JPH0349006A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0349006A JPH0349006A JP18394789A JP18394789A JPH0349006A JP H0349006 A JPH0349006 A JP H0349006A JP 18394789 A JP18394789 A JP 18394789A JP 18394789 A JP18394789 A JP 18394789A JP H0349006 A JPH0349006 A JP H0349006A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
1菜上囚程且分立
本発明は、磁気ヘッドの製造方法に関するものであり、
特に、強磁性金属酸化物コアと磁気ギャップの間に高飽
和磁束密度の強磁性金属膜を形成してなる磁気ヘッドの
製造方法に関する。
特に、強磁性金属酸化物コアと磁気ギャップの間に高飽
和磁束密度の強磁性金属膜を形成してなる磁気ヘッドの
製造方法に関する。
従速匡l幻1
従来の技術としては、高透磁率、高飽和磁束密度を有す
る合金磁性材料をスパッタリング法により、高透磁率を
有する酸化物磁性材料ブロックをトラック溝形成後、そ
のギャップ対向面にギャップと平行に形成する磁気ヘッ
ドの製造方法において、磁性薄膜形成時にギャップ対向
面を±20〜60″傾けて、二方向から薄膜を形成し、
トラック溝側面に緻密な構造を有する磁性薄膜を形成す
る1例えば特公昭64−27011号公報に示されてい
る磁気ヘッドの製造方法がある。
る合金磁性材料をスパッタリング法により、高透磁率を
有する酸化物磁性材料ブロックをトラック溝形成後、そ
のギャップ対向面にギャップと平行に形成する磁気ヘッ
ドの製造方法において、磁性薄膜形成時にギャップ対向
面を±20〜60″傾けて、二方向から薄膜を形成し、
トラック溝側面に緻密な構造を有する磁性薄膜を形成す
る1例えば特公昭64−27011号公報に示されてい
る磁気ヘッドの製造方法がある。
上述の磁気ヘッドの製造方法を図を参照して説明する。
まず、第9図に示すようにNMn−Zn系フェライト等
の強磁性酸化物材料21にトラック幅規制用のトラック
溝22と対となるブロックの少なくとも一方のギャップ
対向面23に内部巻線溝24とガラス補強用溝25を切
り欠き、一対の磁気コアブロック半休28 a + 2
6 bとしている。さらにギャップ対向面23に強磁性
金属薄膜をスパッタリング法により形成する工程におい
て、第10図に示すようにギャップ対向面23とスパッ
タリング粒子入射方向28に垂直な面のなす角度θ1が
20〜60°となるように磁気コアブロック半休26a
、28bを傾けて、第12図に示すように一方のトラッ
ク溝側面29bに緻密な構造の強磁性金属薄膜30aが
形成されるようにしてスパッタリングを行い、さらにも
う一方のトラック溝側面29aにも緻密な構造の強磁性
金属薄膜30bが形成されるように、第11図に示すよ
うにギャップ対向面23とスパッタリング粒子入射方向
28に垂直な面のなす角度θ2が20〜60°となるよ
うに磁気コアブロック半休26a s 28 bを傾
けてスパッタリングを行っていた。
の強磁性酸化物材料21にトラック幅規制用のトラック
溝22と対となるブロックの少なくとも一方のギャップ
対向面23に内部巻線溝24とガラス補強用溝25を切
り欠き、一対の磁気コアブロック半休28 a + 2
6 bとしている。さらにギャップ対向面23に強磁性
金属薄膜をスパッタリング法により形成する工程におい
て、第10図に示すようにギャップ対向面23とスパッ
タリング粒子入射方向28に垂直な面のなす角度θ1が
20〜60°となるように磁気コアブロック半休26a
、28bを傾けて、第12図に示すように一方のトラッ
ク溝側面29bに緻密な構造の強磁性金属薄膜30aが
形成されるようにしてスパッタリングを行い、さらにも
う一方のトラック溝側面29aにも緻密な構造の強磁性
金属薄膜30bが形成されるように、第11図に示すよ
うにギャップ対向面23とスパッタリング粒子入射方向
28に垂直な面のなす角度θ2が20〜60°となるよ
うに磁気コアブロック半休26a s 28 bを傾
けてスパッタリングを行っていた。
上述したように、磁気コアブロック半体26a。
26bを傾けて、強磁性金属材料のスパッタリングを行
った結果、一方のトラック溝側面29bには強磁性金属
薄膜30aが緻密な構造で形成されるが、もう一方のト
ラック溝側面2θaにはまわり込むスパッタリング粒子
が少ないために、強磁性金属薄膜30aを緻密な構造で
形成することはできない。さらに第11図に示したよう
に、磁気コアブロック26a、26bの傾ける方向を変
えて、強磁性金属材料のスパッタリングを行った結果、
トラック溝側面29aに形成される強磁性金属薄膜30
bは緻密な構造になるが、もう一方のトラック溝側面2
9bに形成される強磁性金属薄膜30bは緻密な構造と
はならない。以上のようにして、トラック溝側面29a
、29bに形成した強磁性金属薄膜30aと30bとは
緻密な構造と緻密でない構造の二層構造となり、十分に
緻密な構造の強磁性金属薄膜にはならないという問題が
ある。
った結果、一方のトラック溝側面29bには強磁性金属
薄膜30aが緻密な構造で形成されるが、もう一方のト
ラック溝側面2θaにはまわり込むスパッタリング粒子
が少ないために、強磁性金属薄膜30aを緻密な構造で
形成することはできない。さらに第11図に示したよう
に、磁気コアブロック26a、26bの傾ける方向を変
えて、強磁性金属材料のスパッタリングを行った結果、
トラック溝側面29aに形成される強磁性金属薄膜30
bは緻密な構造になるが、もう一方のトラック溝側面2
9bに形成される強磁性金属薄膜30bは緻密な構造と
はならない。以上のようにして、トラック溝側面29a
、29bに形成した強磁性金属薄膜30aと30bとは
緻密な構造と緻密でない構造の二層構造となり、十分に
緻密な構造の強磁性金属薄膜にはならないという問題が
ある。
また、上記の強磁性金属薄膜の形成法では、−度強磁性
酸化物よりなる磁気コアブロック半体28a、2E3b
の傾ける方向を変える必要があるため、スパッタリング
装置より取り出して磁気コアブロック半休26a、26
bの取り付は方向を変えなければならぬため、量産性が
低下する問題がある。
酸化物よりなる磁気コアブロック半体28a、2E3b
の傾ける方向を変える必要があるため、スパッタリング
装置より取り出して磁気コアブロック半休26a、26
bの取り付は方向を変えなければならぬため、量産性が
低下する問題がある。
また、スパッタリング装置に入れたまま傾ける方向を変
える方式とした場合も、磁気コアブロック半休を取り付
けする治具が複雑になる問題がある。
える方式とした場合も、磁気コアブロック半休を取り付
けする治具が複雑になる問題がある。
: 、の
本発明の磁気ヘッドの製造方法は、強磁性金属酸化物よ
りなる磁気コアブロックに、トラック溝を形成後、ギャ
ップ対向面に高飽和磁束密度の強磁性金属薄膜をスパッ
タリング法により形成し、コア半休が構成され、上記強
磁性金属薄膜同士をギャップスペーサ膜を介して突き合
わせ磁気ギャップを構成してなる磁気ヘッドの製造方法
において、対向ターゲット式スパッタリング法により、
強磁性金属薄膜を形成する工程を有し、この工程におい
てトラック溝がターゲットと平行になるように前記強磁
性酸化物ブロックを配置することを特徴とするものであ
る。
りなる磁気コアブロックに、トラック溝を形成後、ギャ
ップ対向面に高飽和磁束密度の強磁性金属薄膜をスパッ
タリング法により形成し、コア半休が構成され、上記強
磁性金属薄膜同士をギャップスペーサ膜を介して突き合
わせ磁気ギャップを構成してなる磁気ヘッドの製造方法
において、対向ターゲット式スパッタリング法により、
強磁性金属薄膜を形成する工程を有し、この工程におい
てトラック溝がターゲットと平行になるように前記強磁
性酸化物ブロックを配置することを特徴とするものであ
る。
旦
このようにして、トラック溝がターゲットと平行になる
ように強磁性酸化物コアブロックを配置して、対向ター
ゲット式スパッタリング法にて強磁性金属薄膜を成膜す
ることにより、トラックの両側のトラック側面のうち、
一方のトラック側面には対向する一対のターゲットのう
ち一方のターゲットより飛来するスパッタリング粒子が
入射しやすいため、トラック側面に被着する強磁性金属
薄膜は緻密な構造となる。もう一方のトラック側面にお
いても同様に、もう一方のターゲットより飛来するスパ
ッタリング粒子が入手しやすいためトラック側面に被着
する強磁性金属薄膜は緻密な構造となる。
ように強磁性酸化物コアブロックを配置して、対向ター
ゲット式スパッタリング法にて強磁性金属薄膜を成膜す
ることにより、トラックの両側のトラック側面のうち、
一方のトラック側面には対向する一対のターゲットのう
ち一方のターゲットより飛来するスパッタリング粒子が
入射しやすいため、トラック側面に被着する強磁性金属
薄膜は緻密な構造となる。もう一方のトラック側面にお
いても同様に、もう一方のターゲットより飛来するスパ
ッタリング粒子が入手しやすいためトラック側面に被着
する強磁性金属薄膜は緻密な構造となる。
また、上記トラック側面の強磁性金属薄膜の構造は緻密
な構造と緻密でない構造の二層構造となることはない。
な構造と緻密でない構造の二層構造となることはない。
爽血阻
以下、本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法の一実施
例について、図面を参照しながら説明する。
例について、図面を参照しながら説明する。
第1図は対向ターゲット式スパッタ装置の要部と強磁性
酸化物ブロックの配置を示す斜視図である。第2図、第
3図、第4図および第6図はそれぞれ磁気ヘッドの製造
方法を示す図である。
酸化物ブロックの配置を示す斜視図である。第2図、第
3図、第4図および第6図はそれぞれ磁気ヘッドの製造
方法を示す図である。
本発明の磁気ヘッドの製造方法においては、磁気コアブ
ロック半休A (A)および磁気コアブロック半体B
(B)は、例えばMn−Znフェライトのような強磁性
酸化物材料1で形成され、トラック幅を規制するための
トラック溝5が切り欠かれ、一方の磁気コアブロック半
体A (A)には内部巻線溝2とコアの接合強度を高め
るためのガラス補強用溝7が切り欠かれる。
ロック半休A (A)および磁気コアブロック半体B
(B)は、例えばMn−Znフェライトのような強磁性
酸化物材料1で形成され、トラック幅を規制するための
トラック溝5が切り欠かれ、一方の磁気コアブロック半
体A (A)には内部巻線溝2とコアの接合強度を高め
るためのガラス補強用溝7が切り欠かれる。
上記の磁気コアブロック半休A (A)および磁気コア
ブロック半体B (B)のギャップ対向面3に、対向タ
ーゲット式スパッタ装置により、例えばセンダスト薄膜
のような強磁性金属薄膜8を被着形成する。
ブロック半体B (B)のギャップ対向面3に、対向タ
ーゲット式スパッタ装置により、例えばセンダスト薄膜
のような強磁性金属薄膜8を被着形成する。
第8図は、対向ターゲット式スパッタ装置を示す図であ
る。対向ターゲット式スパッタ装置は、向かい合った一
対のターゲット10a、10bと、ターゲットの周囲の
接地されたシールド14a、14bとターゲット裏にマ
グネット15a。
る。対向ターゲット式スパッタ装置は、向かい合った一
対のターゲット10a、10bと、ターゲットの周囲の
接地されたシールド14a、14bとターゲット裏にマ
グネット15a。
15bとで構成され、ターゲット10a、10bには負
の高電圧が印加できるようになっている。
の高電圧が印加できるようになっている。
磁気コアブロック半休13を固定する基板ホルダー9は
、第8図に示したような2つのターゲット10a、10
bの挟む空間の周囲に配される。
、第8図に示したような2つのターゲット10a、10
bの挟む空間の周囲に配される。
磁気コアブロック半休A (A)および磁気コアブロッ
ク半体B (B)の配置の仕方を示した図が第1図であ
る。
ク半体B (B)の配置の仕方を示した図が第1図であ
る。
トラック溝5の長手方向が、ターゲツト面に平行な方向
yと一致するように、磁気コアブロック半体A (A)
およびB (B)を配置して、強磁性金属材料のスパッ
タリングを行う。この様子を示したのが第4図である。
yと一致するように、磁気コアブロック半体A (A)
およびB (B)を配置して、強磁性金属材料のスパッ
タリングを行う。この様子を示したのが第4図である。
一方のトラック溝側面6aには一方のターゲット10a
よりスパッタリング粒子入射方向11aに向かって飛び
出したスパッタリング粒子が被着し、緻密な構造の強磁
性金属薄膜8が形成される。またもう一方のトラック溝
側面6bにももう一方のターゲット10bよりスパッタ
リング粒子入射方向tibに向かって飛び出したスパッ
タリング粒子が被着し、緻密な構造の強磁性薄膜8が形
成される。その結果、第5図に示すようにトラック溝側
面E3a、8bに被着形成される強磁性金属薄膜は、十
分緻密な構造となる。その結果、このようにして得られ
た一対の磁気コアブロックのギャップ対向面3を向かい
合わせて突き合わせ、内部巻線溝2とガラス補強溝7に
作業温度が550℃程度のガラス棒を入れ、加熱し溶融
接合し、第6図に示した磁気コアブロック16にすると
ころの、ガラス融着工程において、強磁性金属薄膜8が
緻密であるために、ガラスがトラック溝側面6 a s
8 bの強磁性金属薄膜8中に拡散侵入するのを防ぐ
ことができる。
よりスパッタリング粒子入射方向11aに向かって飛び
出したスパッタリング粒子が被着し、緻密な構造の強磁
性金属薄膜8が形成される。またもう一方のトラック溝
側面6bにももう一方のターゲット10bよりスパッタ
リング粒子入射方向tibに向かって飛び出したスパッ
タリング粒子が被着し、緻密な構造の強磁性薄膜8が形
成される。その結果、第5図に示すようにトラック溝側
面E3a、8bに被着形成される強磁性金属薄膜は、十
分緻密な構造となる。その結果、このようにして得られ
た一対の磁気コアブロックのギャップ対向面3を向かい
合わせて突き合わせ、内部巻線溝2とガラス補強溝7に
作業温度が550℃程度のガラス棒を入れ、加熱し溶融
接合し、第6図に示した磁気コアブロック16にすると
ころの、ガラス融着工程において、強磁性金属薄膜8が
緻密であるために、ガラスがトラック溝側面6 a s
8 bの強磁性金属薄膜8中に拡散侵入するのを防ぐ
ことができる。
このようにして得られた磁気コアブロック16にテープ
摺動面4に曲面研削をほどこした後、スライス加工を行
って第7図の斜視図に示すような磁気ヘッドを得ること
ができる。
摺動面4に曲面研削をほどこした後、スライス加工を行
って第7図の斜視図に示すような磁気ヘッドを得ること
ができる。
主肌立効果
以上の説明からも明らかなように、本発明の磁気ヘッド
の製造方法によれば、トラック溝側面に被着形成される
強磁性金属薄膜の構造の緻密性が向上し、ガラス融着工
程におけるガラスの強磁性金属薄膜への拡散侵入が防止
でき、歩留りが向上する。
の製造方法によれば、トラック溝側面に被着形成される
強磁性金属薄膜の構造の緻密性が向上し、ガラス融着工
程におけるガラスの強磁性金属薄膜への拡散侵入が防止
でき、歩留りが向上する。
しかも従来の製造方法のように、トラック溝の一対の側
面に対し、各々にコアブロック半休の向きを変えて成膜
を行うという手間がなく、量産に適しているという長所
もある。
面に対し、各々にコアブロック半休の向きを変えて成膜
を行うという手間がなく、量産に適しているという長所
もある。
第1図は本発明の対向ターゲット式スパッタ装置の要部
と磁気コアブロック半休の配置を示す斜視図である。 第2図、第3図、第6図は本発明の磁気ヘッドの製造方
法を示す図であり、第4図はスパッタリング粒子入射方
向とトラック溝側面の位置関係を示す図であり、第5図
はその結果、成膜された強磁性金属薄膜の様子を示す図
である。第7図は磁気ヘッドの外観を示す斜視図である
。第8図は対向ターゲット式スパッタ装置の構成を示す
図である。 第9図、第10図、第11図は従来の磁気ヘッドの製造
方法を示す図であり、第12図はその結果成膜された強
磁性金属薄膜の様子を示す図である。 A、B・・・・・・磁気コアブロック半休、X・・・・
・・ターゲツト面と垂直な方向、y・・・・・・ターゲ
ツト面と平行な方向、1・・・・・・強磁性酸化物材料
、 2・・・・・・内部巻線窓、 3・・・・・・ギャップ対向面、 4・・・・・・テープ摺動面、 5・・・・・・トラック溝、 6a、6b・・・・・・トラック溝側面、7・・・・・
・ガラス補強溝、 8・・・・・・強磁性金属薄膜、 9・・・・・・基板ホルダー、 10a、10b・・・・・・ターゲット、11a、ll
b・・・・・・スパッタリング粒子入射方向、 12・・・・・・ガラス、 16・・・・・・磁気コアブロック、 21・・・・・・強磁性酸化物材料、 22・・・・・・トラック溝、 23・・・・・・ギャップ対向面、 24・・・・・・内部巻線溝、 25・・・・・・ガラス補強用溝、 28a、26b・・・・・・磁気コアブロック半休、2
7・・・・・・テープ摺動面、 28・・・・・・スパッタリング粒子入射方向、29a
、29b・・・・・・トラック溝側面、30a、30b
・・・・・・強磁性金属薄膜。 第 図 第 第 図 第1図 (0) (b) 第 図 第 ]O 図 第 1 図 第 2 図
と磁気コアブロック半休の配置を示す斜視図である。 第2図、第3図、第6図は本発明の磁気ヘッドの製造方
法を示す図であり、第4図はスパッタリング粒子入射方
向とトラック溝側面の位置関係を示す図であり、第5図
はその結果、成膜された強磁性金属薄膜の様子を示す図
である。第7図は磁気ヘッドの外観を示す斜視図である
。第8図は対向ターゲット式スパッタ装置の構成を示す
図である。 第9図、第10図、第11図は従来の磁気ヘッドの製造
方法を示す図であり、第12図はその結果成膜された強
磁性金属薄膜の様子を示す図である。 A、B・・・・・・磁気コアブロック半休、X・・・・
・・ターゲツト面と垂直な方向、y・・・・・・ターゲ
ツト面と平行な方向、1・・・・・・強磁性酸化物材料
、 2・・・・・・内部巻線窓、 3・・・・・・ギャップ対向面、 4・・・・・・テープ摺動面、 5・・・・・・トラック溝、 6a、6b・・・・・・トラック溝側面、7・・・・・
・ガラス補強溝、 8・・・・・・強磁性金属薄膜、 9・・・・・・基板ホルダー、 10a、10b・・・・・・ターゲット、11a、ll
b・・・・・・スパッタリング粒子入射方向、 12・・・・・・ガラス、 16・・・・・・磁気コアブロック、 21・・・・・・強磁性酸化物材料、 22・・・・・・トラック溝、 23・・・・・・ギャップ対向面、 24・・・・・・内部巻線溝、 25・・・・・・ガラス補強用溝、 28a、26b・・・・・・磁気コアブロック半休、2
7・・・・・・テープ摺動面、 28・・・・・・スパッタリング粒子入射方向、29a
、29b・・・・・・トラック溝側面、30a、30b
・・・・・・強磁性金属薄膜。 第 図 第 第 図 第1図 (0) (b) 第 図 第 ]O 図 第 1 図 第 2 図
Claims (1)
- 高透磁率、高飽和磁束密度の強磁性金属材料を、スパッ
タリング法により、高透磁率を有する強磁性酸化物コア
ブロックのギャップ対向面に、トラック溝形成後、形成
する磁気ヘッドの製造方法において、対向ターゲット式
スパッタリング法により上記強磁性金属薄膜を形成する
工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18394789A JPH0349006A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18394789A JPH0349006A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0349006A true JPH0349006A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16144599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18394789A Pending JPH0349006A (ja) | 1989-07-17 | 1989-07-17 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0349006A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5360965A (en) * | 1992-03-13 | 1994-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Microwave oven with automatic cooking mode selecting function |
-
1989
- 1989-07-17 JP JP18394789A patent/JPH0349006A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5360965A (en) * | 1992-03-13 | 1994-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Microwave oven with automatic cooking mode selecting function |
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