるフォルステライトの生成反応を抑制する焼鈍
分離剤を鋼板表面上に塗布し、引続き仕上焼鈍を施して
（１１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ
、鋼板表面上の酸化物被膜を除去したのち、ＣＶＤ 、
イオンプレーティング、又はイオンインプランテーショ
ンにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に強固
に被着した、Ｔｉ 、 Ｚｒ 。
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１〜０．２０重量％
、Ｓｂ ： ０．００５〜０．２０重量％、さらにＳ及
びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００５〜０．１
重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけい素
鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、そ
の後の２次再結晶及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍の際
に主としてＳｉ及びＦｅの酸化物に対して鋼板表面との
間におけるフォルステライトの生成反応を抑制する焼鈍
分離剤を鋼板表面上に塗布し、引続き仕上焼鈍を施して
（１１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ
、鋼板表面上の酸化物被膜を除去したのち、ＣＶＤ 、
イオンプレーティング、又はイオンインプランテーショ
ンにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に強固
に被着した、Ｔｉ 、 Ｚｒ 。
Ｈｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、 Ｍｎ 、 Ｃ
ｒ ＋ Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｃｏ 、 Ｎｉ ＋＾＃
、Ｂ、及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、Ａ１．
Ｓｉ 、 Ｔｉ ＋ Ｓｎ＋ 、 Ｆｅ ＋ Ｚｒ 、
Ｔａ ＋ 及びＣｅ ＋の酸化物、Ｓ
ｉ ｔ Ｔｉ ＋ Ｎｂ ＋ Ｔａ ＋＾ｆｌ 、
Ｚｒ 、 Ｈｆ 。
ｒ ＋ Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｃｏ 、 Ｎｉ ＋＾＃
、Ｂ、及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、Ａ１．
Ｓｉ 、 Ｔｉ ＋ Ｓｎ＋ 、 Ｆｅ ＋ Ｚｒ 、
Ｔａ ＋ 及びＣｅ ＋の酸化物、Ｓ
ｉ ｔ Ｔｉ ＋ Ｎｂ ＋ Ｔａ ＋＾ｆｌ 、
Ｚｒ 、 Ｈｆ 。
Ｖ、及び讐のほう化物、Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｔｉ＋ Ｚ
ｒ 及びＶのけい化物、Ｂ、及びＳｉのりん化物並び
に、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なくと
も１種からなる極薄張力被膜を形成させること（第５発
明）。
ｒ 及びＶのけい化物、Ｂ、及びＳｉのりん化物並び
に、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なくと
も１種からなる極薄張力被膜を形成させること（第５発
明）。
Ｃ： ０．０１〜０．０６重重量、Ｓｉ ： ２．０
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１〜０．２０重量％
、Ｓｂ ： ０．００５〜０．２０重世％、さらにＳ及
びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００５〜０．１
重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけい素
鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、そ
の後の２次再結晶及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍の際
に主としてＳｉ及びＦｅの酸化物に対して鋼板表面との
間におけるフォルステライトの生成反応を抑制する焼鈍
分離剤を鋼板表面上に塗布し、引続き仕上焼鈍を施して
（１１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ
、鋼板表面上の酸化物被膜を除去したのち、ＣｖＤ、イ
オンプレーティング、又はイオンインプランテーション
により、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に強固に
被着した、Ｔｉ 、 Ｚｒ 。
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１〜０．２０重量％
、Ｓｂ ： ０．００５〜０．２０重世％、さらにＳ及
びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００５〜０．１
重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけい素
鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、そ
の後の２次再結晶及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍の際
に主としてＳｉ及びＦｅの酸化物に対して鋼板表面との
間におけるフォルステライトの生成反応を抑制する焼鈍
分離剤を鋼板表面上に塗布し、引続き仕上焼鈍を施して
（１１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ
、鋼板表面上の酸化物被膜を除去したのち、ＣｖＤ、イ
オンプレーティング、又はイオンインプランテーション
により、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に強固に
被着した、Ｔｉ 、 Ｚｒ 。
Ｉｆｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ １Ｍｎ 、 Ｃ
ｒ 、 Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｇｏ 、 Ｎｉ 。
ｒ 、 Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｇｏ 、 Ｎｉ 。
ｌｌ 、Ｂ、及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、Ａ
ｌ ＋ Ｓｉ ＋ Ｔｔ ＋ Ｓｎ ＋ Ｆｅ ＋
Ｚｒ ＋ Ｔａ ＋ 及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 、
Ｔｉ 、 Ｎｂ ｔ Ｔａ ＋ ＡＡ 、 Ｚｒ
、 Ｈｆ 。
ｌ ＋ Ｓｉ ＋ Ｔｔ ＋ Ｓｎ ＋ Ｆｅ ＋
Ｚｒ ＋ Ｔａ ＋ 及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 、
Ｔｉ 、 Ｎｂ ｔ Ｔａ ＋ ＡＡ 、 Ｚｒ
、 Ｈｆ 。
Ｖ、及びＷのほう化物、Ｍｏ 、 Ｗ ＋ Ｔｉ ＋
Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ、及びＳｉのりん化物並
びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なく
とも１種からなる極薄張力被膜を形成させたのち、りん
、酸塩をコロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜を形
成させること（第６発明）。
Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ、及びＳｉのりん化物並
びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なく
とも１種からなる極薄張力被膜を形成させたのち、りん
、酸塩をコロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜を形
成させること（第６発明）。
Ｃ： ０．０１〜０．０６重量％、Ｓｉ ： ２．０
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１〜０．２０重量％
、Ｓｂ ： ０．００５〜０．２０重量％、さらにＳ及
びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００５〜０．１
重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけい素
鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、そ
の後の２次再結晶及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍の際
に主としてＳｉ及びＦｅの酸化物に対して鋼板表面との
間におけるフォルステライトの生成反応を抑制する焼鈍
分離剤を鋼板表面上に塗布し、引続き仕上焼鈍を施して
（１１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ
、鋼板表面上の酸化物被膜を除去し研磨により鋼板表面
を鏡面仕上げしたのち、ＣＶＤ、イオンプレーティング
、又はイオンインプランテーションにより、鋼板中Ｆｅ
との混合相を介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ 、
Ｚｒ ＋ Ｉｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ 。
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１〜０．２０重量％
、Ｓｂ ： ０．００５〜０．２０重量％、さらにＳ及
びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００５〜０．１
重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけい素
鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、そ
の後の２次再結晶及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍の際
に主としてＳｉ及びＦｅの酸化物に対して鋼板表面との
間におけるフォルステライトの生成反応を抑制する焼鈍
分離剤を鋼板表面上に塗布し、引続き仕上焼鈍を施して
（１１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ
、鋼板表面上の酸化物被膜を除去し研磨により鋼板表面
を鏡面仕上げしたのち、ＣＶＤ、イオンプレーティング
、又はイオンインプランテーションにより、鋼板中Ｆｅ
との混合相を介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ 、
Ｚｒ ＋ Ｉｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ 。
Ｔａ 、 Ｍｎ ｔ Ｃｒ ＋ Ｍｏ ＋ Ｗ 、Ｃｏ
＋ Ｎｉ 、 Ａｌｔ、 Ｂ 。
＋ Ｎｉ 、 Ａｌｔ、 Ｂ 。
及びＳＬの窒化物及び／又は炭化物、Ａｌ 、 Ｓｉ
。
。
Ｔｉ ＋ Ｓｎ ＋ Ｆｅ ＋ Ｚｒ ＋ Ｔａ ＋及
びＣｅの酸化物、Ｓｉ 。
びＣｅの酸化物、Ｓｉ 。
Ｔｉ ＋ Ｎｂ 、 Ｔａ ｔ Ａｌ＋ Ｚｒ ＋
Ｈｆ 、 Ｖ ＋及びＷのほう化物、Ｍｏ 、 Ｗ 、
Ｔｉ 、 Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉの
りん化物並びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選
んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜を形成させる
こと（第７発明）。
Ｈｆ 、 Ｖ ＋及びＷのほう化物、Ｍｏ 、 Ｗ 、
Ｔｉ 、 Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉの
りん化物並びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選
んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜を形成させる
こと（第７発明）。
Ｃ： ０．０１〜０．０６重量％、Ｓｉ ： ２．０
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１ ”０．２０重量
％、Ｓｂ ： ０．００５〜０．２０重量％、さらにＳ
及び’Ｓｅのうち１種又は２種の合計でｏ、ｏｏｓ〜０
．１重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけ
い素鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は
中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延
板とした後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから
、その後の２次再結晶及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍
の際に主としてＳｉ及びＦｅの酸化物に対して鋼板表面
との間におけるフォルステライトの生成反応を抑制する
焼鈍分離剤を鋼板表面上に塗布し、引続き仕上焼鈍を施
して（１１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達
させ、鋼板表面上の酸化物被膜を除去し研磨により鋼板
表面を鏡面仕上げしたのち、ＣＶＤ、イオンプレーティ
ング、又はイオンインプランテーションにより、鋼板中
Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に強゛固に被着した、Ｔ
ｉ 、 Ｚｒ 、訂、 Ｖ 、 Ｎｂ 。
〜４．０重量％、Ｍｎ ： ０．０１ ”０．２０重量
％、Ｓｂ ： ０．００５〜０．２０重量％、さらにＳ
及び’Ｓｅのうち１種又は２種の合計でｏ、ｏｏｓ〜０
．１重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成になるけ
い素鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は
中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延
板とした後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから
、その後の２次再結晶及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍
の際に主としてＳｉ及びＦｅの酸化物に対して鋼板表面
との間におけるフォルステライトの生成反応を抑制する
焼鈍分離剤を鋼板表面上に塗布し、引続き仕上焼鈍を施
して（１１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達
させ、鋼板表面上の酸化物被膜を除去し研磨により鋼板
表面を鏡面仕上げしたのち、ＣＶＤ、イオンプレーティ
ング、又はイオンインプランテーションにより、鋼板中
Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に強゛固に被着した、Ｔ
ｉ 、 Ｚｒ 、訂、 Ｖ 、 Ｎｂ 。
Ｔａ、 ｌ’Ｉｎ、 Ｃｒ＋ Ｍｏ、 ｌｄ、 Ｃｏ、
Ｎｉ ＋ ＡＮ ＩＢ。
Ｎｉ ＋ ＡＮ ＩＢ。
及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、Ｑｌｌ ＋ Ｓｉ
＋Ｔｒ ＋ Ｓｎ ｌＦｅ ＋ Ｚｒ ＋ Ｔａ ＋
及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 。
＋Ｔｒ ＋ Ｓｎ ｌＦｅ ＋ Ｚｒ ＋ Ｔａ ＋
及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 。
Ｔｉ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、 Ａ ｌ ＊ Ｚｒ
＋ Ｉｆｆ 、 Ｖ 、及び−のほう化物、Ｍｏ 、
Ｗ 、 Ｔｉ ＋ Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ、及
びＳｉのりん化物並びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のう
ちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜を形
成させたのち、りん酸塩とコロイダルシリカを主成分と
する絶縁被膜を形成させること（第８発明）。
＋ Ｉｆｆ 、 Ｖ 、及び−のほう化物、Ｍｏ 、
Ｗ 、 Ｔｉ ＋ Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ、及
びＳｉのりん化物並びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のう
ちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜を形
成させたのち、りん酸塩とコロイダルシリカを主成分と
する絶縁被膜を形成させること（第８発明）。
上記各発明の成功が導かれた具体的実験に従って説明を
進める。
進める。
（ａ） Ｃ０，０４２重量％、Ｓｉ３．１２重量％、Ｍ
ｎＯ，０６２重量％、３０．００４重量％、Ｓｅ０．０
２０重量％、及びＳｂＯ，０２５重量％ （ｂ） Ｃ０，０３９重量％、Ｓｉ３．０９重量％、Ｍ
ｎ０．０５９重量％、３０．００８重量％、Ｓｅ０．０
１４重量％及びＳｂＯ，０２，５重量％ をそれぞれ含有するけい素鋼スラブを熱間圧延により２
．４龍厚の熱延板とした。
ｎＯ，０６２重量％、３０．００４重量％、Ｓｅ０．０
２０重量％、及びＳｂＯ，０２５重量％ （ｂ） Ｃ０，０３９重量％、Ｓｉ３．０９重量％、Ｍ
ｎ０．０５９重量％、３０．００８重量％、Ｓｅ０．０
１４重量％及びＳｂＯ，０２，５重量％ をそれぞれ含有するけい素鋼スラブを熱間圧延により２
．４龍厚の熱延板とした。
その後９５０℃の中間焼鈍を挟み２回の冷間圧延を施し
て０．３０ｍｍ厚の最終冷延板とした。
て０．３０ｍｍ厚の最終冷延板とした。
その後８２０℃の湿水素中で脱炭を兼ねる１次再結晶焼
鈍を施した後２種類の冷延鋼板をおのおの２分して、 （１）鋼板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を
スラリー状にして塗布 （２）鋼板表面上にＡ Ｉｔ ｚＯｚ （６０重量％）
、Ｍｇ０（２５重重量） 、４ｒＯｚ（１０重重量）
、Ｔｉ（ｈ（５重量％）から成る焼鈍分離剤を用い、
スラリー状塗布にて２通りの処理を行いその後何れも８
５０°Ｃで５０時間の焼鈍により２次再結晶させた後、
１２００℃で５時間軟水素中で純化焼鈍を施した。
鈍を施した後２種類の冷延鋼板をおのおの２分して、 （１）鋼板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を
スラリー状にして塗布 （２）鋼板表面上にＡ Ｉｔ ｚＯｚ （６０重量％）
、Ｍｇ０（２５重重量） 、４ｒＯｚ（１０重重量）
、Ｔｉ（ｈ（５重量％）から成る焼鈍分離剤を用い、
スラリー状塗布にて２通りの処理を行いその後何れも８
５０°Ｃで５０時間の焼鈍により２次再結晶させた後、
１２００℃で５時間軟水素中で純化焼鈍を施した。
その後鋼板表面上のフォルステライト被膜あるいは酸化
物を、 （Ａ）酸洗により除去したもの、および、（Ｂ）酸洗除
去後化学研磨により鋼板表面を中心線平均粗さ０．４μ
ｍ以下の鏡面状態にしたものについてその後ＣＶＤによ
り鋼板表面上にＴｉＮ（０，６μｍ厚）の極薄張力被膜
を形成させた。
物を、 （Ａ）酸洗により除去したもの、および、（Ｂ）酸洗除
去後化学研磨により鋼板表面を中心線平均粗さ０．４μ
ｍ以下の鏡面状態にしたものについてその後ＣＶＤによ
り鋼板表面上にＴｉＮ（０，６μｍ厚）の極薄張力被膜
を形成させた。
（Ａ） 、 （Ｂ）何れについても１部の試料はりん酸
塩とコロイダルシリカを主成分とするコーテイング液を
塗布し、コーティング処理を施した。
塩とコロイダルシリカを主成分とするコーテイング液を
塗布し、コーティング処理を施した。
そのときの製品の磁気特性を通常工程材と比較して表１
に示す。
に示す。
表１から明らかなように素材成分（ａ） 、 （ｂ）の
各一方向性けい素鋼板は、何れもこの発明の処理工程で
処理すると通常工程材（比較材）にくらべて磁束密度Ｂ
１゜で０．０１〜０．０２Ｔ 、鉄損ＷＩＴ／Ｓ。で０
．１２〜０．２０Ｗハｇと大幅に特性向上することが注
目される。
各一方向性けい素鋼板は、何れもこの発明の処理工程で
処理すると通常工程材（比較材）にくらべて磁束密度Ｂ
１゜で０．０１〜０．０２Ｔ 、鉄損ＷＩＴ／Ｓ。で０
．１２〜０．２０Ｗハｇと大幅に特性向上することが注
目される。
（作用）
このような大幅の特性向上は従来一方向性けい素鋼板の
絶縁性確保のためフォルステライト下地被膜を用いてい
たのに対し、この発明はフォルステライト下地被膜を用
いず、前記極薄張力被膜を用いたためである。
絶縁性確保のためフォルステライト下地被膜を用いてい
たのに対し、この発明はフォルステライト下地被膜を用
いず、前記極薄張力被膜を用いたためである。
この極薄張力被膜は鋼板との間に強力な張力を加えるこ
とによって磁区を細分化するとともに、鋼中のＣ，Ｎ等
を被膜中に拡散させ純度を向上させる効果−も加わるた
めに磁区特性を大幅に向上させることができたと考えら
れる。
とによって磁区を細分化するとともに、鋼中のＣ，Ｎ等
を被膜中に拡散させ純度を向上させる効果−も加わるた
めに磁区特性を大幅に向上させることができたと考えら
れる。
ここにこの発明において素材の含有成分および工程条件
を限定する理由を以下にのべる。
を限定する理由を以下にのべる。
Ｃは０．０１重量％より少ないと熱延集合組織制御が困
難で大きな伸長粒が形成されるため磁気特性が劣化し、
一方Ｃが０．０６重量％より多いと脱炭工程で脱炭に時
間がかかり経済的でないので０．０１〜０．０６重量％
の範囲にする必要がある。
難で大きな伸長粒が形成されるため磁気特性が劣化し、
一方Ｃが０．０６重量％より多いと脱炭工程で脱炭に時
間がかかり経済的でないので０．０１〜０．０６重量％
の範囲にする必要がある。
Ｓｉは２．０重量％より少ないと電気抵抗が低く渦電流
損失増大に基づく鉄損値が大きくなり、一方４．０重量
％より多いと冷延の際にぜい性割れを生し易いため、２
．０〜４．０重量％の範囲内にする必要がある。
損失増大に基づく鉄損値が大きくなり、一方４．０重量
％より多いと冷延の際にぜい性割れを生し易いため、２
．０〜４．０重量％の範囲内にする必要がある。
Ｍｎは一方向性けい素鋼板の２次再結晶を左右する分散
析出相（インヒビター）のＭｎＳあるいはＭｎＳｅを形
成する重要な成分である。Ｍｎ量が０．０１重量％を下
履ると２次再結晶を起させるのに必要なＭｎＳなどの全
体量が不足し、不完全２次再結晶を起こすと同時に、ブ
リスターと呼ばれる表面欠陥が増大する。一方Ｍｎ１ｌ
が０．２重量％を超えると、スラブ加熱時においてＭｎ
Ｓなどの解離固溶が困難となる。またかりに解離・固溶
が行なわれたとしても、熱延時に析出する分離析出相は
粗大化しやすく、 ４抑制剤として望まれ
る最適サイズ分布は損なわれ、磁気特性は劣化するので
Ｍｎは０．０１〜０．２重量％の範囲にする必要がある
。
析出相（インヒビター）のＭｎＳあるいはＭｎＳｅを形
成する重要な成分である。Ｍｎ量が０．０１重量％を下
履ると２次再結晶を起させるのに必要なＭｎＳなどの全
体量が不足し、不完全２次再結晶を起こすと同時に、ブ
リスターと呼ばれる表面欠陥が増大する。一方Ｍｎ１ｌ
が０．２重量％を超えると、スラブ加熱時においてＭｎ
Ｓなどの解離固溶が困難となる。またかりに解離・固溶
が行なわれたとしても、熱延時に析出する分離析出相は
粗大化しやすく、 ４抑制剤として望まれ
る最適サイズ分布は損なわれ、磁気特性は劣化するので
Ｍｎは０．０１〜０．２重量％の範囲にする必要がある
。
Ｓｂは発明者らがかつて開示した特公昭３８−８２１４
号公報によれば、０．００５〜０．１重量％、または同
様に発明者らがさきに開示した特公昭５１−１３４６９
号公報によれば０．００５〜０．２重量％において、微
細のＳｅまたはＳとともに含有されることにより、１次
粒の成長が抑制されることが知られているとおりであり
、その含有量は０．００５重量％より少ないと１次再結
晶粒抑制効果が少なく、一方０．２重量％より多いと磁
束密度が低下し始めて磁気特性を劣化させるのでＳｂは
０．００５〜０．２重量％の範囲内にする必要がある。
号公報によれば、０．００５〜０．１重量％、または同
様に発明者らがさきに開示した特公昭５１−１３４６９
号公報によれば０．００５〜０．２重量％において、微
細のＳｅまたはＳとともに含有されることにより、１次
粒の成長が抑制されることが知られているとおりであり
、その含有量は０．００５重量％より少ないと１次再結
晶粒抑制効果が少なく、一方０．２重量％より多いと磁
束密度が低下し始めて磁気特性を劣化させるのでＳｂは
０．００５〜０．２重量％の範囲内にする必要がある。
次にこの発明による一連の製造工程について説明する。
まず素材を溶製するにはＬＤ転炉、電気炉、平炉その他
公知の製鋼炉ｉ用いて行い得ることは勿論、真空処理、
真空溶解を併用することができる。
公知の製鋼炉ｉ用いて行い得ることは勿論、真空処理、
真空溶解を併用することができる。
この場合溶鋼中に含有されるＳ、Ｓｅの何れか少なくと
も１種に加えてＳｂを溶鋼中に添加するには、従来公知
の何れの方法を用いることもでき、例えばＬＤ転炉、Ｉ
ＩＦ＋脱ガス終了時又は造塊時の溶鋼中に添加すること
ができる。
も１種に加えてＳｂを溶鋼中に添加するには、従来公知
の何れの方法を用いることもでき、例えばＬＤ転炉、Ｉ
ＩＦ＋脱ガス終了時又は造塊時の溶鋼中に添加すること
ができる。
連続鋳造スラブまたは造塊した鋼塊はそれぞれ公知の方
法で熱間圧延に付される。通常スラブを熱延板に圧延す
るのは当然で、得られる熱延板の厚みは後続の冷延工程
の支配を受けるが通常１．５〜３．５鰭厚程度とするこ
とは有利である。
法で熱間圧延に付される。通常スラブを熱延板に圧延す
るのは当然で、得られる熱延板の厚みは後続の冷延工程
の支配を受けるが通常１．５〜３．５鰭厚程度とするこ
とは有利である。
次に熱延板は必要に応じて８００〜１１００°Ｃでの均
一化焼鈍を経て１回の冷間圧延で最終板厚とする１回冷
延法か又は、通常８５０℃から１０５０℃の中間焼鈍を
挟んでさらに冷延する２回冷延法にて、後者の場合最初
の圧下率は５０％から８０％程度、最終の圧下率は５０
％から８５％程度で０．１５＋＋ｍから０．３５ｍｍ厚
の最終冷延板厚とする。
一化焼鈍を経て１回の冷間圧延で最終板厚とする１回冷
延法か又は、通常８５０℃から１０５０℃の中間焼鈍を
挟んでさらに冷延する２回冷延法にて、後者の場合最初
の圧下率は５０％から８０％程度、最終の圧下率は５０
％から８５％程度で０．１５＋＋ｍから０．３５ｍｍ厚
の最終冷延板厚とする。
最終冷延を終わり製品板厚に仕上げた鋼板は、表面脱脂
後７５０℃から８５０℃の湿水素中で脱炭・１次再結晶
焼鈍処理を施す。
後７５０℃から８５０℃の湿水素中で脱炭・１次再結晶
焼鈍処理を施す。
このような処理を行なった後鋼板表面上に焼鈍分離剤を
塗布する。この際一般的には仕上げ焼鈍後の形成を不可
欠としていたフォルステライトをとくに形成させない方
がその後の鋼板の鏡面処理を簡便にするのに有効である
ので、焼鈍分離剤としてＭｇＯ主体のものを用いる場合
のほか、とくに八１１０３． ＺｒＯ２、Ｔｉ０ｚなど
を、５０％以上ＭｇＯに混入するのが好ましい。
塗布する。この際一般的には仕上げ焼鈍後の形成を不可
欠としていたフォルステライトをとくに形成させない方
がその後の鋼板の鏡面処理を簡便にするのに有効である
ので、焼鈍分離剤としてＭｇＯ主体のものを用いる場合
のほか、とくに八１１０３． ＺｒＯ２、Ｔｉ０ｚなど
を、５０％以上ＭｇＯに混入するのが好ましい。
その後２次再結晶焼鈍を行うが、この工程は（１１０１
＜００１＞方位の２次再結晶粒を充分発達させるために
施されるもので、通常箱焼鈍によって直ちに１０００℃
以上に昇温し、その温度に保持することによって行われ
る。
＜００１＞方位の２次再結晶粒を充分発達させるために
施されるもので、通常箱焼鈍によって直ちに１０００℃
以上に昇温し、その温度に保持することによって行われ
る。
この場合（１１０１＜００１＞方位に、高度に揃った２
次再結晶粒組織を発達させるためには８２０℃から９０
０℃の低温で保定焼鈍する方が有利であり、そのほか例
えば、０．５〜ｂ 焼鈍でもよい。
次再結晶粒組織を発達させるためには８２０℃から９０
０℃の低温で保定焼鈍する方が有利であり、そのほか例
えば、０．５〜ｂ 焼鈍でもよい。
２次再結晶焼鈍後の純化焼鈍は、飽水素中で１１００℃
以上で１〜２０時間焼鈍を行って、鋼板の純化を達成す
ることが必要である。
以上で１〜２０時間焼鈍を行って、鋼板の純化を達成す
ることが必要である。
この純化焼鈍後に鋼板表面のフォルステライト被膜ない
しは酸化物被膜を公知の酸洗などの化学除去法や切削、
研削などの機械的除去法又はそれらの組合せにより除去
する。
しは酸化物被膜を公知の酸洗などの化学除去法や切削、
研削などの機械的除去法又はそれらの組合せにより除去
する。
この酸化物除去処理の後、必要に応じて化学研磨、電解
研磨などの化学的研磨や、ハフ研磨などの機械的研磨あ
るいはそれらの組合せなど従来の手法により鋼板表面を
鏡面状態つまり中心線平均粗さ０．４μｍ以下に仕上げ
る。
研磨などの化学的研磨や、ハフ研磨などの機械的研磨あ
るいはそれらの組合せなど従来の手法により鋼板表面を
鏡面状態つまり中心線平均粗さ０．４μｍ以下に仕上げ
る。
酸化物除去後又は鏡面研磨後
ＣＶＤ 、イオンプレーティング又はイオンインプラン
テーションにより、 Ｔｉ ｌＺｒ 、 Ｉｆ ＋ Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ
＋ Ｍｎ 、 Ｃｒ 、 Ｍｏ 。
テーションにより、 Ｔｉ ｌＺｒ 、 Ｉｆ ＋ Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ
＋ Ｍｎ 、 Ｃｒ 、 Ｍｏ 。
讐、Ｃｏ、Ｎｉ＋Ａｊ！＋８ 及びＳｉの窒化物及び
／又は炭化物、 Ａ Ｉｔ ＋ Ｓｉ＋ Ｔｉ＋ Ｓｎ ＋ Ｆｅ ＋
Ｚｒ 、Ｔａ 及びＣｅの酸化物、 Ｓｉ 、 Ｔｉ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、 ＡＡ 、
Ｚｒ 、 Ｈｆ 、 Ｖ 。
／又は炭化物、 Ａ Ｉｔ ＋ Ｓｉ＋ Ｔｉ＋ Ｓｎ ＋ Ｆｅ ＋
Ｚｒ 、Ｔａ 及びＣｅの酸化物、 Ｓｉ 、 Ｔｉ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、 ＡＡ 、
Ｚｒ 、 Ｈｆ 、 Ｖ 。
及び−のほう化物、
Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｔｉ＋ Ｚｒ 及びＶのけい化物
、Ｂ及びＳｉのりん化物、 並びにＦｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜
を形成させる。
、Ｂ及びＳｉのりん化物、 並びにＦｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜
を形成させる。
またこの極薄張力被膜は０．１〜２μｍ程度の厚みで形
成させるのが効果的である。
成させるのが効果的である。
さらにこのように生成した極薄張力被膜上にりん酸塩と
コロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜の塗布焼付を
行うことが、１００万にν八にも上る大容量トランスの
使途において当然に必要であり、この絶縁性焼付層の形
成の如きは、従来公知の手法をそのまま用いて良い。
コロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜の塗布焼付を
行うことが、１００万にν八にも上る大容量トランスの
使途において当然に必要であり、この絶縁性焼付層の形
成の如きは、従来公知の手法をそのまま用いて良い。
（実施例）
Ｃ０，４１重量％、Ｓｉ３．０８重ｆ％、Ｍｎ０．０６
１重量％、Ｓｅ０．０１９重量％、Ｓｂ０．０２５重量
重量含有するけい素鋼熱延板（２、０ａｍ厚）を９００
℃で３分間の均一化焼鈍後、９５０℃の中間焼鈍をはさ
んで２回の冷間圧延を施して０．２３ｍ＋＋厚の最終冷
延板とした。その後８２０℃で３分間の脱炭・１次再結
晶焼鈍を施した後、Ａ ｊｌ！ ｚＯ＋ （６０重量％
） 、Ｍｇ０（２５重量％）、Ｚｒ０２（１０重量％）
、ＴｉＯ□（５重量％）を主成分とする焼鈍分離剤をス
ラリー状に塗布した。
１重量％、Ｓｅ０．０１９重量％、Ｓｂ０．０２５重量
重量含有するけい素鋼熱延板（２、０ａｍ厚）を９００
℃で３分間の均一化焼鈍後、９５０℃の中間焼鈍をはさ
んで２回の冷間圧延を施して０．２３ｍ＋＋厚の最終冷
延板とした。その後８２０℃で３分間の脱炭・１次再結
晶焼鈍を施した後、Ａ ｊｌ！ ｚＯ＋ （６０重量％
） 、Ｍｇ０（２５重量％）、Ｚｒ０２（１０重量％）
、ＴｉＯ□（５重量％）を主成分とする焼鈍分離剤をス
ラリー状に塗布した。
その後８５０℃で５０時間の低温保定の２次再結晶焼鈍
を行なった。さらにその後１２００’ｃで６時間飽水素
中で純化焼鈍を行なった後、酸洗により表面の酸化物を
除去し、電解研磨により鋼板表面を鏡面状態にした。そ
の後ＣＶＤ （表２中無印）イオンプレーティング（
表２中の○印）およびイオンインプランテーション（表
２中のΔ印）により種々の薄膜（約０．６〜０．７μｍ
厚）を形成させた後、りん酸塩とコロイダルシリカとを
主成分とするコーティング被膜を形成させた。そのとき
の製品の磁気特性を表２にまとめて示す。
を行なった。さらにその後１２００’ｃで６時間飽水素
中で純化焼鈍を行なった後、酸洗により表面の酸化物を
除去し、電解研磨により鋼板表面を鏡面状態にした。そ
の後ＣＶＤ （表２中無印）イオンプレーティング（
表２中の○印）およびイオンインプランテーション（表
２中のΔ印）により種々の薄膜（約０．６〜０．７μｍ
厚）を形成させた後、りん酸塩とコロイダルシリカとを
主成分とするコーティング被膜を形成させた。そのとき
の製品の磁気特性を表２にまとめて示す。
（発明の効果）
一方向性けい素鋼板の超低横比を有利に確保することが
できる。
できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２０重量％、 Ｓｂ：０．００５〜０．２０重量％、 さらにＳ及びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００
５〜０．１重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成に
なるけい素鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧
延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚
の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施し
てから、鋼板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤
を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して ｛１１０｝＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、
それに伴って生成した鋼板表面上のフォルステライト質
被膜を除去したのち、 ＣＶＤ、イオンプレーティング、又はイオンインプラン
テーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表
面に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ、及びＳｉの窒化物及び／
又は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、及びＣｅ
の酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、及び
Ｗのほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ、及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜
を形成させること、 を特徴とする、一方向性けい素鋼板の製造方法。 ２、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２０重量％、 Ｓｂ：０．００５〜０．２０重量％、 さらにＳ及びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００
５〜０．１重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成に
なるけい素鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧
延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚
の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施し
てから、鋼板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤
を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して （１１０）＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、
それに伴って生成した鋼板表面上のフォルステライト質
被膜を除去したのち、 ＣＶＤ、イオンプレーティング、又はイオンインプラン
テーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表
面に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ、及びＳｉの窒化物及び／
又は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、及びＣｅ
の酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、及び
Ｗのほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ、及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜
を形成させたのち、りん酸塩とコロイダルシリカを主成
分とする、絶縁被膜を形成させること を特徴とする、一方向性けい素鋼板の製造方法。 ３、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２０重量％、 Ｓｂ：０．００５〜０．２０重量％、 さらにＳ及びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００
５〜０．１重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成に
なるけい素鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧
延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚
の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施し
てから、鋼板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤
を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して （１１０）＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、
それに伴って生成した鋼板表面上のフォルステライト質
被膜を除去し研磨により鋼板表面を鏡面仕上げしたのち
、 ＣＶＤ、イオンプレーティング、又はイオンインプラン
テーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表
面に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ、及びＳｉの窒化物及び／
又は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、及びＣｅ
の酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、及び
Ｗのほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ、及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜
を形成させることを特徴とする、一方向性けい素鋼板の
製造方法。 ４、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２０重量％、 Ｓｂ：０．００５〜０．２０重量％、 さらにＳ及びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００
５〜０．１重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成に
なるけい素鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧
延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚
の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施し
てから、鋼板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤
を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して （１１０）＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、
それに伴って生成した鋼板表面上のフォルステライト質
被膜を除去し研磨により鋼板表面を鏡面仕上げしたのち
、 ＣＶＤ、イオンプレーティング、又はイオンインプラン
テーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表
面に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｈｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ、及びＳｉの窒化物及び／
又は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、及びＣｅ
の酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、及び
Ｗのほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ、及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜
を形成させたのち、りん酸塩とコロイダルシリカを主成
分とする絶縁被膜を形成させることを特徴とする、一方
向性けい素鋼板の製造方法。 ５、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２０重量％、 Ｓｂ：０．００５〜０．２０重量％、 さらにＳ及びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００
５〜０．１重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成に
なるけい素鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧
延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚
の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施し
てから、その後の２次再結晶及び純化焼鈍を含む最終仕
上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＦｅの酸化物に対して鋼
板表面との間におけるフォルステライトの生成反応を抑
制する焼鈍分離剤を鋼板表面上に塗布し、引続き仕上焼
鈍を施して（１１０）＜００１＞方位の２次再結晶粒を
発達させ、鋼板表面上の酸化物被膜を除去したのち、 ＣＶＤ、イオンプレーティング、又はイオンインプラン
テーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表
面に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ、及びＳｉの窒化物及び／
又は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、及びＣｅ
の酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、及び
Ｗのほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ、及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜
を形成させること、 を特徴とする、一方向性けい素鋼板の製造方法。 ６、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２０重量％、 Ｓｂ：０．００５〜０．２０重量％、 さらにＳ及びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００
５〜０．１重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成に
なるけい素鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧
延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚
の冷延板とした後、脱炭を兼ねた２次再結晶焼鈍を施し
てから、その後の２次再結晶及び純化焼鈍を含む最終仕
上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＦｅの酸化物に対して鋼
板表面との間におけるフォルステライトの生成反応を抑
制する焼鈍分離剤を鋼板表面上に塗布し、引続き仕上焼
鈍を施して（１１０）＜００１＞方位の２次再結晶粒を
発達させ、鋼板表面上の酸化物被膜を除去したのち、 ＣＶＤ、イオンプレーティング、又はイオンインプラン
テーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表
面に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ、及びＳｉの窒化物及び／
又は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、及びＣｅ
の酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、及び
Ｗのほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ、及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜
を形成させたのち、りん酸塩とコロイダルシリカを主成
分とする絶縁被膜を形成させること、 を特徴とする、一方向性けい素鋼板の製造方法。 ７、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２０重量％、 Ｓｂ：０．００５〜０．２０重量％、 さらにＳ及びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００
５〜０．１重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成に
なるけい素鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧
延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚
の冷延板とした後、脱炭を兼ねた２次再結晶焼鈍を施し
てから、その後の２次再結晶及び純化焼鈍を含む最終仕
上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＦｅの酸化物に対して鋼
板表面との間におけるフォルステライトの生成反応を抑
制する焼鈍分離剤を鋼板表面上に塗布し、引続き仕上焼
鈍を施して（１１０）＜００１＞方位の２次再結晶粒を
発達させ、鋼板表面上の酸化物被膜を除去し研磨により
鋼板表面を鏡面仕上げしたのち、 ＣＶＤ、イオンプレーティング、又はイオンインプラン
テーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表
面に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ、及びＳｉの窒化物及び／
又は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、及びＣｅ
の酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、及び
Ｗのほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ、及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜
を形成させること、 を特徴とする、一方向性けい素鋼板の製造方法。 ８、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２０重量％、 Ｓｂ：０．００５〜０．２０重量％、 さらにＳ及びＳｅのうち１種又は２種の合計で０．００
５〜０．１重量％を含有し、残部実質的にＦｅの組成に
なるけい素鋼スラブを熱間圧延し、ついで１回の冷間圧
延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚
の冷延板とした後、脱炭を兼ねた２次再結晶焼鈍を施し
てから、その後の２次再結晶及び純化焼鈍を含む最終仕
上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＦｅの酸化物に対して鋼
板表面との間におけるフォルステライトの生成反応を抑
制する焼鈍分離剤を鋼板表面上に塗布し、引続き仕上焼
鈍を施して（１１０）＜００１＞方位の２次再結晶粒を
発達させ、鋼板表面上の酸化物被膜を除去し研磨により
鋼板表面を鏡面仕上げしたのち、 ＣＶＤ、イオンプレーティング、又はイオンインプラン
テーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表
面に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ、及びＳｉの窒化物及び／
又は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ、及びＣｅ
の酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、及び
Ｗのほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ、及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種からなる極薄張力被膜
を形成させること、 を特徴とする、一方向性けい素鋼板の製造方法。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60161228A JPS6222406A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 一方向性けい素鋼板の製造方法 |
| EP86301071A EP0193324B1 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-17 | Extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets |
| DE8686301071T DE3666229D1 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-17 | Extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets |
| AU53747/86A AU570835B2 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-19 | Metal nitride/carbide coated grain oriented silicon steel sheet |
| CA000502337A CA1297070C (en) | 1985-02-22 | 1986-02-20 | Extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets |
| US06/907,734 US4713123A (en) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Method of producing extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets |
| PCT/JP1986/000087 WO1986004929A1 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Process for producing unidirectional silicon steel plate with extraordinarily low iron loss |
| US06/832,172 US4698272A (en) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets |
| DE8686904726T DE3673290D1 (de) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Herstellungsverfahren fuer unidirektionale siliziumstahlplatte mit aussergewoehnlichem eisenverlust. |
| EP86904726A EP0215134B1 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Process for producing unidirectional silicon steel plate with extraordinarily low iron loss |
| KR1019860001259A KR910006011B1 (ko) | 1985-02-22 | 1986-02-22 | 극저철손 결정 방향성 규소 강판 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60161228A JPS6222406A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 一方向性けい素鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6222406A true JPS6222406A (ja) | 1987-01-30 |
| JPH0374485B2 JPH0374485B2 (ja) | 1991-11-27 |
Family
ID=15731062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60161228A Granted JPS6222406A (ja) | 1985-02-22 | 1985-07-23 | 一方向性けい素鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6222406A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144419A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-15 | Kawasaki Steel Co | Method of making one directional silicon steel plate with extremely low core loss |
-
1985
- 1985-07-23 JP JP60161228A patent/JPS6222406A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53144419A (en) * | 1977-05-23 | 1978-12-15 | Kawasaki Steel Co | Method of making one directional silicon steel plate with extremely low core loss |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0374485B2 (ja) | 1991-11-27 |
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