JPH0342667Y2 - - Google Patents
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- JPH0342667Y2 JPH0342667Y2 JP12222685U JP12222685U JPH0342667Y2 JP H0342667 Y2 JPH0342667 Y2 JP H0342667Y2 JP 12222685 U JP12222685 U JP 12222685U JP 12222685 U JP12222685 U JP 12222685U JP H0342667 Y2 JPH0342667 Y2 JP H0342667Y2
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- Japan
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- pair
- convex protrusions
- capacitor element
- foil
- dielectric
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
[考案の技術分野]
本考案は高周波領域に使用される箔電極形コン
デンサ素子に関する。 [考案の技術的背景とその問題点] 従来、誘電体として紙、プラスチツクフイルム
またはこれらの複合体を用いてなるコンデンサ素
子構造としては、第4図に示すように誘電体11
と金属箔12を積層巻回し必要箇所から引出端子
としてのリード箔(図示せず)を引出した箔電極
とした普通巻き構造、第5図に示すように誘電体
11より両端に金属箔12をはみ出させて巻回し
該金属箔12のはみ出し部を例えば銅板などでカ
シメた箔電極使用の無誘導巻き構造、第6図に示
すように金属化誘電体13を巻回し両端にメタリ
コン電極を施した蒸着電極コンデンサ素子構造が
多用されている。しかしてこれら各コンデンサ素
子はそれぞれ一長一短がある。すなわち第4図に
示す構造のものはインダクタンスが約0.025μHと
少なくケース収容性も良好であるが、引出端子が
リード箔であるため接触抵抗により電流強度が制
約され電流の大きいものには使用困難である。第
5図に示す構造のものは電流強度が比較的大きい
が、インダクタンスが、0.1μH〜0.3μHと多く、
またケース収容性が悪く完成品としての外形寸法
が大きくなる。第6図に示すものは小形化の面で
大きなメリツトを有するが電流強度が弱く、イン
ダクタンスも第5図に示すものと同等である。し
かして使用にあたつてはこれら各コンデンサ素子
の特質を考慮し使用対象を設定する訳であるが、
半導体素子に並列に接続し、ターンオフ時に発生
するサージ電圧や外部より侵入するサージ電圧を
吸収して半導体を保護する例えばスナバ回路に使
用する保護用コンデンサとして上記各コンデンサ
素子はかならずしも有効とは言えなかつた。すな
わち上記保護用コンデンサとしては低インダクタ
ンスでしかも電流強度が強いことが条件となるが
上記各構造のものは前述のように両特性とも満足
するものとはなつていない。 [考案の目的] 本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、低
インダクタンスで電流強度の強い高周波領域での
使用に適した箔電極形コンデンサ素子を提供する
ことを目的とするものである。 [考案の概要] 本考案の箔電極形コンデンサ素子は紙、プラス
チツクフイルクまたはこれらの複合体からなる一
対の誘電体と、長さ方向の一方端に徐々に広がつ
た間隔毎に複数の凸状突出部を設けた一対の金属
箔とを用い、前記誘電体と金属箔を交互にしかも
前記凸状突出部を同一方向に位置させかつ一対関
係にある前記凸状突出部が相重なることなく積層
し、前記凸状突出部間隔の狭い方から巻回し、前
記凸状突出部を巻回体の一方端面から対向させ一
対形状として導出したことを特徴とするものであ
る。 [考案の実施例] 以下本考案の一実施例につき図面を参照して説
明する。すなわち第2図に示すように例えば紙、
またはプラスチツクフイルムからなる誘電体1と
長さ方向の一方端に徐々に広がつた間隔毎に複数
の凸状突出部2を設けた例えばアルミニウムから
なる金属箔3を用い、前記凸状突出部2がそれぞ
れ同一方向に前記誘電体1の長さ方向の端部から
突出させ、しかも一対関係にある前記凸状突出部
2が相重ならないよう前記誘電体1と金属箔3を
交互に積層し前記凸状突出部2間隔の狭い方から
巻回し第1図に示すようにコンデンサ素子4の一
方端面から凸状突出部2を対向させ一対形状とし
て導出してなるものである。 以上のように構成してなるコンデンサ素子4に
よれば金属箔3と一体化した凸状突出部2自体が
引出端子となり第4図に示す従来構造のように電
極となる金属箔と別個に構成した引出端子間の接
触抵抗を考えなくともよく電流強度を大きくとる
ことが可能で、しかも第5図および第6図に示す
ものが第7図に示すように端子14,15間の電
流が一方方向(矢印方向)に流れるのに対し、第
3図に示すように端子5,6に対し電流が矢印
イ、矢印ロとお互い反対方向に流れることになり
インダクタンスを小さくすることができ、電流強
度およびインダクタンス特性とも満足できるもの
となる。 つぎに第1図および第2図に示す本考案Aと第
4図に示す従来例B、第5図に示す従来例C、第
6図に示す従来例Dとの特性比較について述べ
る。すなわち、A,B,C,Dとも誘電体として
ポリプロピレン、A,B,Cにおける電極はアル
ミニウム箔、Dにおける蒸着金属をアルミニウム
とした定格1.9μFのインダクタンスおよび電流強
度特性を調べた結果次表に示すようになつた。
デンサ素子に関する。 [考案の技術的背景とその問題点] 従来、誘電体として紙、プラスチツクフイルム
またはこれらの複合体を用いてなるコンデンサ素
子構造としては、第4図に示すように誘電体11
と金属箔12を積層巻回し必要箇所から引出端子
としてのリード箔(図示せず)を引出した箔電極
とした普通巻き構造、第5図に示すように誘電体
11より両端に金属箔12をはみ出させて巻回し
該金属箔12のはみ出し部を例えば銅板などでカ
シメた箔電極使用の無誘導巻き構造、第6図に示
すように金属化誘電体13を巻回し両端にメタリ
コン電極を施した蒸着電極コンデンサ素子構造が
多用されている。しかしてこれら各コンデンサ素
子はそれぞれ一長一短がある。すなわち第4図に
示す構造のものはインダクタンスが約0.025μHと
少なくケース収容性も良好であるが、引出端子が
リード箔であるため接触抵抗により電流強度が制
約され電流の大きいものには使用困難である。第
5図に示す構造のものは電流強度が比較的大きい
が、インダクタンスが、0.1μH〜0.3μHと多く、
またケース収容性が悪く完成品としての外形寸法
が大きくなる。第6図に示すものは小形化の面で
大きなメリツトを有するが電流強度が弱く、イン
ダクタンスも第5図に示すものと同等である。し
かして使用にあたつてはこれら各コンデンサ素子
の特質を考慮し使用対象を設定する訳であるが、
半導体素子に並列に接続し、ターンオフ時に発生
するサージ電圧や外部より侵入するサージ電圧を
吸収して半導体を保護する例えばスナバ回路に使
用する保護用コンデンサとして上記各コンデンサ
素子はかならずしも有効とは言えなかつた。すな
わち上記保護用コンデンサとしては低インダクタ
ンスでしかも電流強度が強いことが条件となるが
上記各構造のものは前述のように両特性とも満足
するものとはなつていない。 [考案の目的] 本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、低
インダクタンスで電流強度の強い高周波領域での
使用に適した箔電極形コンデンサ素子を提供する
ことを目的とするものである。 [考案の概要] 本考案の箔電極形コンデンサ素子は紙、プラス
チツクフイルクまたはこれらの複合体からなる一
対の誘電体と、長さ方向の一方端に徐々に広がつ
た間隔毎に複数の凸状突出部を設けた一対の金属
箔とを用い、前記誘電体と金属箔を交互にしかも
前記凸状突出部を同一方向に位置させかつ一対関
係にある前記凸状突出部が相重なることなく積層
し、前記凸状突出部間隔の狭い方から巻回し、前
記凸状突出部を巻回体の一方端面から対向させ一
対形状として導出したことを特徴とするものであ
る。 [考案の実施例] 以下本考案の一実施例につき図面を参照して説
明する。すなわち第2図に示すように例えば紙、
またはプラスチツクフイルムからなる誘電体1と
長さ方向の一方端に徐々に広がつた間隔毎に複数
の凸状突出部2を設けた例えばアルミニウムから
なる金属箔3を用い、前記凸状突出部2がそれぞ
れ同一方向に前記誘電体1の長さ方向の端部から
突出させ、しかも一対関係にある前記凸状突出部
2が相重ならないよう前記誘電体1と金属箔3を
交互に積層し前記凸状突出部2間隔の狭い方から
巻回し第1図に示すようにコンデンサ素子4の一
方端面から凸状突出部2を対向させ一対形状とし
て導出してなるものである。 以上のように構成してなるコンデンサ素子4に
よれば金属箔3と一体化した凸状突出部2自体が
引出端子となり第4図に示す従来構造のように電
極となる金属箔と別個に構成した引出端子間の接
触抵抗を考えなくともよく電流強度を大きくとる
ことが可能で、しかも第5図および第6図に示す
ものが第7図に示すように端子14,15間の電
流が一方方向(矢印方向)に流れるのに対し、第
3図に示すように端子5,6に対し電流が矢印
イ、矢印ロとお互い反対方向に流れることになり
インダクタンスを小さくすることができ、電流強
度およびインダクタンス特性とも満足できるもの
となる。 つぎに第1図および第2図に示す本考案Aと第
4図に示す従来例B、第5図に示す従来例C、第
6図に示す従来例Dとの特性比較について述べ
る。すなわち、A,B,C,Dとも誘電体として
ポリプロピレン、A,B,Cにおける電極はアル
ミニウム箔、Dにおける蒸着金属をアルミニウム
とした定格1.9μFのインダクタンスおよび電流強
度特性を調べた結果次表に示すようになつた。
【表】
表から明らかなように従来例B,C,Dのもの
は一方の特性がよくとも他方の特性が悪い結果を
示したのに対し、本考案のものは両特性とも良好
であり保護用コンデンサ素子に適する結果を示し
た。なお上記実施例では誘電体として紙またはプ
ラスチツクフイルムを単独で用いるものを例示し
て説明したがこれらの複合体からなるものに適用
できることは言うまでもない。 [考案の効果] 本考案によれば低インダクタンスでしかも電流
強度が大きい保護用コンデンサとしての特性を満
足する実用的価値の高い箔電極形コンデンサ素子
を提供できる。
は一方の特性がよくとも他方の特性が悪い結果を
示したのに対し、本考案のものは両特性とも良好
であり保護用コンデンサ素子に適する結果を示し
た。なお上記実施例では誘電体として紙またはプ
ラスチツクフイルムを単独で用いるものを例示し
て説明したがこれらの複合体からなるものに適用
できることは言うまでもない。 [考案の効果] 本考案によれば低インダクタンスでしかも電流
強度が大きい保護用コンデンサとしての特性を満
足する実用的価値の高い箔電極形コンデンサ素子
を提供できる。
第1図および第2図は本考案の一実施例に係る
もので第1図はコンデンサ素子を示す斜視図、第
2図はコンデンサ素子の一部展開斜視図、第3図
は本考案のコンデンサ素子の電流の流れの説明概
略図、第4図〜第6図は従来例に係るコンデンサ
素子の構成説明断面図、第7図は第5図および第
6図に示すコンデンサ素子の電流の流れの説明概
略図である。 1……誘電体、2……凸状突出部、3……金属
箔、4……コンデンサ素子。
もので第1図はコンデンサ素子を示す斜視図、第
2図はコンデンサ素子の一部展開斜視図、第3図
は本考案のコンデンサ素子の電流の流れの説明概
略図、第4図〜第6図は従来例に係るコンデンサ
素子の構成説明断面図、第7図は第5図および第
6図に示すコンデンサ素子の電流の流れの説明概
略図である。 1……誘電体、2……凸状突出部、3……金属
箔、4……コンデンサ素子。
Claims (1)
- 誘電体一対と、長さ方向の一方端に徐々に広が
つた間隔毎に複数の凸状突出部を設けた一対の金
属箔を用い、前記誘電体と金属箔を交互にしかも
前記凸状突出部を同一方向に位置させかつ一対関
係にある前記凸状突出部がそれぞれ相重なること
なく積層し、前記凸状突出部間隔の狭い方から巻
回し、前記凸状突出部を巻回体の一方端面から対
向させ一対形状として導出したことを特徴とする
箔電極形コンデンサ素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12222685U JPH0342667Y2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12222685U JPH0342667Y2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6230326U JPS6230326U (ja) | 1987-02-24 |
JPH0342667Y2 true JPH0342667Y2 (ja) | 1991-09-06 |
Family
ID=31012222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12222685U Expired JPH0342667Y2 (ja) | 1985-08-08 | 1985-08-08 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0342667Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090154056A1 (en) * | 2007-12-17 | 2009-06-18 | General Electric Company | Low inductance capacitor and method of manufacturing same |
-
1985
- 1985-08-08 JP JP12222685U patent/JPH0342667Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6230326U (ja) | 1987-02-24 |
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