JPH0762912B2 - 大容量磁気メモリーカードおよび製造方法 - Google Patents
大容量磁気メモリーカードおよび製造方法Info
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- JPH0762912B2 JPH0762912B2 JP51137289A JP51137289A JPH0762912B2 JP H0762912 B2 JPH0762912 B2 JP H0762912B2 JP 51137289 A JP51137289 A JP 51137289A JP 51137289 A JP51137289 A JP 51137289A JP H0762912 B2 JPH0762912 B2 JP H0762912B2
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、大容量磁気メモリーカードおよび前記カード
を製造する方法に関する。このカードは分散型の携帯用
ファイルシステムの構成にとくに有用である。
を製造する方法に関する。このカードは分散型の携帯用
ファイルシステムの構成にとくに有用である。
50kbit/cm2より高い情報密度を有する、高密度の磁気記
録媒体は知られている。しかしながら、それらは外部の
場によるか、あるいは機械的作用により消去することが
でき、そしてスリーブまたはカセットにより保護するこ
とができるテープまたはディスクの上でのみ使用され
る。これは、現在まで、5kbit/cm2より高い情報密度を
有するカード上の磁気記録媒体を商業化することができ
なかった理由であり、既知の磁気カードの通常の密度は
0.1〜0.3kbit/cm2の範囲である。携帯用カードは、使用
時に、その取り扱いによって加わる力又は外部から加わ
る力を受け、このような力は磁気層および貯蔵された情
報のすべてをより回復不可能に損傷することがある。な
ぜなら、層の中の情報の密度はより高いからである。そ
のうえ、情報の安全性の確保のため、磁気媒体外部から
の普通の磁場により消去されてしまうのであってはなら
ず、そして多数回の情報の再読み取りを可能とするため
に急速に摩耗するものであってはならない。
録媒体は知られている。しかしながら、それらは外部の
場によるか、あるいは機械的作用により消去することが
でき、そしてスリーブまたはカセットにより保護するこ
とができるテープまたはディスクの上でのみ使用され
る。これは、現在まで、5kbit/cm2より高い情報密度を
有するカード上の磁気記録媒体を商業化することができ
なかった理由であり、既知の磁気カードの通常の密度は
0.1〜0.3kbit/cm2の範囲である。携帯用カードは、使用
時に、その取り扱いによって加わる力又は外部から加わ
る力を受け、このような力は磁気層および貯蔵された情
報のすべてをより回復不可能に損傷することがある。な
ぜなら、層の中の情報の密度はより高いからである。そ
のうえ、情報の安全性の確保のため、磁気媒体外部から
の普通の磁場により消去されてしまうのであってはなら
ず、そして多数回の情報の再読み取りを可能とするため
に急速に摩耗するものであってはならない。
したがって、大量の補充および更新可能なデータを、適
当な安全性をよび永続性とともに含有することができ
る、磁気カードを得ることは強く望まれてきた。
当な安全性をよび永続性とともに含有することができ
る、磁気カードを得ることは強く望まれてきた。
このようなカ−ドは多数の応用、例えば、人間および動
物のための個人の医学的ファイル、機械的保守のための
カード、駐車場、在庫品または家畜類の管理、銀行預金
口座の操作などのために使用することができるであろ
う。
物のための個人の医学的ファイル、機械的保守のための
カード、駐車場、在庫品または家畜類の管理、銀行預金
口座の操作などのために使用することができるであろ
う。
このようなカードの製造は多数の困難を伴うものであ
る。
る。
高い記録密度は、書くときの信号の品質の維持およびヘ
ッド/層の間隔を出来るだけ小さく読むことを必要とす
ることが知られている。しかしながら、通常の取り扱い
操作の間に磁気層を保護するために、一般に保護のオー
バーコートを設ける。このオーバーコートはヘッド/層
の間隔の増加の原因となる。前述の2つの目的、すなわ
ち、信号の品質確保と情報の保護とは両立しない。
ッド/層の間隔を出来るだけ小さく読むことを必要とす
ることが知られている。しかしながら、通常の取り扱い
操作の間に磁気層を保護するために、一般に保護のオー
バーコートを設ける。このオーバーコートはヘッド/層
の間隔の増加の原因となる。前述の2つの目的、すなわ
ち、信号の品質確保と情報の保護とは両立しない。
他方において、カードの支持体および磁気媒体それ自体
はある種の弾性をもたなくてはならない。すなわち、そ
れらは反復した曲げの後でさえ、磁気媒体の中に割れ目
を発生させないで、もとの形態に回復しなくてはならな
い。それゆえ、磁気媒体は脆くてはならずそして、ま
た、軟らか過ぎてはならない。なぜなら、軟らか過ぎる
と、媒体は摩耗抵抗性が低くそしてオーバーコートを必
要とするであろうからである。カードは、また、熱安定
性を持ち、通常の環境の温度に変形せずに耐えなくては
ならない。弾性および熱安定性のこれらの要件は、セン
チメートル当りに含まれるトラック数の多い高容量のカ
ードについてとくに必要である。低い密度の磁気媒体
(例えば、ISOトラックを有する)について通常使用さ
れるポリ(塩化ビニル)の支持体は上記の力には容易に
耐えることができる。なぜなら、トラック数は少く、し
たがって層に対するヘッドの位置精度依存性が少ないか
らである。
はある種の弾性をもたなくてはならない。すなわち、そ
れらは反復した曲げの後でさえ、磁気媒体の中に割れ目
を発生させないで、もとの形態に回復しなくてはならな
い。それゆえ、磁気媒体は脆くてはならずそして、ま
た、軟らか過ぎてはならない。なぜなら、軟らか過ぎる
と、媒体は摩耗抵抗性が低くそしてオーバーコートを必
要とするであろうからである。カードは、また、熱安定
性を持ち、通常の環境の温度に変形せずに耐えなくては
ならない。弾性および熱安定性のこれらの要件は、セン
チメートル当りに含まれるトラック数の多い高容量のカ
ードについてとくに必要である。低い密度の磁気媒体
(例えば、ISOトラックを有する)について通常使用さ
れるポリ(塩化ビニル)の支持体は上記の力には容易に
耐えることができる。なぜなら、トラック数は少く、し
たがって層に対するヘッドの位置精度依存性が少ないか
らである。
本発明は、高い容量を有し、半剛性の寸法安定性の支持
体から作られ、その表面の少なくとも1つの主要部分上
に、4,000エルステッド(320kA/m)より高い、好ましく
は5,000エルステッド(400kA/m)より高い保磁力を有す
る磁気粒子、バインダーおよび添加剤から構成された磁
気記録媒体を有する磁気メモリーカードであって、前記
媒体はオーバーコートを含まず、そして2,000回、好ま
しくは20,000回の通過について5%より小さい電気的な
消耗(電気信号の損失)、10nmより小さい山−谷間の平
均荒さ、600μmより小さい摩耗特性、1.5μmより小さ
い引掻抵抗および少なくとも5kbit/cm2の、好ましくは5
0kbit/cm2より高い情報密度を示す、磁気メモリーカー
ドに関する。
体から作られ、その表面の少なくとも1つの主要部分上
に、4,000エルステッド(320kA/m)より高い、好ましく
は5,000エルステッド(400kA/m)より高い保磁力を有す
る磁気粒子、バインダーおよび添加剤から構成された磁
気記録媒体を有する磁気メモリーカードであって、前記
媒体はオーバーコートを含まず、そして2,000回、好ま
しくは20,000回の通過について5%より小さい電気的な
消耗(電気信号の損失)、10nmより小さい山−谷間の平
均荒さ、600μmより小さい摩耗特性、1.5μmより小さ
い引掻抵抗および少なくとも5kbit/cm2の、好ましくは5
0kbit/cm2より高い情報密度を示す、磁気メモリーカー
ドに関する。
本発明によるカードは、少なくともセンチメートル当り
10個のトラック、好ましくはセンチメートル当り40個の
トラックを形成する。こうして、コーティングした区域
に依存するが、54×86mmの標準の大きさを有するカード
について1Mbitより大きい合計の容量を得ることができ
る。
10個のトラック、好ましくはセンチメートル当り40個の
トラックを形成する。こうして、コーティングした区域
に依存するが、54×86mmの標準の大きさを有するカード
について1Mbitより大きい合計の容量を得ることができ
る。
本発明は、前述のカードを製造する方法を提供し、この
方法によれば磁気記録媒体の表面はカードのホットプレ
スの間に磨いたガラス板上で熱処理され、バインダーを
同時に架橋することができる。
方法によれば磁気記録媒体の表面はカードのホットプレ
スの間に磨いたガラス板上で熱処理され、バインダーを
同時に架橋することができる。
上述の特徴を具備させることで、記録容量が多く、外部
からの応力及び取り扱い操作に対する抵抗が高く、しか
も情報の記録および読取り、ならびにその耐久性かつ有
効な保護を図ることができる、携帯用メモリーカードを
得ることを可能とする。
からの応力及び取り扱い操作に対する抵抗が高く、しか
も情報の記録および読取り、ならびにその耐久性かつ有
効な保護を図ることができる、携帯用メモリーカードを
得ることを可能とする。
本発明によれば、カードの磁気媒体は、2,000回、好ま
しくは20,000回の通過について5%より小さい電気信号
の損失に相当する電気的な消耗、10nmより小さい山−谷
間の平均の荒さ、600μmより小さい摩耗特性、および
1.5μmより小さい引掻抵抗を示す。これらのパラメー
ターは、次の試験手順により測定する。
しくは20,000回の通過について5%より小さい電気信号
の損失に相当する電気的な消耗、10nmより小さい山−谷
間の平均の荒さ、600μmより小さい摩耗特性、および
1.5μmより小さい引掻抵抗を示す。これらのパラメー
ターは、次の試験手順により測定する。
電気的消耗試験 磁気カード上で、磁気層の全体上に均一に分布したある
数のトラックを選択する。
数のトラックを選択する。
各トラック上に信号を記録し、この信号は所定回数(通
過の回数)で読み取られる。読み取り信号の大きさをオ
ッシロスコープで測定する。信号損失は最初の読み取り
値と最後の読み取り値との間の差に相当し、そして最初
の読み取りの間に得られた信号に対する%で表す。
過の回数)で読み取られる。読み取り信号の大きさをオ
ッシロスコープで測定する。信号損失は最初の読み取り
値と最後の読み取り値との間の差に相当し、そして最初
の読み取りの間に得られた信号に対する%で表す。
荒さの試験 供験磁気媒体を40μm/秒で2mmの距離動かす。コンバー
ターによりセンサーの変位を測定する。媒体と触媒する
センサの部分は5μmの半径の球である。球に加える強
さは0.03mNである。コンバーターの出力におけるアナロ
グの電圧は、センサーの振動に比例し、荒さの特性を計
算するコンピューターでデジタル処理する。ここで定義
する荒さは算術平均の荒さ(基線の長さで積分した、平
均線からの輪郭の算術平均)である。
ターによりセンサーの変位を測定する。媒体と触媒する
センサの部分は5μmの半径の球である。球に加える強
さは0.03mNである。コンバーターの出力におけるアナロ
グの電圧は、センサーの振動に比例し、荒さの特性を計
算するコンピューターでデジタル処理する。ここで定義
する荒さは算術平均の荒さ(基線の長さで積分した、平
均線からの輪郭の算術平均)である。
摩耗特性の試験 層の摩耗特性の測定に使用した方法は、試験する層上
で、5cmの距離で、一定の力F=0.6Nを加えながら8cm/
秒の速度で、1,400回前後に、52のビッカース硬度、1.6
mmのねじ山の直径および8mmの内部のループ直径を有す
る、銅製トルス(torus)を動かすことにある。
で、5cmの距離で、一定の力F=0.6Nを加えながら8cm/
秒の速度で、1,400回前後に、52のビッカース硬度、1.6
mmのねじ山の直径および8mmの内部のループ直径を有す
る、銅製トルス(torus)を動かすことにある。
トルス上に擬似楕円により表される摩耗パターンが現わ
れ、層の摩耗性が大きいほど擬似楕円の主軸はそれだけ
長くなる。擬似楕円の主軸の長さを光学式マイクロメー
を装備した顕微鏡で測定する。この長さを摩耗特性を定
義するためのパラメーターとする。
れ、層の摩耗性が大きいほど擬似楕円の主軸はそれだけ
長くなる。擬似楕円の主軸の長さを光学式マイクロメー
を装備した顕微鏡で測定する。この長さを摩耗特性を定
義するためのパラメーターとする。
引掻試験 この試験は15μmの半径を有する球形のダイヤモンドを
4gの重さで磁気記録媒体の表面上を通過させることによ
って実施する。
4gの重さで磁気記録媒体の表面上を通過させることによ
って実施する。
引掻抵抗引掻の深さをμmで表示したもので式: に従い、ダイヤモンドにより層の上に生成された刻印の
半幅aから計算されるものである。
半幅aから計算されるものである。
使用した磁気粒子は、4,000エルステッド(320kA/m)よ
り高い、好ましくは5,000エルステッド(400kA/m)より
高い、高い保磁力(coecive field)を有する、Baまた
はSrヘキサフェライト粒子である。このような高い保磁
力は、通常の外部の場により消去されえない、記録され
た情報の安全性を保証する。しかしながら、上書きによ
り新規なデータを記録することはできる。
り高い、好ましくは5,000エルステッド(400kA/m)より
高い、高い保磁力(coecive field)を有する、Baまた
はSrヘキサフェライト粒子である。このような高い保磁
力は、通常の外部の場により消去されえない、記録され
た情報の安全性を保証する。しかしながら、上書きによ
り新規なデータを記録することはできる。
バリウムまたはストロンチウムのヘキサフェライト粒子
は長い間知られている。とくに、それらは第二鉄塩およ
びBaまたはSrの塩をアルカリ性溶液中に共沈させ、次い
で得られた共沈物を高温でか焼することによって得るこ
とができる。C.D.Mee氏およびJ.C.Jeschke氏はJournal
of Applied Physics(Vol.34,No.4,127 1−2,1963)のS
ingle−Domaine Properties in Hexagonal ferritesと
いう記事でこのような粒子の調製について開示してい
る。この古い方法は、生成物は非常に硬いブロック形態
を呈するため、研摩が困難であるという欠点を示す。研
摩後の粒子は寸法が均質ではなく、磁気媒体のためのバ
インダー中の分散が困難であり、そしてか焼処理のとき
凝集しやすい傾向がある。これらの欠点のため粒子は磁
気記録層の調製のためには不適当である。最近、多数の
方法、例えば、熱水合成または共沈方法がこれらの欠点
を軽減するために提案されている。
は長い間知られている。とくに、それらは第二鉄塩およ
びBaまたはSrの塩をアルカリ性溶液中に共沈させ、次い
で得られた共沈物を高温でか焼することによって得るこ
とができる。C.D.Mee氏およびJ.C.Jeschke氏はJournal
of Applied Physics(Vol.34,No.4,127 1−2,1963)のS
ingle−Domaine Properties in Hexagonal ferritesと
いう記事でこのような粒子の調製について開示してい
る。この古い方法は、生成物は非常に硬いブロック形態
を呈するため、研摩が困難であるという欠点を示す。研
摩後の粒子は寸法が均質ではなく、磁気媒体のためのバ
インダー中の分散が困難であり、そしてか焼処理のとき
凝集しやすい傾向がある。これらの欠点のため粒子は磁
気記録層の調製のためには不適当である。最近、多数の
方法、例えば、熱水合成または共沈方法がこれらの欠点
を軽減するために提案されている。
ヘキサフェライトを調製する好ましい方法は、フランス
国特許出願第8814221号(発明の名称「ヘキサフェライ
ト磁気粒子を調製する方法、得られた粒子およびそれら
を含有する製品」)のに開示されている。この方法は、
0.45より小さい、好ましくは0.40より小さいSFD/Hc比
(ここで、SFDはスイッチング磁場分布であり、そしてH
cは保磁力である)、および55emu/gより高い、好ましく
は60emu/gより高い飽和磁化を有するヘキサフェライト
粒子を提供するという利点を示す。
国特許出願第8814221号(発明の名称「ヘキサフェライ
ト磁気粒子を調製する方法、得られた粒子およびそれら
を含有する製品」)のに開示されている。この方法は、
0.45より小さい、好ましくは0.40より小さいSFD/Hc比
(ここで、SFDはスイッチング磁場分布であり、そしてH
cは保磁力である)、および55emu/gより高い、好ましく
は60emu/gより高い飽和磁化を有するヘキサフェライト
粒子を提供するという利点を示す。
SFDはスイッチング場分布の幅を特徴づける。ヒステリ
シスサイクル(磁場Hの関数としての磁束M)、は曲線
dM/dHをH(ヒステリシスサイクルから得られる)の関
数としてプロットするのを可能とし、H=Hcのとき観測
されるピークの半値幅ΔH)が演算される。この値がSF
Dであり、このSFDの値は粒子の保磁力により除算するこ
とで無次元比SFD/Hcが得られる。
シスサイクル(磁場Hの関数としての磁束M)、は曲線
dM/dHをH(ヒステリシスサイクルから得られる)の関
数としてプロットするのを可能とし、H=Hcのとき観測
されるピークの半値幅ΔH)が演算される。この値がSF
Dであり、このSFDの値は粒子の保磁力により除算するこ
とで無次元比SFD/Hcが得られる。
SFD/Hcが小さいことは、粒子の磁気モーメントが保磁力
に近い場のためにスイッチングすることを示す。かくし
て、磁気記録間の磁束の転移はより良好に規定すること
ができ、記録層の厚さはより薄くかつより厳密に決めら
れ、そのためバックグラウンドのノイズは低くなり、し
たがって情報密度が大きいときより高い信号/ノイズ比
を得ることができる。
に近い場のためにスイッチングすることを示す。かくし
て、磁気記録間の磁束の転移はより良好に規定すること
ができ、記録層の厚さはより薄くかつより厳密に決めら
れ、そのためバックグラウンドのノイズは低くなり、し
たがって情報密度が大きいときより高い信号/ノイズ比
を得ることができる。
SFD/Hcが小さいことは、粒子サイズの分布が狭く粒子の
凝集していないより純粋な化学的組成を持っていること
も示している。
凝集していないより純粋な化学的組成を持っていること
も示している。
磁化および保磁力は、20,000エルステッド(1,590kA/
m)の最大磁化場でVSM(Vibrating Sample Magnetomete
r)を使用して測定する。
m)の最大磁化場でVSM(Vibrating Sample Magnetomete
r)を使用して測定する。
好ましい実施態様において、少なくとも1.5:1の針状
比、0.1〜0.3μmの長さおよび4,000エルステッドより
高い、好ましくは5,000エルステッドより高い保磁力を
有する、BaまたはSrヘキサフェライト粒子を使用する。
比、0.1〜0.3μmの長さおよび4,000エルステッドより
高い、好ましくは5,000エルステッドより高い保磁力を
有する、BaまたはSrヘキサフェライト粒子を使用する。
携帯用カードは曲がり易いものでまたぞんざいに取り扱
われるものである。トラック/cmの数が大きくなればな
るほど、磁気組成物のバインダーの選択はその幅がせま
くなる。なぜなら、バインダーは磁気粒子を所定位置に
維持し、曲げや圧縮により引き起こされる永久変形に耐
えるために十分な結合力を具備しなければならず、加え
て摩耗および引掻に対して抵抗するに十分な硬さも有し
なければならないからである。
われるものである。トラック/cmの数が大きくなればな
るほど、磁気組成物のバインダーの選択はその幅がせま
くなる。なぜなら、バインダーは磁気粒子を所定位置に
維持し、曲げや圧縮により引き起こされる永久変形に耐
えるために十分な結合力を具備しなければならず、加え
て摩耗および引掻に対して抵抗するに十分な硬さも有し
なければならないからである。
(a)高度に架橋した三次元のポリウレタンから構成さ
れたバインダーおよび(b)ポリ(テトラフルオロエチ
レン)、可能ならばポリエチレンからなる媒体はカード
に所望の性質を付与ことが発見された。
れたバインダーおよび(b)ポリ(テトラフルオロエチ
レン)、可能ならばポリエチレンからなる媒体はカード
に所望の性質を付与ことが発見された。
高度に架橋した三次元のポリウレタンは、(a)4,000
より小さい平均分子量を有し、そして少なくとも8%w/
wのOH官能基を含有する分枝鎖状ポリオールおよび
(b)少なくとも3イソシアネート官能を有するイソシ
アネートプレポリマーから形成される。ポリオールas
d、芳香族または脂肪族のポリエステル−ポリオールま
たはポリエーテル−ポリオールを使用することができ
る。
より小さい平均分子量を有し、そして少なくとも8%w/
wのOH官能基を含有する分枝鎖状ポリオールおよび
(b)少なくとも3イソシアネート官能を有するイソシ
アネートプレポリマーから形成される。ポリオールas
d、芳香族または脂肪族のポリエステル−ポリオールま
たはポリエーテル−ポリオールを使用することができ
る。
ポリエステル−ポリオールは、ジカルボン酸またはその
誘導体、例えば、無水物、例えば、アジピン酸、テレフ
タル酸、フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル
酸、ヘキサヒトロフタル酸、マレイン酸、および多官能
性アルコール、例えば、グリコール、ゲリセロール、ヘ
ンキサジオール、ヘキサントリオール、ネオペンチルグ
リコール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリト
ールなどから調製されたヒドロキシル基を含有する化合
物である。
誘導体、例えば、無水物、例えば、アジピン酸、テレフ
タル酸、フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル
酸、ヘキサヒトロフタル酸、マレイン酸、および多官能
性アルコール、例えば、グリコール、ゲリセロール、ヘ
ンキサジオール、ヘキサントリオール、ネオペンチルグ
リコール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリト
ールなどから調製されたヒドロキシル基を含有する化合
物である。
ポリエーテル−ポリオールは、また、アルキレンオキシ
ドおよびポリエステルのために前述したのと同一アルコ
ールから調製されたヒドロキシルを含有する化合物であ
る。
ドおよびポリエステルのために前述したのと同一アルコ
ールから調製されたヒドロキシルを含有する化合物であ
る。
酸からの−COOH基の量およびアルコールからの−OH基の
量は、OH/COOH比が1より高いような量である。縮合に
より、すべてのCOOH基は反応するが、遊離のヒドロキシ
ルが残る。本発明に従い使用するポリオールは少なくと
も8%w/wのOH基からなる。好ましくは、ジカルボン酸
は水素化されたフタル酸であり、多分他の酸と混合物の
形態であり、そして他官能性アルコールはトリメチロー
ルプロパンであり、多分他のアルコールと混合物の形態
である。
量は、OH/COOH比が1より高いような量である。縮合に
より、すべてのCOOH基は反応するが、遊離のヒドロキシ
ルが残る。本発明に従い使用するポリオールは少なくと
も8%w/wのOH基からなる。好ましくは、ジカルボン酸
は水素化されたフタル酸であり、多分他の酸と混合物の
形態であり、そして他官能性アルコールはトリメチロー
ルプロパンであり、多分他のアルコールと混合物の形態
である。
用語「イソシアネートプレポリマー」は、それがポリウ
レタン化学において有する通常の意味を有する、すなわ
ち、少なくとも3つのイソシアネート基からなる、すな
わち、少なくとも3の官能価を有する化合物を呼ぶ。こ
のような化合物は、例えば、3モルの脂肪族または芳香
族のジイソシアネートおよび1モルの3価のアルコー
ル、例えば、グリセロールから得ることができる。
レタン化学において有する通常の意味を有する、すなわ
ち、少なくとも3つのイソシアネート基からなる、すな
わち、少なくとも3の官能価を有する化合物を呼ぶ。こ
のような化合物は、例えば、3モルの脂肪族または芳香
族のジイソシアネートおよび1モルの3価のアルコー
ル、例えば、グリセロールから得ることができる。
ポリオールおよびイソシアネートのそれぞれの量は、NC
O/合計のOHの比が0.9より高い、好ましくは1より高い
ような量である。用語「合計のOH」は、磁気媒体がポリ
オール以外のOH基源からなる場合、この混合物は完全に
架橋されるので、前記OH基はイソシアネートプレポリマ
ーの量の計算において考慮すべきであることを意味す
る。
O/合計のOHの比が0.9より高い、好ましくは1より高い
ような量である。用語「合計のOH」は、磁気媒体がポリ
オール以外のOH基源からなる場合、この混合物は完全に
架橋されるので、前記OH基はイソシアネートプレポリマ
ーの量の計算において考慮すべきであることを意味す
る。
バインダーの混合物は、記録媒体中に、磁気粒子の100g
当たり10〜60gの量で存在する。
当たり10〜60gの量で存在する。
磁気媒体は、さらに、知られているように、ある数の添
加剤、例えば、界面活性剤、滑剤、顔料などからなる。
これらの添加剤は、層から滲出せずかつその表面を混乱
すべきではない。
加剤、例えば、界面活性剤、滑剤、顔料などからなる。
これらの添加剤は、層から滲出せずかつその表面を混乱
すべきではない。
磁気層中に、滑剤を導入して、ヘッドと層との間の摩擦
係数を低下し、それらの両者の摩耗を減少し、それらの
層のすべり性質を改良することは知られている。
係数を低下し、それらの両者の摩耗を減少し、それらの
層のすべり性質を改良することは知られている。
液状滑剤は適当ではない。なぜなら、それらは、温度が
上昇するとき、とくに磁気支持体の最終処理が高い温
度、例えば、100℃より高い、そしてなおさらに150℃よ
り高いとき、磁気媒体から滲出する傾向を有するからで
ある。これは、好ましい滑剤が固体の滑剤であり、ここ
で粒子の90%、好ましくは99%が3μmより小さい大き
さを有し、そして磁気粒子の重量に基づいて2%w/wよ
り少ない量で存在する理由である。
上昇するとき、とくに磁気支持体の最終処理が高い温
度、例えば、100℃より高い、そしてなおさらに150℃よ
り高いとき、磁気媒体から滲出する傾向を有するからで
ある。これは、好ましい滑剤が固体の滑剤であり、ここ
で粒子の90%、好ましくは99%が3μmより小さい大き
さを有し、そして磁気粒子の重量に基づいて2%w/wよ
り少ない量で存在する理由である。
固体の滑剤として、グラファイト、亜硫酸モリブデン、
亜硫酸タングステンまたはポリエチレンの微細粒子を使
用することができる。好ましくは、ポリ(テトラフルオ
ロエチレン)(PTFE)を使用する。PTFEはいくつかの製
造業者から粉末の形態で販売されている。例えば、それ
は商標バイダックス(VydaxR)でイー・アイ・デュポン
社から販売されている。一方において、固体の滑剤は記
録媒体の他の成分と相溶性でありかつ3μmより大きい
粒子を10%w/w以下の量で含有すること、そして他方に
おいて、磁気媒体中のその量は磁気粒子に基づいて2%
w/wを越えないことが重要である。このような滑剤粒子
の大きさの分布は、スクリーニング、濾過、または任意
の他の既知の技術により得られる。
亜硫酸タングステンまたはポリエチレンの微細粒子を使
用することができる。好ましくは、ポリ(テトラフルオ
ロエチレン)(PTFE)を使用する。PTFEはいくつかの製
造業者から粉末の形態で販売されている。例えば、それ
は商標バイダックス(VydaxR)でイー・アイ・デュポン
社から販売されている。一方において、固体の滑剤は記
録媒体の他の成分と相溶性でありかつ3μmより大きい
粒子を10%w/w以下の量で含有すること、そして他方に
おいて、磁気媒体中のその量は磁気粒子に基づいて2%
w/wを越えないことが重要である。このような滑剤粒子
の大きさの分布は、スクリーニング、濾過、または任意
の他の既知の技術により得られる。
技術的に本発明の範囲を限定するものではないが、バイ
ンダーの架橋した構造は、3μmより小さい大きさを有
する固体の滑剤の粒子の捕捉を可能とするような構造で
あると信じられる。
ンダーの架橋した構造は、3μmより小さい大きさを有
する固体の滑剤の粒子の捕捉を可能とするような構造で
あると信じられる。
PTFEから構成された固体の滑剤は、不活性の材料、例え
ば、ポリオレフィン、例えば、ポリエチレンに関連づけ
ることができる。
ば、ポリオレフィン、例えば、ポリエチレンに関連づけ
ることができる。
PTFEに加えて、前述したように、既知の滑剤、例えば、
シリコーンオイルを磁気粒子の100部当たり1部より少
ない量で使用することができる。上の要件を満足する磁
気媒体は、フランス国特許出願第8814219号、発明の名
称「磁気記録媒体」に開示されているものである。
シリコーンオイルを磁気粒子の100部当たり1部より少
ない量で使用することができる。上の要件を満足する磁
気媒体は、フランス国特許出願第8814219号、発明の名
称「磁気記録媒体」に開示されているものである。
他の添加剤は、磁気記録媒体において一般に使用されて
いるものである。
いるものである。
1つまたはいくつかの界面活性剤は、濡れ、分散性およ
び分散液の広がりを保証するために必要である。例え
ば、ポリカルボン酸のエステルまたはリン酸、レチシ
ン、脂肪酸、例えば、パルミチン酸、オレイン酸の複合
有機エステル、または前記界面活性剤の混合物を使用す
ることができる。塩化ビニルおよびOH基からなるビニル
コポリマーを分散剤として使用することができる。この
ようなコポリマーは、一般に、70〜90%のビニルコポリ
マーからなり、他のモノマーは酢酸ビニル、ポリビニル
アルコール、および多分ヒドロキシル基を有するアクリ
ル酸またはメタクリル酸のエステルから選択される。後
者の場合において、イソシアネート基を含有する化合物
の量は、また三次元のポリウレタンの格子内で完全に架
橋しなくてはならない、ビニルコポリマーのOH基を考慮
するように選択しなくてはならない。好ましい実施態様
において、磁気粒子の100g当たり3〜8gで存在する、リ
ン酸のアルキルフェノキシポリエトキシエチルエステ
ル、およびバインダーに基づいて10%w/wより少ない量
で存在するビニルコポリマーを使用する。
び分散液の広がりを保証するために必要である。例え
ば、ポリカルボン酸のエステルまたはリン酸、レチシ
ン、脂肪酸、例えば、パルミチン酸、オレイン酸の複合
有機エステル、または前記界面活性剤の混合物を使用す
ることができる。塩化ビニルおよびOH基からなるビニル
コポリマーを分散剤として使用することができる。この
ようなコポリマーは、一般に、70〜90%のビニルコポリ
マーからなり、他のモノマーは酢酸ビニル、ポリビニル
アルコール、および多分ヒドロキシル基を有するアクリ
ル酸またはメタクリル酸のエステルから選択される。後
者の場合において、イソシアネート基を含有する化合物
の量は、また三次元のポリウレタンの格子内で完全に架
橋しなくてはならない、ビニルコポリマーのOH基を考慮
するように選択しなくてはならない。好ましい実施態様
において、磁気粒子の100g当たり3〜8gで存在する、リ
ン酸のアルキルフェノキシポリエトキシエチルエステ
ル、およびバインダーに基づいて10%w/wより少ない量
で存在するビニルコポリマーを使用する。
さらに、バインダー組成物は通常の添加剤、例えば、摩
耗性粉末、例えば、Al2O3またはCr2O3、顔料を微細粉末
の形態でまたはコロイドの形態で、例えば、層を着色す
るためにカーボンブラック、および分散物の品質および
安定性を改良するためにシリカからなる。
耗性粉末、例えば、Al2O3またはCr2O3、顔料を微細粉末
の形態でまたはコロイドの形態で、例えば、層を着色す
るためにカーボンブラック、および分散物の品質および
安定性を改良するためにシリカからなる。
最後に、バインダー組成物は、また、使用するバインダ
ーおよび所望の動力学に従い、架橋剤からなることがで
きる。
ーおよび所望の動力学に従い、架橋剤からなることがで
きる。
コーティング分散液は、磁気粒子、種々のバインダー成
分および添加剤を溶媒の存在下に混合することによって
形成する。磁気分散技術において知られている溶媒混合
物を使用することができる。
分および添加剤を溶媒の存在下に混合することによって
形成する。磁気分散技術において知られている溶媒混合
物を使用することができる。
挙することができる有用な溶媒の例は、次の通りであ
る:エステル、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
イソプロピル、テトラヒドロフラン;ケトン、例えば、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノン;ニトロメタン、ニトロエタン、ジクロロエ
タン、ベンゼン系溶媒、例えば、トルエンなど。溶媒の
有用な量は、所望の結果、使用する分散液の特定の化合
物および装置に従い、技術者により決定されることがで
きる。好ましい分散液は実施例に開示されている。
る:エステル、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
イソプロピル、テトラヒドロフラン;ケトン、例えば、
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノン;ニトロメタン、ニトロエタン、ジクロロエ
タン、ベンゼン系溶媒、例えば、トルエンなど。溶媒の
有用な量は、所望の結果、使用する分散液の特定の化合
物および装置に従い、技術者により決定されることがで
きる。好ましい分散液は実施例に開示されている。
バインダー組成物は、最終カードの一体部分となるフィ
ルムの支持体上に適用される。フィルムの支持体はカー
ドを形成する他のプラスチックと相溶性であるべきであ
る。とくに、これらのシートを一緒に熱溶接することが
できるべきである。他方において、支持体はカードび最
終の性質に関係する。それは寸法安定性、耐熱性および
柔軟性であるべきである。これらの要件を満足するプラ
スチック支持体、例えば、ポリオレフィン、酢酸セルロ
ース、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリ
スルホンなどを使用することができる;それは、また、
追加の接着層の存在または不存在でカードを構成するプ
ラスチックシート上で熱溶接することができるべきであ
る。
ルムの支持体上に適用される。フィルムの支持体はカー
ドを形成する他のプラスチックと相溶性であるべきであ
る。とくに、これらのシートを一緒に熱溶接することが
できるべきである。他方において、支持体はカードび最
終の性質に関係する。それは寸法安定性、耐熱性および
柔軟性であるべきである。これらの要件を満足するプラ
スチック支持体、例えば、ポリオレフィン、酢酸セルロ
ース、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリ
スルホンなどを使用することができる;それは、また、
追加の接着層の存在または不存在でカードを構成するプ
ラスチックシート上で熱溶接することができるべきであ
る。
好ましい実施態様において、使用する支持体は20〜80μ
m、好ましくは40〜50μmの厚さを有する、ポリカーボ
ネートの支持体である。ポリカーボネートは寸法安定性
および耐熱性であることが知られている。選択するポリ
カーボネートは、また、その上にコーティングされた磁
気分散液のバインダーを変更しない温度において熱溶接
可能であるべきである。
m、好ましくは40〜50μmの厚さを有する、ポリカーボ
ネートの支持体である。ポリカーボネートは寸法安定性
および耐熱性であることが知られている。選択するポリ
カーボネートは、また、その上にコーティングされた磁
気分散液のバインダーを変更しない温度において熱溶接
可能であるべきである。
コーティング後、磁気粒子は任意の既知の方法により多
分縦方向に配向し、次いで乾燥することができる。生ず
る層は10μmより小さい、好ましくは6μmより小さい
乾燥厚さを有する。磁気フィルムは、例えば、上のよう
に調製されたフィルム、あるいはカードが各面に磁気媒
体を含むことを望む場合、可能ならば2つの磁気フィル
ムは、カードのコアを構成するプラスチックシートと溶
接して、合計のカードの厚さを400〜1000μmとする。
好ましくは、シートのプラスチック材料および磁気フィ
ルムの支持体は熱溶接可能である。カードを形成するシ
ートは、同一であるか、あるいは異なるプラスチック材
料から作ることができる。
分縦方向に配向し、次いで乾燥することができる。生ず
る層は10μmより小さい、好ましくは6μmより小さい
乾燥厚さを有する。磁気フィルムは、例えば、上のよう
に調製されたフィルム、あるいはカードが各面に磁気媒
体を含むことを望む場合、可能ならば2つの磁気フィル
ムは、カードのコアを構成するプラスチックシートと溶
接して、合計のカードの厚さを400〜1000μmとする。
好ましくは、シートのプラスチック材料および磁気フィ
ルムの支持体は熱溶接可能である。カードを形成するシ
ートは、同一であるか、あるいは異なるプラスチック材
料から作ることができる。
好ましい実施態様において、カードのコアシートは磁気
フィルム支持体と同一のプラスチック材料から作られ
る。磁気層を支持するシート以外のシートは、20〜300
μmの厚さを有することができる。磁気層はカードの1
つの側または両側に、表面全体にまたは表面の一部分の
みに配置することができる。自由に残る部分は、可視の
情報、例えば、文字、図面、テキスト、写真、グラフな
どのプリントに使用することができる。
フィルム支持体と同一のプラスチック材料から作られ
る。磁気層を支持するシート以外のシートは、20〜300
μmの厚さを有することができる。磁気層はカードの1
つの側または両側に、表面全体にまたは表面の一部分の
みに配置することができる。自由に残る部分は、可視の
情報、例えば、文字、図面、テキスト、写真、グラフな
どのプリントに使用することができる。
本発明の方法に従い、プラスチックシートはホットプレ
スにより溶接し、磁気媒体は磨いたガラス板上に適用す
る。
スにより溶接し、磁気媒体は磨いたガラス板上に適用す
る。
1つの実施態様において、プラスチックシートを組立し
て、1つの側または両側の磁気層からなるサンドイッチ
構造を形成し、そしてこのサンドイッチを2つの磨いた
ガラス板の間に配置し、磁気媒体をガラス板上に当てが
う。全体をホットプレス機内に配置する。温度は使用す
るプラスチック、支持体およびバインダーの材料のガラ
ス転移温度より高いが、バインダーの分解温度より低
い。一般に、この温度は80〜200℃であり、そしてバイ
ンダーが架橋したポリウレタン、例えば、前述のもので
あり、そして支持体がポリカーボネートである場合、プ
レス機の温度は130〜190℃、好ましくは160〜180℃であ
る。圧力はホットプレス機または高い周波数のプレスを
使用するかどうかに依存し、100〜1,000N/cm2の間で変
化することができる。
て、1つの側または両側の磁気層からなるサンドイッチ
構造を形成し、そしてこのサンドイッチを2つの磨いた
ガラス板の間に配置し、磁気媒体をガラス板上に当てが
う。全体をホットプレス機内に配置する。温度は使用す
るプラスチック、支持体およびバインダーの材料のガラ
ス転移温度より高いが、バインダーの分解温度より低
い。一般に、この温度は80〜200℃であり、そしてバイ
ンダーが架橋したポリウレタン、例えば、前述のもので
あり、そして支持体がポリカーボネートである場合、プ
レス機の温度は130〜190℃、好ましくは160〜180℃であ
る。圧力はホットプレス機または高い周波数のプレスを
使用するかどうかに依存し、100〜1,000N/cm2の間で変
化することができる。
最後に、サンドイッチ構造を圧力下に冷却する。
好ましい実施態様において、使用する方法はフランス国
特許出願第8814220号(発明の名称「磁気層の表面を処
理する方法」)に開示されている方法である。
特許出願第8814220号(発明の名称「磁気層の表面を処
理する方法」)に開示されている方法である。
ポリカーボネートのシートを使用するとき、フランス国
特許出願第8814222号、発明の名称「ポリカーボネート
のシートを溶接する方法」の方法を使用することができ
る。
特許出願第8814222号、発明の名称「ポリカーボネート
のシートを溶接する方法」の方法を使用することができ
る。
この方法は、1つの工程において、1)カードの組立、
2)バインダーの架橋、および磁気層の表面処理を組み
合わせるという利点を示す。
2)バインダーの架橋、および磁気層の表面処理を組み
合わせるという利点を示す。
カードは携帯用カードのための現在の規格の寸法、すな
わち、54mm×86mmに切断することができる。それらは、
また、これより大きいか、あるいは小さくあることがで
きる。
わち、54mm×86mmに切断することができる。それらは、
また、これより大きいか、あるいは小さくあることがで
きる。
それらは、カードの熱溶接の前後に切断することができ
る。好ましい実施態様において、いくつかのカードから
なる中間の切断を実施する。中間の切断を形成するポリ
カーボネートのシートは、ホットプレスにかける前に、
超音波の溶接点により一緒に維持する。
る。好ましい実施態様において、いくつかのカードから
なる中間の切断を実施する。中間の切断を形成するポリ
カーボネートのシートは、ホットプレスにかける前に、
超音波の溶接点により一緒に維持する。
冷却後、カードを任意の既知の方法により所望の最終大
きさに切断する。
きさに切断する。
最終カードの磁気媒体は、4,000エルステッド(320kA/
m)より高い、よりしばしば4,500〜6,000エルステッド
の保磁力、60emu/cm3より高い、好ましくは80emu/cm3よ
り高い飽和磁化、および0.50より小さい、好ましくは0.
30より小さいSFD/Hc比を示す。
m)より高い、よりしばしば4,500〜6,000エルステッド
の保磁力、60emu/cm3より高い、好ましくは80emu/cm3よ
り高い飽和磁化、および0.50より小さい、好ましくは0.
30より小さいSFD/Hc比を示す。
粉末に関しては、磁化および保磁力は20,000エルステッ
ド(1,590kA/m)の最大磁化場下にVSM(振動試料マグネ
ットメーター)で測定する。
ド(1,590kA/m)の最大磁化場下にVSM(振動試料マグネ
ットメーター)で測定する。
次の実施例によって、本発明を説明する。
次の市販されている製品を使用した: デスモフェン(DesmophenR):バイエル社から販売され
ている、ポリエステルまたはイソシアネートで架橋可能
なポリエステルの1群についての登録商標。
ている、ポリエステルまたはイソシアネートで架橋可能
なポリエステルの1群についての登録商標。
デスモヅール(DesmodurR):バイエル社により販売さ
れているイソシアネートまたはイソシアネートプレポリ
マーの1群についての登録商標。
れているイソシアネートまたはイソシアネートプレポリ
マーの1群についての登録商標。
ガファック(GafacR):ゼネラル・アニリン・アンド・
フィルム・コーポレーションにより販売されている、ホ
スフェートの複合有機エステルであるアニオン性界面活
性剤の1群についての登録商標。
フィルム・コーポレーションにより販売されている、ホ
スフェートの複合有機エステルであるアニオン性界面活
性剤の1群についての登録商標。
ビンノール(VinnolR):ワケルヘミー・ゲゼルシャフ
トにより販売されている、ポリビニルアルコールのコポ
リマーについての登録商標。
トにより販売されている、ポリビニルアルコールのコポ
リマーについての登録商標。
バイダックス(VydaxR):イー・アイ・デュポン社によ
り販売されている、フルオロカーボンテロマーについて
の登録商標。
り販売されている、フルオロカーボンテロマーについて
の登録商標。
レキサン(LexanR):ゼネラル・エレクトリック・カン
パニーにより販売されている、ポリカーボネートについ
ての登録商標。
パニーにより販売されている、ポリカーボネートについ
ての登録商標。
すべての実施例において使用したバリウムヘキサフェラ
イト粒子は、フランス国特許出願第8814221号の方法に
より調製する。それらは1.5:1〜3:1の間の針状性および
0.1〜0.3μmの長さを示す。それらの飽和磁化は62±2e
mu/gであり、それらの保磁力は4,700〜5,300エルステッ
ドであり、それらのSFDは1,800〜2,100であり、そして
それらのSFD/Hc比は0.34〜0.45である。
イト粒子は、フランス国特許出願第8814221号の方法に
より調製する。それらは1.5:1〜3:1の間の針状性および
0.1〜0.3μmの長さを示す。それらの飽和磁化は62±2e
mu/gであり、それらの保磁力は4,700〜5,300エルステッ
ドであり、それらのSFDは1,800〜2,100であり、そして
それらのSFD/Hc比は0.34〜0.45である。
得られたカードのための機械的および磁気的測定は、す
べての実施例のために上の表中に一緒に示されている。
べての実施例のために上の表中に一緒に示されている。
また、すべての実施例において、得られたカードはきわ
めてすぐれた溶媒に対する抵抗性、温度に対する抵抗性
および外部の攻撃に対する抵抗性を示した。反復した曲
げは磁気層への損傷を引き起こさなかった。
めてすぐれた溶媒に対する抵抗性、温度に対する抵抗性
および外部の攻撃に対する抵抗性を示した。反復した曲
げは磁気層への損傷を引き起こさなかった。
実施例1 次の成分からなる、磁気粒子の分散液を調製した: −Baヘキサフェライト粒子 100.0g −ガファック(GAFACR)RE610海面活性剤 7.0g −ビンノール(VinnolR)E22/40A 1.0g −SiO2 1.0g −Cr2O3 3.0g −Al2O3 6.0g −カーボンブラック 3.0g −デスモフェン(DesmophenR)651 15.8g −デスモヅール(DesmodurR)L 18.2g −バイダックス(VydaxR)AR 0.4g この分散液に、次の溶媒混合物を、溶媒混合物の45部当
たり55部の分散液の割合で添加した: −酢酸エチル 50部 −THF 25部 −酢酸エチル 25部 攪拌および濾過後、分散液を40〜60μmの厚さのレキサ
ン(LEXANR)8000ポリカーボネートシートに適用し、そ
して乾燥して6μmの乾燥厚さの層を得た。4点の超音
波溶接はサンドイッチを所定位置に維持することがで
き、次いでこのサンドイッチをその磁気フィルム側でガ
ラス板上に当てがい、そして160〜180℃の温度におい
て、100〜1000N/cm2の圧力下にホットプレスにより溶接
した。このカードをISO標準寸法(54×86mm)に切断
し、そしてこのカードの磁気的および機械的性質を決定
した。
たり55部の分散液の割合で添加した: −酢酸エチル 50部 −THF 25部 −酢酸エチル 25部 攪拌および濾過後、分散液を40〜60μmの厚さのレキサ
ン(LEXANR)8000ポリカーボネートシートに適用し、そ
して乾燥して6μmの乾燥厚さの層を得た。4点の超音
波溶接はサンドイッチを所定位置に維持することがで
き、次いでこのサンドイッチをその磁気フィルム側でガ
ラス板上に当てがい、そして160〜180℃の温度におい
て、100〜1000N/cm2の圧力下にホットプレスにより溶接
した。このカードをISO標準寸法(54×86mm)に切断
し、そしてこのカードの磁気的および機械的性質を決定
した。
電気摩耗試験を200μm幅のトラック上で、200mm/秒の
記録速度および14.6kHzの周波数において実施した。
(これは1,457ビット/cmの密度に相当する)。通過回数
は2,000であった。
記録速度および14.6kHzの周波数において実施した。
(これは1,457ビット/cmの密度に相当する)。通過回数
は2,000であった。
実施例2 次の成分からなる、磁気分散液を調製した: −Baヘキサフェライト粒子 100.0g −ガファック(GAFACR)RE610 3.0g −ビンノール(VinnolR)22/40 2.0g −SiO2 1.5g −Al2O3 15.0g −カーボンブラック 3.0g −デスモフェン(DesmophenR)651 20.8g −デスモヅール(DesmodurR)L 27.2g −ポリテトラフルオルエチレン/ ポリエチレンコーポリマー50/50 1.0g (3μmより小さいか、あるいはそれに等しい粒子サイ
ズを有する。) 溶媒として次の溶媒混合物を、溶媒混合物の47部当たり
53部の分散液の割合で使用した: −酢酸イソプロピル 55部 −ニトロエタン 15部 −ジクロロエタン 20部 −メチルイソブチルケトン 10部 カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気
摩耗試験を前の実施例におけるのと同一条件下に実施し
た。
ズを有する。) 溶媒として次の溶媒混合物を、溶媒混合物の47部当たり
53部の分散液の割合で使用した: −酢酸イソプロピル 55部 −ニトロエタン 15部 −ジクロロエタン 20部 −メチルイソブチルケトン 10部 カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気
摩耗試験を前の実施例におけるのと同一条件下に実施し
た。
実施例3 次の成分からなる、磁気分散液を調製した: −Baヘキサフェライト粒子 100.0g −ポリカルボン酸のエステル 6.0g −ビンノール(VinnolR)E22/40A 1.0g −SiO2 2.0g −Al2O3 15.0g −カーボンブラック 3.0g −デスモフェン(DesmophenR)651 21.4g −デスモヅール(DesmodurR)L 27.9g −ポリ(テトラフルオルエチレン)/ ポリエチレンコーポリマー50/50 1.5g (粒子サイズは3μmと等しいかそれより小さい) 次の溶媒混合物を、溶媒混合物の38部当たり62部の分散
液の割合で使用した: −酢酸エチル 50部 −メチルイソブチルケトン 25部 −ニトロエタン 25部 カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気
摩耗試験を実施例1におけるのと同一条件下に実施し
た。
液の割合で使用した: −酢酸エチル 50部 −メチルイソブチルケトン 25部 −ニトロエタン 25部 カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気
摩耗試験を実施例1におけるのと同一条件下に実施し
た。
実施例4 次の成分からなる、磁気粒子の分散液を調製した: −Baヘキサフェライト粒子 100.0g −ガファック(GAFACR)RE610 3.0g −シリコーンBykR−310 0.1g −ビンノール(VinnolR)E22/40A 2.0g −SiO2 1.5g −Al2O3 15.0g −カーボンブラック 3.0g −デスモフェン(DesmophenR)651 20.2g −デスモヅール(DesmodurR)L 27.5g −ポリ(テトラフルオルエチン)/ ポリエチレンコーポリマー(50/50) 1.0g (粒子サイズは3μmと等しいかそれより小さい) 次の溶媒混合物を、溶媒混合物の42部当たり58部の分散
液の割合で使用した: −シクロヘキサノン 22部 −酢酸エチル 9部 −メチルエチルケトン 60部 −トルエン 9部 カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気
摩耗試験を同一条件下に実施するが、通過回数は24,000
であった。
液の割合で使用した: −シクロヘキサノン 22部 −酢酸エチル 9部 −メチルエチルケトン 60部 −トルエン 9部 カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気
摩耗試験を同一条件下に実施するが、通過回数は24,000
であった。
実施例5 次の成分からなる、磁気粒子の分散液を調製した: −Baヘキサフェライト粒子 100.0g −ガファック(GAFACR)RE610 3.0g −レシチン 3.0g −シリコーンBykR−310 0.2g −SiO2 15.0g −Al2O3 1.5g −ビンノール(VinnolR)22/40 2 g −カーボンブラック 3.0g −デスモフェン(DesmophenR)651 20.5g −デスモヅール(DesmodurR)L 28 g −ポリ(テトラフルオルエチレン)/ ポリエチレンコーポリマー(50/50) 1.2g (粒子サイズは3μmに等しいかそれより小さい) 次の溶媒混合物を、溶媒混合物の39部当たり61部の分散
液の割合で使用した: −シクロヘキサノン 20部 −酢酸エチル 20部 −メチルエチルケトン 38部 −トルエン 22部 カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気
摩耗試験を同一条件下に実施するが、通過回数は24,000
であった。
液の割合で使用した: −シクロヘキサノン 20部 −酢酸エチル 20部 −メチルエチルケトン 38部 −トルエン 22部 カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気
摩耗試験を同一条件下に実施するが、通過回数は24,000
であった。
実施例6 次の成分からなる、磁気粒子の分散液を調製した: −Baヘキサフェライト粒子 100.0g −デキステルにより販売されている デキストロールOC 2.0g −パルミチン酸 1.5g −SiO2 1.5g −Al2O3 15 g −ビンノール(VinnolR)22/40 1.5g −デスモフェン(DesmophenR)651 20.8g −デスモヅール(DesmodurR)L 28 g −ポリ(テトラフルオルエチレン)/ ポリエチレンコーポリマー50/50 1 g (粒子サイズは3μmに等しいかそれより小さい) −バイダックス(VydaxR)AR 1 g 次の溶媒混合物を、溶媒混合物の45部当たり55部の分散
液の割合で使用した: −シクロヘキサノン 12部 −酢酸エチル 25部 −メチルエチルケトン 63部 カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気
摩耗試験を同一条件下に実施するが、通過回数は24,000
であった。
液の割合で使用した: −シクロヘキサノン 12部 −酢酸エチル 25部 −メチルエチルケトン 63部 カードを実施例におけるようにして調製し、そして電気
摩耗試験を同一条件下に実施するが、通過回数は24,000
であった。
Claims (24)
- 【請求項1】寸法安定性があり、その表面の少なくとも
1つの主要部分上に、4,000エルステッド(320kA/m)よ
り高い保磁力を有する磁気粒子、バインダーおよび添加
剤から構成された磁気記録媒体を有する半剛性支持体か
らなる大容量磁気メモリーカードであって、前記媒体は
オーバーコートを含まず、そして少なくとも5kbit/cm2
の情報密度、2000回の通過について5%より小さいか、
あるいはそれに等しい電気信号の損失に相当する電気的
消耗、10nmより小さい山−谷間平均荒さ、600μmより
小さい摩耗特性、1.5μmより小さい引掻抵抗を示す、
大容量磁気メモリーカード。 - 【請求項2】20,000回通過について5%より小さいか、
あるいはそれに等しい電気信号の損失を有する、上記第
1項記載のカード。 - 【請求項3】50kbit/cm2より高い情報密度を有する、上
記第1または2項記載のカード。 - 【請求項4】少なくとも10トラック/cmからなる、上記
第1〜3項のいずれかに記載のカード。 - 【請求項5】少なくとも40トラック/cmからなる、上記
第4項記載のカード。 - 【請求項6】磁気粒子はBaまたはSrヘキサフェライト粒
子である、上記第1〜5項のいずれかに記載のカード。 - 【請求項7】BaまたはSrヘキサフェライト粒子は針状で
あり、そして針状比は1.5:1から3:1までの範囲にある、
上記第6項記載のカード。 - 【請求項8】磁気粒子は5,000エルステッド(400kA/m)
より高い保磁力を有する、上記第6または7項記載のカ
ード。 - 【請求項9】磁気粒子は0.45より小さいか、あるいはそ
れに等しいスイッチング磁場分布/保磁力の比、および
55emu/gより高い飽和磁化を有する、上記第6〜8項の
いずれかに記載のカード。 - 【請求項10】磁気粒子は0.40より小さいか、あるいは
それに等しいスイッチング磁場分布/保磁力の比、およ
び60emu/gより高い飽和磁化を有する、上記第9項記載
のカード。 - 【請求項11】磁気記録媒体は(a)4,000より小さい
平均分子量を有し、少なくとも8%w/wのOH官能からな
る分枝鎖状ポリオールおよび(b)少なくとも3イソシ
アネート官能を有するイソシアネートプレポリマーから
形成された、高度に架橋した三次元のポリウレタンであ
るバインダーからなる、上記第1〜10項のいずれかに記
載のカード。 - 【請求項12】磁気記録媒体のポリウレタンを形成する
ポリオールおよびポリイソシアネートの量は、合計のNC
O/OH比が0.9より高いような量である、上記第11項記載
のカード。 - 【請求項13】磁気媒体は粒子の形態の固体の滑剤から
なり、前記粒子の少なくとも90%は3μmより小さい
か、あるいはそれに等しい大きさを有し、前記固体の滑
剤は磁気粒子の重量に基づいて2%w/wより少ない量で
存在する、上記第1〜12項のいずれかに記載のカード。 - 【請求項14】固体の滑剤の粒子の少なくとも99%は3
μmより小さい、上記第13項記載のカード。 - 【請求項15】固体の滑剤の粒子はポリ(テトラフルオ
ロエチレン)の粒子である、上記第13または14項記載の
カード。 - 【請求項16】前記滑剤はポリ(テトラフルオロエチレ
ン)に加えてポリオレフィンからなる、上記第15項記載
のカード。 - 【請求項17】前記カードの磁気媒体は60emu/cm3より
高い飽和磁化および0.50より小さいスイッチング磁場分
布/保磁力の比を示す、上記第1〜16項のいずれかに記
載のカード。 - 【請求項18】磁気媒体は前記カードの磁気媒体は80em
u/cm3より高い飽和磁化および0.30より小さいスイッチ
ング磁場分布/保磁力の比を示す、上記第17項記載のカ
ード。 - 【請求項19】支持体は少なくとも1つのポリカーボネ
ートのシートからなる、上記第1〜18項のいずれかに記
載のカード。 - 【請求項20】2またはそれ以上のプラスチックシート
を圧力下に熱溶接し、前記プラスチックシートの少なく
とも1つはその上に磁気記録媒体を有し、前記磁気記録
媒体は磨いたガラス板の上に適用される、上記第1〜19
項のいずれかに記載のカードを製造する方法。 - 【請求項21】ホットプレスはプラスチックシート材料
およびバインダーのガラス転移温度より高いが、バイン
ダーの分解温度より低い温度において実施する、上記第
20項記載の方法。 - 【請求項22】プラスチックシート材料はポリカーボネ
ートであり、そしてホットプレスは160〜180℃の温度に
おいて実施する、上記第20または21項記載の方法。 - 【請求項23】ホットプレスは100〜1000N/cm2の圧力に
おいて実施する、上記第20〜22項のいずれかに記載の方
法。 - 【請求項24】バインダーはカードのホットプレスの間
に架橋する、上記第20〜23項のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8814217A FR2638000B1 (fr) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | Carte a memoire magnetique a grande capacite et procede de fabrication |
FR88/14217 | 1988-10-18 | ||
PCT/FR1989/000536 WO1990004843A1 (fr) | 1988-10-18 | 1989-10-17 | Carte a memoire magnetique a grande capacite et procede de fabrication |
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---|---|
JPH03504779A JPH03504779A (ja) | 1991-10-17 |
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AU2002250516B2 (en) * | 2001-04-03 | 2008-04-03 | James Hardie Technology Limited | Reinforced fiber cement article, methods of making and installing |
EP1534511B1 (en) | 2002-07-16 | 2012-05-30 | James Hardie Technology Limited | Packaging prefinished fiber cement products |
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US7993570B2 (en) | 2002-10-07 | 2011-08-09 | James Hardie Technology Limited | Durable medium-density fibre cement composite |
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- 1988-10-18 FR FR8814217A patent/FR2638000B1/fr not_active Expired - Fee Related
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- 1989-10-17 EP EP19890420395 patent/EP0366570B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-17 WO PCT/FR1989/000536 patent/WO1990004843A1/fr not_active Application Discontinuation
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