JPH03504779A - 大容量磁気メモリーカードおよび製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 大容量磁気メモリーカードおよび製造方法本発明は、大容量磁気メモリーカード および前記カードを製造する方法に関する。このカードは分散型の携帯用ファイ ルシステムの構成にとくに有用である。

５０ｋｂｉｔ／ｃｉ！より高い情報密度を有する、高密度の磁気記録媒体は知ら れている。しかしながら、それらは外部の場によるか、あるいは機械的作用によ り消去することができ、そしてスリーブまたはカセットにより保護することがで きるテープまたはディスクの上でのみ使用される。これは、現在まで、５ｋｂｉ ｔ／ｃｍより高い情報密度を有するカード上の磁気記録媒体を商業化することが できなかった理由であり、既知の磁気カードの通常の密度は０．１〜０．３　ｋ ｂｉｔ／　ｃｌの範囲である。携帯用カードは、使用時に、その取り扱いによっ て加わる力又は外部から加わる力を受け、このような力は磁気層および貯蔵され た情報のすべてをより回復不可能に損傷することがある。なぜなら、層の中の情 報の密度はより高いからである。

そのうえ、情報の安全性の確保のため、磁気媒体外部からの普通の磁場により消 去されてしまうのであってはならず、そして多数回の情報の再読み取りを可能と するために急速に摩耗するものであってはならない。

したがって、大量の補充および更新可能なデータを、適当な安全性および永続性 とともに含有することができる、磁気カードを得ることは強く望まれてきた。

このようなカードは多数の応用、例えば、人間および動物のための個人の医学的 ファイル、機械的保守のためのカード、駐車場、在庫品または家畜類の管理、銀 行預金口座の操作などのために使用することができるであろう。

このようなカードの製造は多数の困難を伴うものである。

高い記録密度は、書くときの信号の品質の維持およびヘッド／層の間隔を出来る だけ小さく読むことを必要とすることが知られている。しかしながら、通常の取 り扱い操作の間に磁気層を保護するために、一般に保護のオーバーコートを設け る。このオーバーコートはヘッド／層の間隔の増加の原因となる。前述の２つの 目的、すなわち、信号の品質確保と情報の保護とは両立しない。

他方において、カードの支持体および磁気媒体それ自体はある種の弾性をもたな くてはならない、すなわち、それらは反復した曲げの後でさえ、磁気媒体の中に 割れ目を発生させないで、もとの形態に回復しなくてはならない。それゆえ、磁 気媒体は脆くてはならずそして、また、軟らか過ぎてはならない。なぜなら、軟 らか過ぎると、媒体は摩耗抵抗性が低くそしてオーバーコートを必要とするであ ろうからである。

カードは、また、熱安定性を持ち、通常の環境の温度に変形せずに耐えなくては ならない。弾性および熱安定性のこれらの要件は、センナメートル当りに含まれ るトラック数の多い高容量のカードについてとくに重要である。低い密度の磁気 媒体（例えば、ｌ５ＯＩ−ラックを存する）について通常使用されるポリ（塩化 ビニル）の支持体は上記の力には容易に耐えることができる。なぜなら、トラッ ク数は少く、したがって層に対するヘッドの位置精度依存性が少ないからである 。

本発明は、高い容量を有し、半剛性の寸法安定性の支持体から作られ、その表面 の少なくとも１つの主要部分上に、４．０００エルステツド（３２０に＾／ｍ） より高い、好ましくは５．０００エルステツド（４００ｋＡ／ｍ）より高い保磁 力を有する磁気粒子、バインダーおよび添加剤から構成された磁気記録媒体を有 する磁気メモリーカードであって、前記媒体はオーバーコートを含まず、そして ２，０００回、好ましくは２０，０００回の通過について５％より小さい電気的 な消耗（電気信号の損失）、１０ｎｌｌより小さい山−谷間の平均荒さ、６００ Ｊｍより小さい摩耗特性、１．５−より小さい引掻抵抗および少なくとも５ｋｂ ｉｔ／ｃｊの、好ましくは５０ｋｂｉｔ／ｃｄより高い情報密度を示す、磁気メ モリーカードに関する。

本発明によるカードは、少なくともセンチメートル当り１０個のトラック、好ま しくはセンナメートル当り４０個のトラックを形成する。こうして、コーティン グした区域に依存するが、５４　Ｘ　８６■の標準の大きさを有するカードにつ いてＩ　Ｍｂｉｔより大きい合計の容量を得ることができる。

本発明は、前述のカードを製造する方法を提供し、この方法によれば磁気記録媒 体の表面はカードのホットプレスの間に磨いたガラス板上で熱処理され、バイン ダーを同時に架橋することができる。

上述の特徴を具備させることで、記録容量が多く、外部からの応力及び取り扱い 操作に対する抵抗が高く、しかも情報の記録および読取り、ならびにその恒久性 かつ有効な保護を図ることができる、携帯用メモリーカードを得ることを可能と する。

本発明によれば、カードの磁気媒体は、２．０００回、好ましくは２０．０００ 回の通過について５％より小さい電気信号の損失に相当する電気的な消耗、１０ ｎｓより小さい山−谷間の平均の荒さ、６００趨より小さい摩耗特性、および１ ．５　ｍより小さい引掻抵抗を示す。これらのパラメーターは、次の試験手順に より測定する。

ｌ五並遣圧跋腋 磁気カード上で、磁気層の全体上に均一に分布したある数のトラックを選択する 。

各トラック上に信号を記録し、この信号は所定回数（通過の回数）で読み取られ る。読み取り信号の大きさをオッシロスコープで測定する。信号損失は最初の読 み取り値と最後の読み取り値との間の差に相当し、そして最初の読み取りの間に 得られた信号に対する％で表す。

又襄皇跋脹 供験磁気媒体を４０μ／秒で２腸の距離動かす、コンバーターによりセンサーの 変位を測定する。媒体と触媒するセンサの部分は５ｐの半径の球である。球に加 える強さは０．０３＋ｓＮである。コンバーターの出力におけるアナログの電圧 は、センサーの振動に比例し、荒さの特性を計算するコンピューターでデジタル 処理する。ここで定義する荒さは算術平均の荒さく基線の長さで積分した、平均 線からの輪郭の算術平均）である。

遼五ｍ囚に肢 層の摩耗特性の測定に使用した方法は、試験する層上で、５Ｃ１１の距離で、一 定の力Ｆ　＝　０．６　Ｎを加えなから８Ｃ１１／秒の速度で、１，４００回前 後に、５２のビッカース硬度、１．６　ｍのねし山の直径および８国の内部のル ープ直径を有する、銅製トルス（ｔｏｒｕｓ）を動かすことにある。

トルス上に擬似楕円により表される摩耗パターンが現われ、層の摩耗性が大きい ほど擬似楕円の主軸はそれだけ長くなる。

擬似楕円の主軸の長さを光学式マイクロメ−を装備した顕微鏡で測定する。この 長さを摩耗特性を定義するためのパラメーターとする。

朋」ＵＡ１ この試験は１５μの半径を有する球形のダイヤモンドを４ｇの重さで磁気記録媒 体の表面上を通過させることによって実施する。

引掻抵抗引掻の深さを−で表示したもので式：％式％］ に従い、ダイヤモンドにより層の上に生成された刻印の半幅ａから計算されるも のである。

使用した磁気粒子は、４．０００エルステツド（３２０ｋＡ／ｍ）より高い、好 ましくは５．０００エルステツド（４００ｋＡ／　ｍ　）より高い、高い保磁力 （ｃｏｅｃｉｖｅ　ｆｉｅｌｄ）を有する、ＢａまたはＳｒヘキサフェライト粒 子である。このような高い保磁力は、通常の外部の場により消去されえない、記 録された情報の安全性を保証する。しかしながら、上書きにより新規なデータを 記録することはできる。

バリウムまたはストロンチウムのへキサフェライト粒子は長い間知られている。

とくに、それらは第二鉄塩およびＢａまたはＳｒの塩をアルカリ性溶液中に共沈 させ、次いで得られた共沈物を高温でか焼することによって得ることができる。

Ｃ，Ｄ、Ｍｅｅ氏およびＪ、Ｃ，Ｊｅｓｃｈｋｅ氏はＪｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａ ｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ（Ｖｏｌ、３４．　Ｎａ４．１２７１−２．１９６ ３）のＳｉｎｇｌｅ−ＤｏｍａｉｎｅＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｉｎ　Ｈｅｘａｇ ｏｎａｌ　ｆｅｒｒｉｔｅｓという記事でこのような粒子の調製について開示し ている。この古い方法は、生成物が非常に硬いブロック形態を呈するため、研摩 が困難であるという欠点を示す。研摩後の粒子は寸法が均質ではなく、磁気媒体 のためのバインダー中の分散が困難であり、そしてか焼処理のとき凝集しやすい 傾向がある。これらの欠点のため粒子は磁気記録層の調製のためには不適当であ る。最近、多数の方法、例えば、熱水合成または共沈方法がこれらの欠点を軽減 するために提案されている。

ヘキサフェライトを調製する好ましい方法は、フランス国特許出願第８８１４２ ２１、発明の名称「ヘキサフェライト磁気粒子を調製する方法、得られた粒子お よびそれらを含有する製品」）のに開示されている。この方法は、０．４５より 小さい、好ましくは０．４０より小さいＳＦＤ／Ｈｃ比（ここで、ＳＦＤはスイ ッチング磁場分布であり、そしてＨｃは保磁力である）、および５５ｅｗｉｕ／ ｇより高い、好ましくは６０ｅｍｕ／　ｇより高い飽和磁化を有するヘキサフェ ライト粒子を提供するという利点を示す。

ＳＦＤはスイッチング場分布の幅を特徴づける。ヒステリシスサイクル（磁場Ｈ の関数としての磁束Ｍ）、は曲線ｄＭ／ｄＨをＨ（ヒステリシスサイクルから得 られる）の関数としてプロットするのを可能とし、Ｈ＝Ｈｃのとき観測されるピ ークの半値幅ΔＨ）が演算される。この値がＳＦＤであり、このＳＦＤの値は粒 子の保磁力により除算することで無次元比ＳＦＤ／Ｈｃが得られる。

ＳＦＤ／Ｈｅが小さいことは、粒子の磁気モーメントが保磁力に近い場のために スイッチングすることを示す。かくして、磁気記録間の磁束の転移はより良好に 規定することができ、記録層の厚さはより薄くかつより厳密に決められ、そのた めバックグラウンドのノイズは低くなり、したがって情報密度が大きいときより 高い信号／ノイズ比を得ることができる。

ＳＦＤ／Ｈｃが小さいことは、粒子サイズの分布が狭（粒子の凝集していないよ り純粋な化学的組成を持っていることも示している。

磁化および保磁力は、２０．０００エルステツド（１、５９０ｋＡ　／　ｍ　） の最大磁化基でＶＳＭ　（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ　Ｓａｏ＋ｐｌｅ　Ｍａｇｎｅｔ ｏｍｅｔｅｒ）を使用して測定する。

好ましい実施態様において、少なくとも１．５：１の針状比、０．１〜０．３− の長さおよび４．０００エルステツドより高い、好ましくはｓ、ｏｏｏエルステ ッドより高い保磁力を有する、ＢａまたはＳｒヘキサフェライト粒子を使用する 。

携帯用カードは曲がり易いものでまたぞんざいに取り扱われるものである。トラ ック／ｃＩ１１の数が大きくなればなるほど、磁気組成物のバインダーの選択は その幅がせまくなる。なぜなら、バインダーは磁気粒子を所定位置に維持し、曲 げや圧縮により引き起こされる永久変形に耐えるために十分な結合力を具備しな ければならず、加えて摩耗および引掻に対して抵抗するに十分な硬さも有しなけ ればならないからである。

（ａ）高度に架橋した三次元のポリウレタンから構成されたバインダーおよび（ ｂ）ポリ（テトラフルオロエチレン）、可能ならばポリエチレンからなる媒体は カードに所望の性質を付与ことが発見された。

高度に架橋した三次元のポリウレタンは、（ａ　）　４．０００より小さい平均 分子量を有し、そして少なくとも８％ｗ　／　ｗのＯＨ官能基を含有する分枝鎖 状ポリオールおよび（ｂ）少なくとも３イソシアネート官能を有するイソシアネ ートプレポリマーから形成される。ポリオールａｓｄ　、芳香族または脂肪族の ポリエステル−ポリオールまたはポリエーテル−ポリオールを使用することがで きる。

ポリエステル−ポリオールは、ジカルボン酸またはその誘導体、例えば、無水物 、例えば、アジピン酸、テレフタル酸、フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロ フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、マレイン酸、および多官能性アルコール、例 えば、グリコール、グリセロール、ヘンキサジオール、ヘキサントリオール、ネ オペンチルグリコール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールなどか ら調製されたヒドロキシル基を含有する化合物である。

ポリエーテル−ポリオールは、また、アルキレンオキシドおよびポリエステルの ために前述したのと同一アルコールから調製されたヒドロキシルを含有する化合 物である。

酸からの−ＣＯＯＨ基の量およびアルコールからの一〇Ｈ基の量は、ＯＨ／Ｃ０ ＯＨ比が１より高いような量である。縮合により、すべてのＣ０ＯＨ基は反応す るが、遊離のヒドロキシルが残る。

本発明に従い使用するポリオールは少なくとも８％ｗ　／　ｗのＯＨ基からなる 。好ましくは、ジカルボン酸は水素化されたフタル酸であり、多分他の酸と混合 物の形態であり、そして多官能性アルコールはトリメチロールプロパンであり、 多分他のアルコールと混合物の形態である。

用語「イソシアネートプレポリマー」は、それがポリウレタン化学において有す る通常の意味を有する、すなわち、少なくとも３つのイソシアネート基からなる 、すなわち、少なくとも３の官能価を有する化合物を呼ぶ。このような化合物は 、例えば、３モルの脂肪族または芳香族のジイソシアネートおよび１モルの３価 のアルコール、例えば、グリセロールから得ることができる。

ポリオールおよびイソシアネートのそれぞれの量は、ＮＣＯ／合計のＯＨの比が ０．９より高い、好ましくはｌより高いような量である。用語「合計のＯＨＪは 、磁気媒体がポリオール以外のＯＨ基源からなる場合、この混合物は完全に架橋 されるので、前記ＯＨ基はイソシアネートプレポリマーの量の計算において考慮 すべきであることを意味する。

バインダーの混合物は、記録媒体中に、磁気粒子の１００　ｇ当たり１０〜６０ ｇの量で存在する。

磁気媒体は、さらに、知られているように、ある数の添加剤、例えば、界面活性 剤、滑剤、顔料などからなる。これらの添加剤は、層から滲出せずかつその表面 を混乱すべきではない。

磁気層中に、滑剤を導入して、ヘッドと層との間の摩擦係数を低下し、それらの 両者の摩耗を減少し、それらの層のすべり性質を改良することは知られている。

液状滑剤は適当ではない。なぜなら、それらは、温度が上昇するとき、とくに磁 気支持体の最終処理が高い温度、例えば、１００°Ｃより高い、そしてなおさら に１５０℃より高いとき、磁気媒体から滲出する傾向を有するからである。これ は、好ましい滑剤が固体の滑剤であり、ここで粒子の９０％、好ましくは９９％ が３１！１ｍより小さい大きさを有し、そして磁気粒子の重量に基づいて２％ｗ 　／　ｗより少ない量で存在する理由である。

固体の滑剤として、グラファイト、亜硫酸モリブデン、亜硫酸タングステンまた はポリエチレンの微細粒子を使用することができる。好ましくは、ポリ（テトラ フルオロエチレン）（ＰＴＦＥ）を使用する。ＰＴＦＥはい（つかの製造業者か ら粉末の形態で販売されている。例えば、それは商標パイダックス（Ｖｙｄａｘ ”）でイー・アイ・デュポン社から販売されている。

一方において、固体の滑剤は記録媒体の他の成分と相溶性でありかつ３μより大 きい粒子を１０％ｗ　／　ｗ以下の量で含有すること、そして他方において、磁 気媒体中のその量は磁気粒子に基づいて２％Ｗ　／　Ｗを越えないことが重要で ある。このような滑剤粒子の大きさの分布は、スクリーニング、濾過、または任 意の他の既知の技術により得られる。

技術的に本発明の範囲を限定するものではないが、バインダーの架橋した構造は 、３１ｍより小さい大きさを有する固体の滑剤の粒子の捕捉を可能とするような 構造であると信じられる。

ＰＴＦＥから構成された固体の滑剤は、不活性の材料、例えば、ポリオレフィン 、例えば、ポリエチレンに関連づけることができる。

ＰＴＦＨに加えて、前述したように、既知の滑剤、例えば、シリコーンオイルを 磁気粒子の１００部当たり１部より少ない量で使用することができる。上の要件 を満足する磁気媒体は、フランス国特許出願第８８１４２１９号、発明の名称「 磁気記録媒体」に開示されているものである。

他の添加剤は、磁気記録媒体において一般に使用されているものである。

１つまたはいくつかの界面活性剤は、濡れ、分散性および分散液の広がりを保証 するために必要である。例えば、ポリカルボン酸のエステルまたはリン酸、レチ シン、脂肪酸、例えば、パルミチン酸、オレイン酸の複合有機エステル、または 前記界面活性剤の混合物を使用することができる。塩化ビニルおよびＯＨ基から なるビニルコポリマーを分散剤として使用することができる。このようなコポリ マーは、一般に、７０〜９０％のビニルコポリマーからなり、他の七ツマ−は酢 酸ビニル、ポリビニルアルコール、および多分ヒドロキシル基を有するアクリル 酸またはメタクリル酸のエステルから選択される。後者の場合において、インシ アネート基を含有する化合物の量は、また三次元のポリウレタンの格子内で完全 に架橋しなくてはならない、ビニルコポリマーのＯＨ基ヲ考慮するように選択し なくてはならない。好ましい実施態様において、磁気粒子の１００ｇ当たり３〜 ８ｇで存在する、リン酸のアルキルフェノキシポリエトキシエチルエステル、お よびバインダーに基づいて１０％Ｗ　／　Ｗより少ない量で存在するビニルコポ リマーを使用する。

さらに、バインダー組成物は通常の添加剤、例えば、摩耗性粉末、例えば、Ａｌ ｔｏｚまたはＣｒ＊Ｏｓ、顔料を微細粉末の形態でまたはコロイドの形態で、例 えば、層を着色するためにカーボンブラック、および分散物の品質および安定性 を改良するためにシリカからなる。

最後に、バインダー組成物は、また、使用するバインダーおよび所望の動力学に 従い、架橋剤からなることができる。

コーティング分散液は、磁気粒子、種々のバインダー成分および添加剤を溶媒の 存在下に混合することによって形成する。磁気分散技術において知られている溶 媒混合物を使用することができる。

挙することができる有用な溶媒の例は、次の通りである：エステル、例えば、酢 酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、テトラヒドロフラン；ケトン、例え ば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン；ニトロ メタン、ニトロエタン、ジクロロエタン、ベンゼン系溶媒、例えば、トルエンな ど。溶媒の有用な量は、所望の結果、使用する分散液の特定の化合物および装置 に従い、技術者により決定されることができる。好ましい分散液は実施例に開示 されている。

バインダー組成物は、最終カードの一体部分となるフィルムの支持体上に適用さ れる。フィルムの支持体はカードを形成する他のプラスチックと相溶性であるべ きである。とくに、これらのシートを一緒に熱溶接することができるべきである 。

他方において、支持体はカードび最終の性質に関係する。それは寸法安定性、耐 熱性および柔軟性であるべきである。これらの要件を満足するプラスチック支持 体、例えば、ポリオレフィン、酢酸セルロース、ポリエチレンテレフタレート、 ポリイミド、ポリスルホンなどを使用することができる：それは、また、追加の 接着層の存在または不存在でカードを構成するプラスチックシート上で熱溶接す ることができるべきである。

好ましい実施態様において、使用する支持体は２０〜８０ｐｍ、好ましくは４０ 〜５０−の厚さを有する、ポリカーボネートの支持体である。ポリカーボネート は寸法安定性および耐熱性であることが知られている。選択するポリカーボネー トは、また、その上にコーティングされた磁気分散液のバインダーを変更しない 温度において熱溶接可能であるべきである。

コーテイング後、磁気粒子は任意の既知の方法により多分縦方向に配向し、次い で乾燥することができる。生ずる層は１０．２１１より小さい、好ましくは６部 ｍより小さい乾燥厚さを有する。磁気フィルムは、例えば、上のように調製され たフィルム、あるいはカードが各面に磁気媒体を含むことを望む場合、可能なら ば２つの磁気フィルムは、カードのコアを構成するプラスチックシートと溶接し て、合計のカードの厚さを４００〜１０００１ＨＡとする。好ましくは、シート のプラスチック材料および磁気フィルムの支持体は熱溶接可能である。カードを 形成するシートは、同一であるか、あるいは異なるプラスチック材料から作るこ とができる。

好ましい実施態様において、カードのコアシートは磁気フィルム支持体と同一の プラスチック材料から作られる。磁気層を支持するシート以外のシートは、２０ 〜３００−の厚さを有することができる。磁気層はカードの１つの側または両側 に、表面全体にまたは表面の一部分のみに配置することができる。

自由に残る部分は、可視の情報、例えば、文字、図面、テキスト、写真、グラフ などのプリントに使用することができる。

本発明の方法に従い、プラスチックシートはホットプレスにより溶接し、磁気媒 体は慶いたガラス板上に適用する。

１つの実施態様において、プラスチックシートを組立して、１つの側または両側 の磁気層からなるサンドインチ構造を形成し、そしてこのサンドイッチを２つの 磨いたガラス板の間に配置し、磁気媒体をガラス板上に当てかう。全体をホット プレス機内に配置する。温度は使用するプラスチック、支持体およびバインダー の材料のガラス転移温度より高いが、バインダーの分解温度より低い。一般に、 この温度は８０〜２００°Ｃであり、そしてバインダーが架橋したポリウレタン 、例えば、前述のものであり、そして支持体がポリカーボネートである場合、プ レス機の温度は１３０〜１９０　’Ｃ１好ましくは１６０〜１８０°Ｃである。

圧力はホットプレス機または高い周波数のプレスを使用するかどうかに依存し、 １００〜１，０ＯＯＮ／ｃｄの間で変化することができる。

最後に、サンドインチ構造を圧力下に冷却する。

好ましい実施態様において、使用する方法はフランス国特許出願第８８１４２２ ０号（発明の名称「磁気層の表面を処理する方法」）に開示されている方法であ る。

ポリカーボネートのシートを使用するとき、フランス国特許出願第８８１４２２ ２号、発明の名称「ポリカーボネートのシートを溶接する方法」の方法を使用す ることができる。

この方法は、１つの工程において、１）カードの組立、２）バインダーの架橋、 および磁気層の表面処理を組み合わせるという利点を示す。

カードは携帯用カードのための現在の規格の寸法、すなわち、５４ｍｏ＋Ｘ８６ ｍｍに切断することができる。それらは、また、これより大きいか、あるいは小 さくあることができる。

それらは、カードの熱溶接の前後に切断することができる。

好ましい実施態様において、いくつかのカードからなる中間の切断を実施する。

中間の切断を形成するポリカーボネートのシートは、ホットプレスにかける前に 、超音波の溶接点により一緒に維持する。

冷却後、カードを任意の既知の方法により所望の最終大きさに切断する。

最終カードの磁気媒体は、４，０００エルステツド（３２０ｋＡ／　ｍ　）より 高い、よりしばしば４．５００〜６．０００エルステツドの保磁力、６０部ｍｕ ／ｃ４より高い、好ましくは８０部ｍｕ　／　ｃ４より高い飽和磁化、および０ ．５０より小さい、好ましくは０．３０より小さいＳＦＤ／Ｈｃ比を示す。

粉末に関しては、磁化および保磁力は２０，０００エルステツド（１、５９０ｋ Ａ／　ｍ　）の最大磁化場下にＶＳＭ（振動試料マグネットメーター）で測定す る。

次の実施例によって、本発明を説明する。

次の市販されている製品を使用した： デスモフェン（Ｄｅｓａ＋ｏｐｈｅｎ”）　：バイエル社から販売されている、 ポリエステルまたはイソシアネートで架橋可能なポリエステルの１群についての 登録商標。

デスモヅール（Ｄｅｓａ＋ｏｄｕｒ”）　：バイエル社により販売されているイ ソシアネートまたはイソシアネートプレポリマーの１群についての登録商標。

ガファック（Ｇａｆａｃ”）　：ゼネラル・アニリン・アンド・フィルム・コー ポレーションにより販売されている、ホスフェートの複合有機エステルであるア ニオン性界面活性剤の１群についての登録商標。

ビンノール（Ｖｉｎｎｏｌ”）　：ワケルヘミー・ゲゼルシャフトにより販売さ れている、ポリビニルアルコールのコポリマーについての登録商標。

パイダックス（Ｖｙｄａｘ”）　：イー・アイ・デュポン社により販売されてい る、フルオロカーボンテロマーについての登録商標。

レキサン（Ｌｅｘａｎ”）　：ゼネラル・エレクトリック・カンパニーにより販 売されている、ポリカーボネートについての登録商標。

すべての実施例において使用したバリウムへキサフェライト粒子は、フランス国 特許出願第８８１４２２１号の方法により調製する。それらは１．５：１〜３： １の間の針状性および０．１〜０．３　ｎの長さを示す。それらの飽和磁化は６ ２±２ｅｍｕ／ｇであり、それらの保磁力は４．７００〜５．３００エルステツ ドであり、それらのＳＦＤは１，８００〜２．１００であり、そしてそれらのＳ ＦＤ／Ｈｃ比は０．３４〜０．４５である。

得られたカードのための機械・的および磁気的測定は、すべての実施例のために 上の表中に一緒に示されている。

また、すべての実施例において、得られたカードはきわめてすぐれた溶媒に対す る抵抗性、温度に対する抵抗性および外部の攻撃に対する抵抗性を示した０反復 した曲げは磁気層への損傷を引き起こさなかった。

ス１」１− 次の成分からなる、磁気粒子の分散液を調製したニー　　Ｂａヘキサフェライト 粒子　　　　　　ｉｏｏ、ｏｇ−ガファック（ＧＡＰＡＣ翼）ＲＥ６１０界面活 性剤　　　７．０ｇ−ビンノール（Ｖｉｎｎｏｌ”）Ｅ２２／４０Ａ　　　　　 　　１．０　ｇ−ＳｉＯ□　　　　　　　　　　　　　　　　　　１．０ｇＣｒ ｚ０３３．Ｏｇ ＡｈＯｘ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　６．０ｇ−カーボ ンブラック　　　　　　　　　　　　３．０ｇ−デスモフェン（Ｄｅｓｍｏｐｈ ｅｎ”）　６５１　　　　　１５．８　ｇ−デスモヅール（Ｄｅｓｍｏｄｕｒ” ）Ｌ　　　　　　　１８．２　ｇ−パイダックス（ＶｙｄａｘＲ）ＡＲｏ、４　 ｇこの分散液に、次の溶媒混合物を、溶媒混合物の４５部当たり５５部の分散液 の割合で添加したニ ー　酢酸エチル　　　　　　　５０部 −ＴＨＦ　　　　　　　　　　２５部 −酢酸エチル　　　　　　　２５部 撹拌および濾過後、分散液を４０〜６０趨の厚さのレキサン（ＬＥＸＡＮ”）　 ８０００ポリカーボネートシートに適用し、そして乾燥して６１部ｍの乾燥厚さ の層を得た。４点の超音波溶接はサンドイッチを所定位置に維持することができ 、次いでこのサンドイッチをその磁気フィルム側でガラス板上に当てがい、そし て１６０〜１８０℃の温度において、１００〜１００ＯＮ／ｃｄの圧力下にホッ トプレスにより溶接した。このカードをＩＳＯ標準寸法（５４Ｘ　８６ｍｍ　） に切断し、そしてこのカードの磁気的および機械的性質を決定した。

電気摩耗試験を２００趨幅のトラック上で、２００ｍｍ／秒の記録速度および１ ４．６ｋＨｚの周波数において実施した。（これは１　、４５７ビツト／Ｃ１ｌ の密度に相当する）。通過回数は２．０００であった。

実１１１％ 次の成分からなる、磁気分散液を調製したニー　　Ｂａへキサフェライト粒子　 　　　　　　１００．０　ｇ−ガファック（ＧＡＦＡＣ”）ＲＥ６１０　　　　 　　　　３．Ｏｇ−ビンノール（Ｖｉｎｎｏｌ”）　２２／４０　　　　　　２ ．０ｇ−カーボンブラック　　　　　　　　　　　　３．０ｇ−デスモフェン（ Ｄｅｓ＋ｗｏｐｈｅｎ”）６５１　　　　　２０．８　ｇ−デスモヅール（Ｄｅ ｓ＋ｍｏｄｕｒ”）　Ｌ　　　　　　　２７．２　ｇ−ポリテトラフルオルエチ レン／ ポリエチレンコーポリマー５０１５０　　　　１．０ｇ（３Ｉ！Ｉａより小さい か、あるいは それに等しい粒子サイズを有する。） 溶媒として次の溶媒混合物を、溶媒混合物の４７部当たり５３部の分散液の割合 で使用したニ ー　酢酸イソプロピル　　　　　　５５部−ニトロエタン　　　　　　　　１５ 部−ジクロロエタン　　　　　　　２０部−メチルイソブチルケトン　　　１０ 部カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気摩耗試験を前の実施例 におけるのと同一条件下に実施した。

１旌貫主 次の成分からなる、磁気分散液を調製したニー　　Ｂａへキサフェライト粒子　 　　　　　１００．０　ｇ−ポリカルボン酸のエステル　　　　　　　６・Ｏｇ −ビンノール（Ｖｉｎｎｏｌ”）Ｅ２２／４０Ａ　　　　　　　１．０　ｇ−カ ーボンブラック　　　　　　　　　　　　３．０ｇ−デスモフェン（Ｄｅｓｍｏ ｐｈｅｎ”）６５１　　　　　２１．４　ｇ−デスモヅール（Ｄｅｓｍｏｄｕｒ ”）Ｌ　　　　　　　２７．９　ｇ−ポリ（テトラフルオルエチレン）／ ポリエチレンコーポリマー５０１５０　　　　１．５ｇ（粒子サイズは３−と等 しいかそれより小さい）次の溶媒混合物を、溶媒混合物の３８部当たり６２部の 分散液の割合で使用したニ ー　酢酸エチル　　　　　　　　　５０部−メチルイソブチルケトン　　　２５ 部−ニトロエタン　　　　　　　　２５部カードを実施例におけるようにして調 製し、そして電気摩耗試験を実施例１におけるのと同一条件下に実施した。

皇施±工 次の成分からなる、磁気粒子の分散液を調製したニー　　Ｂａヘキサフェライト 粒子　　　　　　１００．０ｇ−ガファック（ＧＡＦＡＣ’）　ＲＥ６１０　　 　　　　　　３．Ｏｇ−シリコーンＢｙｋ”−３１００，１ｇ−ビンノール（Ｖ ｉｎｎｏｌ”）Ｅ２２／４０Ａ　　　　　　　２．０　ｇ−ＳｉＯ２１・５ｇ −Ａｌｚ（ｈ　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５．０ｇ−カーボンブラ ック　　　　　　　　　　　　３．０ｇ−　デスモフエン（Ｄｅｓｍｏｐｈｅｎ ”）　６５１　　　　　２０．２　ｇ−デスモヅール（Ｄｅｓｍｏｄｕｒ”）　 Ｌ　　　　　　　２７．５　ｇ−ポリ（テトラフルオルニチン）／ ポリエチレンコーポリマー（５０１５０）　　　　１．０ｇ（粒子サイズは３ｐ と等しいかそれより小さい）次の溶媒混合物を、溶媒混合物の４２部当たり５８ 部の分散液の割合で使用したニ ー　シクロへキサノン　　　　　　２２部−酢酸エチル　　　　　　　　　９部 −メチルエチルケトン　　　　　６０部−トルエン　　　　　　　　　　９部 カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気摩耗試験を同一条件下に 実施するが、通過回数は２４．０００であった。

スＪＬ［汁ｉ 次の成分からなる、磁気粒子の分散液を調製したニー　　Ｂａへキサフェライト 粒子　　　　　　１００．０　ｇ−ガファック（ＧＡＦＡＣ”）　ＲＥ６１０　 　　　　　　　３．Ｏｇ−レシチン　　　　　　　　　　　　　　　　３．０ｇ ＝　シリコーンＢｙｋ”−３１００，２ｇ−ビンノール（Ｖｉｎｎｏｌ”）　２ ２／４０　　　　　　２　　ｇ−カーボンブラック　　　　　　　　　　　　３ ．０ｇ−　デスモフエン（Ｄｅｓｍｏｐｂｅｎ”）　６５１　　　　　２０．５ 　ｇ−デスモヅール（ＤｅｓｍｏｄｕｒＲ）Ｌ　　　　　　　２８　　ｇ−ポリ （テトラフルオルエチレン）／ ポリエチレンコーポリマー（５０１５０）　　　　１．２ｇ（粒子サイズは３ｐ ｎに等しいかそれより小さい）次の溶媒混合物を、溶媒混合物の３９部当たり６ １部の分散液の割合で使用したニ ー　シクロへキサノン　　　　　　２０部−酢酸エチル　　　　　　　　　２０ 部−メチルエチルケトン　　　　　３８部−トルエン　　　　　　　　　　２２ 部カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気摩耗試験を同一条件下 に実施するが、通過回数は２４．０００であった。

実見■亙 次の成分からなる、磁気粒子の分散液を調製したニー　　Ｂａへキサフェライト 粒子　　　　　　１００．０　ｇ−デキステルにより販売されている デキストロールＱＣ２，０ｇ −パルミチン酸　　　　　　　　　　　　　１．５ｇ−ビンノール（Ｖｉｎｎｏ ｌ”）　２２／　４０　　　　　　１．５　ｇ−デスモフエン（Ｄｅｓｍｏｐｈ ｅｎ”）　６５１　　　　　２０．８　ｇ＝　デスモヅール（Ｄｅｓａ＋ｏｄｕ ｒ”）Ｌ　　　　　　　２８　　ｇ−　ポリ（テトラフルオルエチレン）／ポリ エチレンコーポリマー５０１５０　　　　　１　　ｇ（粒子サイズは３ｐに等し いかそれより小さい）−バイダックス（Ｖｙｄａｘ”）ＡＲ１ｇ次の溶媒混合物 を、溶媒混合物の４５部当たり５５部の分散液の割合で使用したニ ー　シクロヘキサノン　　　　　　１２部−酢酸エチル　　　　　　　　　２５ 部−メチルエチルケトン　　　　　６３部カードを実施例におけるようにして調 製し、そして電気摩耗試験を同一条件下に実施するが、通過回数は２４．０００ であった。

補正書の翻訳文提出書 （特許法第１８４条の８） 平成３年４月１８日 特許庁長官　植　松　　　敏　殿 １　特許出願の表示 ＰＣＴ／ＦＲ８９１００５３６ ２発明の名称 大容量磁気メモリーカードおよび製造方法３　特許出願人 住　所　フランス国、　７５５９４　　バリ　セデ　１２゜リュ　ビリ３，２６ 名　称　コダックーパテ ４代理人 ５　補正書の提出年月日 １９９０年８月２９日 請求の範囲 １、寸法安定性があり、その表面の少なくとも１つの主要部分上に、４，０００ エルステツド（３２０ｋＡ　／　ｍ　）より高い保磁力を有する磁気粒子、バイ ンダーおよび添加剤から構成された磁気記録媒体を有する半剛性支持体からなる 大容量磁気メモリーカードであって、前記媒体はオーバーコートを含まず、そし て少なくとも５ｋｂｉｔ／ｄの情報密度、２０００回の通過について５％より小 さいか、あるいはそれに等しい電気信号の損失に相当する電気的消耗、Ｉｏｎｓ より小さい山−谷間平均：荒２、　２０，０００回通過について５％より小さい か、あるいはそれに等しい電気信号の損失を有する、上記第１項記載のカード。

３、　５０ｋｂｉ　ｔ／ｃ４より高い情報密度を有する、上記第１または２項記 載のカード。

４、少なくとも１０トラツク／ｃｉｌｌからなる、上記第１〜３項のいずれかに 記載のカード。

５、少なくとも４０トラツク／Ｃｌ１１からなる、上記第４項記載のカード。

６、磁気粒子はＢａまたはＳｒヘキサフェライト粒子である、上記第１〜５項の いずれかに記載のカード。

７、　　ＢａまたはＳｒヘキサフェライト粒子は針状であり、そして針状比は１ ．５：１から３：１までの範囲にある、上記第６項記載のカード・ ８．磁気粒子は５．０００エルステ・ンド（４００に八／ｍ）より高い保磁力を 示す、上記第６または７項記載のカード。

９、磁気粒子は０．４５より小さいか、あるいはそれに等しいスイッチング磁場 分布／保磁力の比、および５５ｅｍｕ／ｇより高い飽和磁化を有する、上記第６ 〜８項のいずれかに記載のカード。

国際調査報告 −１１−−ｍ紳−−軸一に＋ｒ／ＦＲｆ１９１００５３６国際調査報告

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. １．寸法安定性があり、その表面の少なくとも１つの主要部分上に、４，０００ エルステッド（３２０ｋＡ／ｍ）より高い保磁力を有する磁気粒子、バインダー および添加剤から構成された磁気記録媒体を有する半剛性支持体からなる大容量 磁気メモリーカードであって、前記媒体はオーバーコートを含まず、そして少な くとも５ｋｂｉｔ／ｃｍ２の情報密度、２０００回の通過について５％より小さ いか、あるいはそれに等しい電気信号の損失に相当する電気的消耗、１０ｎｍよ り小さい山−谷間平均：荒さ、６００μｍより小さい摩耗特性、１．５μｍより 小さい引掻抵抗を示す、大容量磁気メモリーカード。
2. ２．２０，０００回通過について５％より小さいか、あるいはそれに等しい電気 信号の損失を有する、上記第１項記載のカード。
3. ３．５０ｋｂｉｔ／ｃｍ２より高い情報密度を有する、上記第１または２項記載 のカード。
4. ４．少なくとも１０トラック／ｃｍからなる、上記第１〜３項のいずれかに記載 のカード。
5. ５．少なくとも４０トラック／ｃｍからなる、上記第４項記載のカード。
6. ６．磁気粒子はＢａまたはＳｒヘキサフェライト粒子である、上記第１〜５項の いずれかに記載のカード。
7. ７．ＢａまたはＳｒヘキサフェライト粒子は針状であり、そして針状比は少なく とも１．５：１である、上記第６項記載のカード。
8. ８．磁気粒子は５，０００エルステッド（４００ｋＡ／ｍ）より高い保磁力を示 す、上記第６または７項記載のカード。
9. ９．磁気粒子は０．４５より小さいか、あるいはそれに等しいスイッチング磁場 分布／保磁力の比、および５５ｅｍｕ／ｇより高い飽和磁化を有する、上記第６ 〜８項のいずれかに記載のカード。
10. １０．磁気粒子は０．４０より小さいか、あるいはそれに等しいスイッチング磁 場分布／保磁力の比、および６０ｅｍｕ／ｇより高い飽和磁化を有する、上記第 ９項記載のカード。
11. １１．磁気記録媒体は（ａ）４，０００より小さい平均分子量を有し、少なくと も８％ｗ／ｗのＯＨ官能からなる分枝鎖状ポリオールおよび（ｂ）少なくとも３ イソシアネート官能を有するイソシアネートプレポリマーから形成された、高度 に架橋した三次元のポリウレタンであるバインダーからなる、上記第１〜１０項 のいずれかの記載のカード。
12. １２．磁気記録媒体のポリウレタンを形成するポリオールおよびポリイソシアネ ートの量は、合計のＮＣＯ／ＯＨ比が０．９より高いような量である、上記第１ １項記載のカード。
13. １３．磁気媒体は粒子の形態の固体の滑剤からなり、前記粒子の少なくとも９０ ％は３μｍより小さいか、あるいはそれに等しい大きさを有し、前記固体の滑剤 は磁気粒子の重量に基づいて２％ｗ／ｗより少ない量で存在する、上記第１〜１ ２項のいずれかに記載のカード。
14. １４．固体の滑剤の粒子の少なくとも９９％は３μｍより小さい、上記第１３項 記載のカード。
15. １５．固体の滑剤の粒子はポリ（テトラフルオロエチレン）の粒子である、上記 第１３または１４項記載のカード。
16. １６．前記滑剤はポリ（テトラフルオロエチレン）に加えてポリオレフィンから なる、上記第１５項記載のカード。
17. １７．前記カードの磁気媒体は６０ｅｍｕ／ｃｍ２より高い飽和磁化および０． ５０より小さいスイッチング磁場分布／保磁力の比を示す、上記第１〜１６項の いずれかに記載のカード。
18. １８．磁気媒体は前記カードの磁気媒体は８０ｅｍｕ／ｃｍ２より高い飽和磁化 および０．３０より小さいスイッチング磁場分布／保磁力の比を示す、上記第１ ７項記載のカード。
19. １９．支持体は少なくとも１つのポリカーボネートのシートからなる、上記第１ 〜１８項のいずれかに記載のカード。
20. ２０．２またはそれ以上のプラスチックシートを圧力下に熱溶接し、前記プラス チックシートの少なくとも１つはその上に磁気記録媒体を有し、前記磁気記録媒 体は磨いたガラス板の上に適用される、上記第１〜１９項のいずれかに記載のカ ードを製造する方法。
21. ２１．ホットプレスはプラスチックシート材料およびバインダーのガラス転移温 度より高いが、バインダーの分解温度より低い温度において実施する、上記第２ ０項記載の方法。
22. ２２．プラスチックシート材料はポリカーボネートであり、そしてホットプレス は１６０〜１８０℃の温度において実施する、上記第２０または２１項記載の方 法。
23. ２３．ホットプレスは１００〜１０００Ｎ／ｃｍ２の圧力において実施する、上 記第２０〜２２項のいずれかに記載の方法。
24. ２４．バインダーはカードのホットプレスの間に架橋する、上記第２０〜２３項 のいずれかに記載の方法。