JPS6335687B2 - - Google Patents
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Description
(産業上の利用分野)
一方向性珪素鋼板の電気・磁気的特性の改善、
なかでも、鉄損の低減に係わる極限的に要請を満
たそうとして近年来の目覚ましい開発努力が傾け
られているがその実効を挙げつつあるものでも、
実施に伴う重大な弊害として、一方向性珪素鋼板
の使用に当たつての加工、組立てを経たのち、い
わゆるひずみ取り焼鈍がほどこされた場合に、特
性劣化の随伴を不可避に生じて、使途についての
制限を受ける不利が指摘される。 この明細書では、ひずみ取り焼鈍のような高温
の熱履歴を経ると否とに拘わらず、上記要請を有
利に充足し得る新たな方途を拓くことについての
開発研究の成果に関連して以下に述べる。 ところで一方向性珪素鋼板は、よく知られてい
るとおり製品の2次再結晶粒を(110)〔001〕、す
なわちゴス方位に、高度に集積させたもので、主
として変圧器その他の電気機器の鉄心として使さ
れ電気・磁気的特性として製品の磁束密度(B10
値で代表される)が高く、鉄損(W17/50値で代表
される)の低いことが要求される。 この一方向性珪素鋼板は複雑多岐にわたる工程
を経て製造されるが、今までにおびただしい発
明・改善が加えられ、今日では板厚0.30mmの製品
の磁気特性がB101.90T以上、W17/501.05W/Kg以
下、また板厚0.23mmの製品の磁気特性がB101.89T
以上、W17/500.90W/Kg以下程度の低鉄損一方向
性珪素鋼板の製造はむしろ一般化して来ている。 特に最近では省エネの見地から電気損失の低減
を至上とする要請が著しく強まり、欧米では損失
の少ない変圧器を作る場合に鉄損の減少分を金額
に換算して変圧器価格に上積みする「ロス・エバ
リユエーシヨン」(鉄損評価)制度が普及しこれ
がはじめに触れた極限的要請にほかならない。 (従来の技術) このような状況下において最近、一方向性珪素
鋼板の仕上焼鈍後の鋼板表面に圧延方向にほぼ直
角方向でのレーザ照射により局部微小ひずみを導
入して磁区を細分化し、もつて鉄損を低下させる
ことが提案(特公昭57−2252号、特公昭57−
53419号、特公昭58−26405号及び特公昭58−
26406号各公報参照)されたがこの磁区細分化技
術はひずみ取り焼鈍を施さない、積鉄心向けトラ
ンス材料として効果的であつても、ひずみ取り焼
鈍を施す、主として巻鉄心トランス材料にあつて
は、レーザー照射によつて折角に導入された局部
微小ひずみが焼鈍処理により開放されて磁区幅が
広くなるため、レーザー照射効果が失われるとい
う欠点がある。 一方これより先に特公昭52−24499号公報にお
いては、一方向性珪素鋼板の仕上げ焼鈍後の鋼板
表面を鏡面仕上げするか又は、その鏡面仕上げ面
上に金属薄めつきや、さらにその上に絶縁被膜を
塗布焼付けする、ことによる、超低鉄損一方向性
珪素鋼板の製造方法が提案されている。 しかしながらこの鏡面仕上げによる鉄損向上手
法は、工程的に採用するには、著しいコストアツ
プになる割りに鉄損低減への寄与が充分でない
上、とくに鏡面仕上後に不可欠な絶縁被膜を塗布
焼付した後の密着性に問題があるため、現在の製
造工程において採用されるに至つてはいない。 また特公昭56−4150号公報においても鋼板表面
を鏡面仕上げした後、酸化物系セラミツクス薄膜
を蒸着する方法が提案されている。しかしながら
この方法も600℃以上の高温焼鈍を施すと鋼板と
セラミツクス層とがはく離するため、実際の製造
工程では採用できない。 さらに、特公昭60−14827号公報、特開昭59−
23822号公報においては仕上焼鈍後の鋼板に微小
ひずみを、機械的な導入又はレーザー照射痕跡に
よつて形成させた上で、その後500℃以上の高い
温度で加熱し、ひずみ導入領域に微細再結晶粒群
を生成させることによつて、高温焼鈍を施しても
特性劣化のない超低鉄損一方向性珪素鋼板の製造
方法が提案されている。これらの製造方法は上記
の仕上焼鈍後のレーザー照射による局部微小ひず
み導入による磁区細分化の場合とは異なり、高温
焼鈍によつて特性向上効果が消滅しないという利
点があるが、フオルステライト被膜を用いるため
なお充分な超低鉄損失化を達成したとはいいがた
い。 (発明が解決しようとする問題点) 発明者らは上記した鏡面仕上による鉄損向上を
目指した実効を、より有利に引き出すに当つて、
特に今日の省エネ材料開発の観点では上記のごと
きコストのアツプ不利を凌駕する特性、なかでも
高温処理での特性劣化を伴うことなくして極薄張
力被膜の密着性、耐久性の問題をより有利に克服
することが肝要と考え、この基本認識に立脚し、
仕上焼鈍済みの方向性珪素鋼板表面上の酸化物を
除去した後に研磨を施して鏡面状態にする場合に
つき、該酸化物除去後における鋼板処理方法の抜
本的な改善によつてとくに有利に超鉄損化を達成
することが発明の目的である。 (問題点を解決するための手段) 上記の問題点は、次の事項を骨子とする構成に
より、効果的に充足される。 C:0.03〜0.05wt%、Si:2.5〜4.0wt%、
Mn:0.01〜0.2wt%、Mo:0.003〜0.1wt%、
Sb:0.005〜0.2wt%、S及びSeのうちいずれ
か1種又は2種合計で0.005〜0.05wt%を含み、
残部実質的にFeからなる組成、 C:0.03〜0.08wt%、Si:2.0〜4.0wt%、
Mn:0.01〜0.2wt%、solAl:0.005〜0.06wt%、
S:0.005〜0.05wt%、N:0.001〜0.01wt%、
Sn:0.01〜0.5wt%、Cu:0.01〜0.3wt%を含み
残部実質的にFeからなる組成、 C:0.03〜0.06wt%、Si:2.0〜4.0wt%、
Mn:0.01〜0.2wt%、S:0.005〜0.05wt%、
B:0.0003〜0.004wt%、N:0.001〜0.01wt%
を含み残部実質的にFeからなる組成、 C:0.03〜0.08wt%、Si:2.0〜4.0wt%、
Mn:0.01〜0.2wt%、solAl:0.005〜0.06wt%、
S:0.005〜0.05wt%、N:0.001〜0.01wt%を
含み、残部実質的にFeからなる組成 の珪素鋼スラブを熱間圧延して得られた熱延板に
1回又は中間焼鈍をはさむ2回の冷間圧延を施し
て最終板厚にしてから脱炭・1次再結晶焼鈍を施
したのち2次再結晶焼鈍及び純化焼鈍を含む最終
仕上焼鈍を施した方向性珪素鋼板の表面上の酸化
物を除去し、 ついで研磨により中心線平均粗さ0.4μm以下の
鏡面状態にした鋼板に対して、その表面上の局部
位置に微小ひずみを導入し、 ついで500℃以上の温度でのCVD、イオンプレ
ーテイング又はイオンインプランテーシヨンによ
り、 鋼板表面近傍の2次再結晶粒中に1.0mm以下の
微細結晶粒群を混在生成させた混合相を形成し、
これと同時に該混合相を介し鋼板表面上で強固に
被着した Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mn、Cr、Mo、
W、Co、Ni、Al、B及びSiの窒化物及び/又は
炭化物 より成る群のうちから選んだ1種以上4種以下か
らなる極薄張力被膜を形成させる工程を含むこと
を特徴とする超低鉄損一方向性けい素鋼板の製造
方法(第1〜第4発明)である。 まず、この発明において対象とする一方向性珪
素鋼板用素材の成分組成を限定する理由を以下に
述べる。 Cは、熱延あるいは冷延時に微細で均一な組織
制御に重要な役割りを果す元素であるが、インヒ
ビターに応じて下記のとおりに限定される。 Al−N−S系及びAl−N−Sn−Cu系では、
0.08%(以下単に%で示す)を超えて多くなると
2次再結晶焼鈍前の脱炭焼鈍時に長時間を要し生
産性を低下させると共に、脱炭も不充分となつて
磁気特性の劣化を生じ、一方Cが少なくなつてく
ると熱延集合組織制御が困難となつて大きな伸長
粒が形成されるようになり磁気特性が劣化してく
るので、良好な鉄損特性を得るためには、0.03%
以上とする必要がある。 次にMo−S−Sb系、Mo−Se−Sb系及びMo
−S−Se−Sb系では、0.05%を超えて多くなる
と2次再結晶焼鈍前の脱炭焼鈍時に長時間を要し
生産性を低下させると共に、脱炭も不充分となつ
て磁気特性の劣化を生じ、一方Cが少なくなつて
くると熱延集合組織制御が困難となつて大きな伸
長粒が形成されるにようになり磁気特性が劣化し
てくるので、良好な鉄損特性を得るためには、
0.03%以上とする必要がある。 また、B−N−S系では0.06%を超えて多くな
ると2次再結晶焼鈍前に脱炭焼鈍時に長時間を要
し生産性を低下させると共に、脱炭も不充分とな
つて磁気特性の劣化を生じ、一方Cが少なくなつ
てくると熱延集合組織制御が困難となつて大きな
伸長粒が形成されるようになり磁気特性が劣化し
てくるので、良好な鉄損特性を得るためには、
0.03%以上とする必要がある。 Siは磁気特性、特に鉄損特性にとつて重要な元
素であるが、インヒビターに応じて下記のとおり
に限定される。 Al−N−S系、Al−N−Sn−Cu系及びB−N
−S系では2.0%より少ないと電気抵抗が低く渦
流損失増大に基づいて鉄損値が大きくなり、一方
4.0%より多いと冷延の際に脆性割れを生じ易い
ためSiは2.0〜4.0%の範囲内にする必要がある。 Mo−S−Sb系、Mo−Se−Sb系及びMo−S
−Se−Sb系では、2.5%より少ないと電気抵抗が
低く渦流損失増大に基づいて鉄損値が大きくな
り、一方4.0%より多いと冷延の際に脆性割れを
生じ易いためSiは2.5〜4.0%の範囲内にする必要
がある。 Mnは、{110}<001>方位の2次再結晶粒の生
成を左右するインヒビターすなわち分散析出相と
してのMnSあるいはMnSeの析出に不可欠な元素
である。Mn量が0.01%未満では、1次再結晶粒
成長を抑制するためのMnSあるいはMnSeの絶対
量が不足し不完全2次再結晶を起す。一方Mn量
が0.2%を超えると、スラブ加熱時においてMnS
あるいはMnSeの解離固溶が困難となり、また仮
に解離固溶が行われたとしても、熱間圧延時に析
出する分散析出相が粗大化し易く、インヒビター
としての最適なサイズ分布が損なわれて磁気特性
が劣化する。これらの理由から、Mnは0.01〜0.2
%の範囲に限定した。 Sb及びMoはいずれも、後述のS、Seと併存す
ることにより2次再結晶時の1次粒の全長を抑制
し{110}<001>方位の2次再結晶粒の成長を促
進させ、これにより製品の磁気特性をより一層向
上させる役割を果たす。したがつてこの発明の方
法に使用されるけい素鋼素材としては、後述のS
及び/又はSeのほか、Sb及びMoを含有するもの
を用いるものとする。ただしSbが0.2%を超える
と冷間加工性を劣化させるとともに、磁束密度が
低下し始めて磁気特性の劣化を招き、またMoが
0.1%を超えると熱間加工性及び冷間加工性が劣
化するだけでなく鉄損特性が劣化する。一方Sb
が0.005%、又Moが0.003%に満たないと、それ
らの添加効果に乏しいのでSbの含有量は0.005〜
0.2%、又Moの含有量は0.003〜0.1%の範囲に規
制する必要がある。 S、Seは、2次再結晶時において1次粒の成
長を抑制するインヒビターとしてのMnS、MnSe
の形成に必要な元素であり、少なくともいずれか
1種が含有されていれば良いが、その含有量が単
独添加又は複合添加いずれの場合においても0.05
%を超えると熱間及び冷間加工性が劣化するの
で、含有量の上限は0.05%とし、一方含有量が
0.005%未満ではMnS、MnSeの絶対量が不足し、
インヒビターとしての機能が得られないので、含
有量の下限は0.005%とした。 Alは、鋼中に含まれるとNと結合してAlNの
微細析出物を形成し、強力なインヒビターとして
作用する。とくに冷延圧下率70〜95%の強冷延法
によつて2次再結晶を発達させるためにはsolAl
として0.005〜0.06%の範囲で含有させる必要が
ある。というのはAlが0.005%未満ではインヒビ
ターとしてのAlN微細析出物の析出粒が不足し、
{110}<001>方位の2次再結晶粒の発達が不充分
となり、一方0.06%を超えるとかえつて{110}<
001>方位の2次再結晶粒の発達が悪くなるから
である。 Nは、AlNあるいはBNをインヒビターとして
利用する際の不可欠元素であり、Nが0.001%よ
り少ないとAlNあるいはBNによるインヒビター
効果が弱く、一方添加量が0.01%を超えるとブリ
スターと呼ばれる表面欠陥が多発し、製品歩留り
が低下するので、Nは0.001〜0.01%の範囲に規
制する必要がある。 Bは、鋼中に含まれるNと結合してBNの微細
析出物を形成し、強力なインヒビターとして作用
する。Bが0.0003%未満ではインヒビターとして
のBN微細析出物の析出量が不足し、一方0.004%
を超えると{110}<001>方位の2次再結晶粒の
発達が悪くなるため、Bは0.0003〜0.004%の範
囲に限定した。 Snは、2次細結晶粒の微細化に役立つもので
0.01%未満では効果が弱く、一方0.5%を超える
とCuとの複合添加であることもあつて圧延性及
び酸洗性が劣化する。 Cuは、被膜の形成にとつて好ましいもので0.01
%未満では被膜改善に効果が少なく、一方0.3%
を超えると磁気特性の面から好ましい。 次に熱延板は800〜1100℃の均一化焼鈍を経て
1回の冷間圧延で最終板厚とする1回冷延法か又
は、通常850℃から1050℃の中間焼鈍をはさんで
さらに冷延する2回冷延法にて、後者の場合最初
の圧下率は50%から80%程度、最終の圧下率は50
%から85%程度で0.15mmから0.35mm厚の最終冷延
板厚とする。 最終冷延を終わり製品板厚に仕上げた鋼板は、
表面脱脂後750℃から850℃の湿水素中の脱炭1次
再結晶焼鈍処理を施す。 その後は通常、鋼板表面にMgOを主成分とす
る焼鈍分離剤を塗布する。この際、一般的には仕
上げ焼鈍後の形成を不可欠としていたフオルステ
ライトをとくに形成させない方がその後の鋼板の
鏡面処理を簡便にするのに有効であるので、焼鈍
分離剤としてAl2O3、ZrO2、TiO2等の50%以上
をMgOに混入して使用するのが好ましい。 その後2次再結晶焼鈍を行うが、この工程は
{110}<001>方位の2次再結晶粒を充分発達させ
るために施されるもので、通常箱焼鈍によつて直
ちに1000℃以上に昇温し、その温度に保持するこ
とによつて行われる。 この場合{110}<001>方位に、高度に揃つた
2次再結晶粒組織を発達させるためには820℃か
ら900℃の低温で保持焼鈍する方が有利であり、
そのほか例えば0.5〜15℃/hの昇温速度の徐熱
焼鈍でもよい。 2次再結晶焼鈍後の純化焼鈍は乾水素中で1100
℃以上で1〜20時間焼鈍を行なつて、鋼板の純化
を達成することが必要である。 この純化焼鈍後に鋼板表面の酸化物被膜を公知
の酸洗などの化学的除去法や切削、研削などの機
械的除去法又はそれらの組合せにより除去する。 この酸化物除去処理後、化学研磨、電解研磨な
どの化学的研磨や、バフ研磨などの機械的研磨あ
るいはそれらの組合せなど従来の手法により鋼板
表面を鏡面状態つまり中心線平均粗さ0.4μm以下
に仕上げる。 次に鏡面鋼板表面上に局所微小ひずみを導入す
るがその手法は従来公知の方法例えば 剛体片を鋼板に圧接しかつ掻引する方法(特
公昭50−35699号公報参照)として、ナイフや
カミソリの刃先、金剛砂、金たわしなどで鋼板
表面を鋤いたり、ひつかいたりすること、 線状の鋭い先端を有する剛体を鋼板に圧接す
る方法、 液体又は剛い粉体ないしはそれらの混合物を
高圧で鋼板上に噴射しかつ必要に応じて掻引す
る方法、 微小に絞られた点状あるいは線状のレーザー
照射あるいは高エネルギーの電子線などを走査
する方法 などを用いてもよい。 その後CVD、イオンプレーテイング又はイオ
ンインプランテーシヨンより500℃以上の高温状
態にして局所ひずみ導入位置を再結晶させて微細
結晶粒群の混在する混合相を鋼板表面近傍に形成
させるとともに、鋼板表面上に該混合相を介し強
力に被着した極薄張力被膜を形成させる。 このときの張力被膜はTi、Zr、Hf、V、Nb、
Ta、Mn、Cr、Mo、W、Co、Ni、Al、B、Si
の窒化物及び/又は炭化物のうちから選んだ1種
以上4種以下からなる極薄のものが何れも適切で
あり、とくに0.1〜2μm程度の厚みをもつことが
効果的であるが、この極薄被膜を構成する化合物
の組合せは如何ような組合せでも、又、何種でも
本発明の効果は何ら影響されないが、処理上の複
雑さやコストの点から4種以下に限定した。
CVD、イオンプレーテイング又はイオンインプ
ランテーシヨンの施工が500℃未満の温度では再
結晶しにくいため、処理温度は500℃以上とする。
さらにこのように生成した極薄張力被膜上に、り
ん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする絶縁被
膜の塗布焼付を行うことが、100万KVAにも上る
大容量トランスの使途において当然に必要であ
り、この絶縁性塗布焼付層の形成の如きは、従来
公知の手法をそのまま用いて良い。 さて上掲した各発明の成功が導かれた具体的実
験の経過に従つて説明を進める。C:0.042%
Si:3.38%、Mn:0.062%、Se:0.021%、Sb:
0.025%及びMo:0.026%を含有し、残部実質的
にFeからなる珪素鋼連鋳スラブを1360℃で4時
間加熱後熱間圧延して2.0mm厚の熱延板とした。 その後900℃で3分間の均一化焼鈍後950℃で3
分間の中間焼鈍をはさむ2回の冷間圧延を施して
0.23mm厚の最終冷延板とした。 その後820℃の湿水素雰囲気中で脱炭・1次再
結晶焼鈍を施した後、鋼板表面に不活性Al2O3
(80%)とMgO(20%)からなる焼鈍分離剤を塗
布し、ついで850℃で50時間の2次再結晶焼鈍と
1200℃で乾水素中で5時間の純化焼鈍を施した。 その後酸洗にて鋼板表面の酸化物を除去したの
ち、3%HFとH2O2混合液中で化学研磨を施した
後 (A):圧延方向と直角方向に8mm間隔でナイフによ
り局所的に機械的微小ひずみ(0.1mm幅のきず)
を導入 (B):パルスレーザーを用いて圧延方向と直角方向
に8mm間隔(スポツト中心間隔=2.0mm、スポ
ツトの直径=0.5mmφ、照射エネルギー:μ=
20J/cm2)で局所微小ひずみを導入 する、2通りに分けた条件で処理した2種類の試
料のおのおのに、CVD装置を使用して750℃で20
時間にわたりTiCl4とN2及びH2の混合ガス雰囲
気中でCVD処理して、鋼板表面近傍の2次再結
晶粒中に0.05〜0.5mmの微細結晶粒群を混在生成
させた混合相を形成し、これと同時に該混合相を
介し鋼板表面上で強力に被着したTiNの極薄張
力被膜(0.6μm厚)を形成させた。また1部の試
料については、張力被膜の上にりん酸塩とコロイ
ダルシリカを主成分とするコーテイング被膜を形
成した。そのときの製品の磁気特性を通常工程材
(比較材)ととともに表1にまとめて示す。
なかでも、鉄損の低減に係わる極限的に要請を満
たそうとして近年来の目覚ましい開発努力が傾け
られているがその実効を挙げつつあるものでも、
実施に伴う重大な弊害として、一方向性珪素鋼板
の使用に当たつての加工、組立てを経たのち、い
わゆるひずみ取り焼鈍がほどこされた場合に、特
性劣化の随伴を不可避に生じて、使途についての
制限を受ける不利が指摘される。 この明細書では、ひずみ取り焼鈍のような高温
の熱履歴を経ると否とに拘わらず、上記要請を有
利に充足し得る新たな方途を拓くことについての
開発研究の成果に関連して以下に述べる。 ところで一方向性珪素鋼板は、よく知られてい
るとおり製品の2次再結晶粒を(110)〔001〕、す
なわちゴス方位に、高度に集積させたもので、主
として変圧器その他の電気機器の鉄心として使さ
れ電気・磁気的特性として製品の磁束密度(B10
値で代表される)が高く、鉄損(W17/50値で代表
される)の低いことが要求される。 この一方向性珪素鋼板は複雑多岐にわたる工程
を経て製造されるが、今までにおびただしい発
明・改善が加えられ、今日では板厚0.30mmの製品
の磁気特性がB101.90T以上、W17/501.05W/Kg以
下、また板厚0.23mmの製品の磁気特性がB101.89T
以上、W17/500.90W/Kg以下程度の低鉄損一方向
性珪素鋼板の製造はむしろ一般化して来ている。 特に最近では省エネの見地から電気損失の低減
を至上とする要請が著しく強まり、欧米では損失
の少ない変圧器を作る場合に鉄損の減少分を金額
に換算して変圧器価格に上積みする「ロス・エバ
リユエーシヨン」(鉄損評価)制度が普及しこれ
がはじめに触れた極限的要請にほかならない。 (従来の技術) このような状況下において最近、一方向性珪素
鋼板の仕上焼鈍後の鋼板表面に圧延方向にほぼ直
角方向でのレーザ照射により局部微小ひずみを導
入して磁区を細分化し、もつて鉄損を低下させる
ことが提案(特公昭57−2252号、特公昭57−
53419号、特公昭58−26405号及び特公昭58−
26406号各公報参照)されたがこの磁区細分化技
術はひずみ取り焼鈍を施さない、積鉄心向けトラ
ンス材料として効果的であつても、ひずみ取り焼
鈍を施す、主として巻鉄心トランス材料にあつて
は、レーザー照射によつて折角に導入された局部
微小ひずみが焼鈍処理により開放されて磁区幅が
広くなるため、レーザー照射効果が失われるとい
う欠点がある。 一方これより先に特公昭52−24499号公報にお
いては、一方向性珪素鋼板の仕上げ焼鈍後の鋼板
表面を鏡面仕上げするか又は、その鏡面仕上げ面
上に金属薄めつきや、さらにその上に絶縁被膜を
塗布焼付けする、ことによる、超低鉄損一方向性
珪素鋼板の製造方法が提案されている。 しかしながらこの鏡面仕上げによる鉄損向上手
法は、工程的に採用するには、著しいコストアツ
プになる割りに鉄損低減への寄与が充分でない
上、とくに鏡面仕上後に不可欠な絶縁被膜を塗布
焼付した後の密着性に問題があるため、現在の製
造工程において採用されるに至つてはいない。 また特公昭56−4150号公報においても鋼板表面
を鏡面仕上げした後、酸化物系セラミツクス薄膜
を蒸着する方法が提案されている。しかしながら
この方法も600℃以上の高温焼鈍を施すと鋼板と
セラミツクス層とがはく離するため、実際の製造
工程では採用できない。 さらに、特公昭60−14827号公報、特開昭59−
23822号公報においては仕上焼鈍後の鋼板に微小
ひずみを、機械的な導入又はレーザー照射痕跡に
よつて形成させた上で、その後500℃以上の高い
温度で加熱し、ひずみ導入領域に微細再結晶粒群
を生成させることによつて、高温焼鈍を施しても
特性劣化のない超低鉄損一方向性珪素鋼板の製造
方法が提案されている。これらの製造方法は上記
の仕上焼鈍後のレーザー照射による局部微小ひず
み導入による磁区細分化の場合とは異なり、高温
焼鈍によつて特性向上効果が消滅しないという利
点があるが、フオルステライト被膜を用いるため
なお充分な超低鉄損失化を達成したとはいいがた
い。 (発明が解決しようとする問題点) 発明者らは上記した鏡面仕上による鉄損向上を
目指した実効を、より有利に引き出すに当つて、
特に今日の省エネ材料開発の観点では上記のごと
きコストのアツプ不利を凌駕する特性、なかでも
高温処理での特性劣化を伴うことなくして極薄張
力被膜の密着性、耐久性の問題をより有利に克服
することが肝要と考え、この基本認識に立脚し、
仕上焼鈍済みの方向性珪素鋼板表面上の酸化物を
除去した後に研磨を施して鏡面状態にする場合に
つき、該酸化物除去後における鋼板処理方法の抜
本的な改善によつてとくに有利に超鉄損化を達成
することが発明の目的である。 (問題点を解決するための手段) 上記の問題点は、次の事項を骨子とする構成に
より、効果的に充足される。 C:0.03〜0.05wt%、Si:2.5〜4.0wt%、
Mn:0.01〜0.2wt%、Mo:0.003〜0.1wt%、
Sb:0.005〜0.2wt%、S及びSeのうちいずれ
か1種又は2種合計で0.005〜0.05wt%を含み、
残部実質的にFeからなる組成、 C:0.03〜0.08wt%、Si:2.0〜4.0wt%、
Mn:0.01〜0.2wt%、solAl:0.005〜0.06wt%、
S:0.005〜0.05wt%、N:0.001〜0.01wt%、
Sn:0.01〜0.5wt%、Cu:0.01〜0.3wt%を含み
残部実質的にFeからなる組成、 C:0.03〜0.06wt%、Si:2.0〜4.0wt%、
Mn:0.01〜0.2wt%、S:0.005〜0.05wt%、
B:0.0003〜0.004wt%、N:0.001〜0.01wt%
を含み残部実質的にFeからなる組成、 C:0.03〜0.08wt%、Si:2.0〜4.0wt%、
Mn:0.01〜0.2wt%、solAl:0.005〜0.06wt%、
S:0.005〜0.05wt%、N:0.001〜0.01wt%を
含み、残部実質的にFeからなる組成 の珪素鋼スラブを熱間圧延して得られた熱延板に
1回又は中間焼鈍をはさむ2回の冷間圧延を施し
て最終板厚にしてから脱炭・1次再結晶焼鈍を施
したのち2次再結晶焼鈍及び純化焼鈍を含む最終
仕上焼鈍を施した方向性珪素鋼板の表面上の酸化
物を除去し、 ついで研磨により中心線平均粗さ0.4μm以下の
鏡面状態にした鋼板に対して、その表面上の局部
位置に微小ひずみを導入し、 ついで500℃以上の温度でのCVD、イオンプレ
ーテイング又はイオンインプランテーシヨンによ
り、 鋼板表面近傍の2次再結晶粒中に1.0mm以下の
微細結晶粒群を混在生成させた混合相を形成し、
これと同時に該混合相を介し鋼板表面上で強固に
被着した Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mn、Cr、Mo、
W、Co、Ni、Al、B及びSiの窒化物及び/又は
炭化物 より成る群のうちから選んだ1種以上4種以下か
らなる極薄張力被膜を形成させる工程を含むこと
を特徴とする超低鉄損一方向性けい素鋼板の製造
方法(第1〜第4発明)である。 まず、この発明において対象とする一方向性珪
素鋼板用素材の成分組成を限定する理由を以下に
述べる。 Cは、熱延あるいは冷延時に微細で均一な組織
制御に重要な役割りを果す元素であるが、インヒ
ビターに応じて下記のとおりに限定される。 Al−N−S系及びAl−N−Sn−Cu系では、
0.08%(以下単に%で示す)を超えて多くなると
2次再結晶焼鈍前の脱炭焼鈍時に長時間を要し生
産性を低下させると共に、脱炭も不充分となつて
磁気特性の劣化を生じ、一方Cが少なくなつてく
ると熱延集合組織制御が困難となつて大きな伸長
粒が形成されるようになり磁気特性が劣化してく
るので、良好な鉄損特性を得るためには、0.03%
以上とする必要がある。 次にMo−S−Sb系、Mo−Se−Sb系及びMo
−S−Se−Sb系では、0.05%を超えて多くなる
と2次再結晶焼鈍前の脱炭焼鈍時に長時間を要し
生産性を低下させると共に、脱炭も不充分となつ
て磁気特性の劣化を生じ、一方Cが少なくなつて
くると熱延集合組織制御が困難となつて大きな伸
長粒が形成されるにようになり磁気特性が劣化し
てくるので、良好な鉄損特性を得るためには、
0.03%以上とする必要がある。 また、B−N−S系では0.06%を超えて多くな
ると2次再結晶焼鈍前に脱炭焼鈍時に長時間を要
し生産性を低下させると共に、脱炭も不充分とな
つて磁気特性の劣化を生じ、一方Cが少なくなつ
てくると熱延集合組織制御が困難となつて大きな
伸長粒が形成されるようになり磁気特性が劣化し
てくるので、良好な鉄損特性を得るためには、
0.03%以上とする必要がある。 Siは磁気特性、特に鉄損特性にとつて重要な元
素であるが、インヒビターに応じて下記のとおり
に限定される。 Al−N−S系、Al−N−Sn−Cu系及びB−N
−S系では2.0%より少ないと電気抵抗が低く渦
流損失増大に基づいて鉄損値が大きくなり、一方
4.0%より多いと冷延の際に脆性割れを生じ易い
ためSiは2.0〜4.0%の範囲内にする必要がある。 Mo−S−Sb系、Mo−Se−Sb系及びMo−S
−Se−Sb系では、2.5%より少ないと電気抵抗が
低く渦流損失増大に基づいて鉄損値が大きくな
り、一方4.0%より多いと冷延の際に脆性割れを
生じ易いためSiは2.5〜4.0%の範囲内にする必要
がある。 Mnは、{110}<001>方位の2次再結晶粒の生
成を左右するインヒビターすなわち分散析出相と
してのMnSあるいはMnSeの析出に不可欠な元素
である。Mn量が0.01%未満では、1次再結晶粒
成長を抑制するためのMnSあるいはMnSeの絶対
量が不足し不完全2次再結晶を起す。一方Mn量
が0.2%を超えると、スラブ加熱時においてMnS
あるいはMnSeの解離固溶が困難となり、また仮
に解離固溶が行われたとしても、熱間圧延時に析
出する分散析出相が粗大化し易く、インヒビター
としての最適なサイズ分布が損なわれて磁気特性
が劣化する。これらの理由から、Mnは0.01〜0.2
%の範囲に限定した。 Sb及びMoはいずれも、後述のS、Seと併存す
ることにより2次再結晶時の1次粒の全長を抑制
し{110}<001>方位の2次再結晶粒の成長を促
進させ、これにより製品の磁気特性をより一層向
上させる役割を果たす。したがつてこの発明の方
法に使用されるけい素鋼素材としては、後述のS
及び/又はSeのほか、Sb及びMoを含有するもの
を用いるものとする。ただしSbが0.2%を超える
と冷間加工性を劣化させるとともに、磁束密度が
低下し始めて磁気特性の劣化を招き、またMoが
0.1%を超えると熱間加工性及び冷間加工性が劣
化するだけでなく鉄損特性が劣化する。一方Sb
が0.005%、又Moが0.003%に満たないと、それ
らの添加効果に乏しいのでSbの含有量は0.005〜
0.2%、又Moの含有量は0.003〜0.1%の範囲に規
制する必要がある。 S、Seは、2次再結晶時において1次粒の成
長を抑制するインヒビターとしてのMnS、MnSe
の形成に必要な元素であり、少なくともいずれか
1種が含有されていれば良いが、その含有量が単
独添加又は複合添加いずれの場合においても0.05
%を超えると熱間及び冷間加工性が劣化するの
で、含有量の上限は0.05%とし、一方含有量が
0.005%未満ではMnS、MnSeの絶対量が不足し、
インヒビターとしての機能が得られないので、含
有量の下限は0.005%とした。 Alは、鋼中に含まれるとNと結合してAlNの
微細析出物を形成し、強力なインヒビターとして
作用する。とくに冷延圧下率70〜95%の強冷延法
によつて2次再結晶を発達させるためにはsolAl
として0.005〜0.06%の範囲で含有させる必要が
ある。というのはAlが0.005%未満ではインヒビ
ターとしてのAlN微細析出物の析出粒が不足し、
{110}<001>方位の2次再結晶粒の発達が不充分
となり、一方0.06%を超えるとかえつて{110}<
001>方位の2次再結晶粒の発達が悪くなるから
である。 Nは、AlNあるいはBNをインヒビターとして
利用する際の不可欠元素であり、Nが0.001%よ
り少ないとAlNあるいはBNによるインヒビター
効果が弱く、一方添加量が0.01%を超えるとブリ
スターと呼ばれる表面欠陥が多発し、製品歩留り
が低下するので、Nは0.001〜0.01%の範囲に規
制する必要がある。 Bは、鋼中に含まれるNと結合してBNの微細
析出物を形成し、強力なインヒビターとして作用
する。Bが0.0003%未満ではインヒビターとして
のBN微細析出物の析出量が不足し、一方0.004%
を超えると{110}<001>方位の2次再結晶粒の
発達が悪くなるため、Bは0.0003〜0.004%の範
囲に限定した。 Snは、2次細結晶粒の微細化に役立つもので
0.01%未満では効果が弱く、一方0.5%を超える
とCuとの複合添加であることもあつて圧延性及
び酸洗性が劣化する。 Cuは、被膜の形成にとつて好ましいもので0.01
%未満では被膜改善に効果が少なく、一方0.3%
を超えると磁気特性の面から好ましい。 次に熱延板は800〜1100℃の均一化焼鈍を経て
1回の冷間圧延で最終板厚とする1回冷延法か又
は、通常850℃から1050℃の中間焼鈍をはさんで
さらに冷延する2回冷延法にて、後者の場合最初
の圧下率は50%から80%程度、最終の圧下率は50
%から85%程度で0.15mmから0.35mm厚の最終冷延
板厚とする。 最終冷延を終わり製品板厚に仕上げた鋼板は、
表面脱脂後750℃から850℃の湿水素中の脱炭1次
再結晶焼鈍処理を施す。 その後は通常、鋼板表面にMgOを主成分とす
る焼鈍分離剤を塗布する。この際、一般的には仕
上げ焼鈍後の形成を不可欠としていたフオルステ
ライトをとくに形成させない方がその後の鋼板の
鏡面処理を簡便にするのに有効であるので、焼鈍
分離剤としてAl2O3、ZrO2、TiO2等の50%以上
をMgOに混入して使用するのが好ましい。 その後2次再結晶焼鈍を行うが、この工程は
{110}<001>方位の2次再結晶粒を充分発達させ
るために施されるもので、通常箱焼鈍によつて直
ちに1000℃以上に昇温し、その温度に保持するこ
とによつて行われる。 この場合{110}<001>方位に、高度に揃つた
2次再結晶粒組織を発達させるためには820℃か
ら900℃の低温で保持焼鈍する方が有利であり、
そのほか例えば0.5〜15℃/hの昇温速度の徐熱
焼鈍でもよい。 2次再結晶焼鈍後の純化焼鈍は乾水素中で1100
℃以上で1〜20時間焼鈍を行なつて、鋼板の純化
を達成することが必要である。 この純化焼鈍後に鋼板表面の酸化物被膜を公知
の酸洗などの化学的除去法や切削、研削などの機
械的除去法又はそれらの組合せにより除去する。 この酸化物除去処理後、化学研磨、電解研磨な
どの化学的研磨や、バフ研磨などの機械的研磨あ
るいはそれらの組合せなど従来の手法により鋼板
表面を鏡面状態つまり中心線平均粗さ0.4μm以下
に仕上げる。 次に鏡面鋼板表面上に局所微小ひずみを導入す
るがその手法は従来公知の方法例えば 剛体片を鋼板に圧接しかつ掻引する方法(特
公昭50−35699号公報参照)として、ナイフや
カミソリの刃先、金剛砂、金たわしなどで鋼板
表面を鋤いたり、ひつかいたりすること、 線状の鋭い先端を有する剛体を鋼板に圧接す
る方法、 液体又は剛い粉体ないしはそれらの混合物を
高圧で鋼板上に噴射しかつ必要に応じて掻引す
る方法、 微小に絞られた点状あるいは線状のレーザー
照射あるいは高エネルギーの電子線などを走査
する方法 などを用いてもよい。 その後CVD、イオンプレーテイング又はイオ
ンインプランテーシヨンより500℃以上の高温状
態にして局所ひずみ導入位置を再結晶させて微細
結晶粒群の混在する混合相を鋼板表面近傍に形成
させるとともに、鋼板表面上に該混合相を介し強
力に被着した極薄張力被膜を形成させる。 このときの張力被膜はTi、Zr、Hf、V、Nb、
Ta、Mn、Cr、Mo、W、Co、Ni、Al、B、Si
の窒化物及び/又は炭化物のうちから選んだ1種
以上4種以下からなる極薄のものが何れも適切で
あり、とくに0.1〜2μm程度の厚みをもつことが
効果的であるが、この極薄被膜を構成する化合物
の組合せは如何ような組合せでも、又、何種でも
本発明の効果は何ら影響されないが、処理上の複
雑さやコストの点から4種以下に限定した。
CVD、イオンプレーテイング又はイオンインプ
ランテーシヨンの施工が500℃未満の温度では再
結晶しにくいため、処理温度は500℃以上とする。
さらにこのように生成した極薄張力被膜上に、り
ん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする絶縁被
膜の塗布焼付を行うことが、100万KVAにも上る
大容量トランスの使途において当然に必要であ
り、この絶縁性塗布焼付層の形成の如きは、従来
公知の手法をそのまま用いて良い。 さて上掲した各発明の成功が導かれた具体的実
験の経過に従つて説明を進める。C:0.042%
Si:3.38%、Mn:0.062%、Se:0.021%、Sb:
0.025%及びMo:0.026%を含有し、残部実質的
にFeからなる珪素鋼連鋳スラブを1360℃で4時
間加熱後熱間圧延して2.0mm厚の熱延板とした。 その後900℃で3分間の均一化焼鈍後950℃で3
分間の中間焼鈍をはさむ2回の冷間圧延を施して
0.23mm厚の最終冷延板とした。 その後820℃の湿水素雰囲気中で脱炭・1次再
結晶焼鈍を施した後、鋼板表面に不活性Al2O3
(80%)とMgO(20%)からなる焼鈍分離剤を塗
布し、ついで850℃で50時間の2次再結晶焼鈍と
1200℃で乾水素中で5時間の純化焼鈍を施した。 その後酸洗にて鋼板表面の酸化物を除去したの
ち、3%HFとH2O2混合液中で化学研磨を施した
後 (A):圧延方向と直角方向に8mm間隔でナイフによ
り局所的に機械的微小ひずみ(0.1mm幅のきず)
を導入 (B):パルスレーザーを用いて圧延方向と直角方向
に8mm間隔(スポツト中心間隔=2.0mm、スポ
ツトの直径=0.5mmφ、照射エネルギー:μ=
20J/cm2)で局所微小ひずみを導入 する、2通りに分けた条件で処理した2種類の試
料のおのおのに、CVD装置を使用して750℃で20
時間にわたりTiCl4とN2及びH2の混合ガス雰囲
気中でCVD処理して、鋼板表面近傍の2次再結
晶粒中に0.05〜0.5mmの微細結晶粒群を混在生成
させた混合相を形成し、これと同時に該混合相を
介し鋼板表面上で強力に被着したTiNの極薄張
力被膜(0.6μm厚)を形成させた。また1部の試
料については、張力被膜の上にりん酸塩とコロイ
ダルシリカを主成分とするコーテイング被膜を形
成した。そのときの製品の磁気特性を通常工程材
(比較材)ととともに表1にまとめて示す。
【表】
表1から磁気特性はB10が1.91〜1.92T、W17/50
が0.60〜0.65W/Kgで通常工程材(比較材)にく
らべてB10で0.02〜0.03T、W17/50で0.23〜
0.28W/Kgと極端に良好(特に鉄損特性の向上は
顕著である)であることが注目される。 (作用) このような特性向上は、鋼板表面を鏡面状態に
した後、局所微小ひずみを導入し、ついで、
CVD処理中に微小ひずみ導入位置に微細結晶粒
を生成させると同時に、TiNの極薄張力被膜を
形成させることに帰因し、鉄損の効果的な低下が
導かれる。 (実施例) 実施例 1 (A) C:0.041%、Si:3.48%、Mn:0.062%、
Mo:0.025%、Se:0.022%、Sb:0.025%を含
有し、残部実質的にFeからなる熱延板及び (B) C:0.053%、Si:3.32%、Mn:0.072%、
S:0.018%、Al:0.025%、N:0.066%を含有
し、残部実質的にFeからなる熱延板 を用いた。まず最初に(A)の熱延板は900℃で3分
間の均一化焼鈍後、950℃の中間焼鈍をはさんで
2回の冷間圧延を行なつて0.23mm厚の最終冷延板
とした。 一方(B)の熱延板は1050℃で3分間の均一化焼鈍
を施した後急冷しその後300℃の温間圧延を施し
ながら0.23mm厚の最終冷延板とした。 これら(A)及び(B)の冷延板は何れも表面を脱脂し
た後、830℃の湿水素中で脱炭焼鈍後鋼板表面に
Al2O3(70%)、MgO(25%)、ZrO2(5%)から成
る焼鈍分離剤を塗布した。 その後(A)の試料は850℃で50時間の2次再結晶
焼鈍を行なつた後、1200℃で6時間乾水素中で純
化焼鈍を行なつた。 また(B)の試料は820℃から5℃/hrで1050℃ま
で昇温して2次再結晶させた後、1200℃で8時間
乾水素中で純化焼鈍を行なつた。 その後(A)及び(B)の各試料は酸洗により酸化被膜
を除去後、化学研磨して中心線平均粗さ0.05μm
以下の鏡面状態とした後、鋼板表面上に圧延方向
に直角方向に8mm間隔でナイフで局所微小ひずみ
を導入した。また一部の試料はYAGレーザーを
使用し局所微小ひずみを導入した。その使用条件
はエネルギーが20J/cm2、スポツト直径0.2mm、ス
ポツト中心間隔0.5〜1mm、レーザー走査痕間隔
8mm(圧延方向に直角方向にレーザー照射)で行
なつた。 その後600℃以上の温度でCVD、イオンプレー
テイング(表の中の◎印)及びイオンインプラン
テーシヨン(表の中の△印)により種々の薄膜を
(約0.6〜0.7μm厚)形成させた。その後1部の試
料はコロイダルシリカとリン酸塩を主成分とする
コーテイング被膜を形成させた。そのときの製品
の磁気特性を表2にまとめて示す。
が0.60〜0.65W/Kgで通常工程材(比較材)にく
らべてB10で0.02〜0.03T、W17/50で0.23〜
0.28W/Kgと極端に良好(特に鉄損特性の向上は
顕著である)であることが注目される。 (作用) このような特性向上は、鋼板表面を鏡面状態に
した後、局所微小ひずみを導入し、ついで、
CVD処理中に微小ひずみ導入位置に微細結晶粒
を生成させると同時に、TiNの極薄張力被膜を
形成させることに帰因し、鉄損の効果的な低下が
導かれる。 (実施例) 実施例 1 (A) C:0.041%、Si:3.48%、Mn:0.062%、
Mo:0.025%、Se:0.022%、Sb:0.025%を含
有し、残部実質的にFeからなる熱延板及び (B) C:0.053%、Si:3.32%、Mn:0.072%、
S:0.018%、Al:0.025%、N:0.066%を含有
し、残部実質的にFeからなる熱延板 を用いた。まず最初に(A)の熱延板は900℃で3分
間の均一化焼鈍後、950℃の中間焼鈍をはさんで
2回の冷間圧延を行なつて0.23mm厚の最終冷延板
とした。 一方(B)の熱延板は1050℃で3分間の均一化焼鈍
を施した後急冷しその後300℃の温間圧延を施し
ながら0.23mm厚の最終冷延板とした。 これら(A)及び(B)の冷延板は何れも表面を脱脂し
た後、830℃の湿水素中で脱炭焼鈍後鋼板表面に
Al2O3(70%)、MgO(25%)、ZrO2(5%)から成
る焼鈍分離剤を塗布した。 その後(A)の試料は850℃で50時間の2次再結晶
焼鈍を行なつた後、1200℃で6時間乾水素中で純
化焼鈍を行なつた。 また(B)の試料は820℃から5℃/hrで1050℃ま
で昇温して2次再結晶させた後、1200℃で8時間
乾水素中で純化焼鈍を行なつた。 その後(A)及び(B)の各試料は酸洗により酸化被膜
を除去後、化学研磨して中心線平均粗さ0.05μm
以下の鏡面状態とした後、鋼板表面上に圧延方向
に直角方向に8mm間隔でナイフで局所微小ひずみ
を導入した。また一部の試料はYAGレーザーを
使用し局所微小ひずみを導入した。その使用条件
はエネルギーが20J/cm2、スポツト直径0.2mm、ス
ポツト中心間隔0.5〜1mm、レーザー走査痕間隔
8mm(圧延方向に直角方向にレーザー照射)で行
なつた。 その後600℃以上の温度でCVD、イオンプレー
テイング(表の中の◎印)及びイオンインプラン
テーシヨン(表の中の△印)により種々の薄膜を
(約0.6〜0.7μm厚)形成させた。その後1部の試
料はコロイダルシリカとリン酸塩を主成分とする
コーテイング被膜を形成させた。そのときの製品
の磁気特性を表2にまとめて示す。
【表】
実施例 2
(A)C0.042%、Si3.36%、Mn0.062%、S0.022%、
Sb0.026%、Mo0.015%、(B)C0.058%、Si3.48%、
Mn0.062%、S0.025%、Al0.028%、Sn0.05%、
Cu0.09%、N0.0076%及び(C)C0.042%、Si3.38%、
Mn0.047%、S0.032%、B0.0024%、N0.0068%を
含有し残部実質的にFeからなる一方向性珪素鋼
の2.2mm厚の熱延板を用いた。 この中で(A)の熱延板は920℃で3分間の均一化
焼鈍を施した後、950℃の中間焼鈍をはさんで2
回の冷間圧延を施して0.20mm厚の最終冷延板とし
た。一方(B)、(C)の熱延板は1100℃(B)及び950℃(C)
の中間焼鈍をはさんで2回の冷間圧延を施して
0.20mm厚の最終冷延板とした。 その後(A)の冷延板の表面を脱脂後820℃の温水
素中、(B)、(C)の冷延板は850℃(B)及び830℃(C)の湿
水素中で脱炭・1次再結晶焼鈍を施した後、
Al2O3(60%)、MgO(35%)、ZrO2(5%)を主成
分とする焼鈍分離剤を鋼板表面上に塗布した。 その後(A)の鋼板は850℃で50時間の2次再結晶
焼鈍、(B)、(C)の鋼板は850℃から1050℃まで15
℃/hrで昇温してGoss方位の2次再結晶粒を発
達させた後、1200℃の乾H2中で8時間の純化焼
鈍を施した。 その後酸洗により鋼板表面上の酸化物を除去し
た後、電解研磨により鋼板表面を鏡面状態に仕上
げた。 その後(A):圧延方向と直角方向に7mm間隔でナ
イフにより局所的に微小ひずみ(0.1mm幅のきず)
を導入 (B)EB(エレクトロンビーム)を用いて圧延方向
と直角方向に7mm間隔(スポツト中心間隔=1.5
mm、スポツトの直径0.25mmφ、加速電圧60Kv、
加速電流1.2mA)で局所的に微小ひずみを導入 その後600℃以上の温度でイオンプレーテイン
グにより2〜4種の窒化物、炭化物及び窒化物と
炭化物の張力薄膜(約1〜1.5μm厚)を形成させ
た。そのときの磁気特性を第3表に示す。
Sb0.026%、Mo0.015%、(B)C0.058%、Si3.48%、
Mn0.062%、S0.025%、Al0.028%、Sn0.05%、
Cu0.09%、N0.0076%及び(C)C0.042%、Si3.38%、
Mn0.047%、S0.032%、B0.0024%、N0.0068%を
含有し残部実質的にFeからなる一方向性珪素鋼
の2.2mm厚の熱延板を用いた。 この中で(A)の熱延板は920℃で3分間の均一化
焼鈍を施した後、950℃の中間焼鈍をはさんで2
回の冷間圧延を施して0.20mm厚の最終冷延板とし
た。一方(B)、(C)の熱延板は1100℃(B)及び950℃(C)
の中間焼鈍をはさんで2回の冷間圧延を施して
0.20mm厚の最終冷延板とした。 その後(A)の冷延板の表面を脱脂後820℃の温水
素中、(B)、(C)の冷延板は850℃(B)及び830℃(C)の湿
水素中で脱炭・1次再結晶焼鈍を施した後、
Al2O3(60%)、MgO(35%)、ZrO2(5%)を主成
分とする焼鈍分離剤を鋼板表面上に塗布した。 その後(A)の鋼板は850℃で50時間の2次再結晶
焼鈍、(B)、(C)の鋼板は850℃から1050℃まで15
℃/hrで昇温してGoss方位の2次再結晶粒を発
達させた後、1200℃の乾H2中で8時間の純化焼
鈍を施した。 その後酸洗により鋼板表面上の酸化物を除去し
た後、電解研磨により鋼板表面を鏡面状態に仕上
げた。 その後(A):圧延方向と直角方向に7mm間隔でナ
イフにより局所的に微小ひずみ(0.1mm幅のきず)
を導入 (B)EB(エレクトロンビーム)を用いて圧延方向
と直角方向に7mm間隔(スポツト中心間隔=1.5
mm、スポツトの直径0.25mmφ、加速電圧60Kv、
加速電流1.2mA)で局所的に微小ひずみを導入 その後600℃以上の温度でイオンプレーテイン
グにより2〜4種の窒化物、炭化物及び窒化物と
炭化物の張力薄膜(約1〜1.5μm厚)を形成させ
た。そのときの磁気特性を第3表に示す。
【表】
(発明の効果)
この発明によれば、超低鉄損一方向性珪素鋼板
が安定にしかも容易に得られ、その鉄損特性は、
ひすみ取り焼鈍の如き高温熱履歴の如何には無関
係に維持される。
が安定にしかも容易に得られ、その鉄損特性は、
ひすみ取り焼鈍の如き高温熱履歴の如何には無関
係に維持される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 C:0.03〜0.05wt%、 Si:2.5〜4.0wt%、 Mn:0.01〜0.2wt%、 Mo:0.003〜0.1wt%、 Sb:0.005〜0.2wt%、 S及びSeのうちいずれか1種又は2種合計で
0.005〜0.05wt% を含み、残部実質的にFeからなる珪素鋼スラブ
を熱間圧延して得られた熱延板に1回又は中間焼
鈍をはさむ2回の冷間圧延を施して最終板厚にし
てから脱炭・1次再結晶焼鈍を施したのち2次再
結晶焼鈍及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍を施し
た方向性珪素鋼板の表面上の酸化物を除去し、つ
いで研磨により中心線平均粗さ0.4μm以下の鏡面
状態にした鋼板に対して、該鋼板表面上の局部位
置に微小ひずみを導入し、 ついで500℃以上の温度でのCVD、イオンプレ
ーテイング又はイオンインプランテーシヨンによ
り、 鋼板表面近傍の2次再結晶粒中に1.0mm以下の
微細結晶粒群を混在生成させた混合相を形成し、
これと同時に該混合相を介し鋼板表面上で強固に
被着した Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mn、Cr、Mo、
W、Co、Ni、Al、B及びSiの窒化物及び/又は
炭化物 より成る群のうちから選んだ1種以上4種以下か
らなる極薄張力被膜を形成させる 工程を含むことを特徴とする超低鉄損一方向性け
い素鋼板の製造方法。 2 C:0.03〜0.08wt%、 Si:2.0〜4.0wt%、 Mn:0.01〜0.2wt%、 solAl:0.005〜0.06wt%、 S:0.005〜0.05wt%、 N:0.001〜0.01wt%、 Sn:0.01〜0.5wt%、 Cu:0.01〜0.3wt%、 を含み、残部実質的にFeからなる珪素鋼スラブ
を熱間圧延して得られた熱延板に1回又は中間焼
鈍をはさむ2回の冷間圧延を施して最終板厚にし
てから脱炭・1次再結晶焼鈍を施したのち2次再
結晶焼鈍及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍を施し
た方向性珪素鋼板の表面上の酸化物を除去し、つ
いで研磨により中心線平均粗さ0.4μm以下の鏡面
状態にした鋼板に対して、該鋼板表面上の局部位
置に微小ひずみを導入し、 ついで500℃以上の温度でのCVD、イオンプレ
ーテイング又はイオンインプランテーシヨンによ
り、 鋼板表面近傍の2次再結晶粒中に1.0mm以下の
微細結晶粒群を混在生成させた混合相を形成し、
これと同時に該混合相を介し鋼板表面上で強固に
被着した Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mn、Cr、Mo、
W、Co、Ni、Al、B及びSiの窒化物及び/又は
炭化物 より成る群のうちから選んだ1種以上4種以下か
らなる極薄張力被膜を形成させる 工程を含むことを特徴とする超低鉄損一方向性け
い素鋼板の製造方法。 3 C:0.03〜0.06wt%、 Si:2.0〜4.0wt%、 Mn:0.01〜0.2wt%、 S:0.005〜0.05wt% B:0.0003〜0.004wt%、 N:0.001〜0.01wt%、 を含み、残部実質的にFeからなる珪素鋼スラブ
を熱間圧延して得られた熱延板に1回又は中間焼
鈍をはさむ2回の冷間圧延を施して最終板厚にし
てから脱炭・1次再結晶焼鈍を施したのち2次再
結晶焼鈍及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍を施し
た方向性珪素鋼板の表面上の酸化物を除去し、つ
いで研磨により中心線平均粗さ0.4μm以下の鏡面
状態にした鋼板に対して、該鋼板表面上の局部位
置に微小ひずみを導入し、 ついで500℃以上の温度でのCVD、イオンプレ
ーテイング又はイオンインプランテーシヨンによ
り、 鋼板表面近傍の2次再結晶粒中に1.0mm以下の
微細結晶粒群を混在生成させた混合相を形成し、
これと同時に該混合相を介し鋼板表面上で強固に
被着した Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mn、Cr、Mo、
W、Co、Ni、Al、B及びSiの窒化物及び/又は
炭化物 より成る群のうちから選んだ1種以上4種以下か
らなる極薄張力被膜を形成させる 工程を含むことを特徴とする超低鉄損一方向性け
い素鋼板の製造方法。 4 C:0.03〜0.08wt%、 Si:2.0〜4.0wt%、 Mn:0.01〜0.2wt%、 solAl:0.005〜0.06wt%、 S:0.005〜0.05wt%、 N:0.001〜0.01wt%、 を含み、残部実質的にFeからなる珪素鋼スラブ
を熱間圧延して得られた熱延板に1回又は中間焼
鈍をはさむ2回の冷間圧延を施して最終板厚にし
てから脱炭・1次再結晶焼鈍を施したのち2次再
結晶焼鈍及び純化焼鈍を含む最終仕上焼鈍を施し
た方向性珪素鋼板の表面上の酸化物を除去し、つ
いで研磨により中心線平均粗さ0.4μm以下の鏡面
状態にした鋼板に対して、該鋼板表面上の局部位
置に微小ひずみを導入し、 ついで500℃以上の温度でのCVD、イオンプレ
ーテイング又はイオンインプランテーシヨンによ
り、 鋼板表面近傍の2次再結晶粒中に1.0mm以下の
微細結晶粒群を混在生成させた混合相を形成し、
これと同時に該混合相を介し鋼板表面上で強固に
被着した Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mn、Cr、Mo、
W、Co、Ni、Al、B及びSiの窒化物及び/又は
炭化物 より成る群のうちから選んだ1種以上4種以下か
らなる極薄張力被膜を形成させる 工程を含むことを特徴とする超低鉄損一方向性け
い素鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60146709A JPS6210215A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 超低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60146709A JPS6210215A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 超低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3183488A Division JPS63232303A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 超低鉄損一方向性珪素鋼板 |
JP3183388A Division JPS63227722A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 超低低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6210215A JPS6210215A (ja) | 1987-01-19 |
JPS6335687B2 true JPS6335687B2 (ja) | 1988-07-15 |
Family
ID=15413766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60146709A Granted JPS6210215A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 超低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6210215A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05304016A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-16 | Nippon Steel Corp | 鉄損の低い一方向性電磁鋼板 |
KR102597512B1 (ko) * | 2020-12-22 | 2023-11-01 | 주식회사 포스코 | 방향성 전기강판 및 그의 제조방법 |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP60146709A patent/JPS6210215A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6210215A (ja) | 1987-01-19 |
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