JPH0360488A - ヒ酸チタン・カリウム単結晶の製造方法 - Google Patents

ヒ酸チタン・カリウム単結晶の製造方法

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JPH0360488A
JPH0360488A JP1193947A JP19394789A JPH0360488A JP H0360488 A JPH0360488 A JP H0360488A JP 1193947 A JP1193947 A JP 1193947A JP 19394789 A JP19394789 A JP 19394789A JP H0360488 A JPH0360488 A JP H0360488A
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JP
Japan
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single crystal
titanium potassium
potassium arsenate
crucible
flux
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JP1193947A
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English (en)
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Toshiki Kishimoto
俊樹 岸本
Kuniyasu Imamura
国安 今村
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 赤外YAGレーザー光を高変換効率で緑色光に変調する
ヒ酸チタン・カリウム単結晶の製造方法に関する。
[従来の技術] ヒ酸チタン・カリウムと、同一の結晶構造を持つリン酸
チタン・カリウムの単結晶は赤外YAGレーザー光を緑
色光に変換でき、しかもこの変換効率が高いことが知ら
れている。近年、ヒ酸チタン・カリウム単結晶による上
記変換効率がリン酸チタン・カリウムよりさらに高いこ
とがわかり、注目されてきている。
[発明が解決しようとする課題] ところで、KTtOAs04単結晶は500〜700°
C13000気圧εいう過酷な条件で水熱合成法により
製造されている。この理由は、KTiOAsO,をその
まま高温に熱すると、KTiOAsO,が分解し、ヒ酸
根が蒸発して得られる結晶の化学組成が変化してしまう
からである。この結果、KTtOAs04単結晶は高価
なものとならざるをえず、非常に浸れた特性を有するに
もかかわらず、産業上まったく利用されていない。
本発明は、KTiOAsO,単結晶を産業上利用するこ
とを可能にするための安価なKTiOAsO,単結晶の
製造方法を提供するものである。
[課題を解決するための手段] 上記課題を解決するための本発明の方法は、フラックス
法を用いてヒ酸チタン・カリウム単結晶を製造する方法
において、K220. (ZはW、 S、 Mo、Cr
から選ばれる少なくとも一種)で表される化合物をフラ
ックスとして用い、該フラックスとヒ酸チタン・カリウ
ムとを、ヒ酸チタン・カリウムの割合が全体の15〜5
0 mol zとなるように混合することを特徴とする
ものである。
[作用] 本発明において、フラックスを用いる目的はKTiOA
sO4の融点を大気圧下で均一に溶解させうる程低下さ
せ、KTiOAsO,の分解によるヒ酸根の蒸発を防止
して、生成する結晶の組成を一定に保つことであり、本
発明において使用できるフラックスはに2Z04(Zは
W、S、 No、 Crから選ばれる少なくとも一種〉
である。
又、本発明に用いるKTiOAsO,はKAs03また
はKH2As04とTiO3とを等モル比で混合しばい
焼して得られるものである。
KTiOAsO,とフラックス、どの混合割合は、KT
iOAsO4の割合が小さいと単結晶の製造効率が低下
し、多すぎるとKTiOAsO,を均一に溶解するため
の温度が上昇し、KTiOAsO,が分解し、ヒ酸根が
蒸発し、得られる結晶の組成を乱して良好なKTiOA
sO,単結晶の製造を困難にする。このためKTiOA
sO4とフラックスとの混合割合は、KTiOAsO4
の全体に対する割合が15〜50 mol zとなるよ
うにしなければならない。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。
100 mlのpt坩堝と、温度プログラマ−付き電気
炉からなる単結晶育成器の坩堝内にモル比でKTiOA
sO4: K2SO4= 3 : 7となるように混合
して得た原料の約80m1の原料を入れ、100°C/
f1rの割合で均一に溶解するまで昇温し、次いで原料
を融体の容積が約80m1になるまで追加溶解した。
この時の融体温度は1000°Cであった0次いで、1
000’Cで10時間保持した後、1°C/Hrの割合
で500°Cになるまで冷却した。その後、室温まで放
冷し、坩堝ごと生成物を水に投入して溶解し、析出した
KTiOAsO,単結晶を回収した。得られた単結晶は
粒径3 mmの粒状のものであった。この単結晶の赤外
YAGレーザー光の緑色光への変換効率は極めて高いも
のであった。
上記実施例でわかるように、本発明では装置や手法は通
常のフラックス法による単結晶の育成法と同じものを使
用することができ、大気圧下で容易に、かつ安価にKT
iOAsO4単結晶を得ることが出来る。
[実施例−1] 100 mlのpt坩堝と、温度プログラマ−付き電気
炉からなる単結晶育成器の坩堝内に、KTiOAsO。
の割合がそれぞれ15.20.30.40.50 mo
l 7.となるようにKTiOAsO,とに2II!0
4とを混合して得た原料をそれぞれ約80 mlづつ入
れ、100 ”C/Hrの割合で均一に溶解するまで昇
温し、次いで原料を融体の容積が約80m1になるまで
追加溶解して10時間その温度で保持した後、2°Cl
0rの割合で500°Cになるまで冷却した。その後、
室温まで放冷し、坩堝ごと生成物を水に投入して溶解し
、析出したKTiOAsO,単結晶を回収した。得られ
た単結晶はそれぞれ粒径2.5〜6關の粒状のものであ
った。この単結晶の赤外YAGレーザー光の緑色光への
変換効率は極めて高いものであった。
なお、このときの各融体の温度はそれぞれ900.95
0.1000.1050.1100°Cであった。
[実施例−2] 100 mlのpt坩堝と、温度プログラマ−付き電気
炉からなる単結晶育成器の坩堝内に、KTiOAsO。
の割合が30 mol @となるようにKTiOAsO
,とに2Cr04とを混合して得た原料を約80m1人
れ、100°C/Hrの割合で均一に溶解するまで昇温
し、次いで原料を融体の容積が約80 mlになるまで
追加溶解して10時間その温度で保持した後、2°C/
11rの割合で500°Cになるまで冷却した。その後
、室温まで放冷し、坩堝ごと生成物を水に投入して溶解
し、析出しKTiOAsO4単結晶を回収した。
得られた単結晶は粒径3.5mmの粒状のものであった
。この単結晶の赤外YAGレーザー光の緑色光への変換
効率は極めて高いものであった。なお、このときの融体
の温度は1000°Cであった。
[実施例−31 100m1のpt坩堝と、温度プログラマ−付き電気炉
からなる単結晶育成器の坩堝内に、KTiOAsO。
の割合が30 mol ”AとなるようにKTtOAs
O,とに2Mn0.とを混合して得た原料の約80 !
Illを入れ、100°C/Hrの割合で均一に溶解す
るまで昇温し、次いで原料を融体の容積が約80 ml
になるまで追加溶解して10時間その温度で保持した後
、2°C/Hrの割合で500”Cになるまで冷却した
。その後、室温まで放冷し、坩堝ごと生成物を水に投入
して溶解し、析出したKT i 0AsO4単結晶を回
収した。得られた単結晶は粒径3.5關の粒状のもので
あった。この単結晶の赤外YAGレーザー光の緑色光へ
の変換効率は極めて高いものであった。
なお、このときの融体の温度は1000°Cであった。
[比較例] 100 mlのpt坩堝と、温度プログラマ−付き電気
炉からなる単結晶育成器のそれぞれの坩堝内に、KTi
OAsO4の割合が60 mol %となるようにKT
iOAsO4とに2WO,、KTiOAsO,とに2S
O,、KTiOAsO4とに2CrO,、およびKTi
OAsO4とに2Mn0.とを混合して得たそれぞれの
原料の約80m1を入れ、100゜Cl0rの割合で均
一に溶解するまで昇温し、次いで原料を融体の容積が約
80 !I11になるまで追加溶解して10時間その温
度で保持した後、2°C/Hrの割合で500”Cにな
るまで冷却した。その後、室温まで放冷し、坩堝ごと生
成物を水に投入して溶解し、析出したKTiOAsOn
単結晶を回収した。得られた結晶はいずれも不透明であ
った。これは均一に溶解させる温度が高く、ヒ酸根が蒸
発し、過剰となったKやTiが結晶内に取り込まれたた
めである。
[発明の効果] 本発明の方法によれば、適当量の適正なフラックスを用
いることにより、融点をヒ酸が蒸発しない範囲内に維持
できるため、大気圧下で、かつ簡単にKTiOAsO4
の単結晶を得ることができる。この結果、KTiOAs
O,の製造コストを著しく低下することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  フラックス法を用いてヒ酸チタン・カリウム単結晶を
    製造する方法において、K_2ZO_4(ZはW、S、
    Mo、Crから選ばれる少なくとも一種)で表される化
    合物をフラックスとして用い、該フラックスとヒ酸チタ
    ン・カリウムとを、ヒ酸チタン・カリウムの割合が全体
    の15〜50mol%となるように混合することを特徴
    とするヒ酸チタン・カリウム単結晶の製造方法。
JP1193947A 1989-07-28 1989-07-28 ヒ酸チタン・カリウム単結晶の製造方法 Pending JPH0360488A (ja)

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DE69014747T DE69014747T2 (de) 1989-07-28 1990-06-25 Verfahren zur Herstellung von Kaliumtitanarsenat-Einkristallen.
EP90306911A EP0410581B1 (en) 1989-07-28 1990-06-25 Process for preparing single crystal of potassium titanium arsonate

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