JPH01100718A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH01100718A JPH01100718A JP25706387A JP25706387A JPH01100718A JP H01100718 A JPH01100718 A JP H01100718A JP 25706387 A JP25706387 A JP 25706387A JP 25706387 A JP25706387 A JP 25706387A JP H01100718 A JPH01100718 A JP H01100718A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁気ヘッドに関する。更に詳述すると、本発明
は、磁性あるいは非磁性の酸化物材料から成る基板と強
磁性の磁性膜とを組合せた複合磁気ヘッドに関する。
は、磁性あるいは非磁性の酸化物材料から成る基板と強
磁性の磁性膜とを組合せた複合磁気ヘッドに関する。
(従来の技術)
最近の磁気記録の高密度化に伴なって、より高い残留磁
束密度Brを有する磁気テープが使用され、これに対応
すべく高磁束密度でトラック幅の狭い磁気ヘッドが要望
されている。
束密度Brを有する磁気テープが使用され、これに対応
すべく高磁束密度でトラック幅の狭い磁気ヘッドが要望
されている。
このような磁気ヘッドとしては、従来、第6図に示すよ
うに、強磁性酸化物より成る基板101に強磁性金属の
薄膜102を真空薄膜形成技術により形成し、強磁性金
属の薄膜102間でギャップgを形成する複合磁気ヘッ
ドが知られている(特開昭60−32107号)。
うに、強磁性酸化物より成る基板101に強磁性金属の
薄膜102を真空薄膜形成技術により形成し、強磁性金
属の薄膜102間でギャップgを形成する複合磁気ヘッ
ドが知られている(特開昭60−32107号)。
この磁気ヘッドにおいて、ギャップgを形成する薄M
102は、テープ摺動方向に膜厚が均一であることが磁
気特性上必要不可欠なものと従来考えられていた。11
!内に応力を均一に分散させる必要があると考えられて
いためである。このため、磁性膜102はテープ摺接面
103に露出する膜厚ができるだけ均一となるように、
第7図に示すように、薄膜形成面104を形成する三角
溝105の角度θ1を拡げ、はぼ正面からスパッタリン
グするようにしている。
102は、テープ摺動方向に膜厚が均一であることが磁
気特性上必要不可欠なものと従来考えられていた。11
!内に応力を均一に分散させる必要があると考えられて
いためである。このため、磁性膜102はテープ摺接面
103に露出する膜厚ができるだけ均一となるように、
第7図に示すように、薄膜形成面104を形成する三角
溝105の角度θ1を拡げ、はぼ正面からスパッタリン
グするようにしている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、本発明者等が種々検討した結果、磁性膜
は全体に均一な膜厚である必要はなく、ギャップgの近
傍部分のみが所定の膜厚を有すれば足り、そこから離れ
た所の膜厚め変化は磁気特性に悪影響を与えないことが
判明した。むしろ、均一膜厚の場合、熱膨張の影響が顕
著となり磁気特性を悪化させることになりかねない。
は全体に均一な膜厚である必要はなく、ギャップgの近
傍部分のみが所定の膜厚を有すれば足り、そこから離れ
た所の膜厚め変化は磁気特性に悪影響を与えないことが
判明した。むしろ、均一膜厚の場合、熱膨張の影響が顕
著となり磁気特性を悪化させることになりかねない。
また、肉厚の均一な磁性膜を設けるためには、スパッタ
リング時のシャドウ効果を避けるために清角度θ1を拡
げ即ち溝幅を広くとらなければならず、一つの基板から
切り出し得るチップ数が少なく基板の歩留りが悪くなる
。溝の緩斜面に膜付けしなければならないため、溝深さ
のばらつきが磁性膜のピッチのばらつきとなり、基板の
突合せ接合時のトラックズレが生じ易い問題がある。
リング時のシャドウ効果を避けるために清角度θ1を拡
げ即ち溝幅を広くとらなければならず、一つの基板から
切り出し得るチップ数が少なく基板の歩留りが悪くなる
。溝の緩斜面に膜付けしなければならないため、溝深さ
のばらつきが磁性膜のピッチのばらつきとなり、基板の
突合せ接合時のトラックズレが生じ易い問題がある。
一方、上記膜厚を急激に変化させ、ギャップgから離れ
た所の膜厚を急激に薄くすると、薄膜の結晶成長が不均
一となり、磁気特性の低下を招く問題がある。
た所の膜厚を急激に薄くすると、薄膜の結晶成長が不均
一となり、磁気特性の低下を招く問題がある。
そこで、本発明は、磁気特性の低下を招くことがなく、
製作も歩留り良く容易な磁気ヘッドを提供することを目
的とする。
製作も歩留り良く容易な磁気ヘッドを提供することを目
的とする。
(問題点を解決するための手段)
かかる目的を達成するため、本発明の磁気ヘッドは、ギ
ャップからテープ摺動方向に離れるに従って膜厚が漸次
薄くなる磁性膜をその膜厚減少率が35/100以下と
なるように形成するようにしている。
ャップからテープ摺動方向に離れるに従って膜厚が漸次
薄くなる磁性膜をその膜厚減少率が35/100以下と
なるように形成するようにしている。
(作用)
したがって、テープ摺動面に露呈する磁性膜の面積は少
なくなると共に肉厚も実質的に薄くなる。
なくなると共に肉厚も実質的に薄くなる。
また、膜付は間隔を狭くして成膜できる。
(実施例)
以下本発明の構成を図面に示す実施例に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第1図及び第2図に本発明の磁気ヘッドの一実緒例を示
す、この磁気ヘッドは、薄膜形成面6に磁性WA4を膜
付けした一対の基板1をS i 02等の低透磁率材料
のスペーサ2を介在させて接合し、その接合面即ちギャ
ップ対向面3で突合わされた磁性膜4によってギャップ
gを形成している。
す、この磁気ヘッドは、薄膜形成面6に磁性WA4を膜
付けした一対の基板1をS i 02等の低透磁率材料
のスペーサ2を介在させて接合し、その接合面即ちギャ
ップ対向面3で突合わされた磁性膜4によってギャップ
gを形成している。
尚、基板1にはフェライト等の強磁性酸化物あるいは非
磁性酸化物が採用されている。磁性11I4は、磁気ギ
ャップgと平行なギャップ対向面3に対して90〜11
0°の角度θ2を成しかつテープ摺動面5に対して直交
する薄膜形成面6に、ギャップ対向面3と薄膜形成面6
とで構成される稜線7(第3図(a)参照)に沿って均
一な膜厚となるように公知の真空薄膜形成技術例えばス
パッタリングによって形成されている。尚、薄膜形成面
6を形成するトラック溝10(第3図(a)参照)は、
図示する如き台形形状の他、し形、矩形形状、あるいは
テープ摺接面5から離れるに従って浅くなるような溝形
状とすることが好ましい。
磁性酸化物が採用されている。磁性11I4は、磁気ギ
ャップgと平行なギャップ対向面3に対して90〜11
0°の角度θ2を成しかつテープ摺動面5に対して直交
する薄膜形成面6に、ギャップ対向面3と薄膜形成面6
とで構成される稜線7(第3図(a)参照)に沿って均
一な膜厚となるように公知の真空薄膜形成技術例えばス
パッタリングによって形成されている。尚、薄膜形成面
6を形成するトラック溝10(第3図(a)参照)は、
図示する如き台形形状の他、し形、矩形形状、あるいは
テープ摺接面5から離れるに従って浅くなるような溝形
状とすることが好ましい。
磁性WA4は、トラック溝10の底に向かう程すなわち
テープ摺動面5においてギャップgから離れる程に膜厚
が漸次薄くなっている。尚、この例の膜厚減少率は25
/10Gとなっている。この磁性膜4の必要箇所はギャ
ップgを形成するギャップ対向面3の近傍、即ちトラッ
ク溝10の表面近傍部分なのでギャップgから離れた箇
所が狭くなっても出力特性にそれ程問題は生じないこと
が本発明者等の実験によって確認されている。しかし、
あまり急激に膜厚が減少すると第5図に示されるように
磁気特性が落ちてしまう、即ち、薄膜部分のなす角が約
20°、膜厚減少率で言えば約35/100以上になる
と透磁率μが急激に悪くなる。尚、磁性[4は酸化ガラ
ス11によって保護されている。
テープ摺動面5においてギャップgから離れる程に膜厚
が漸次薄くなっている。尚、この例の膜厚減少率は25
/10Gとなっている。この磁性膜4の必要箇所はギャ
ップgを形成するギャップ対向面3の近傍、即ちトラッ
ク溝10の表面近傍部分なのでギャップgから離れた箇
所が狭くなっても出力特性にそれ程問題は生じないこと
が本発明者等の実験によって確認されている。しかし、
あまり急激に膜厚が減少すると第5図に示されるように
磁気特性が落ちてしまう、即ち、薄膜部分のなす角が約
20°、膜厚減少率で言えば約35/100以上になる
と透磁率μが急激に悪くなる。尚、磁性[4は酸化ガラ
ス11によって保護されている。
そしてミ前記薄膜形成面6の反対側には、前記磁気ギャ
ップgのトラック幅を規制しかつ疑似ギャップの発生を
抑える凹部8が隣接して形成され、この凹部8に基板接
合のための非磁性材の融着ガラス12が溶融充填されて
いる。尚、磁気ヘッドは所定のアジマス角度を取るよう
にスライスされているが、アジマス角度を取らない場合
もある。
ップgのトラック幅を規制しかつ疑似ギャップの発生を
抑える凹部8が隣接して形成され、この凹部8に基板接
合のための非磁性材の融着ガラス12が溶融充填されて
いる。尚、磁気ヘッドは所定のアジマス角度を取るよう
にスライスされているが、アジマス角度を取らない場合
もある。
尚、本明細書において、磁性膜とは、一般的なセンダス
ト合金、パーマロイ等の強磁性金属の薄膜は勿論のこと
、アモルファス合金等の磁気回路を構成するに好適なそ
の他の材料で構成された薄膜全般を意味する。
ト合金、パーマロイ等の強磁性金属の薄膜は勿論のこと
、アモルファス合金等の磁気回路を構成するに好適なそ
の他の材料で構成された薄膜全般を意味する。
次に、上述の第1図及び第2図に示す磁気ヘッドの製造
工程を第3図に示す加工フロー図に基づいて説明する。
工程を第3図に示す加工フロー図に基づいて説明する。
まず、磁性あるいは非磁性酸化物から成る基板1のギャ
ップ対向面3にテープ摺動面5と直交する方向に向かっ
てトラック溝10を形成する[第3図(a)]、次にこ
れを洗浄し、真空薄膜形成技術を用いて磁性M4を形成
する[第3図(b)]。
ップ対向面3にテープ摺動面5と直交する方向に向かっ
てトラック溝10を形成する[第3図(a)]、次にこ
れを洗浄し、真空薄膜形成技術を用いて磁性M4を形成
する[第3図(b)]。
通常、磁性M4はセンダスト合金等から成る強磁性金属
をスパッタリングによって膜付けする。この膜付けはギ
ャップ対向面3のターゲットに対する角度を40〜50
@、好ましくは45°程度にとって行われる。
をスパッタリングによって膜付けする。この膜付けはギ
ャップ対向面3のターゲットに対する角度を40〜50
@、好ましくは45°程度にとって行われる。
ついで、トラック溝10に高融点ガラス11を充填して
磁性膜4を保護する[ガラスボンディング第3図(c)
]、その後、ギャップ対向面3及びテープ摺接面5を研
削して所定の面荒さの平坦な面とする。研削は通常ラッ
プによって行なわれ鏡面仕上げとされる。
磁性膜4を保護する[ガラスボンディング第3図(c)
]、その後、ギャップ対向面3及びテープ摺接面5を研
削して所定の面荒さの平坦な面とする。研削は通常ラッ
プによって行なわれ鏡面仕上げとされる。
その後、トラック溝10の隣に疑似ギャップを無くすた
めのトラック幅規制用凹部8が研削される[第3図(d
)]。この凹部8の研削の際に磁性1B34が構成する
ギャップ幅が所定幅となるように調整する。
めのトラック幅規制用凹部8が研削される[第3図(d
)]。この凹部8の研削の際に磁性1B34が構成する
ギャップ幅が所定幅となるように調整する。
その後、一方の基板1のギャップ対向面3に巻線溝9を
形成する[第3図(e)]。
形成する[第3図(e)]。
ついで、ギャップ対向面3に5i02等の非磁性材から
成るスペーサ2を突合せな状態で所望のギャップ長とな
ろうよに双方の基板あるいは一方の基板にスパッタリン
グによって形成する。そしてトラック規制用凹部8に低
融点ガラス12を充填し、一対の基板1.1を磁性膜4
同士が向い合うように突合せた状態で接合する[ギャッ
プボンディング第3図(f)]。
成るスペーサ2を突合せな状態で所望のギャップ長とな
ろうよに双方の基板あるいは一方の基板にスパッタリン
グによって形成する。そしてトラック規制用凹部8に低
融点ガラス12を充填し、一対の基板1.1を磁性膜4
同士が向い合うように突合せた状態で接合する[ギャッ
プボンディング第3図(f)]。
その後、テープ摺動面5を円筒研摩し、テープ摺動面5
を曲面に仕上げる[第3図(g)]、次に第4図に示す
ようにギャップgがテープ摺動方向に対して所定のアジ
マス角度を取るように、S−S線に沿ってスライスし、
多数の磁気チップを切り出す[第3図(h)]、その後
検査を経てサポート・ヘッドベースに取付け、さらにト
ラック方向に馴染みを良くする摺動面仕上げ加工を施し
て巻線する。
を曲面に仕上げる[第3図(g)]、次に第4図に示す
ようにギャップgがテープ摺動方向に対して所定のアジ
マス角度を取るように、S−S線に沿ってスライスし、
多数の磁気チップを切り出す[第3図(h)]、その後
検査を経てサポート・ヘッドベースに取付け、さらにト
ラック方向に馴染みを良くする摺動面仕上げ加工を施し
て巻線する。
C発明の効果)
以上の説明から明らかなように、本発明の磁気ヘッドは
、磁路を構成するに必要不可欠なギャップgの近傍から
離れた部分が漸次肉薄とされているので、線膨張率の異
なる基板と薄膜との間の溶融ガラスの充填やアニール処
理時における熱膨張に起因した歪や膜剥離等が起り器<
、磁気特性の劣化が少ない。
、磁路を構成するに必要不可欠なギャップgの近傍から
離れた部分が漸次肉薄とされているので、線膨張率の異
なる基板と薄膜との間の溶融ガラスの充填やアニール処
理時における熱膨張に起因した歪や膜剥離等が起り器<
、磁気特性の劣化が少ない。
また、この磁気ヘッドは、テープ摺動面における膜面積
が小さくなるため耐摩性が向上する。更に、ギャップか
ら離れた部分の磁性膜は肉薄で良いので、薄膜形成面を
ギャップ対向面と直交させることができ、溝角度ないし
清福を小さくできる。
が小さくなるため耐摩性が向上する。更に、ギャップか
ら離れた部分の磁性膜は肉薄で良いので、薄膜形成面を
ギャップ対向面と直交させることができ、溝角度ないし
清福を小さくできる。
即ち、膜付は間隔を小さくして多数のチップが取れ、材
料の歩留りが良い。
料の歩留りが良い。
第1図は本発明の磁気ヘッドの一実施例を示す平面図、
第2図は同磁気ヘッドの斜視図、第3図(a)〜(h)
は本発明の磁気ヘッドの製造方法の一例を示す加工フロ
ー図、第4図はブロック状態の磁気ヘッドの拡大平面図
、第5図は薄膜部分の成す角度θと透磁率μとの関係を
示すグラフ、第6図は従来の磁気ヘッドの一例を示す平
面図、第7図は同ヘッドの基板に対する膜付は状態を示
す説明図である。 1・・・基板、3・・・ギャップ対向面、4・・・磁性
膜、5・・・テープ摺動面、6・・・薄膜形成面、7・
・・稜線、g・・・ギャップ。 特許出願人 株式会社 三協精機製作所第1図 第2図 第4図 第7図 向 第5図 角度 θ
第2図は同磁気ヘッドの斜視図、第3図(a)〜(h)
は本発明の磁気ヘッドの製造方法の一例を示す加工フロ
ー図、第4図はブロック状態の磁気ヘッドの拡大平面図
、第5図は薄膜部分の成す角度θと透磁率μとの関係を
示すグラフ、第6図は従来の磁気ヘッドの一例を示す平
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す説明図である。 1・・・基板、3・・・ギャップ対向面、4・・・磁性
膜、5・・・テープ摺動面、6・・・薄膜形成面、7・
・・稜線、g・・・ギャップ。 特許出願人 株式会社 三協精機製作所第1図 第2図 第4図 第7図 向 第5図 角度 θ
Claims (1)
- ギャップ対向面と交差する薄膜形成面を設け該薄膜形成
面に真空薄膜形成技術にて磁性膜を形成して成る一対の
基板を突合せてギャップを構成する磁気ヘッドにおいて
、ギャップからテープ摺動方向に離れるに従って膜厚が
漸次薄くなる磁性膜をその膜厚減少率が35/100以
下となるように形成したことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25706387A JPH01100718A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25706387A JPH01100718A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01100718A true JPH01100718A (ja) | 1989-04-19 |
Family
ID=17301225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25706387A Pending JPH01100718A (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01100718A (ja) |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP25706387A patent/JPH01100718A/ja active Pending
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