JPS63249918A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気ヘッドの製造方法に関する。更に詳細に説
明すると、本発明はセラミック強磁性材料あるいはセラ
ミック非磁性材料から成る基板・コアと強磁性金属薄膜
とを組合せた複合磁気ヘッドの製造方法に関する。

（従来の技術） 最近の磁気記録の高密度化に伴なって、より高い残留磁
束密度Ｂｒを有する磁気テープが使用され、これに対応
ずべく高磁束密度でｌ・ラック幅の狭い磁気ヘッドが要
望されている。

このような磁気ヘッドとしては、従来、特開昭６０−２
２３０１２号に明らかなように、強磁性酸化物より成る
磁気コアに強磁性金属の薄膜を真空薄膜形成技術により
形成し、非磁性材料に挟まれるようにしてギャップ対向
面（本明細書では磁気キャップに対して平行な突合せ接
合面をいう）に露呈する強磁性金属の薄膜間で磁気ギャ
ップを形成する薄膜磁気ヘッドが知られている。

この磁気ヘッドの製造において重要な強磁性金属薄膜の
形成は、通常スパッタリング等の真空薄膜形成技術によ
って行なわれている。金属薄膜はスパッタリングによっ
てあらかじめ基板に設けられた溝の側壁面から基板表面
にかけて形成され、その後基板表面のスパッタ膜を砥石
研削等によって取除くことにより、溝壁面に残されるス
パッタ膜の」ユ端面部分でギャップを構成するように形
成される。

例えば、第７図に示すように、コアブロック１０１に三
角溝１０２を穿消し、その渭１０２に高融点ガラス１０
３を溶融充填した後平面研磨加工を行なう。そして再度
Ｖ字状のトラック消１０４を形成した後、コアブロック
　１０１の上面に強磁性金属の薄膜１０５をスパッタリ
ング等にて形成する。次にコアブロック　１０１の上面
部を平面研磨加工することによりコア半休ブロック１０
１八を得、これと同じ過程で巻線溝を有する同様なコア
半休ブロック１０１Ｂを得る。そしてこの両コア半休ブ
ロック１０１Ａ、　１０１Ｂを突き合わせて磁気ギャッ
プｇを構成するようにしている（特開昭６０−２０５．
８０８号）。

（発明が解決しようとする問題点） しかしなから、スパッタリングによる膜形成は、蒸着法
等に比べてスパッタリング粒子が持つエネルギーか非常
に大きいことから、基板との付着力の増加や粒子打込み
効果による内部応力の増加といった種々の現象を引き起
し、基板強度に多大な影響を与える。

即ち、ターゲットに対する向きが異なると、イオンの衝
突確率の違いや若干の雰囲気の違いから、薄膜の密度が
異なり、その境界にクラックが発生ずる傾向がある。一
般に、第６図に示ずように、ターゲットに対するギャッ
プ対向面２０１には密度の高い膜２０２が形成されて、
膜内に圧縮応力が作用する一方、傾斜した薄膜形成面２
０３には密度の低い膜２０４が形成されて、膜内に引張
応力か作用する。このため、キャップ対向面２０１と薄
膜形成面２０３との境界部分２０５にクラック２０６が
発生し、磁気特性及び機械的特性に悪い影響を与える。

そこで、薄膜形成面２０３のスパッタリング膜２０４を
好適な密度の柱状晶にすると、キャップ対向面２０１の
スパッタ膜２０２の密度が高くなり過ぎ、ギャップ対向
面２０１にクラック２０６の生じる虞が高い。

そこで、本発明はギャップ対向面にクラックが発生し難
い磁気ヘッド製造方法を提供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） かかる目的を達成するなめ、本発明の磁気ヘッド製造方
法は、薄膜形成面と近接又は隣接させてスパッタリング
方向と対向する基板面に薄膜形成面とは逆方向の傾斜面
を形成してからスパッタリングし、金属薄膜を形成する
ようにしている。

（作用） したがって、薄膜形成面に近接又は隣接する傾斜面には
ターゲットに対する向きの関係から最も密度の粗な金属
薄膜が形成され、スパッタリング方向と対向する基板面
に形成される密度の高い金属薄膜に生ずる内部応力の薄
膜形成面近傍の基板への影響を断ち切る。

（実施例） 以下、本発明の磁気ヘッドの製造工程を図面に基づいて
詳細に説明する。

ます、基板１のギャップ対向面３に、テープ摺接面５と
直交する方向（深底方向）に向かって延びる方形、■形
ないし台形のトラック溝１３を研削によって所定ピッチ
で多数本形成する［第１図（ａ）］。

次いで、前記トラック溝１３の側壁面・薄膜形成面６に
隣接させて、スパッタリング方向と対向する基板面、本
実施例の場合ギャップ対向面３上に傾斜面２を形成する
［第１図（ｂ）］。この傾斜面２は、第２図（Ａ）に示
すように、三角形の溝９を研削機などを使って穿溝する
ことによってギャップ対向面３上に形成される。これに
より、薄膜形成面６と傾斜面２とにより、基板１は断面
Ｖ字状とされる。この場合、トラック溝１３と三角溝９
とは別個に形成しても良いが、総形砥石等を使って、一
度に研削しても良い。第２図（Ａ）に示す傾斜面の場合
、圧縮応力が蓄積し易いフラットなギャップ対向面３部
分が残っているため、第２図（Ｃ）に示すようにクラッ
ク１５が発生する虞かあるが、完成品となった場合に製
品に残る必要部分１６から離れる逆の方向にクラック１
５が伝搬されることから、実用上問題がない。また、第
３図（Ａ）に示すように、傾斜面２は隣同士のトラック
溝１３を連続させるような大きなものとしても良い。ま
た第４図のように曲線の傾斜面２と薄膜形成面６を連続
して交互に設けてもよい。

更に第５図（Ａ）、（Ｂ）のように傾斜面２を薄膜形成
面６から若干ずらして設けてもよい。この場合のずらし
量は膜の厚さｌに対し１０倍以下にしないと効果かなく
、好ましくは３倍以下で、最も好ましくは第２図のよう
にＯとするのがよい。

この傾斜面２のキャップ対向面３に対する傾きθは、５
〜８５°、好ましくは１５〜７０６、最も好ましくは３
０〜６０°の範囲にとることか望ましい。この基板１は
前述の深底方向と直交する而即ちテープ摺接面５と平行
な面に沿って２分され、一対の基板ＬＡ、ＩＢに分けら
れる。

次いで、これらを洗浄し、真空薄膜形成技術を用いて強
磁性金属の磁性薄膜４を稜線７に沿って均一な厚さとな
るように形成する［第１図（Ｃ）］。

通常、磁性膜４はセンダスト合金等から成る強磁性金属
をスパッタリングによって膜付けする。スパッタリング
は、例えば標準センダスト合金をターゲットとする場合
、アルゴンガス雰囲気中、基板温度２００℃で約４００
人／ｍｉｎのレートで行なわれる。スパッタリングによ
って、金属薄膜４は、例えば第２図（Ｂ）あるいは第３
図（Ｂ）に示すように形成される。尚、金属薄膜は、通
常、一層当たり５〜６μｍの膜厚となるように実質的な
多層膜とすることが好ましく、通常強磁性金属を断続的
にスパッタリングすることによって、あるいは強磁性金
属と非磁性体を交互にスパッタリングすることによって
結晶粒径５２０〜５７０人の複数層の磁性薄膜に形成さ
れる。

ついで、トラック溝１３に高融点カラス１０を充填して
薄膜４を保護する［ガラスボンティング第１図（ｄ）］
。

その後、キャップ対向面３及びテープ摺接面５を研削し
て所定の面荒さの平坦な面とする。研削は通常ラップに
よって行なわれ鏡面仕上げとされる。これによって薄膜
形成面６に形成された金属薄膜４の端面でトラックが構
成される。

その後、前述のトラック溝１３の隣に該溝１３に沿って
疑似ギャップを無くずためのトラック規制用凹部８が研
削される［第１図（ｅ）］。この四部８の研削の際に傾
斜面２に形成されている金属薄膜４が取除かれ、薄膜形
成面６の金属薄膜４によってのみ所定幅のトラックが構
成される。

その後、一方の基板ＩＡのギャップ対向面３に巻線溝１
２を形成する［第１図（ｆ）］。この巻線消１２はディ
ツプス寸法を規制する。尚、他方の基板１Ｂには巻線用
溝１２は形成されない。ついで、両基板１＾、ＩＢのギ
ャップ対向面に５ｉ０２等の非磁性材から成るスペーサ
（図示省略）をスパッタリングによって形成する。次い
で、一対の基板ＩＡ、ＩＢを向い合せて金属薄膜４同士
を突合ぜるようにして、トラック規制用四部８に低融点
カラス１１を充填し接合する［ギャップボンディング第
１図（ｇ）］。

上述のギャップボンディングの後、テープ摺接面５を円
筒研摩し、テープ摺接面５を曲面に仕上げる［第１図（
ｈ）］。

次に磁気ギャップｇがテープ摺動方向に対して所定のア
ジマス角度を取るように斜めにスライスし、多数のチッ
プ状の磁気コアを切り出す［第１図（ｉ）］。このとき
、磁磁気ヘラのチップはギャップ部分を中心に所定幅だ
け切出されるので、即ち薄膜形成面６部分とその近傍の
傾斜面２部分だけが完成品として製品に残り、それより
も外側は切捨てられるので、フラットなギャップ対向面
３部分にクラックが生じても問題とならない。

その後検査を経てサポート・ヘッドベースに取付け、さ
らにトラック方向に馴染みを良くする摺動面仕上げ加工
を施して巻線する［第１図（、ｉ）］。

尚、金属薄膜材料としては、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ非晶質合
金等の非晶質合金や他の飽和磁束密度が大なる金属を用
いることができる。

（発明の効果） 以上の説明より明らかなように、本発明は、薄＝　１０
　＝ 膜形成面と近接又は隣接させてスパッタリング方向と対
向する基板面例えばギャップ対向面に薄膜形成面とは逆
方向の傾斜面を形成してからスパッタリングし金属ｉＭ
を形成するようにしているので、傾斜面にはターゲット
に対する向きの関係から最も密度の狙な金属薄膜が形成
され、キャップ対向面に形成される密度の高い金属薄膜
に生ずる内部応力の影響を断ち切る。したがって、磁気
ヘッドとして赦終的に残される薄膜形成面６部分及びそ
の近傍の基板１にはクラックは発生しない［第２図（Ｂ
）］及び第３図（Ｂ）参照］。

よって、磁気ヘッドの磁気特性や機械的特性の劣化を防
ぐと共に磁気ヘッド製造の歩留りを向上させて製造コス
トを低くできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る磁気ヘッド製造方法を説明する加
工フロー図、第２図（Ａ）、（Ｂ）。 （Ｃ）は本発明方法を実施するヘッド基板の一例を示す
もので、（Ａ）は薄膜形成面付近のスパッタリング前の
基板形状、（Ｂ）はスパッタリング＝　１１− 後の基板形状、（Ｃ＞はクラック発生時の基板形状を夫
々示す拡大断面図、第３図（Ａ）、（Ｂ）は他の実施例
を示すもので（Ａ）はスパッタリング前の基板形状、（
Ｂ）はスパッタリング後の基板形状を夫々示す拡大断面
図、第４図は本発明の他の実施例を示すスパッタリング
後の基板形状を示す拡大断面図、第５図（Ａ）、（Ｂ）
は更に他の実施例に係るスパッタリング後の基板形状を
示す拡大断面図である。第６図は従来法によって製造さ
れた磁気ヘッドの基板のクラック発生状態を示す拡大断
面図、第７図は従来の磁気ヘッド製造方法を示す説明図
である。 １・・・基板、２・・・傾斜面、 ３・・・スパッタリング方向と対向する基板面・ギャッ
プ対向面、４・・・金属薄膜、６・・・薄膜形成面。 特許出願人　　株式会社　三協精機製作所第７図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）薄膜形成面を設け、該薄膜形成面にスパッタリン
   グにて金属薄膜を形成して成る一対の基板を突き合わせ
   上記金属薄膜間を利用して磁気ギャップを構成する磁気
   ヘッドの製造方法において、前記薄膜形成面と近接又は
   隣接させてスパッタリング方向と対向する基板面に薄膜
   形成面とは逆方向の傾斜面を形成してからスパッタリン
   グし、金属薄膜を形成することを特徴とする磁気ヘッド
   の製造方法。
2. （２）前記傾斜面は三角溝であることを特徴とする特許
   請求の範囲第１項に記載の磁気ヘッド製造方法。
3. （３）前記傾斜面は隣なるトラック溝と連続しているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気ヘッ
   ド製造方法。