JPS62182222A - 一方向性けい素鋼板の製造方法 - Google Patents
一方向性けい素鋼板の製造方法Info
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- JPS62182222A JPS62182222A JP61022848A JP2284886A JPS62182222A JP S62182222 A JPS62182222 A JP S62182222A JP 61022848 A JP61022848 A JP 61022848A JP 2284886 A JP2284886 A JP 2284886A JP S62182222 A JPS62182222 A JP S62182222A
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Landscapes
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- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
一方向性けい素鋼板の電気・磁気的特性の改善、なかで
も、鉄損の低減に係わる極限的な要請を満たそうとする
近年来の目覚ましい開発努力は、逐次その実を挙げつつ
あるが、その実施に伴う重大な弊害として、一方向性け
い素鋼板の使用に当たっての加工、組立てを経たのちい
わゆるひずみ取り焼鈍がほどこされた場合に、特性劣化
の随伴を不可避に生じて、使途についての制限を受ける
不利が指摘される。
も、鉄損の低減に係わる極限的な要請を満たそうとする
近年来の目覚ましい開発努力は、逐次その実を挙げつつ
あるが、その実施に伴う重大な弊害として、一方向性け
い素鋼板の使用に当たっての加工、組立てを経たのちい
わゆるひずみ取り焼鈍がほどこされた場合に、特性劣化
の随伴を不可避に生じて、使途についての制限を受ける
不利が指摘される。
この明細書では、ひずみ取り焼鈍のような高温の熱履歴
を経ると否とに拘わらず、上記要請を有利に充足し得る
新たな方途を拓くことについての開発研究の成果に関連
して以下に述べる。
を経ると否とに拘わらず、上記要請を有利に充足し得る
新たな方途を拓くことについての開発研究の成果に関連
して以下に述べる。
さて一方向性けい素鋼板は、よく知られているとおり製
品の２次再結晶粒を（１１０） ＜００１＞ 、すなわ
らゴス方位に、高度に集積させたもので、主として変圧
器その他の電気Ｎ’？５の鉄心として使用され電気・磁
気的特性として製品の磁束密度（ＩＬ。
品の２次再結晶粒を（１１０） ＜００１＞ 、すなわ
らゴス方位に、高度に集積させたもので、主として変圧
器その他の電気Ｎ’？５の鉄心として使用され電気・磁
気的特性として製品の磁束密度（ＩＬ。
値で代表される）が高く、鉄ＦＡ（Ｗ＋ｔｚｓｏ値で代
表さる）の低いことが要求される。
表さる）の低いことが要求される。
この一方向性けい素鋼板は複雑多岐にわたる工程を経て
製造されるが、今までにおびただしい発明改善が加えら
れ、今日では板厚０．３０ｍ−の製品の磁気特性が８．
．１．９０Ｔ以上、Ｗ＋ ｔｚｓｏｌ、０５Ｗ／ ｋｇ
以下、また＋ＨＨＯ、２３謹■の製品の磁気特性が８１
゜１．８９Ｔ以上、ＷＩ７／Ｓ。０．９０Ｗ／ｋｇ以下
の低鉄損一方向性けい素鋼板が製造されるようになって
来ている。
製造されるが、今までにおびただしい発明改善が加えら
れ、今日では板厚０．３０ｍ−の製品の磁気特性が８．
．１．９０Ｔ以上、Ｗ＋ ｔｚｓｏｌ、０５Ｗ／ ｋｇ
以下、また＋ＨＨＯ、２３謹■の製品の磁気特性が８１
゜１．８９Ｔ以上、ＷＩ７／Ｓ。０．９０Ｗ／ｋｇ以下
の低鉄損一方向性けい素鋼板が製造されるようになって
来ている。
特に最近では省エネの見地から電力１員失の低減を特徴
とする請が著しく強まり、欧米では損失の少ない変圧器
を作る場合に鉄損の減少分を金額に換算して変圧器価格
に上積みする「ロス・エバリユエーション」 （鉄１員
評価）制度が普及している。
とする請が著しく強まり、欧米では損失の少ない変圧器
を作る場合に鉄損の減少分を金額に換算して変圧器価格
に上積みする「ロス・エバリユエーション」 （鉄１員
評価）制度が普及している。
（従来の技術）
このような状況下において最近、一方向性けい素鋼板の
仕上焼鈍後の鋼板表面に圧延方向にほぼ直角方向でのレ
ーザー照射により局部微小ひずみを導入して磁区を細分
化し、もって鉄損を低下させることが提案された（特公
昭５７−２２５２号、特公昭５７−５３４１９号、特公
昭５８−２６４０５号及び特公昭５８−２６４０６号公
報参照）。
仕上焼鈍後の鋼板表面に圧延方向にほぼ直角方向でのレ
ーザー照射により局部微小ひずみを導入して磁区を細分
化し、もって鉄損を低下させることが提案された（特公
昭５７−２２５２号、特公昭５７−５３４１９号、特公
昭５８−２６４０５号及び特公昭５８−２６４０６号公
報参照）。
この磁区細分化技術はひずみ取り焼鈍を施さない、積鉄
心向はトランス材料として効果的であるが、ひずみ取り
焼鈍を施す、主として巻鉄心トランス材料にあっては、
レーザー照射によって折角導入された局部微少ひずみが
焼鈍処理により開放されて磁区幅が広くなるため、レー
ザー照射効果が失われるという欠点がある。
心向はトランス材料として効果的であるが、ひずみ取り
焼鈍を施す、主として巻鉄心トランス材料にあっては、
レーザー照射によって折角導入された局部微少ひずみが
焼鈍処理により開放されて磁区幅が広くなるため、レー
ザー照射効果が失われるという欠点がある。
一方これより先に特公昭５２−２４４９９号公報におい
ては、一方向性けい素鋼板の仕上げ焼鈍後の鋼板表面を
鏡面仕上げするか又はその鏡面仕上げ面上に金属薄めっ
きやさらにその上に絶縁被膜を塗布焼付けすることによ
る、超低鉄損一方向性けい素鋼板の製造方法が提案され
ている。
ては、一方向性けい素鋼板の仕上げ焼鈍後の鋼板表面を
鏡面仕上げするか又はその鏡面仕上げ面上に金属薄めっ
きやさらにその上に絶縁被膜を塗布焼付けすることによ
る、超低鉄損一方向性けい素鋼板の製造方法が提案され
ている。
しかしながらこの鏡面仕上げによる鉄損向上手法は、工
程的に採用するには、著しいコストアップになる割りに
鉄損低減への寄与が十分でない上、とくに鏡面仕上後に
不可欠な絶縁被膜を塗布焼付した後の密着性に問題があ
るため、現在の製造工程において採用されるに至っては
いない。
程的に採用するには、著しいコストアップになる割りに
鉄損低減への寄与が十分でない上、とくに鏡面仕上後に
不可欠な絶縁被膜を塗布焼付した後の密着性に問題があ
るため、現在の製造工程において採用されるに至っては
いない。
また特公昭５６−４１５０号公報においても鋼板表面を
鏡面仕上げした後、酸化物セラミックス薄膜を蒸着する
方法が提案されている。しかしながらこの方法も６００
°Ｃ以上の高温焼鈍を施すと鋼板とセラミックス層とが
はく離するため、実際の製造工程では採用できない。
鏡面仕上げした後、酸化物セラミックス薄膜を蒸着する
方法が提案されている。しかしながらこの方法も６００
°Ｃ以上の高温焼鈍を施すと鋼板とセラミックス層とが
はく離するため、実際の製造工程では採用できない。
（発明が解決しようとする問題点）
発明者らは上記した鏡面仕上による鉄損向上の実効をよ
り有利に引き出すことも含めその場合でも、今日の省エ
ネ材料開発の観点では」二記したごときコストアップの
不ｆｌｆをｆｉ駕する特性、なかでも高温処理でも特性
劣化を伴うことなくして絶縁層の密着性、耐久性の問題
を克服することが肝要と考え、このような基本認識に立
脚し、とくに仕上焼鈍済みの方向性けい素綱板表面上の
酸化物を除去した場合、さらにはその後に研磨を施し鏡
面状態とする場合も含め、該酸化物除去後における鋼板
処理方法の組木的改善によってとくに有利な超低鉄Ｉ員
化を達成することが発明の目的である。
り有利に引き出すことも含めその場合でも、今日の省エ
ネ材料開発の観点では」二記したごときコストアップの
不ｆｌｆをｆｉ駕する特性、なかでも高温処理でも特性
劣化を伴うことなくして絶縁層の密着性、耐久性の問題
を克服することが肝要と考え、このような基本認識に立
脚し、とくに仕上焼鈍済みの方向性けい素綱板表面上の
酸化物を除去した場合、さらにはその後に研磨を施し鏡
面状態とする場合も含め、該酸化物除去後における鋼板
処理方法の組木的改善によってとくに有利な超低鉄Ｉ員
化を達成することが発明の目的である。
（問題点を解決するための手段）
上述した目的は次の事項を骨子とする構成によって有利
に充足される。
に充足される。
Ｃ：０．０１〜０．０６重量％（以下単に％で示す）、
Ｓｉ：２．Ｏ〜４．０％、Ｍｎ：０．０１〜０．２％、
Ｂ ：０．０００３〜０．０２％、Ｃｕ：０．０１〜１
．０％、Ｓ ：０．００５〜０．０５％およびＮ ：
０．００１〜０．０１％を含有する組成になるけい素鋼
スラブを、熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、綱
板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、
引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位の
２次再結晶粒を発達させ、それに伴って生成した綱板表
面上のフォルステライト質被膜を除去したのち、ＣＶＤ
、イオンプレーティング又はイオンインプランテーショ
ンにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に強固
に被着した、Ｔｉ 、 Ｚｒ 、 Ｉｆｆ 、Ｖ 、
Ｎｂ 、 Ｔａ 。
Ｓｉ：２．Ｏ〜４．０％、Ｍｎ：０．０１〜０．２％、
Ｂ ：０．０００３〜０．０２％、Ｃｕ：０．０１〜１
．０％、Ｓ ：０．００５〜０．０５％およびＮ ：
０．００１〜０．０１％を含有する組成になるけい素鋼
スラブを、熱間圧延し、ついで１回の冷間圧延又は中間
焼鈍を挟む２回の冷間圧延を施して最終板厚の冷延板と
した後、脱炭を兼ねた１次再結晶焼鈍を施してから、綱
板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、
引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位の
２次再結晶粒を発達させ、それに伴って生成した綱板表
面上のフォルステライト質被膜を除去したのち、ＣＶＤ
、イオンプレーティング又はイオンインプランテーショ
ンにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面に強固
に被着した、Ｔｉ 、 Ｚｒ 、 Ｉｆｆ 、Ｖ 、
Ｎｂ 、 Ｔａ 。
Ｍｎ、 Ｃｒ、 Ｍｏ、 Ｗ、 Ｃｏ、 Ｎｉ 、八
ｌ 、Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、ＡＩ 、
Ｓｉ 、Ｔｉ ＋ Ｓｎ 。
ｌ 、Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、ＡＩ 、
Ｓｉ 、Ｔｉ ＋ Ｓｎ 。
Ｆｅ 、 Ｚｒ 、 Ｔａ及びＣｅの酸化物、Ｓｉ ＋
Ｔｉ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ。
Ｔｉ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ。
＾１．Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ及びＷのほう化物、Ｍｏ 、 Ｗ
。
。
Ｔｉ 、 Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのり
ん化物並びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選ん
だ少なくとも１種から主としてなる極薄張力被膜を形成
させること（第１発明）。
ん化物並びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選ん
だ少なくとも１種から主としてなる極薄張力被膜を形成
させること（第１発明）。
Ｃ：０．０１〜０．０６％、Ｓｉ ：２．Ｏ〜４．０％
、Ｍｎ：０．０１〜０．２％、Ｂ：０．０Ｏ０３〜０．
０２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０．００５
〜０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．０１％を
含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、つ
いで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延
を施して最終ｖｉ厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１
次再結晶焼鈍を施してから、綱板表面上にＭｇＯを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して
（１１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ
、それに伴って生成した綱板表面上のフォルステライト
質被膜を除去したのち、ＣＶＯ、イオンプレーティング
又はイオンインフ”ランチ−ジョンにより、ａｔ反灰中
ｅとの混合相を介し鋼板表面に強固に被着した、”！
＋ Ｚｒ 。
、Ｍｎ：０．０１〜０．２％、Ｂ：０．０Ｏ０３〜０．
０２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０．００５
〜０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．０１％を
含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、つ
いで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延
を施して最終ｖｉ厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１
次再結晶焼鈍を施してから、綱板表面上にＭｇＯを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して
（１１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ
、それに伴って生成した綱板表面上のフォルステライト
質被膜を除去したのち、ＣＶＯ、イオンプレーティング
又はイオンインフ”ランチ−ジョンにより、ａｔ反灰中
ｅとの混合相を介し鋼板表面に強固に被着した、”！
＋ Ｚｒ 。
ＩＩＩ 、Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、Ｍｎ 、 Ｃｒ
＋ Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｃｏ ＋ Ｎｉ ＋へｌ、
Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、ＡＩ 。
＋ Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｃｏ ＋ Ｎｉ ＋へｌ、
Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、ＡＩ 。
Ｓ ｊ １Ｔｊ Ｉ Ｓｎ ＋Ｆｅ Ｊｒ ＋ Ｔａ及
びＣｅの酸化物、Ｓｉ。
びＣｅの酸化物、Ｓｉ。
Ｔｉ 、 Ｎｂ 、Ｔａ ＋へｌ 、 Ｚｒ ＋ Ｉｆ
ｆ 、 Ｖ及び−のほう化物、Ｍｏ 、ｈ ＋ Ｔｉ
＋ Ｚｒ及びνのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並び
に、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なくと
も１種から主としてなる極薄張力被膜を形成させたのち
、りん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜
を形成させること（第２発明）。
ｆ 、 Ｖ及び−のほう化物、Ｍｏ 、ｈ ＋ Ｔｉ
＋ Ｚｒ及びνのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並び
に、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なくと
も１種から主としてなる極薄張力被膜を形成させたのち
、りん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜
を形成させること（第２発明）。
Ｃ：０．０１〜０．０６％、Ｓｉ：２．Ｏ〜４．０％、
Ｍｎ：０．０１〜０．２％、Ｂ：Ｏ，０Ｏ０３〜０．０
２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０．００５〜
０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．０１％を含
有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、つい
で１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を
施して最終板厚の冷延板とじた後、脱炭を兼ねた１次再
結晶焼鈍を施してから、綱板表面上にＭｇＯを主成分と
する焼鈍分離剤を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して（１
１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、そ
れに伴って生成した綱板表面上のフォルステライト質被
膜を除去し、ついで研磨により鋼板表面を鏡面仕上げし
たのち、ＣＶＤ、イオンプレーティング又はイオンイン
プランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し
鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ 、Ｚｒ 、 Ｉｆｆ
。
Ｍｎ：０．０１〜０．２％、Ｂ：Ｏ，０Ｏ０３〜０．０
２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０．００５〜
０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．０１％を含
有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、つい
で１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を
施して最終板厚の冷延板とじた後、脱炭を兼ねた１次再
結晶焼鈍を施してから、綱板表面上にＭｇＯを主成分と
する焼鈍分離剤を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して（１
１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、そ
れに伴って生成した綱板表面上のフォルステライト質被
膜を除去し、ついで研磨により鋼板表面を鏡面仕上げし
たのち、ＣＶＤ、イオンプレーティング又はイオンイン
プランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し
鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ 、Ｚｒ 、 Ｉｆｆ
。
Ｖ ＋ Ｎｂ 、 Ｔａ 、 Ｍｎ ｌＣｒ ＋ Ｍｏ
、 Ｗ 、 Ｃｏ ＋ Ｎｉ 。
、 Ｗ 、 Ｃｏ ＋ Ｎｉ 。
ＡＩ 、 Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、ＡＩ
。
。
Ｓｉ 、 Ｔｉ 、 Ｓｎ Ｊｅ 、 Ｚｒ ＋ Ｔａ
及びＣｅの酸化物、Ｓｉ。
及びＣｅの酸化物、Ｓｉ。
ｒｔ 、 Ｎｂ 、Ｔａ ＋へ１． Ｚｒ 、 Ｉｆｆ
、 Ｖ 、及び−のほう化物、Ｍ６ ＋ Ｗ ＋Ｔｔ
＋ Ｚｒ及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並
びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なく
とも１種から主としてなる極薄張力被膜を形成させるこ
と（第３発明）。
、 Ｖ 、及び−のほう化物、Ｍ６ ＋ Ｗ ＋Ｔｔ
＋ Ｚｒ及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並
びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なく
とも１種から主としてなる極薄張力被膜を形成させるこ
と（第３発明）。
Ｃ：０．０１〜０．０６％、Ｓｉ：２．Ｑ 〜４．０％
、Ｍｎ：０．０１〜０．２％、Ｂ：０．０Ｏ０３〜０．
０２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０．００５
〜０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．０１％を
含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、つ
いで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延
を施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次
再結晶焼鈍を施してから、綱板表面上にＭｇＯを主成分
とする焼鈍分離剤を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して（
１１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、
それに伴って生成した綱板表面上のフォルステライト質
被膜を除去し、ついで研磨により鋼板表面を鏡面仕上げ
したのち、ＣＶＤ 、イオンプレーティング又はイオン
インプランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を
介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ ＋ Ｚｒ ＋
ＩＩｆ＋Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、 Ｍｎ 、 Ｃｒ
、 Ｍｏ 、 Ｗ ＋ Ｃｏ 、 Ｎｉ ＋ＡＩ 、
Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、八１゜Ｓｉ
＋ Ｔｉ ＋ Ｓｎ 、Ｆｅ 、 Ｚｒ 、 Ｔａ及び
Ｃｅの酸化物、Ｓｉ。
、Ｍｎ：０．０１〜０．２％、Ｂ：０．０Ｏ０３〜０．
０２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０．００５
〜０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．０１％を
含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、つ
いで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延
を施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次
再結晶焼鈍を施してから、綱板表面上にＭｇＯを主成分
とする焼鈍分離剤を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して（
１１０） ＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、
それに伴って生成した綱板表面上のフォルステライト質
被膜を除去し、ついで研磨により鋼板表面を鏡面仕上げ
したのち、ＣＶＤ 、イオンプレーティング又はイオン
インプランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を
介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ ＋ Ｚｒ ＋
ＩＩｆ＋Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、 Ｍｎ 、 Ｃｒ
、 Ｍｏ 、 Ｗ ＋ Ｃｏ 、 Ｎｉ ＋ＡＩ 、
Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、八１゜Ｓｉ
＋ Ｔｉ ＋ Ｓｎ 、Ｆｅ 、 Ｚｒ 、 Ｔａ及び
Ｃｅの酸化物、Ｓｉ。
Ｔｉ 、 Ｎｂ 、Ｔａ 、八Ｉ ＋ Ｚｒ 、！Ｉｆ
、Ｖ及びＷのほう化物、Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｔｉ ＋
Ｚｒ及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並びに
、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なくとも
１種から主としてなる極薄張力被膜を形成させたのち、
りん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする絶縁波１１
９．を形成させること（第４発明）。
、Ｖ及びＷのほう化物、Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｔｉ ＋
Ｚｒ及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並びに
、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なくとも
１種から主としてなる極薄張力被膜を形成させたのち、
りん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする絶縁波１１
９．を形成させること（第４発明）。
Ｃ：０．０１〜０．０６％、Ｓｉ：２．Ｏ〜４．０％、
Ｍｎ：０．０１〜０．２％、Ｂ：０．０００３〜０．０
２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０．００５〜
０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．０１％を含
有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、つい
で１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を
施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次再
結晶焼鈍を施してから、その後の２次再結晶及び純化焼
鈍を含む最終仕上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＦｅの酸
化物に対して鋼板表面との間におけるフォルステライト
の生成反応を抑制する焼鈍分離剤を綱板表面上に塗布し
、引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位
の２次再結晶粒を発達させ、綱板表面上の酸化物被膜を
除去したのち、ＣＶＤ、イオンプレーティング又はイオ
ンインプランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相
を介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ。
Ｍｎ：０．０１〜０．２％、Ｂ：０．０００３〜０．０
２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０．００５〜
０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．０１％を含
有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、つい
で１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を
施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次再
結晶焼鈍を施してから、その後の２次再結晶及び純化焼
鈍を含む最終仕上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＦｅの酸
化物に対して鋼板表面との間におけるフォルステライト
の生成反応を抑制する焼鈍分離剤を綱板表面上に塗布し
、引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位
の２次再結晶粒を発達させ、綱板表面上の酸化物被膜を
除去したのち、ＣＶＤ、イオンプレーティング又はイオ
ンインプランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相
を介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ。
Ｚｒ 、Ｈｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、 Ｍｎ
、 Ｃｒ 、 Ｍｏ 、 ＩＡ 、 Ｃｏ。
、 Ｃｒ 、 Ｍｏ 、 ＩＡ 、 Ｃｏ。
Ｎｉ 、 ＡＩ 、 Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又は炭
化物、八Ｉ 、 Ｓｉ ＋ Ｔｉ ＋ Ｓｎ ＋ Ｆｅ
、 Ｚｒ ＋ Ｔａ及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 、
Ｔｉ 、 Ｎｂ、 Ｔａ 、 Ａｌ、 Ｚｒ＋ Ｈｆ
＋Ｖ及びＷのほう化物、Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｔｉ 、
Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並
びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なく
とも１種から主としてなる極薄張力被膜を形成させるこ
と（第５発明）。
化物、八Ｉ 、 Ｓｉ ＋ Ｔｉ ＋ Ｓｎ ＋ Ｆｅ
、 Ｚｒ ＋ Ｔａ及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 、
Ｔｉ 、 Ｎｂ、 Ｔａ 、 Ａｌ、 Ｚｒ＋ Ｈｆ
＋Ｖ及びＷのほう化物、Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｔｉ 、
Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並
びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なく
とも１種から主としてなる極薄張力被膜を形成させるこ
と（第５発明）。
Ｃ：０．０１〜０．０６％、Ｓｉ：２．０〜４．０％、
Ｍｎ：０．０１〜０．２％、Ｂ：Ｏ，０Ｏ０３〜０．０
２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０．００５〜
０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．０１％を含
有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、つい
で１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を
施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次再
結晶焼鈍を施してから、その後の２次再結晶及び純化焼
鈍を含む最終仕上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＰｅの酸
化物に対して鋼板表面との間におけるフォルステライト
の生成反応を抑制する焼鈍分離剤を綱板表面上に塗布し
、引続き仕上焼鈍を施して（１，１０｝＜００１＞方位
の２次再結晶粒を発達させ、綱板表面上の酸化物被膜を
除去したのち、ＣＶＯ、イオンプレーティング又はイオ
ンインプランテーションにより、鋼板中Ｐｅとの混合相
を介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ。
Ｍｎ：０．０１〜０．２％、Ｂ：Ｏ，０Ｏ０３〜０．０
２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０．００５〜
０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．０１％を含
有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、つい
で１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を
施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次再
結晶焼鈍を施してから、その後の２次再結晶及び純化焼
鈍を含む最終仕上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＰｅの酸
化物に対して鋼板表面との間におけるフォルステライト
の生成反応を抑制する焼鈍分離剤を綱板表面上に塗布し
、引続き仕上焼鈍を施して（１，１０｝＜００１＞方位
の２次再結晶粒を発達させ、綱板表面上の酸化物被膜を
除去したのち、ＣＶＯ、イオンプレーティング又はイオ
ンインプランテーションにより、鋼板中Ｐｅとの混合相
を介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ。
Ｚｒ ＋ Ｉｆｆ ＋ Ｖ ＋Ｎｂ ＋ Ｔａ ＋ Ｍ
ｎ ＋ Ｃｒ ＋ Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｃｏ、Ｎｉ 、
＾ｌ、Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、八１ 、
Ｓｉ ＋ Ｔｉ ＋ Ｓｎ 、 Ｆｅ ＋ Ｚｒ ｌ
Ｔａ及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 、 Ｔｉ 、 Ｎｂ
、 Ｔａ 、 Ａｌ 、 Ｚｒ 、 Ｈｆ、 Ｖ及び
Ｗのほう化物、Ｍｏ 、 Ｗ ＋ Ｔｉ ＋ Ｚｒ
及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並びに、Ｆｅ
及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なくとも１種か
ら主としてなる極薄張力被膜を形成させたのち、りん酸
塩をコロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜を形成さ
せること（第６発明）。
ｎ ＋ Ｃｒ ＋ Ｍｏ ＋ Ｗ ＋ Ｃｏ、Ｎｉ 、
＾ｌ、Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又は炭化物、八１ 、
Ｓｉ ＋ Ｔｉ ＋ Ｓｎ 、 Ｆｅ ＋ Ｚｒ ｌ
Ｔａ及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 、 Ｔｉ 、 Ｎｂ
、 Ｔａ 、 Ａｌ 、 Ｚｒ 、 Ｈｆ、 Ｖ及び
Ｗのほう化物、Ｍｏ 、 Ｗ ＋ Ｔｉ ＋ Ｚｒ
及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並びに、Ｆｅ
及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なくとも１種か
ら主としてなる極薄張力被膜を形成させたのち、りん酸
塩をコロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜を形成さ
せること（第６発明）。
Ｃ：０．０１〜０．０６％、Ｓ ｉ ： ２ 、０〜４
、０％、Ｍｎ：０．０１〜０．２％、Ｂ：Ｏ，０Ｏ０
３〜０．０２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０
．００５〜０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．
０１％を含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧
延し、ついで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の
冷間圧延を施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼
ねた１次再結晶焼鈍を施してから、その後の２次再結晶
及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍の際に主としてＳｉ及
びＦｅの酸化物に対して鋼板表面との間におけるフォル
ステライトの生成反応を抑制する焼鈍分離剤を綱板表面
上に塗布し、引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜０
０１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、綱板表面上の酸
化物被膜を除去し、ついで研磨により鋼板表面を鏡面仕
上げしたのち、ＣＶＤ、イオンプレーティング又はイオ
ンインプランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相
を介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ 。
、０％、Ｍｎ：０．０１〜０．２％、Ｂ：Ｏ，０Ｏ０
３〜０．０２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０
．００５〜０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．
０１％を含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧
延し、ついで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の
冷間圧延を施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼
ねた１次再結晶焼鈍を施してから、その後の２次再結晶
及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍の際に主としてＳｉ及
びＦｅの酸化物に対して鋼板表面との間におけるフォル
ステライトの生成反応を抑制する焼鈍分離剤を綱板表面
上に塗布し、引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜０
０１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、綱板表面上の酸
化物被膜を除去し、ついで研磨により鋼板表面を鏡面仕
上げしたのち、ＣＶＤ、イオンプレーティング又はイオ
ンインプランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相
を介し鋼板表面に強固に被着した、Ｔｉ 。
Ｚｒ 、 Ｉｆｆ 、 Ｖ 、Ｎｂ 、Ｔａ 、 Ｍｎ
、 Ｃｒ 、 Ｍｏ ＋ Ｗ 、 Ｃｏ 。
、 Ｃｒ 、 Ｍｏ ＋ Ｗ 、 Ｃｏ 。
Ｎｉ 、 ＡＩ 、 Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又は炭
化物、八ｌ 、 Ｓｉ 、 Ｔｉ 、 Ｓｎ 、Ｆｅ
、 Ｚｒ 、 Ｔａ及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 、 Ｔｉ
、 Ｎｂ ＋ Ｔａ 、 ＡＩ 、 Ｚｒ 、 Ｉｆ
ｆ 、 Ｖ及び臀のほう化物、Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｔｉ
、 Ｚｒ及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並
びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なく
とも１種から主としてなる極薄張力被膜を形成させるこ
と（第７発明）。
化物、八ｌ 、 Ｓｉ 、 Ｔｉ 、 Ｓｎ 、Ｆｅ
、 Ｚｒ 、 Ｔａ及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 、 Ｔｉ
、 Ｎｂ ＋ Ｔａ 、 ＡＩ 、 Ｚｒ 、 Ｉｆ
ｆ 、 Ｖ及び臀のほう化物、Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｔｉ
、 Ｚｒ及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並
びに、Ｆｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なく
とも１種から主としてなる極薄張力被膜を形成させるこ
と（第７発明）。
Ｃ：０．０１〜０．０６％、Ｓｉ：２．Ｏ〜４．０％、
Ｍｎ：０．Ｏ１〜０．２％、Ｂ：Ｏ，０Ｏ０３〜０．０
２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０．００５〜
０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．０１％を含
有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、つい
で１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を
施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次再
結晶焼鈍を施してから、その後の２次再結晶及び純化焼
鈍を含む最終仕上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＦｅの酸
化物に対して鋼板表面との間におけるフォルステライト
の生成反応を抑制する焼鈍分離剤を綱板表面上にや布し
、引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位
の２次再結晶粒を発達させ、綱板表面上の酸化物被膜を
除去し、ついで研磨により鋼板表面を鏡面仕上げしたの
ち、ＣＶＤ、イオンプレーティング、又はイオンインプ
ランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼
板表面に強固に被着した、Ｔｉ 。
Ｍｎ：０．Ｏ１〜０．２％、Ｂ：Ｏ，０Ｏ０３〜０．０
２％、Ｃｕ：０．０１〜１．０％、Ｓ ：０．００５〜
０．０５％およびＮ ： ０．００１〜０．０１％を含
有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、つい
で１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧延を
施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１次再
結晶焼鈍を施してから、その後の２次再結晶及び純化焼
鈍を含む最終仕上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＦｅの酸
化物に対して鋼板表面との間におけるフォルステライト
の生成反応を抑制する焼鈍分離剤を綱板表面上にや布し
、引続き仕上焼鈍を施して（１１０） ＜００１＞方位
の２次再結晶粒を発達させ、綱板表面上の酸化物被膜を
除去し、ついで研磨により鋼板表面を鏡面仕上げしたの
ち、ＣＶＤ、イオンプレーティング、又はイオンインプ
ランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼
板表面に強固に被着した、Ｔｉ 。
Ｚｒ ＋ Ｉｆｆ 、 Ｖ 、Ｎｂ 、Ｔａ 、 Ｍｎ
、 Ｃｒ 、 Ｍｏ ＋ Ｗ 、 Ｃｏ。
、 Ｃｒ 、 Ｍｏ ＋ Ｗ 、 Ｃｏ。
Ｎｉ 、 ＡＩ 、 Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又は炭
化物、八Ｉ ＋ Ｓｉ ＋ ’ｒ＋ ＋ Ｓｎ ＋ Ｆ
ｅ ＋ Ｚｒ ＋ Ｔａ及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 、
Ｔｉ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、八ｌ、 Ｚｒ 、 Ｈ
ｆ ＋ Ｖ及び讐のほう化物、ＭＯ、匈、 Ｔｉ 、
Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並び
に、Ｐｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なくと
も１種から主としてなる極薄張力被膜を形成させたのち
、りん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜
を形成させること（第８発明）。
化物、八Ｉ ＋ Ｓｉ ＋ ’ｒ＋ ＋ Ｓｎ ＋ Ｆ
ｅ ＋ Ｚｒ ＋ Ｔａ及びＣｅの酸化物、Ｓｉ 、
Ｔｉ 、 Ｎｂ 、 Ｔａ 、八ｌ、 Ｚｒ 、 Ｈ
ｆ ＋ Ｖ及び讐のほう化物、ＭＯ、匈、 Ｔｉ 、
Ｚｒ 及びＶのけい化物、Ｂ及びＳｉのりん化物並び
に、Ｐｅ及びＺｎの硫化物、のうちから選んだ少なくと
も１種から主としてなる極薄張力被膜を形成させたのち
、りん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜
を形成させること（第８発明）。
上記各発明の成功が導かれた具体的実験に従って説明を
進める。
進める。
（ａ＞ Ｃ：０．０４３％、Ｓｉ：３．２９％、Ｍｎ：
０．０５３％、Ｓ二０．０３０％、Ｂ ：０．００２９
％、Ｃｕ：０．２５％、Ｎ：０．００７６％ （ｂ） Ｃ：０．０３９％、Ｓｉ：３．３９％、Ｍｎ：
０．０６２％、Ｓ二０．０２８％、Ｂ ：０．００３６
％、Ｃｕ：０．３９％、Ｎ：０．００８２％ をそれぞれ含有するけい素鋼スラブを、熱間圧延により
２．３ ＋＋ｍ厚の熱延板とした後、９５０℃で３分間
の均一化焼鈍後を施した。
０．０５３％、Ｓ二０．０３０％、Ｂ ：０．００２９
％、Ｃｕ：０．２５％、Ｎ：０．００７６％ （ｂ） Ｃ：０．０３９％、Ｓｉ：３．３９％、Ｍｎ：
０．０６２％、Ｓ二０．０２８％、Ｂ ：０．００３６
％、Ｃｕ：０．３９％、Ｎ：０．００８２％ をそれぞれ含有するけい素鋼スラブを、熱間圧延により
２．３ ＋＋ｍ厚の熱延板とした後、９５０℃で３分間
の均一化焼鈍後を施した。
その後９５０°Ｃの中間焼鈍を挟み２回の冷間圧延（１
次冷延率：約８０％、２次冷延率：約５０％）を施して
０．２３ｍｍ厚の最終冷延板とした。
次冷延率：約８０％、２次冷延率：約５０％）を施して
０．２３ｍｍ厚の最終冷延板とした。
その後８３０°Ｃの湿水素中で脱炭を兼ねる１次再結晶
焼鈍を施した後２種類の冷延鋼板をおのおの２分して、 （１）綱板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を
スラリー状にして塗布 （２）綱板表面上に八１□０３（６０％） 、Ｍｇ０（
２５％）、Ｚｒ（ｈ（１０％） 、Ｔｉ０ｚ（５％）か
ら成る焼鈍分離剤を用い、スラリー状塗布 にて２通りの処理を行い、その後何れも８５０°Ｃから
１０℃／ｈで１０５０’Ｃまで昇温させる焼鈍により２
次再結晶させた後、１２００℃で５時間軟水素中で純化
焼鈍を施した。
焼鈍を施した後２種類の冷延鋼板をおのおの２分して、 （１）綱板表面上にＭｇＯを主成分とする焼鈍分離剤を
スラリー状にして塗布 （２）綱板表面上に八１□０３（６０％） 、Ｍｇ０（
２５％）、Ｚｒ（ｈ（１０％） 、Ｔｉ０ｚ（５％）か
ら成る焼鈍分離剤を用い、スラリー状塗布 にて２通りの処理を行い、その後何れも８５０°Ｃから
１０℃／ｈで１０５０’Ｃまで昇温させる焼鈍により２
次再結晶させた後、１２００℃で５時間軟水素中で純化
焼鈍を施した。
その後綱板表面上のフォルステライト被膜あるいは酸化
物を、 （八）酸洗により除去したもの、および、（Ｂ）酸洗除
去後化学研磨により鋼板表面を中心線平均粗さ０．４
μｍ以下の鏡面状態にしたものについて、その後ＣＶＤ
により綱板表面上にＴｉＮ（０，６μｍＪ￥、）の極薄
張力被膜を形成させた。
物を、 （八）酸洗により除去したもの、および、（Ｂ）酸洗除
去後化学研磨により鋼板表面を中心線平均粗さ０．４
μｍ以下の鏡面状態にしたものについて、その後ＣＶＤ
により綱板表面上にＴｉＮ（０，６μｍＪ￥、）の極薄
張力被膜を形成させた。
（Ａ） 、 （Ｒ）何れについても１部の試料はりん酸
塩とコロイダルシリカを主成分とするコーティンダ液を
塗布し、コーティング処理を施した。
塩とコロイダルシリカを主成分とするコーティンダ液を
塗布し、コーティング処理を施した。
そのときの製品の磁気特性を通常工程材と比較して表１
に示す。
に示す。
表１から明らかなように素材成分（ａ） 、 （ｂ）の
各一方向性けい素鋼板は、何れもこの発明の処理工程で
処理すると通常工程材（比較材）にくらべて磁束密度Ｂ
１゜で０．０２〜０．０５Ｔ 、鉄損ＷＩ？１５゜で０
．１６〜０．２５Ｗ／ｋｇと大幅に特性向上することが
注目される。
各一方向性けい素鋼板は、何れもこの発明の処理工程で
処理すると通常工程材（比較材）にくらべて磁束密度Ｂ
１゜で０．０２〜０．０５Ｔ 、鉄損ＷＩ？１５゜で０
．１６〜０．２５Ｗ／ｋｇと大幅に特性向上することが
注目される。
（作用）
このような大幅の特性向上は従来一方向性けい素鋼板の
絶縁性確保のためフォルステライト下地被膜を用いてい
たのに対し、この発明はフォルステライト下地被膜を用
いず、前記極薄張力被膜を用いたためである。
絶縁性確保のためフォルステライト下地被膜を用いてい
たのに対し、この発明はフォルステライト下地被膜を用
いず、前記極薄張力被膜を用いたためである。
この極薄張力被膜は鋼板との間に強力な張力を加えるこ
とによって磁区を細分化するとともに、鋼中のＣ，Ｎ等
を被膜中に拡散させ純度を向上させる効果も加わるため
に磁区特性を大幅に向上させることができたと考えられ
る。
とによって磁区を細分化するとともに、鋼中のＣ，Ｎ等
を被膜中に拡散させ純度を向上させる効果も加わるため
に磁区特性を大幅に向上させることができたと考えられ
る。
ここにこの発明において素材の含存成分および工程条件
を限定する理由を以下にのべる。
を限定する理由を以下にのべる。
Ｃ：０．０１〜０．０６％
Ｃは０．０１％より少ないと熱延集合組織制御が困難で
大きな伸長粒が形成されるため磁気特性が劣化し、一方
Ｃが０．０６％より多いと脱炭工程で脱炭に時間がかか
り経済的でないので０．０１〜０．０６％の範囲にする
必要がある。
大きな伸長粒が形成されるため磁気特性が劣化し、一方
Ｃが０．０６％より多いと脱炭工程で脱炭に時間がかか
り経済的でないので０．０１〜０．０６％の範囲にする
必要がある。
Ｓｉ ：２．Ｏ〜４．０％
Ｓｉは２．０％より少ないと電気抵抗が低く渦電流損失
増大に基づく鉄損値が大きくなり、一方４．０％より多
いと冷延の際にぜい性割れを生じ易いため、２．０〜４
．０％の範囲内にする必要がある。
増大に基づく鉄損値が大きくなり、一方４．０％より多
いと冷延の際にぜい性割れを生じ易いため、２．０〜４
．０％の範囲内にする必要がある。
Ｍｎ：０．０１〜０．２％
Ｍｎは一方向性けい素鋼板の２次再結晶を左右する分散
析出相（インヒビター）のＭｎＳなどを形成する重要な
成分である。Ｍｎ量が０．０１％を下回ると２次再結晶
を起させるのに必要なＭｎＳなどの全体量が不足し、不
完全２次再結晶を起こすと同時に、ブリスターと呼ばれ
る表面欠陥が増大する。一方Ｍｎ量が０．２％を超える
と、スラブ加熱時においてＭｎＳなどの解離固溶が困難
となる。またかりに解離・固溶が行なわれたとしても、
熱延時に析出する分離析出相は粗大化しやすく、抑制剤
として望まれる最適サイズ分布は損なわれ、磁気特性は
劣化するのでＭｎは０．０１〜０．２％の範囲にする必
要がある。
析出相（インヒビター）のＭｎＳなどを形成する重要な
成分である。Ｍｎ量が０．０１％を下回ると２次再結晶
を起させるのに必要なＭｎＳなどの全体量が不足し、不
完全２次再結晶を起こすと同時に、ブリスターと呼ばれ
る表面欠陥が増大する。一方Ｍｎ量が０．２％を超える
と、スラブ加熱時においてＭｎＳなどの解離固溶が困難
となる。またかりに解離・固溶が行なわれたとしても、
熱延時に析出する分離析出相は粗大化しやすく、抑制剤
として望まれる最適サイズ分布は損なわれ、磁気特性は
劣化するのでＭｎは０．０１〜０．２％の範囲にする必
要がある。
Ｂ ： ０．０００３〜０．０２％
Ｂは鋼中に含まれるとＮと結合してＢＮの微細析出物と
なるが、あまりに大量に添加されるとＧｏｓｓ方位の２
次再結晶粒発達を困難にさせるため０．０００３〜０．
０２％に限定される。このＢの添加効果はすでにＧｒｅ
ｎｏｂｌｅやＦｉｅｄｌｅｒ （Ｈ，Ｅ、Ｇｒｅｎｏｂ
ｌｅ：ＩＥＥＥＴｒａｎｓ、 Ｍａｇ、 ＷＡＧ−１３
（１９７７）、 Ｐ、１４２７ ａｎｄ Ｉｌ、Ｃ。
なるが、あまりに大量に添加されるとＧｏｓｓ方位の２
次再結晶粒発達を困難にさせるため０．０００３〜０．
０２％に限定される。このＢの添加効果はすでにＧｒｅ
ｎｏｂｌｅやＦｉｅｄｌｅｒ （Ｈ，Ｅ、Ｇｒｅｎｏｂ
ｌｅ：ＩＥＥＥＴｒａｎｓ、 Ｍａｇ、 ＷＡＧ−１３
（１９７７）、 Ｐ、１４２７ ａｎｄ Ｉｌ、Ｃ。
Ｆｔｅｄｌｅｒ：ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ、
ＭＡＧ−１３（１’１７？）、 Ｐ、１４３３）が明ら
かにしたように微量のＢあるいは微細ＢＮは粒界移動を
抑制し、インヒビターの役割をすると考えられる。
ＭＡＧ−１３（１’１７？）、 Ｐ、１４３３）が明ら
かにしたように微量のＢあるいは微細ＢＮは粒界移動を
抑制し、インヒビターの役割をすると考えられる。
Ｓ：０．００５〜０．０５％
Ｓは鋼中のＭｎと結合してＭｎＳの微細析出物を形成し
、強力なインヒビターとして作用する。鋼中のＳがｏ、
ｏｏｓ％未満ではインヒビターの役割か弱く、また０、
０５％を超えると粒界割れを誘発しやすくなるため、Ｓ
は０．００５〜０．０５％に限定した。
、強力なインヒビターとして作用する。鋼中のＳがｏ、
ｏｏｓ％未満ではインヒビターの役割か弱く、また０、
０５％を超えると粒界割れを誘発しやすくなるため、Ｓ
は０．００５〜０．０５％に限定した。
Ｎ ： ０．００１〜０．０１％
Ｎは鋼中の微量Ｂと結合してＢＨの微細析出物を形成し
、１次再結晶粒の正常成長を抑制するための強力なイン
ヒビターとして有効に寄与するが、Ｎが０．００１％未
満ではＢＮｉＮｉ細物出物出物の析出量が不足するため
インヒビター効果が弱く、（１１０） ＜００１＞方位
の２次再結晶粒の発達が不充分であり、一方Ｎが０．０
１％を超えるとＮの固溶がふえるために鉄損を低下させ
るため、Ｎは０．００１〜０．０１％に限定した。
、１次再結晶粒の正常成長を抑制するための強力なイン
ヒビターとして有効に寄与するが、Ｎが０．００１％未
満ではＢＮｉＮｉ細物出物出物の析出量が不足するため
インヒビター効果が弱く、（１１０） ＜００１＞方位
の２次再結晶粒の発達が不充分であり、一方Ｎが０．０
１％を超えるとＮの固溶がふえるために鉄損を低下させ
るため、Ｎは０．００１〜０．０１％に限定した。
Ｃｕ ： ０．０１〜１．０％
Ｃｕは特開昭５４−１４２１２０号および特開昭５４−
１２８４２５号各公報では鋼中に添加することによりＧ
ｏｓ方位２次再結晶粒を安定化させるのに大きな役割を
果すことが開示されている。しかしながら酒井ら（酒井
智彦、島津高秀、筑摩顯太部、谷野満、松尾宗次二鉄と
鋼、 ７０ （１９８４）、 Ｐ、２０４９＋はＣｕ添
加効果の中で大量のＣｕ添加は磁気特性を劣化させる・
ことを述べており、この発明でのこの点を考慮してＣｕ
添加量は０．０１〜１．０％の範囲に限定した。
１２８４２５号各公報では鋼中に添加することによりＧ
ｏｓ方位２次再結晶粒を安定化させるのに大きな役割を
果すことが開示されている。しかしながら酒井ら（酒井
智彦、島津高秀、筑摩顯太部、谷野満、松尾宗次二鉄と
鋼、 ７０ （１９８４）、 Ｐ、２０４９＋はＣｕ添
加効果の中で大量のＣｕ添加は磁気特性を劣化させる・
ことを述べており、この発明でのこの点を考慮してＣｕ
添加量は０．０１〜１．０％の範囲に限定した。
その他このけい素鋼素材には、Ｃｒ、 Ｔｉ 、 Ｖ
。
。
Ｚｒ ＋ Ｔａ ＋ Ｃｏ ＋ Ｎ＋
＋ 八Ｉ ＋ Ｓｎ ＋ Ｐ ＋ Ａｓ
＋ Ｓｂ ＋ＳｅおよびＴｅ等の一般的なイン
ヒビター形成元素も少量含有させることも許容される。
＋ 八Ｉ ＋ Ｓｎ ＋ Ｐ ＋ Ａｓ
＋ Ｓｂ ＋ＳｅおよびＴｅ等の一般的なイン
ヒビター形成元素も少量含有させることも許容される。
次にこの発明による一連の製造工程について説明する。
まず素材を溶製するにはＬＤ転炉、電気炉、平炉その他
公知の製鋼炉を用いて行い得ることは勿論、真空処理、
真空溶解を併用することもできる。
公知の製鋼炉を用いて行い得ることは勿論、真空処理、
真空溶解を併用することもできる。
この場合溶鋼中にＳ、Ｂ、Ｃｕを添加するには、従来公
知の何れの方法を用いることもでき、例えばＬＤ転炉、
Ｒ１１脱ガス終了時の溶鋼中に添加することができる。
知の何れの方法を用いることもでき、例えばＬＤ転炉、
Ｒ１１脱ガス終了時の溶鋼中に添加することができる。
連続鋳造スラブまたは造塊した鋼塊はそれぞれ公知の方
法で熱間圧延に付される。通常スラブを熱延板に圧延す
るのは当然で、得られる熱延板の厚みは後続の冷延工程
の支配を受けるが、通常１．５〜３．５鰭程度とするこ
とは有利である。
法で熱間圧延に付される。通常スラブを熱延板に圧延す
るのは当然で、得られる熱延板の厚みは後続の冷延工程
の支配を受けるが、通常１．５〜３．５鰭程度とするこ
とは有利である。
次に熱延板に、必要に応じて８５０〜１１００℃の温度
範囲において均一化焼鈍を施したのち、１回の強冷間圧
延で最終板厚とする１回強冷延法か又は通常８５０℃か
ら１０５０℃の中間焼鈍を挟んで２回の。
範囲において均一化焼鈍を施したのち、１回の強冷間圧
延で最終板厚とする１回強冷延法か又は通常８５０℃か
ら１０５０℃の中間焼鈍を挟んで２回の。
冷延を施す２回冷延法にて、後者の場合好適には最初の
圧下率は６０％から９５％の高圧下率、最終の圧下率は
１０％から６０％の軽圧下率で、０．１５ｍｍから０．
３５＋ｎ厚の最終冷延板厚とする。
圧下率は６０％から９５％の高圧下率、最終の圧下率は
１０％から６０％の軽圧下率で、０．１５ｍｍから０．
３５＋ｎ厚の最終冷延板厚とする。
最終冷延を終わり製品板厚に仕上げた鋼板は、表面脱脂
後７５０℃から８５０℃の湿水素中で脱炭・１次再結晶
焼鈍処理を施す。
後７５０℃から８５０℃の湿水素中で脱炭・１次再結晶
焼鈍処理を施す。
このような処理を行なった後綱板表面上に焼鈍分離剤を
塗布する。この際一般的には仕上げ焼鈍後の形成を不可
欠としていたフォルステライトをとくに形成させない方
がその後の鋼板の鏡面処理を簡便にするのに有効である
ので、焼鈍分離剤としてＭｇＯ主体のものを用いる場合
のほか、とくにＡｌｚＯ：＋ ＋ Ｚｒ０ｚ ＋ Ｔｉ
（ｈなどを、５０％以上ＭｇＯに混入するのが好ましい
。
塗布する。この際一般的には仕上げ焼鈍後の形成を不可
欠としていたフォルステライトをとくに形成させない方
がその後の鋼板の鏡面処理を簡便にするのに有効である
ので、焼鈍分離剤としてＭｇＯ主体のものを用いる場合
のほか、とくにＡｌｚＯ：＋ ＋ Ｚｒ０ｚ ＋ Ｔｉ
（ｈなどを、５０％以上ＭｇＯに混入するのが好ましい
。
その後２次再結晶焼鈍を行うが、この工程は（１１０｝
＜００１＞方位の２次再結晶粒を充分発達させるために
施されるもので、通常箱焼鈍によって直ちに１０００℃
以上に昇温し、その温度に保持することによって行われ
る。
＜００１＞方位の２次再結晶粒を充分発達させるために
施されるもので、通常箱焼鈍によって直ちに１０００℃
以上に昇温し、その温度に保持することによって行われ
る。
この場合（１１０） ＜００１＞方位に、高度に揃った
２次再結晶粒ｍ織を発達させるためには８２０℃から９
００℃の低温で保定焼鈍する方が有利であり、そのほか
例えば、０．５〜ｂ 焼鈍でもよい。
２次再結晶粒ｍ織を発達させるためには８２０℃から９
００℃の低温で保定焼鈍する方が有利であり、そのほか
例えば、０．５〜ｂ 焼鈍でもよい。
２次再結晶焼鈍後の純化焼鈍は、飽水素中で１１００℃
以上で１〜２０時間焼鈍を行って、鋼板の純化を達成す
ることが必要であるや この純化焼鈍後に鋼板表面のフォルステライト被膜ない
しは酸化物被膜を公知の酸洗などの化学除去法や切削、
研削などの機械的除去法又はそれらの組合せにより除去
する。
以上で１〜２０時間焼鈍を行って、鋼板の純化を達成す
ることが必要であるや この純化焼鈍後に鋼板表面のフォルステライト被膜ない
しは酸化物被膜を公知の酸洗などの化学除去法や切削、
研削などの機械的除去法又はそれらの組合せにより除去
する。
この酸化物除去処理の後、必要に応じて化学研磨、電解
研摩などの化学的研磨や、パフ研磨などの機械的研磨あ
るいはそれらの組合せなど従来の手法により鋼板表面を
鏡面状態つまり中心線平均粗さ０．４μｍ以下に仕上げ
る。
研摩などの化学的研磨や、パフ研磨などの機械的研磨あ
るいはそれらの組合せなど従来の手法により鋼板表面を
鏡面状態つまり中心線平均粗さ０．４μｍ以下に仕上げ
る。
酸化物除去後又は鏡面研磨後
ＣＶＤ 、イオンプレーティング又はイオンインプラン
テーションにより、 Ｔｉ 、 Ｚｒ ＋ Ｉｆｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ ＋
Ｔａ ＋ Ｍｎ 、 Ｃｒ ＋ Ｍｏ ＋Ｗ 、 Ｇｏ
＊ Ｎｉ ＋ ＡＩ ｌＢ 及びＳｉの窒化物及
び／又は炭化物、 八１． Ｓｉ ＋ Ｔｉ ＊ Ｓｎ 、 Ｆｅ 、 Ｚ
ｒ 、 Ｔａ及びＣｅの酸化物、 Ｓｉ ＋ Ｔｉ ＋ Ｎｂ ＋ Ｔａ ＋ 八ｌ 、
Ｚｒ 、 Ｈｆ 、 Ｖ及び−のほう化物、 Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｔｉ 、 Ｚｒ 及びＶのけい化
物、Ｂ及びＳｉのりん化物、 並びにＦｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種から主としてなる極薄
張力被膜を形成させる。
テーションにより、 Ｔｉ 、 Ｚｒ ＋ Ｉｆｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ ＋
Ｔａ ＋ Ｍｎ 、 Ｃｒ ＋ Ｍｏ ＋Ｗ 、 Ｇｏ
＊ Ｎｉ ＋ ＡＩ ｌＢ 及びＳｉの窒化物及
び／又は炭化物、 八１． Ｓｉ ＋ Ｔｉ ＊ Ｓｎ 、 Ｆｅ 、 Ｚ
ｒ 、 Ｔａ及びＣｅの酸化物、 Ｓｉ ＋ Ｔｉ ＋ Ｎｂ ＋ Ｔａ ＋ 八ｌ 、
Ｚｒ 、 Ｈｆ 、 Ｖ及び−のほう化物、 Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｔｉ 、 Ｚｒ 及びＶのけい化
物、Ｂ及びＳｉのりん化物、 並びにＦｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種から主としてなる極薄
張力被膜を形成させる。
またこの極薄張力被膜は０．０５〜２μｍ程度の厚みで
形成させるのが効果的である。
形成させるのが効果的である。
さらにこのように生成した極薄張力被膜上にりん酸塩と
コロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜の塗布焼付を
行うことが、１００万ＫＶＡにも上る大容量トランスの
使途において当然に必要であり、この絶縁性焼付層の形
成の如きは、従来公知の手法をそのまま用いて良い。
コロイダルシリカを主成分とする絶縁被膜の塗布焼付を
行うことが、１００万ＫＶＡにも上る大容量トランスの
使途において当然に必要であり、この絶縁性焼付層の形
成の如きは、従来公知の手法をそのまま用いて良い。
（実施例）
Ｃ：０．０４３％、Ｓｉ：３．３６％、Ｍｎ；０．０６
２％、Ｓ：０．０２２％、Ｂ ： ０．００３５％、Ｃ
ｕ：０．１５％およびＮ：０．００６８％を含有するけ
い素鋼熱延板（２、２ａｍ厚）を９５０℃で３分間の均
−化焼鈍後、９００℃の中間焼鈍をはさんで２回の冷間
圧延を施して０．２３ｍｍ厚の最終冷延板とした。その
後８２０℃で３分間の脱炭・１次再結晶焼鈍を施した後
、八１ｚＯｓ（６０％） 、Ｍｇ０（２５％）、Ｚｒ０
ｚ （１０％） 、Ｔｉ０ｚ（５％）を主成分とｔ る
ｍＭ分離剤をスラリー状に塗布した。
２％、Ｓ：０．０２２％、Ｂ ： ０．００３５％、Ｃ
ｕ：０．１５％およびＮ：０．００６８％を含有するけ
い素鋼熱延板（２、２ａｍ厚）を９５０℃で３分間の均
−化焼鈍後、９００℃の中間焼鈍をはさんで２回の冷間
圧延を施して０．２３ｍｍ厚の最終冷延板とした。その
後８２０℃で３分間の脱炭・１次再結晶焼鈍を施した後
、八１ｚＯｓ（６０％） 、Ｍｇ０（２５％）、Ｚｒ０
ｚ （１０％） 、Ｔｉ０ｚ（５％）を主成分とｔ る
ｍＭ分離剤をスラリー状に塗布した。
その後８５０°Ｃで５０時間の低温保定の２次再結晶焼
鈍を行なった。さらにその後１２００℃で６時間乾水素
中で純化焼鈍を行なった後、酸洗により表面の酸化物を
除去し、電解研磨により鋼板表面を鏡面状態にした。そ
の後ＣＶＤ （表２中無印）イオンプレーティング（
表２中のＯ印）およびイオンインプランテーション（表
２中のΔ印）により種々の薄膜（約０．６〜Ｑ、７ｔ！
ｍ厚）を形成させた後、りん酸塩とコロ・イダルシリ力
とを主成分とするコーティング被膜を形成させた。その
ときの製品の磁気特性を表２にまとめて示す。
鈍を行なった。さらにその後１２００℃で６時間乾水素
中で純化焼鈍を行なった後、酸洗により表面の酸化物を
除去し、電解研磨により鋼板表面を鏡面状態にした。そ
の後ＣＶＤ （表２中無印）イオンプレーティング（
表２中のＯ印）およびイオンインプランテーション（表
２中のΔ印）により種々の薄膜（約０．６〜Ｑ、７ｔ！
ｍ厚）を形成させた後、りん酸塩とコロ・イダルシリ力
とを主成分とするコーティング被膜を形成させた。その
ときの製品の磁気特性を表２にまとめて示す。
表 ２
（発明の効果）
かくしてこの発明によれば、たとえひずみ取り焼鈍の如
き高温処理が施された場合であワても特性の劣化を伴う
ことがない超低鉄損の一方向性けい素鋼板を得ることが
できる。
き高温処理が施された場合であワても特性の劣化を伴う
ことがない超低鉄損の一方向性けい素鋼板を得ることが
できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２重量％、 Ｂ：０．０００３〜０．０２重量％、 Ｃｕ：０．０１〜１．０重量％、 Ｓ：０．００５〜０．０５重量％および Ｎ：０．００１〜０．０１重量％ を含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、
ついで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧
延を施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１
次再結晶焼鈍を施してから、鋼板表面上にＭｇＯを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して
｛１１０｝＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、
それに伴って生成した鋼板表面上のフォルステライト質
被膜を除去したのち、ＣＶＤ、イオンプレーティング又
はイオンインプランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの
混合相を介し鋼板表面に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又
は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ及びＣｅの
酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ及びＷ
のほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種から主としてなる極薄
張力被膜を形成させることを特徴とする、一方向性けい
素鋼板の製造方法。 ２、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２重量％、 Ｂ：０．０００３〜０．０２重量％、 Ｃｕ：０．０１〜１．０重量％、 Ｓ：０．００５〜０．０５重量％および Ｎ：０．００１〜０．０１重量％ を含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、
ついで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧
延を施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１
次再結晶焼鈍を施してから、鋼板表面上にＭｇＯを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して
｛１１０｝＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、
それに伴って生成した鋼板表面上のフォルステライト質
被膜を除去したのち、ＣＶＤ、イオンプレーティング又
はイオンインプランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの
混合相を介し鋼板表面に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又
は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ及びＣｅの
酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ及びＷ
のほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種から主としてなる極薄
張力被膜を形成させたのち、りん酸塩とコロイダルシリ
カを主成分とする絶縁被膜を形成させることを特徴とす
る、一方向性けい素鋼板の製造方法。 ３、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２重量％、 Ｂ：０．０００３〜０．０２重量％、 Ｃｕ：０．０１〜１．０重量％、 Ｓ：０．００５〜０．０５重量％および Ｎ：０．００１〜０．０１重量％ を含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、
ついで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧
延を施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１
次再結晶焼鈍を施してから、鋼板表面上にＭｇＯを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して
｛１１０｝＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、
それに伴って生成した鋼板表面上のフォルステライト質
被膜を除去し、ついで研磨により鋼板表面を鏡面仕上げ
したのち、ＣＶＤ、イオンプレーティング又はイオンイ
ンプランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介
し鋼板表面に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又
は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ及びＣｅの
酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ及びＷ
のほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種から主としてなる極薄
張力被膜を形成させることを特徴とする、一方向性けい
素鋼板の製造方法。 ４、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２重量％、 Ｂ：０．０００３〜０．０２重量％、 Ｃｕ：０．０１〜１．０重量％、 Ｓ：０．００５〜０．０５重量％および Ｎ：０．００１〜０．０１重量％ を含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、
ついで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧
延を施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１
次再結晶焼鈍を施してから、鋼板表面上にＭｇＯを主成
分とする焼鈍分離剤を塗布し、引続き仕上焼鈍を施して
｛１１０｝＜００１＞方位の２次再結晶粒を発達させ、
それに伴って生成した鋼板表面上のフォルステライト質
被膜を除去し、ついで研磨により鋼板表面を鏡面仕上げ
したのち、ＣＶＤ、イオンプレーティング又はイオンイ
ンプランテーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介
し鋼板表面に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又
は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ及びＣｅの
酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ及びＷ
のほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種から主としてなる極薄
張力被膜を形成させたのち、りん酸塩とコロイダルシリ
カを主成分とする絶縁被膜を形成させることを特徴とす
る、一方向性けい素鋼板の製造方法。 ５、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２重量％、 Ｂ：０．０００３〜０．０２重量％、 Ｃｕ：０．０１〜１．０重量％、 Ｓ：０．００５〜０．０５重量％および Ｎ：０．００１〜０．０１重量％ を含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、
ついで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧
延を施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１
次再結晶焼鈍を施してから、その後の２次再結晶及び純
化焼鈍を含む最終仕上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＦｅ
の酸化物に対して鋼板表面との間におけるフォルステラ
イトの生成反応を抑制する焼鈍分離剤を綱板表面上に塗
布し、引続き仕上焼鈍を施して｛１１０｝＜００１＞方
位の２次再結晶粒を発達させ、鋼板表面上の酸化物被膜
を除去したのち、 ＣＶＤ、イオンプレーティング又はイオンインプランテ
ーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面
に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又
は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ及びＣｅの
酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ及びＷ
のほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種から主としてなる極薄
張力被膜を形成させることを特徴とする、一方向性けい
素鋼板の製造方法。 ６、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２重量％、 Ｂ：０．０００３〜０．０２重量％、 Ｃｕ：０．０１〜１．０重量％、 Ｓ：０．００５〜０．０５重量％および Ｎ：０．００１〜０．０１重量％ を含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、
ついで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧
延を施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１
次再結晶焼鈍を施してから、その後の２次再結晶及び純
化焼鈍を含む最終仕上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＦｅ
の酸化物に対して鋼板表面との間におけるフォルステラ
イトの生成反応を抑制する焼鈍分離剤を鋼板表面上に塗
布し、引続き仕上焼鈍を施して｛１１０｝＜００１＞方
位の２次再結晶粒を発達させ、鋼板表面上の酸化物被膜
を除去したのち、 ＣＶＤ、イオンプレーティング又はイオンインプランテ
ーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面
に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又
は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ及びＣｅの
酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ及びＷ
のほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種から主としてなる極薄
張力被膜を形成させたのち、りん酸塩とコロイダルシリ
カを主成分とする絶縁被膜を形成させることを特徴とす
る、一方向性けい素鋼板の製造方法。 ７、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２重量％、 Ｂ：０．０００３〜０．０２重量％、 Ｃｕ：０．０１〜１．０重量％、 Ｓ：０．００５〜０．０５重量％および Ｎ：０．００１〜０．０１重量％ を含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、
ついで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧
延を施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１
次再結晶焼鈍を施してから、その後の２次再結晶及び純
化焼鈍を含む最終仕上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＦｅ
の酸化物に対して鋼板表面との間におけるフォルステラ
イトの生成反応を抑制する焼鈍分離剤を鋼板表面上に塗
布し、引続き仕上焼鈍を施して｛１１０｝＜００１＞方
位の２次再結晶粒を発達させ、鋼板表面上の酸化物被膜
を除去し、ついで研磨により鋼板表面を鏡面仕上げした
のち、 ＣＶＤ、イオンプレーティング又はイオンインプランテ
ーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面
に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又
は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ及びＣｅの
酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ及びＷ
のほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種から主としてなる極薄
張力被膜を形成させることを特徴とする、一方向性けい
素鋼板の製造方法。 ８、Ｃ：０．０１〜０．０６重量％、 Ｓｉ：２．０〜４．０重量％、 Ｍｎ：０．０１〜０．２重量％、 Ｂ：０．０００３〜０．０２重量％、 Ｃｕ：０．０１〜１．０重量％、 Ｓ：０．００５〜０．０５重量％および Ｎ：０．００１〜０．０１重量％ を含有する組成になるけい素鋼スラブを、熱間圧延し、
ついで１回の冷間圧延又は中間焼鈍を挟む２回の冷間圧
延を施して最終板厚の冷延板とした後、脱炭を兼ねた１
次再結晶焼鈍を施してから、その後の２次再結晶及び純
化焼鈍を含む最終仕上焼鈍の際に主としてＳｉ及びＦｅ
の酸化物に対して鋼板表面との間におけるフォルステラ
イトの生成反応を抑制する焼鈍分離剤を鋼板表面上に塗
布し、引続き仕上焼鈍を施して｛１１０｝＜００１＞方
位の２次再結晶粒を発達させ、鋼板表面上の酸化物被膜
を除去し、ついで研磨により鋼板表面を鏡面仕上げした
のち、 ＣＶＤ、イオンプレーティング又はイオンインプランテ
ーションにより、鋼板中Ｆｅとの混合相を介し鋼板表面
に強固に被着した、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｂ及びＳｉの窒化物及び／又
は炭化物、 Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｔａ及びＣｅの
酸化物、 Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ及びＷ
のほう化物、 Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＶのけい化物、 Ｂ及びＳｉのりん化物並びに、 Ｆｅ及びＺｎの硫化物、 のうちから選んだ少なくとも１種から主としてなる極薄
張力被膜を形成させたのち、りん酸塩とコロイダルシリ
カを主成分とする絶縁被膜を形成させることを特徴とす
る、一方向性けい素鋼板の製造方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61022848A JPS62182222A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 一方向性けい素鋼板の製造方法 |
| EP86301071A EP0193324B1 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-17 | Extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets |
| DE8686301071T DE3666229D1 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-17 | Extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets |
| AU53747/86A AU570835B2 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-19 | Metal nitride/carbide coated grain oriented silicon steel sheet |
| PCT/JP1986/000087 WO1986004929A1 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Process for producing unidirectional silicon steel plate with extraordinarily low iron loss |
| DE8686904726T DE3673290D1 (de) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Herstellungsverfahren fuer unidirektionale siliziumstahlplatte mit aussergewoehnlichem eisenverlust. |
| US06/907,734 US4713123A (en) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Method of producing extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets |
| US06/832,172 US4698272A (en) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets |
| EP86904726A EP0215134B1 (en) | 1985-02-22 | 1986-02-21 | Process for producing unidirectional silicon steel plate with extraordinarily low iron loss |
| KR1019860001259A KR910006011B1 (ko) | 1985-02-22 | 1986-02-22 | 극저철손 결정 방향성 규소 강판 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61022848A JPS62182222A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 一方向性けい素鋼板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62182222A true JPS62182222A (ja) | 1987-08-10 |
| JPH0327631B2 JPH0327631B2 (ja) | 1991-04-16 |
Family
ID=12094133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61022848A Granted JPS62182222A (ja) | 1985-02-22 | 1986-02-06 | 一方向性けい素鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62182222A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0741958A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-10 | Kawasaki Steel Corp | 方向性珪素鋼板の絶縁被膜形成方法 |
| JP2006261602A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Jfe Steel Kk | 被膜密着性に優れた超低鉄損方向性電磁鋼板 |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP61022848A patent/JPS62182222A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0741958A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-02-10 | Kawasaki Steel Corp | 方向性珪素鋼板の絶縁被膜形成方法 |
| JP2006261602A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Jfe Steel Kk | 被膜密着性に優れた超低鉄損方向性電磁鋼板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0327631B2 (ja) | 1991-04-16 |
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