JPS5914630A - コンデンサ - Google Patents

コンデンサ

Info

Publication number
JPS5914630A
JPS5914630A JP12656782A JP12656782A JPS5914630A JP S5914630 A JPS5914630 A JP S5914630A JP 12656782 A JP12656782 A JP 12656782A JP 12656782 A JP12656782 A JP 12656782A JP S5914630 A JPS5914630 A JP S5914630A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
capacitor
dielectric
inductance
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12656782A
Other languages
English (en)
Inventor
鉄野 治雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP12656782A priority Critical patent/JPS5914630A/ja
Publication of JPS5914630A publication Critical patent/JPS5914630A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、コンデンサに関するものであシ、もう少し
詳しくいうと、インダクタンスの小さい高周波形のコン
デンサに関するものである。
一般に半導体はサージ電圧抑制等の目的で半導体に並列
にスナバ−回路が設けられるが このスナバ−回路を構
成するコンデンサとしてはインダクタスの可及的小さい
ものが用いられる。第1図は、このスナバ−回路を接続
した一例を示すものであシ、サイリスタ、G、 T、 
O,サイリスタ(GateTurn 0fjThyri
etOr)ダイオードのよう4半導体lに、コンデンサ
ー、ダイオード3、抵抗器lでなるスナバ−回路を並列
接続してなるものである。
直流高圧大電流回路のON −OFF制御を行うチョッ
パ装置等に使用する半導体の場合、高速でスイッチング
動作を行なうと半導体の両端に異常電圧が、発生し、こ
の電圧が半導体の許容電圧を越えると半導体は破壊に至
る。この半導体の両端に発生する異常電圧を吸収するた
め第1図に示すスナバ−回路が半導体lに並列に接続さ
れるが、このスナバ−回路のうち、特にコンデンサーと
ダイオード3と半導体lとの閉回路はインダクタンスを
極力小さくすることが必要となる。特に半導体/として
G、 T、 O,サイリスタを用い、直流回路をON 
−0FF制御するものでは、コンデンサーとして高周波
形のインダクタンスの小さいものを用いるとともに1閉
回路を構成する配線長は極力短くして配線インダクタン
スを抑制しないと、満足なサージ吸収効果が得られず、
半導体lを破壊する危険性がある。
第1図は、この種の従来の高周波コンデンサの構成を示
し、図においてコンデンサlθは、金属ケース//の内
部にコンデンサエレメントノコを収納し、コンデンサエ
レメントノコの端子/JAを導体lダAによシ、端子l
コBを導体lダBによシ、金属ケース//の壁面に設け
たブッシング13の貫通導体/、7A、/JBにそれぞ
れ接続する。コンデンサエレメント/Jと金属ケース/
/との間には紙やプラスチックフィルム等の絶縁材16
を適宜配設するとともに、金属ケースl/の内部はあら
かじめ脱気した後、絶縁油lsを充填してコンデンサニ
レメン)/コが外気によって劣化するのを防止していた
コンデンサエレメントノコは第3図に示すように、第1
の電極−〇と第一電極コlとの間に誘電体ココを挿入し
、これらを重ね合わせて円筒状にと誘電体ココとの重ね
合わせの位置関係は図に示すように、誘電体ココのl側
辺ココBよシYの寸法内側に第1の電極、20のl側辺
−〇Bを、また、第1の電極−〇の他側辺コθAは誘電
体a2の他側辺、2コAよシはみ出すように構成する。
同様にして誘電体ココの他側辺ココAよシxの寸法だけ
内側に第一の電極、2/のl側辺−/Aを、第一の電極
−7の他側辺2/Bは誘電体ココのl側辺−−Bよりは
み出すように構成する。寸法XおよびYは第11第一の
電極−〇、コ1間にある誘電体−一の沿面絶縁距離とな
シ、通称マージン幅と呼ばれている。誘電体、2−の材
料としては紙やプラスチックフィルムまたはこれらの複
合が用いられ、コンデンサ10の定格電圧に応じて誘電
体2コを複数枚重ねて構成する。電極2oおよびコlは
第1図に示すスナバ−用コンデンサでは通常アルミ箔を
用いる。コンデンサの電極はアルミ箔形以外に誘電体の
表面に金属膜を形成したいわゆる金属蒸着形電極がある
が、金属蒸着形は金属膜の厚さが′I!LIO〜数10
0A(10m)と薄いため、高圧大電流回路用半導体の
スナバ−用コンデンサではピーク電流が数百Aに及ぶの
で、電極の許容電流の大きい厚さ数μ(io−’ m 
)のアルミ箔が用いられる。
コンデンサエレメントlλは、第3図に示すように円筒
状に巻回した後、第ダ図に示すように誘電体ココの両側
辺よりはみ出している第1の電極−〇および第一の電極
λlをそれぞれ重ね合わせ、例えばハトメコ3にて固定
し端子/、2・Aおよび/コBを形成していた。このよ
うに構成されたコンデンサエレメント12は、電極コO
,コlと誘電体−一とを重ね合わせて巻回、構成されて
いたが、端子/jAおよび端子lコBよシミ極λOの端
部−θAおよび電極コlの端部コ/Bに電極20.2/
の全長にわたって給電されるため、インダクタンスの小
さいコンデンサエレメントlコを得ることができる。
しかし、以上の構成になる従来のコンデンサIOは、電
極晦子lコAおよび電極端子l−Bとブッシング/3と
の間にそれぞれ導体/41+A、/4’B、が介在し、
さらにブッシング13°の貫通導体ish、tsnを含
めた配線インダクタンスが比較的大きくなるという欠点
があった。
この発明は、上記のような従来のコンデンサの欠点を解
消し、インダクタンスを極小としたコンデンサを提供す
ることを目的とするものである。
以下、この発明の一実施例を第S図について説明する。
図においてコンデンサ30は、第1の電極31と第一の
電極32を、誘電体33を挾んで重ね合わせたものを円
筒状に巻回して構成し、誘電体33のl側辺33ムよシ
も第1の電極31が、誘電体33の他側辺33Bよシも
第一の電極3コが所定の寸法(3〜IOwm)だけそれ
ぞれ突出して突出辺を形成するように構成する。jlI
、3!はl対の端子導体で導電性良好な銅やアルミのよ
うな金属板からなり、その幅にわたって電極31および
電極3コの突出辺が、それぞれ半田付は等の方法で電気
的に接続される。電極3/、3:1はアルミニウム等の
金属箔を用い、誘電体33としては紙やポリプロピレン
等のプラスチックフィルムを一枚または複数枚重ね合わ
せたものを用いる。
コンデンサ30の外装には電極31,3コおよび誘電体
33を外気よシ保護するためエポキシ樹脂等の絶縁材3
6を樹脂注型等の方法で形成する。
以上の構成になるこの発明のコンデンサ・30は、従来
品に比べてインダクタンスを含むインピーダンスの非常
に小さいものが得られる。その理由は下記による。
(a)  従来のもの(第ダ図に示す)では電極コO。
コlを誘電体−一よシはみ出している部分で重ね合わせ
、へトメ等で固着して端子/2に、12Bを形成し、こ
の部分で導体lダA、/ダBを接続していたためコンデ
ンサ電極に流れる電流が端子lコA、/JBの1点に集
中することから電流密度が大きくなシ、インピーダンス
が大きくなる。
これに対し、この発明は、誘電体33に対し電極31.
3コのはみ出し寸法が従来品に比べて極めて小さくでき
、かつ、端子導体341,3gはコンデンサエレメント
の外径寸法とほぼ同じ寸法の幅のものを用いるため、端
子導体Jul 、jjと電極31.3コとの接続点で電
流が集中することなく給電できるとともにインピーダン
スが小さくなる。
(b)  従来のものではコンデンサエレメント12の
端子/JA、/コBとブッシング13との間を可とり性
を有する比較的細い導体lダA、/IBで接続していた
ため配線長が長く、インダクタンスが大きかったが、こ
の発明は、端子導体341゜J!fの先端(外部導体接
続用端子部)と電極31゜3コの寸法が短くでき、また
、従来のブッシング13の貫通導体/3A、13Bに和
尚する部分も不要なことから、配線長が短くでき、イン
ダクタンスのきわめて小さいものが得られる。
(0)  従来のものは金属製のケース//にブッシン
グ13が貫通していたため、ブッシングに電流が流れる
とブッシング周辺の金属ケースに大きな磁束が発生して
インダクタンスが大きくなっていたが、この発明は、金
属ケースを用いず樹脂で成形しているため、上記従来の
ようなインダクタンス成分が除去できる。以上のように
、この発明は、インダクタンスの小さいコンデンサが得
られるが、さらにこの発明は、次の効果も得られる。
(d)  第3図に示す従来のコンデンサエレメントノ
コは、コンデンサとして有効な電極面積社、電極コOと
電極、2/とが相対する部分すなわち図中斜線を施した
範囲となる。すなわち、電極−〇およびコlの幅寸法の
約i/a〜l/コ程度しかコンデンサとしての有効な電
極面積にならない。このため高価なアルミ箔を多く使用
することになシ、不経済となるとともに重量も増加し、
かつ、端子部の処理のため寸法も大きくなっていた。
この発明は、第S図に示すように、誘電体33に対し電
極3ノ、3コのはみ出し部分が数鱈でよく、電極31,
3コの幅に対するコンデンサの有効面積がgo〜90T
oに向上する。したがって、同一静電容量のコンデンサ
を得るために高価なアルミ箔の使用量が少なくてすみ、
経済的なコンデンサを製作できる。また、電極31.3
コと端子導体J41,3にとの接続もわずかなスペース
内で処理ができ、小形で軽量なコンデンサを得ることが
できる。
(e)  従来のものは金属ケース内にコンデンサエレ
メントを収納し、絶縁油を充填して金属ケースを密封す
ることが必要であシ、金属ケースの接合部および金属ケ
ースとブッシングとの接合部より油もれ事故を起す可能
性があったが、この発明は、樹脂で成形されているため
、絶縁油が漏れるという事故がなく、きわめて信頼性の
高いコンデンサが得られる。以上のようにこの発明は、
きわめて簡単な構成で、インダクタンスを極小とする他
、多くの特長を有し、特に、インダクタンスの低減によ
り半導体のスナバ−用コンデンサとして好適なコンデン
サを得ることができ、その効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体のスナバ−回路の1例を示す結線
図、第一図は従来のコンデンサの構成を示す縦断面図、
第3図は同じくエレメント構成を示す展開斜視図、第を
図は同じくエレメントの縦断面図、第S図はこの発明の
一実施例の縦断面図である。 30・・コンデンサ、31,3λ・・第11第コの電極
、33・・誘電体、33A・・l側辺、JJB・・他側
辺、all、3!;・・端子導体、36・・絶縁材。 代理人 為 野 信 −

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属箔からなる第11第一の電極と誘電体とを交互に重
    ね合わせ巻回して円筒状に構成したコンデンサにおいて
    、前記誘電体のl側辺よシ所定寸法突出した突出辺を有
    する前記第1の電極と、前記誘電体の他側辺より所定寸
    法突出した、突出辺を有する前記第2の電極と、前記第
    1の電極の突出辺および前記第一の電極の突出辺の端部
    とそれぞれ面状で接続された金属性のl対の板状端子導
    体と、樹脂成形でなる絶縁材外装を備えてなることを特
    徴とするコンデンサ。
JP12656782A 1982-07-16 1982-07-16 コンデンサ Pending JPS5914630A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12656782A JPS5914630A (ja) 1982-07-16 1982-07-16 コンデンサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12656782A JPS5914630A (ja) 1982-07-16 1982-07-16 コンデンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5914630A true JPS5914630A (ja) 1984-01-25

Family

ID=14938355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12656782A Pending JPS5914630A (ja) 1982-07-16 1982-07-16 コンデンサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5914630A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61102020A (ja) * 1984-10-25 1986-05-20 松下電器産業株式会社 コンデンサ
JPS61102022A (ja) * 1984-10-25 1986-05-20 松下電器産業株式会社 コンデンサ
JPS63160343U (ja) * 1986-12-29 1988-10-20
US6293311B1 (en) 1998-05-22 2001-09-25 Pmd Holdings Corp. Multilayer composite pipe fluid conduit system using multilayer composite pipe and method of making the composite

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61102020A (ja) * 1984-10-25 1986-05-20 松下電器産業株式会社 コンデンサ
JPS61102022A (ja) * 1984-10-25 1986-05-20 松下電器産業株式会社 コンデンサ
JPS63160343U (ja) * 1986-12-29 1988-10-20
US6293311B1 (en) 1998-05-22 2001-09-25 Pmd Holdings Corp. Multilayer composite pipe fluid conduit system using multilayer composite pipe and method of making the composite

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7031141B2 (en) Solid electrolytic capacitor and electric circuit
JPH03504430A (ja) マトリックスコンデンサ
US5910879A (en) 3- and 4-terminal capacitors with "Faraday-shielded" connections
JPH06120088A (ja) チップ型固体電解コンデンサ
US3611051A (en) Feed-through, electrolytic, book capacitor
JPS5914630A (ja) コンデンサ
US4672507A (en) Electrical wound capacitor with reduced self-inductance
EP1393331A1 (en) Foil wound low profile l-c power processor
US5313363A (en) Low impedance interconnection assembly for high frequency switching power semiconductor devices and low inductance modular capacitor
JPH0351958Y2 (ja)
JPS63157677A (ja) ブリツジ形インバ−タ装置
JPH0445228Y2 (ja)
JPS61501179A (ja) 導電体若しくは半導体の改良
JP2508525Y2 (ja) 圧接形コンデンサ
JPH0445230Y2 (ja)
JP2780991B2 (ja) 複合部品
JPH0778730A (ja) 低インピーダンス四端子型固体電解コンデンサ
JPS6320101Y2 (ja)
JP2524754B2 (ja) 低インダクタンスコンデンサ
JPH0241859Y2 (ja)
JPH0546263Y2 (ja)
JPS60144925A (ja) 半導体用スナバ−装置
JPH0342667Y2 (ja)
JP2690758B2 (ja) トランス素子
JPS60123016A (ja) コンデンサ