JPH0364919A - コンタクトホール部におけるアルミ配線表面の平坦化法 - Google Patents
コンタクトホール部におけるアルミ配線表面の平坦化法Info
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- JPH0364919A JPH0364919A JP20166589A JP20166589A JPH0364919A JP H0364919 A JPH0364919 A JP H0364919A JP 20166589 A JP20166589 A JP 20166589A JP 20166589 A JP20166589 A JP 20166589A JP H0364919 A JPH0364919 A JP H0364919A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法において、特にコンタク
トホール部におけるアルミ配線表面の平坦化法に関する
。
トホール部におけるアルミ配線表面の平坦化法に関する
。
従来、この種のコンタクト形成部におけるアルミ配線の
形成方法は、第３図（ａ）、（ｂ）（ｃ）の工程断面図
に示す様に、層間絶縁膜２にコンタクトホール３を形成
し、次にアルミスパッタ膜４を被着し、そのアルミスパ
ッタ膜４をフォトリソグラフィー法でバターニングする
ことによって、アルミ配線パターン１３を形成していた
。
形成方法は、第３図（ａ）、（ｂ）（ｃ）の工程断面図
に示す様に、層間絶縁膜２にコンタクトホール３を形成
し、次にアルミスパッタ膜４を被着し、そのアルミスパ
ッタ膜４をフォトリソグラフィー法でバターニングする
ことによって、アルミ配線パターン１３を形成していた
。
そして、その時のコンタクトホール上のアルミ配線表面
は凹部となっていた。
は凹部となっていた。
上述した従来のコンタクトホール部におけるアルミ配線
表面は、コンタクトホール直上で凹部となっているので
、アルミ配線のステップカバレッジが悪く断線を起こし
たりする。又第２．第３のアルミ配線を形成する場合、
コンタクトホール部上でアルミ配線表面が凹部となり平
坦性が悪い為、このアルミ配線凹部を避けて第２．第３
アルミ配線パターンを設計せざるを得す、配線パターン
面積の集積度が上がらないという欠点がある。
表面は、コンタクトホール直上で凹部となっているので
、アルミ配線のステップカバレッジが悪く断線を起こし
たりする。又第２．第３のアルミ配線を形成する場合、
コンタクトホール部上でアルミ配線表面が凹部となり平
坦性が悪い為、このアルミ配線凹部を避けて第２．第３
アルミ配線パターンを設計せざるを得す、配線パターン
面積の集積度が上がらないという欠点がある。
本発明のコンタクトホール部におけるアルミ配線表面の
平坦化法は、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成後ア
ルミスパッタ膜を形成する工程と、フォトレジストを塗
布後酸素プラズマ法を用い１部フォトレジストを除去し
、コンタクトホール上のアルミ配線表面の凹部のみフォ
トレジストを残す工程と、凹部のフォトレジストをマス
クに凹部以外のアルミスパッタ膜表面を陽極酸化法によ
りアルミナ化し絶縁膜を形成する工程と、凹部フォトレ
ジストを除去る工程と、アルミナ膜をマスクに凹部アル
ミスパッタ膜上にめっき法によるメタル塊を埋込む工程
と、フォトリソグラフィ法によりアルミ配線パターンを
形成する工程とを有している。
平坦化法は、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成後ア
ルミスパッタ膜を形成する工程と、フォトレジストを塗
布後酸素プラズマ法を用い１部フォトレジストを除去し
、コンタクトホール上のアルミ配線表面の凹部のみフォ
トレジストを残す工程と、凹部のフォトレジストをマス
クに凹部以外のアルミスパッタ膜表面を陽極酸化法によ
りアルミナ化し絶縁膜を形成する工程と、凹部フォトレ
ジストを除去る工程と、アルミナ膜をマスクに凹部アル
ミスパッタ膜上にめっき法によるメタル塊を埋込む工程
と、フォトリソグラフィ法によりアルミ配線パターンを
形成する工程とを有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｈ）は本発明の第１の実施例の工程断
面図である。図（ａ）において、シリコン基板１上に約
１．０μｍ厚の層間絶縁膜２を形成し、次に約１．０μ
ｍ口のコンタクトホール３を形成する０図（ｂ）におい
て、約１，３μｍ厚のアルミスパッタ膜４を基板表面全
域に形成する０図（Ｃ）において、アルミスパッタ膜４
の表面に約０．５μｍ厚のフォトレジスト５を塗布する
。その後、図（ｄ）において、酸素プラズマ法によりフ
ォトレジスト５をアルミスパッタ膜表面凹部６上の凹部
フォトレジスト７を残す様、凹部以外の平坦部８上のフ
ォトレジストを除去する。
面図である。図（ａ）において、シリコン基板１上に約
１．０μｍ厚の層間絶縁膜２を形成し、次に約１．０μ
ｍ口のコンタクトホール３を形成する０図（ｂ）におい
て、約１，３μｍ厚のアルミスパッタ膜４を基板表面全
域に形成する０図（Ｃ）において、アルミスパッタ膜４
の表面に約０．５μｍ厚のフォトレジスト５を塗布する
。その後、図（ｄ）において、酸素プラズマ法によりフ
ォトレジスト５をアルミスパッタ膜表面凹部６上の凹部
フォトレジスト７を残す様、凹部以外の平坦部８上のフ
ォトレジストを除去する。
次に図（ｅ）において、基板をホウ酸アンモニウム−エ
チレングリコール溶液中に入れ、アルミスパッタ膜４を
陽極に、また対向電極を陰極に接続し７０Ｖ程度印加す
ることにより、凹部フォトレジストアをマスクとした部
分以外の、露出したアルミスパッタ膜表面を陰極酸化し
、アルミナ膜９を形成する。この時のアルミナ膜９の膜
厚は、次のめっき工程で絶縁膜として有効であることが
必要であり０．３μｍ程度とする０図（ｆ）において、
凹部フォトレジスト７を有機溶剤によるフォトレジスト
剥離液に浸漬し除去する。
チレングリコール溶液中に入れ、アルミスパッタ膜４を
陽極に、また対向電極を陰極に接続し７０Ｖ程度印加す
ることにより、凹部フォトレジストアをマスクとした部
分以外の、露出したアルミスパッタ膜表面を陰極酸化し
、アルミナ膜９を形成する。この時のアルミナ膜９の膜
厚は、次のめっき工程で絶縁膜として有効であることが
必要であり０．３μｍ程度とする０図（ｆ）において、
凹部フォトレジスト７を有機溶剤によるフォトレジスト
剥離液に浸漬し除去する。
次に図（ｇ）において、基板を金めつき液に入れ、アル
ミスパッタ膜４を陰極に、また対向電極を陽極に接続し
、定電流を印加することにより、アルミナ膜９で被覆さ
れている部分以外のアルミスパッタ膜表面凹部６上に、
凹部全部が埋まる様に金めっき塊１０を形成する。なお
、金めつき塊は全以外に銀、銅、ニッケル等の金属を用
いることもできる。
ミスパッタ膜４を陰極に、また対向電極を陽極に接続し
、定電流を印加することにより、アルミナ膜９で被覆さ
れている部分以外のアルミスパッタ膜表面凹部６上に、
凹部全部が埋まる様に金めっき塊１０を形成する。なお
、金めつき塊は全以外に銀、銅、ニッケル等の金属を用
いることもできる。
次に図（ｈ）において、フォトリソグラフィ法によりア
ルミスパッタ膜４をエツチングしてバターニングし、コ
ンタクトホール部において平坦化された絶縁膜被覆アル
ミ配線１１を形成する。
ルミスパッタ膜４をエツチングしてバターニングし、コ
ンタクトホール部において平坦化された絶縁膜被覆アル
ミ配線１１を形成する。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の工程断
面図である０図（ａ）において、金めつき塊１０を形成
する時、アルミスパッタ膜表面凹部６以外をマスクとし
て被覆しているアルミナ膜９は、希弗酸−硫酸水溶液で
エツチングし除去することにより、アルミスパッタ膜４
の表面を露出させる０次に図（ｂ）において、フォトリ
ングラフィ法によりアルミスパッタ膜４をエツチングし
バターニングを行ない、平坦性に優れた絶縁膜を除去し
たアルミ配線１２を形成する。この実施例ではアルミナ
膜９を除去し、アルミスパッタ膜を直接フォトリソグラ
フィ法で加工するため、アルミナ配線の除去部分と残す
部分との比を第１の実施例より精度良く保つことができ
、アルミ配線の微細化に対応することができる利点があ
る。
面図である０図（ａ）において、金めつき塊１０を形成
する時、アルミスパッタ膜表面凹部６以外をマスクとし
て被覆しているアルミナ膜９は、希弗酸−硫酸水溶液で
エツチングし除去することにより、アルミスパッタ膜４
の表面を露出させる０次に図（ｂ）において、フォトリ
ングラフィ法によりアルミスパッタ膜４をエツチングし
バターニングを行ない、平坦性に優れた絶縁膜を除去し
たアルミ配線１２を形成する。この実施例ではアルミナ
膜９を除去し、アルミスパッタ膜を直接フォトリソグラ
フィ法で加工するため、アルミナ配線の除去部分と残す
部分との比を第１の実施例より精度良く保つことができ
、アルミ配線の微細化に対応することができる利点があ
る。
以上説明したように本発明は、コンタクトホール部にお
けるアルミ配線凹部を金めつき塊で埋め込むことにより
、コンタクトホール直上のアルミ配線表面凹部のアルミ
断線を防止しデバイスの信頼性を向上させることができ
る。
けるアルミ配線凹部を金めつき塊で埋め込むことにより
、コンタクトホール直上のアルミ配線表面凹部のアルミ
断線を防止しデバイスの信頼性を向上させることができ
る。
またアルミ配線上に第２．第３のアルミ配線を形成する
場合に、コンタクトホール上のアルミ配線凹部を避けた
第２．第３アルミ配線パターンを設計する必要がなく、
配線パターン面積の集積度を上げることができる等の効
果がある。
場合に、コンタクトホール上のアルミ配線凹部を避けた
第２．第３アルミ配線パターンを設計する必要がなく、
配線パターン面積の集積度を上げることができる等の効
果がある。
第１図（ａ）〜（ｈ）は本発明の第１の実施例の工程断
面図、第２図（ａ） （ｂ）は本発明の第２の実施
例の工程断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は従来のアルミ
配線の形成方法を示す工程断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・層間絶縁膜、３・・・
コンタクトホール、４・・・アルミスパッタ膜、５・・
・フォトレジスト、６・・・アルミスパッタ膜表面凹部
、７・・・凹部フォトレジスト、８・・・凹部以外の平
坦部、９・・・アルミナ膜、１０・・・金めつき塊、１
１・・・絶縁膜被覆アルミ配線、１２・・・絶縁膜を除
去したアルミ配線、１３・・・アルミ配線パターン。
面図、第２図（ａ） （ｂ）は本発明の第２の実施
例の工程断面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）は従来のアルミ
配線の形成方法を示す工程断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・層間絶縁膜、３・・・
コンタクトホール、４・・・アルミスパッタ膜、５・・
・フォトレジスト、６・・・アルミスパッタ膜表面凹部
、７・・・凹部フォトレジスト、８・・・凹部以外の平
坦部、９・・・アルミナ膜、１０・・・金めつき塊、１
１・・・絶縁膜被覆アルミ配線、１２・・・絶縁膜を除
去したアルミ配線、１３・・・アルミ配線パターン。
Claims (1)
- 層間絶縁膜にコンタクトホールを形成後アルミスパッタ
膜を形成する工程と、フォトレジストを塗布後酸素プラ
ズマ法を用い１部フォトレジストを除去し、コンタクト
ホール上のアルミ配線表面の凹部のみフォトレジストを
残す工程と、凹部のフォトレジストをマスクに凹部以外
のアルミスパッタ膜表面を陽極酸化法によりアルミナ化
し絶縁膜を形成する工程と、凹部フォトレジストを除去
る工程と、アルミナ膜をマスクに凹部アルミスパッタ膜
上にめっき法によるメタル塊を埋込む工程と、フォトリ
ソグラフィ法によりアルミ配線パターンを形成する工程
とを含むことを特徴とするコンタクトホール部における
アルミ配線表面の平坦化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20166589A JPH0364919A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | コンタクトホール部におけるアルミ配線表面の平坦化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20166589A JPH0364919A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | コンタクトホール部におけるアルミ配線表面の平坦化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0364919A true JPH0364919A (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=16444868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20166589A Pending JPH0364919A (ja) | 1989-08-02 | 1989-08-02 | コンタクトホール部におけるアルミ配線表面の平坦化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0364919A (ja) |
-
1989
- 1989-08-02 JP JP20166589A patent/JPH0364919A/ja active Pending
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