JPH0351958Y2 - - Google Patents

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JPH0351958Y2
JPH0351958Y2 JP18469685U JP18469685U JPH0351958Y2 JP H0351958 Y2 JPH0351958 Y2 JP H0351958Y2 JP 18469685 U JP18469685 U JP 18469685U JP 18469685 U JP18469685 U JP 18469685U JP H0351958 Y2 JPH0351958 Y2 JP H0351958Y2
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lead wires
capacitor
lead
pair
magnetic metal
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JP18469685U
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  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕 本考案はゲートターンオフ(以下GTOと称す)
の保護回路(スナバ回路)に使用される大容量の
コンデンサに関する。 〔考案の技術的背景とその問題点〕 近年、GTOサイリスタの発展はめざましく、
該GTOサイリスタを保護するスナバ回路に使用
される、いわゆるスナバ用のコンデンサにおける
残留インダクタンスの低減化は、残留インピーダ
ンスにより発生する逆起電力でGTOサイリスタ
を破壊してしまう危険性をなくしスナバ回路とし
ての機能を十分に発揮する上で極めて重要であ
る。 従来一般に使用されているスナバ用のコンデン
サは大電流であることを前提に第2図に示すよう
に例えば一対の誘電体とアルミ箔電極を積層巻回
し両端面からアルミ箔電極をはみ出させ引出電極
部21を形成して、無誘導構造としたコンデンサ
素子22を所要の容量になるよう複数個積み重
ね、複数個のコンデンサ素子22を例えば亜鉛メ
ツキ鉄板からなる締付バンド23で締付一体化
し、しかる後ブリキからなるケース胴体24に収
納し該ケース胴体24内面と前記締付バンド23
をハンダ付けし、前記各コンデンサ素子22を並
列接続し、リード線25,26を介してケース上
蓋27に固着した外部端子28,29にそれぞれ
接続し前記ケース胴体24開口部を前記ケース上
蓋27にて封口密封した2端子構造としたものか
らなつている。しかしながら上記構成になるコン
デンサの残留インダクタンスは0.2μH〜0.3μHあ
り、スナバ回路用のコンデンサとして要求される
低残留インピーダンスに対して十分に応え得るも
のとはなつていなかつた。しかして上記構成にな
るコンデンサの残留インダクタンスが大なる要因
は、各コンデンサ素子22に流れる電流が矢印の
ように同一方向であり、それによる磁界は亜鉛メ
ツキ鉄板からなる締付バンド23でワンターンコ
イル的作用となり、またケース胴体24およびケ
ース上蓋27とも磁性体であるため外部端子2
5,26の周りに発生する磁界がケース上蓋27
と交叉しインダクタンスの作用が出てくる。さら
には各コンデンサ素子22に流れる電流が矢印の
ように同一方向であるため同一方向から引出され
るリード線25,26それぞれ自体の電流向きも
同一方向となり、そのもののインダクタンスは直
接コンデンサ自体の残留インダクタンスとして影
響する構造である点などに起因していた。 〔考案の目的〕 本考案は上記の点に鑑みてなされたもので残留
インダクタンスを大幅に低減でき、スナバ回路用
として最適な大容量のコンデンサを提供すること
を目的とするものである。 〔考案の概要〕 本考案のコンデンサは非磁性体金属からなるケ
ース胴体内に一対の誘電体と電極箔を積層巻回し
両端面からはみ出した電極箔をまとめ引出電極部
を形成した無誘導構造のコンデンサ素子偶数個を
積み重ね、非磁性体金属からなる締付バンドで一
体化した素子集合体を積み重ね方向に収納し、前
記コンデンサ素子それぞれの引出電極部から引出
したリード線を同一方向毎に順序よく2本ずつを
一対とし、該一対化したリード線の途中をリード
線同志間を絶縁して結束部とし、該リード線先端
を同一方向毎に交互にそれぞれ一対毎の非磁性体
金属からなるケース上蓋に固着した外部端子に接
続しコンデンサ素子の引出電極部それぞれが千鳥
形接続となるよう前記一対の外部端子の一方ずつ
を結線し、前記コンデンサ素子に流れる電流向き
を交互に逆向きとしたことを特徴とするものであ
る。 〔考案の実施例〕 以下本考案の一実施例につき図面を参照して説
明する。すなわち第1図に示すように黄銅、ステ
ンレス、銅などの非磁性体金属からなるケース胴
体1内に、一対のプラスチツクフイルムおよび/
またはコンデンサ紙とアルミニウム電極箔を積層
巻回し両端面それぞれからはみ出した前記電極箔
をまとめ引出電極部2を形成した無誘導構造のコ
ンデンサ素子3偶数個を積み重ね、黄銅、ステン
レス、銅などの非磁性体金属からなる締付バンド
4で一体化してなる素子集合体5を素子積み重ね
方向に収納する。つぎに該素子集合体5を構成す
るコンデンサ素子3それぞれの引出電極部2から
引出したリード線6,7,8,9,10,11,
12,13を同一方向毎に順序よく2本ずつ、す
なわちリード線6,8と10,12リード線7,
9と11,13をそれぞれ一対とし、該一対のリ
ード線6,8と10,12リード線7,9と1
1,13それぞれ同志の途中間を絶縁チユーブ、
紙管、樹脂などで絶縁して結束部14とし、一方
向に位置する前記リード線6,8,10,12の
先端をケース上蓋15に固着した一方の外部端子
16,17それぞれに交互に接続し、他方向に位
置する前記リード線7,9,11,13先端を前
記ケース上蓋15に固着した他方の外部端子1
8,19それぞれに交互に接続し、前記ケース胴
体1開口部をケース上蓋19にて密閉し、しかる
後前記素子集合体5を構成する個々のコンデンサ
素子3の引出電極部2それぞれが千鳥形接続とな
るよう一方の外部端子16と他方の外部端子19
を結線20するとともに一方の外部端子17と他
方の外部端子18を結線20し、前記素子集合体
5を構成するコンデンサ素子3それぞれの電流を
矢印に示すよう交互に逆向きになるようにしてな
るものである。 以上のように構成してなるコンデンサによれば
コンデンサ素子3それぞれに流れる電流向きを交
互に逆向きとしているためその磁界が相殺され、
またその磁界と交叉する締付バンド4が非磁性体
であるため自己誘導作用が低減し、さらにコンデ
ンサ素子3から引出しお互い逆向き電流となるも
のを一体化したリード線6,8と10,12リー
ド線7,9と11,13のそれぞれ同志間の途中
を絶縁して束ね結束部14としているため磁束の
低減となり、しかもケース胴体1およびケース上
蓋15も非磁性体からなつているなどの理由によ
り大幅に残留インダクタンスを低減できる。 つぎに第1図に示す本考案(A)と第2図に示す従
来例(B)との残留インダクタンス特性を調べた結
果、表に示すようになつた。なお(A),(B)ともコン
デンサ素子はコンデンサ紙とポリプロピレンフイ
ルムの複合誘電体とアルミ箔を積層巻回したもの
からなり1素子1μFのものを4個締付バンドにて
集合し定格4μF−1650VDCとしたもので、ケース
胴体、ケース上蓋および締付バンド材質は(A)が黄
銅、(B)はブリキでリード線は(A),(B)とも0.18φ×
35本撚線を用いた。試料は(A),(B)とも10個であ
る。
〔考案の効果〕
上表から明らかなように本考案(A)のものは従来
例(B)のものと比較し残留インピーダンスを1/2以
下に低減できることがわかる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例に係るコンデンサを示
す断面図、第2図は従来例に係るコンデンサを示
す断面図である。 1……ケース胴体、2……引出電極部、3……
コンデンサ素子、4……締付バンド、5……素子
集合体、6,7,8,9,10,11,12,1
3……リード線、14……結束部、15……ケー
ス上蓋、16,17,18,19……外部端子、
20……結線。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 非磁性体金属からなるケース胴体内に、両端面
    からはみ出した電極箔をまとめ引出電極部を形成
    した無誘導構造のコンデンサ素子偶数個を積み重
    ね非磁性体金属からなる締付バンドで一体化した
    素子集合体を収納し、前記素子それぞれの引出電
    極部に接続したリード線を同一方向毎に順序よく
    2本ずつを一対とし、該一対化したリード線の途
    中リード線同志間を絶縁して結束部とし、先端を
    同一方向毎交互にそれぞれ非磁性体金属からなる
    ケース上蓋に固着した一対毎の外部端子に接続
    し、前記コンデンサ素子の引出電極部それぞれが
    千鳥形接続となるよう前記一対毎の外部端子の一
    方ずつを結線したことを特徴とするコンデンサ。
JP18469685U 1985-11-29 1985-11-29 Expired JPH0351958Y2 (ja)

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JP18469685U JPH0351958Y2 (ja) 1985-11-29 1985-11-29

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JPS62104432U JPS62104432U (ja) 1987-07-03
JPH0351958Y2 true JPH0351958Y2 (ja) 1991-11-08

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JP2004165309A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Mitsubishi Electric Corp コンデンサユニット及びこのコンデンサユニットを有する半導体電力変換装置
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