JPH036005A - チップ部品端子の低温構成方法 - Google Patents
チップ部品端子の低温構成方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000003973 paint Substances 0.000 abstract description 8
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 6
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はチップ部品端子に関し、特にチップ部品端子を
低温で構成する方法に関する。
低温で構成する方法に関する。
(従来技術)
チップ部品の端子電極は下地電極とその表面に形成され
た半田適性の良い電極とから成っておりプリント配線基
板上の導体部と電気接続するために導電性の良好なCu
、Ag、Pd、Au、Niなどの金属を下地電極とし基
板上の導体部との半田接続を良好にするためにこの下地
電極上さらに錫または半田をめっきしている。
た半田適性の良い電極とから成っておりプリント配線基
板上の導体部と電気接続するために導電性の良好なCu
、Ag、Pd、Au、Niなどの金属を下地電極とし基
板上の導体部との半田接続を良好にするためにこの下地
電極上さらに錫または半田をめっきしている。
第1図及び第2図に従来のチップ部品における端子電極
の構成方法を示す。図はインダクタを例とするチップ部
品の縦断面図であり、第1図(alのように例えば磁性
フェライトのような絶縁性磁性層とコイル形成用導体と
を交互に積層して焼結して作られ、導体コイル1とその
周りを取囲む焼結磁性フェライト2とより成り、導体コ
イルの弓出導体3.4が側面に引出されているチップ素
体を用意し、第1図(b)のように素体の周辺の弓出導
体3.4を覆うようにして導電塗料層5、例えばCu、
Ag、Pd、Au、Ni等の金属粉末とガラス粉末とを
溶剤とバインダーで分散したベーストを塗布し、これを
600〜850 ’Cの高温で焼付けることにより第1
図(c)に示すように導電性の良い下地電極6としてい
る。さらにこの上に第1図(d)のようにSnまたは半
田の膜7を電解めっきし、で端子電極を完成する。
の構成方法を示す。図はインダクタを例とするチップ部
品の縦断面図であり、第1図(alのように例えば磁性
フェライトのような絶縁性磁性層とコイル形成用導体と
を交互に積層して焼結して作られ、導体コイル1とその
周りを取囲む焼結磁性フェライト2とより成り、導体コ
イルの弓出導体3.4が側面に引出されているチップ素
体を用意し、第1図(b)のように素体の周辺の弓出導
体3.4を覆うようにして導電塗料層5、例えばCu、
Ag、Pd、Au、Ni等の金属粉末とガラス粉末とを
溶剤とバインダーで分散したベーストを塗布し、これを
600〜850 ’Cの高温で焼付けることにより第1
図(c)に示すように導電性の良い下地電極6としてい
る。さらにこの上に第1図(d)のようにSnまたは半
田の膜7を電解めっきし、で端子電極を完成する。
(従来技術の問題点)
一般にチップ部品は、チップコイルはフェライト、チッ
プコンデンサーは強誘電性の磁器で構成され、セラミッ
クスとよばれている物質である。
プコンデンサーは強誘電性の磁器で構成され、セラミッ
クスとよばれている物質である。
セラミックスと金属は多くの場合はとんど接合せず、端
子電極を得るためガラスを添加しガラスとの接合により
強度をとっているのが普通である。
子電極を得るためガラスを添加しガラスとの接合により
強度をとっているのが普通である。
このように下地電極6中のガラスはチップ部品の素体と
下地電極の間の接着強度保持を目的に使用され、焼成す
る温度により組成の選択が行われているが、大きく分け
て3つの技術的問題点がある。1つはチップ内部電極と
下地電極の接合部分で第2図に示すように高温焼付時に
金属間の拡散やバインダーの気化などにより気孔(ボア
)8が生じる問題である。ボアが生じた場合、その後の
電気めっき工程に使用される電解りがボア中へ侵入し、
そのまま残存してしまい、チップの特性の安定性を損ね
、或いは特性を低下させる原因となる。従来、この問題
を解決するには、下地電極6を焼付ける際に加熱曲線、
温度、及びガラス量の調整により金属粒子同志を近づけ
るなどの対策をとっているが完全にボアを消滅させるに
は至っていない。
下地電極の間の接着強度保持を目的に使用され、焼成す
る温度により組成の選択が行われているが、大きく分け
て3つの技術的問題点がある。1つはチップ内部電極と
下地電極の接合部分で第2図に示すように高温焼付時に
金属間の拡散やバインダーの気化などにより気孔(ボア
)8が生じる問題である。ボアが生じた場合、その後の
電気めっき工程に使用される電解りがボア中へ侵入し、
そのまま残存してしまい、チップの特性の安定性を損ね
、或いは特性を低下させる原因となる。従来、この問題
を解決するには、下地電極6を焼付ける際に加熱曲線、
温度、及びガラス量の調整により金属粒子同志を近づけ
るなどの対策をとっているが完全にボアを消滅させるに
は至っていない。
第2の問題点はチップと下地電極との間の接合強度を保
持するガラスの性状である。ガラスのチップ素体への接
合強度を保つためにチップ素体に第2図に9で示すよう
にある程度ガラスを浸透させるが、チップ素体の性状に
よってはもしくは接合ガラスの浸透度もしくは接合の程
度が変化し接合強度を低下させる原因となる。セラミッ
クスとの接合強度が強くて後の電気めっきの電解質によ
りガラス自体が成る程度溶解しにくいガラスは殆んどな
いのが現状であり、この問題点はガラスの材料の選択、
焼成条件の制御、電気めっき電解質の選択等で改善を行
っているが理想的な条件を選定することが困難であった
。
持するガラスの性状である。ガラスのチップ素体への接
合強度を保つためにチップ素体に第2図に9で示すよう
にある程度ガラスを浸透させるが、チップ素体の性状に
よってはもしくは接合ガラスの浸透度もしくは接合の程
度が変化し接合強度を低下させる原因となる。セラミッ
クスとの接合強度が強くて後の電気めっきの電解質によ
りガラス自体が成る程度溶解しにくいガラスは殆んどな
いのが現状であり、この問題点はガラスの材料の選択、
焼成条件の制御、電気めっき電解質の選択等で改善を行
っているが理想的な条件を選定することが困難であった
。
第3の問題点は焼付時に導電塗料(ペースト)中のバイ
ンダーが気化する際に還元作用を有する点である。すな
わち、チップ素体の酸化物はバインターが熱分解されて
気化したときに生じるC○、Hなどのガスにより還元さ
れ一部金属化されてチップ素体の抵抗や磁性を低下させ
る原因となる。この問題はバインダーの熱分解条件を制
御することにより改善されるが、接合強度が不十分にな
るとかボアが多いとか、必要十分な条件を見い出すのが
難しい。
ンダーが気化する際に還元作用を有する点である。すな
わち、チップ素体の酸化物はバインターが熱分解されて
気化したときに生じるC○、Hなどのガスにより還元さ
れ一部金属化されてチップ素体の抵抗や磁性を低下させ
る原因となる。この問題はバインダーの熱分解条件を制
御することにより改善されるが、接合強度が不十分にな
るとかボアが多いとか、必要十分な条件を見い出すのが
難しい。
以上のように、現在使用されている高温焼付(600〜
850℃)による下地電極を用いた端子電極は各特性に
対し充分満足のいくものではなかった。
850℃)による下地電極を用いた端子電極は各特性に
対し充分満足のいくものではなかった。
(発明の目的)
本発明は上記のボアの形成による電解質の捕捉とそれに
よる特性低下の問題を解決し、チップ素体と下地電極の
接着ないし接合強度を高め、さらにバインダーの気化に
よるチップ素体の還元の問題を解決することを目的とす
る。
よる特性低下の問題を解決し、チップ素体と下地電極の
接着ないし接合強度を高め、さらにバインダーの気化に
よるチップ素体の還元の問題を解決することを目的とす
る。
(発明の概要)
本発明は、チップ素体の内部導体が引出されたチップ素
体側面に、下地電極及びそれに続く所定の電極より成る
端子電極を形成するに当り、前記下地電極はエポキシ樹
脂、フェノール樹脂、その他の樹脂中に金属粉末を混合
分散させ、これを350℃以下、好ましくは100〜2
00℃の温度で熱硬化することにより焼付けられること
を特徴とする端子電極構成方法である。
体側面に、下地電極及びそれに続く所定の電極より成る
端子電極を形成するに当り、前記下地電極はエポキシ樹
脂、フェノール樹脂、その他の樹脂中に金属粉末を混合
分散させ、これを350℃以下、好ましくは100〜2
00℃の温度で熱硬化することにより焼付けられること
を特徴とする端子電極構成方法である。
本発明によると下地電極の焼付けは350 ’C以下の
低温で行われるため、拡散やガスの発生によるボアの形
成がなく、続いて行われる電気めっき時に電解質がボア
に捕捉される問題がなく、特性が安定化する。またバイ
ンダー樹脂の熱分解がないのでチップ素体の酸化物の還
元の問題もないし、さらに接着強度も十分に高くできる
。
低温で行われるため、拡散やガスの発生によるボアの形
成がなく、続いて行われる電気めっき時に電解質がボア
に捕捉される問題がなく、特性が安定化する。またバイ
ンダー樹脂の熱分解がないのでチップ素体の酸化物の還
元の問題もないし、さらに接着強度も十分に高くできる
。
(発明の構成の具体的説明)
第3図は本発明の方法をチップインダクタに対して実施
する工程図であり、(a)、(b)、(c)、(d)は
それぞれ第1図の(a)、(b)、(c)、(d)に対
応する。ただし本発明では下地電極は低温焼付型の導電
塗料(ペースト)を用いて行われる。本発明はチップコ
ンデンサの端子電極に対しても同様に適用できる。
する工程図であり、(a)、(b)、(c)、(d)は
それぞれ第1図の(a)、(b)、(c)、(d)に対
応する。ただし本発明では下地電極は低温焼付型の導電
塗料(ペースト)を用いて行われる。本発明はチップコ
ンデンサの端子電極に対しても同様に適用できる。
先ず第3図(a)は焼結チップ素体の断面図を表わし、
1は内部導体(この例ではインダクタ形成のためのコイ
ル状導体)、2は電気絶縁性磁性フェライトであり、3
.4は内部導体の引出導体で、素体の側面へ引出されて
いる。本発明に従って、引出導体3.4が引出された素
体側面には第3図(b)に示すようにエポキシ樹脂等と
導電金属粉末との混合物より成る導電塗料10が塗布さ
れる。次いで、100〜200℃での熱硬化により導電
塗料は素体の側面に焼付けられ、第3図(c)のように
下地電極11になる。さらに常法に従って下地電極11
の上には半田又はSnが電解めっきまたは無電解めっき
される。
1は内部導体(この例ではインダクタ形成のためのコイ
ル状導体)、2は電気絶縁性磁性フェライトであり、3
.4は内部導体の引出導体で、素体の側面へ引出されて
いる。本発明に従って、引出導体3.4が引出された素
体側面には第3図(b)に示すようにエポキシ樹脂等と
導電金属粉末との混合物より成る導電塗料10が塗布さ
れる。次いで、100〜200℃での熱硬化により導電
塗料は素体の側面に焼付けられ、第3図(c)のように
下地電極11になる。さらに常法に従って下地電極11
の上には半田又はSnが電解めっきまたは無電解めっき
される。
本発明で使用するエポキシ等はそれ自体電気絶縁性であ
る。しかし、意外にも金属粉末と混合したとき樹脂の絶
縁性は導電性を阻害しないこと、またSn及び半田の下
地電極として好適な特性を有することが分かった。これ
に使用する金属粉末は先に挙げたCu、Ag、Ag−P
d、Pd。
る。しかし、意外にも金属粉末と混合したとき樹脂の絶
縁性は導電性を阻害しないこと、またSn及び半田の下
地電極として好適な特性を有することが分かった。これ
に使用する金属粉末は先に挙げたCu、Ag、Ag−P
d、Pd。
Ni、Auその他C等の導電性物質等が使用できる。ま
たこれに用いる樹脂としてはエポキシ樹脂、フェノール
樹脂、シリコン樹脂等の有機高分子の熱硬化性樹脂が好
適である。第4図aに示す様に樹脂の量はあまり多いと
電気絶縁性が高くなり、めっき付性を低下させ、bに示
す様にあまり少ないと、電極の塗布適正(平滑性)及び
錫半等のめっき皮膜やチップ素体に対する接着力を減じ
るので金属対樹脂の割合は体積比で1:9〜91の範囲
にすべきである。
たこれに用いる樹脂としてはエポキシ樹脂、フェノール
樹脂、シリコン樹脂等の有機高分子の熱硬化性樹脂が好
適である。第4図aに示す様に樹脂の量はあまり多いと
電気絶縁性が高くなり、めっき付性を低下させ、bに示
す様にあまり少ないと、電極の塗布適正(平滑性)及び
錫半等のめっき皮膜やチップ素体に対する接着力を減じ
るので金属対樹脂の割合は体積比で1:9〜91の範囲
にすべきである。
なお、錫または半田と下地電極との間に他の金属をめっ
きして接着強度、耐半田熱性などを改善しても良い。
きして接着強度、耐半田熱性などを改善しても良い。
以下に本発明の実施例を示す
(実施例)
積層法によりNi−Cu−Zn系フェライト層とAg−
Pd導体とを交互積層印刷し、次いで焼結したインダク
タ用チップの両側面に、Ag粉末/エポキシ樹脂8=2
(重量比)より成る導電塗料を塗布し、200℃の温度
で硬化し厚さ20μmの下地電極とした。次いで、公知
のバレルめっき法によりN2ガスを吹込みながら5μm
厚の半田めっきを施した。めっき組成は有機カルボン酸
半田浴で行った。
Pd導体とを交互積層印刷し、次いで焼結したインダク
タ用チップの両側面に、Ag粉末/エポキシ樹脂8=2
(重量比)より成る導電塗料を塗布し、200℃の温度
で硬化し厚さ20μmの下地電極とした。次いで、公知
のバレルめっき法によりN2ガスを吹込みながら5μm
厚の半田めっきを施した。めっき組成は有機カルボン酸
半田浴で行った。
次に、得られたチップ部品の電気抵抗、接着力を測定し
たところ第4.5図の結果を得た。従来の方法によりガ
ラス/Ag1=7(重量比)にバインダーとして、ニト
ロセルロース混合溶剤を用いてペースト化し、600℃
で焼付け、実施例と同じ条件で5μm厚の半田めっきを
施した。同様な測定で次の結果を得た。
たところ第4.5図の結果を得た。従来の方法によりガ
ラス/Ag1=7(重量比)にバインダーとして、ニト
ロセルロース混合溶剤を用いてペースト化し、600℃
で焼付け、実施例と同じ条件で5μm厚の半田めっきを
施した。同様な測定で次の結果を得た。
図から、本発明の方法で得た電極構造の抵抗値はAg−
ガラスの場合よりやや大きいがほとんど問題とならない
こと、接着強度が十分大きいことが分る。
ガラスの場合よりやや大きいがほとんど問題とならない
こと、接着強度が十分大きいことが分る。
4、 の な言 日
第1図及び第2図は従来のチップ部品端子の構成方法を
示し、第3図は第1図(C)工程の部分拡大図、第4図
は抵抗値と配合比の関係を示すグラフ、及び第5図は引
張強度を示すグラフである。
示し、第3図は第1図(C)工程の部分拡大図、第4図
は抵抗値と配合比の関係を示すグラフ、及び第5図は引
張強度を示すグラフである。
第1因
第2図
第3図
第4図
0 20 40 60 80too
80 60 40 20001凌(粉本) 0 (左檄高扮Xr)
80 60 40 20001凌(粉本) 0 (左檄高扮Xr)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1) インダクタ、コンデンサ等のチップ素体の内部導
体が引出されたチップ素体側面に、下地電極を形成し、
次いで所定の電極をめっきすることにより端子電極を形
成するにあたり、前記下地電極は樹脂中に導電性物質の
粉末を混合分散させ、これを前記側面に塗布し、350
℃以下の温度で熱硬化することによりチップ素体に焼付
けられることを特徴とするチップ部品端子の低温構成方
法。 2) 樹脂はエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン
樹脂等の有機高分子より選択される前記第1項記載の方
法。 3) 導電性物質の粉末はCu、Ni、Ag、Pd、C
より成る群より選択される前記第1項または第2項記載
の方法。 4) 樹脂と導電性物質粉末の体積比は9:1〜1:9
である前記第1項ないし第3項のいずれかに記載の方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1139068A JPH036005A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | チップ部品端子の低温構成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1139068A JPH036005A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | チップ部品端子の低温構成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH036005A true JPH036005A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15236746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1139068A Pending JPH036005A (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | チップ部品端子の低温構成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH036005A (ja) |
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