JPH0343774B2 - - Google Patents
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- JPH0343774B2 JPH0343774B2 JP55156086A JP15608680A JPH0343774B2 JP H0343774 B2 JPH0343774 B2 JP H0343774B2 JP 55156086 A JP55156086 A JP 55156086A JP 15608680 A JP15608680 A JP 15608680A JP H0343774 B2 JPH0343774 B2 JP H0343774B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/36—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/3266—Magnetic control means
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はプラズマ処理装置に関し、特に局所
的電子サイクロトロン共鳴法を利用したことを特
徴とするプラズマ処理装置に係わるものである。
的電子サイクロトロン共鳴法を利用したことを特
徴とするプラズマ処理装置に係わるものである。
以下、この発明装置の実施例につき、第１図な
いし第４図を参照して詳細に説明する。第１図は
この発明の装置の基本的な一実施例を示してお
り、この第１図の実施例装置は、プラズマ発生部
およびプラズマ反応部より構成されている。
いし第４図を参照して詳細に説明する。第１図は
この発明の装置の基本的な一実施例を示してお
り、この第１図の実施例装置は、プラズマ発生部
およびプラズマ反応部より構成されている。
プラズマ発生部Ａは、空心コイル１と、高周波
導波管２と、プラズマ発生室３であるプラズマ発
生用ガラス管を主要構成物としている。空心コイ
ル１は、第１図のプラズマ処理装置の中心線上に
空心コイル１の軸方向中心に最大磁場値を有しこ
の軸方向中心に対し対称で不均一な静磁場を発生
させている。高周波導波管２には高周波供給結合
端子４を通じて高周波電力が供給されている。こ
の高周波導波管２は、導波管２の内径と供給され
る高周波の周波数によつて決定され形成される軸
方向に不均一な高周波電磁場を発生させる。
導波管２と、プラズマ発生室３であるプラズマ発
生用ガラス管を主要構成物としている。空心コイ
ル１は、第１図のプラズマ処理装置の中心線上に
空心コイル１の軸方向中心に最大磁場値を有しこ
の軸方向中心に対し対称で不均一な静磁場を発生
させている。高周波導波管２には高周波供給結合
端子４を通じて高周波電力が供給されている。こ
の高周波導波管２は、導波管２の内径と供給され
る高周波の周波数によつて決定され形成される軸
方向に不均一な高周波電磁場を発生させる。
また、プラズマ発生室３へのガス供給はガス供
給弁５を通して行なわれる。
給弁５を通して行なわれる。
ここで前記プラズマ発生部Ａでのプラズマ流の
形成理由を述べる。空心コイル１によつて形成さ
れた軸対称で不均一な静磁場のうち一方が空心コ
イル１の軸方向中心よりプラズマ反応部Ｂ側の空
心コイルの領域内に形成される。その強度をＢ
（Ｚ）としこれを第２図のＢ（Ｚ）に示す。
形成理由を述べる。空心コイル１によつて形成さ
れた軸対称で不均一な静磁場のうち一方が空心コ
イル１の軸方向中心よりプラズマ反応部Ｂ側の空
心コイルの領域内に形成される。その強度をＢ
（Ｚ）としこれを第２図のＢ（Ｚ）に示す。
一方供給端子４を通して高周波導波管２内に供
給される高周波は、導波管２の開口端に設けられ
た反射板７により反射され、導波管２に沿つて不
均一な高周波電場Erf（Ｚ）を形成する。この高周
波電場Erf（Ｚ）の典形的な例は第２図に模式的に
示した実在波である。この第２図における高周波
電場Erf（Ｚ）の強度が０となるところは、高周波
導波管２の内径と、供給される高周波の周波数に
よつて決定され、反射板７で反射した高周波が形
成する「節」となるところである。そして電磁場
の最大値である「腹」すなわち第２図に示すZ0位
置が、第１図の空心コイル１の軸方向中心よりプ
ラズマ反応部Ｂ側に存在するよう導波管２の内径
や周波数が選定され、またかつこの「腹」が空心
コイル１の作るプラズマ反応部Ｂ側の一方の不均
一な静磁場中に存在するよう空心コイルの配置や
通電電流値すなわち発生する静磁場形状を適宜出
来るようにしてある。
給される高周波は、導波管２の開口端に設けられ
た反射板７により反射され、導波管２に沿つて不
均一な高周波電場Erf（Ｚ）を形成する。この高周
波電場Erf（Ｚ）の典形的な例は第２図に模式的に
示した実在波である。この第２図における高周波
電場Erf（Ｚ）の強度が０となるところは、高周波
導波管２の内径と、供給される高周波の周波数に
よつて決定され、反射板７で反射した高周波が形
成する「節」となるところである。そして電磁場
の最大値である「腹」すなわち第２図に示すZ0位
置が、第１図の空心コイル１の軸方向中心よりプ
ラズマ反応部Ｂ側に存在するよう導波管２の内径
や周波数が選定され、またかつこの「腹」が空心
コイル１の作るプラズマ反応部Ｂ側の一方の不均
一な静磁場中に存在するよう空心コイルの配置や
通電電流値すなわち発生する静磁場形状を適宜出
来るようにしてある。
さて、今、この高周波の角周波数をωとする
と、よく知られているように、ある強度の静磁場
Ｂ中での電子の回転角周波数は、サイクロトロン
角周波数ωc＝eB／mcで表わすことができる。従
つてもしω＝ωcなるサイクロトロン共鳴条件が
成立すれば、高周波のエネルギは電子に連続的に
供給されて電子のエネルギが増大する。ここで前
記第２図に示したような、静磁場Ｂ（Ｚ）が不均
一で、しかも高周波の周波数が固定されている場
合には、例えばＺ＝Z0なる場所でのみω＝ωcな
るサイクロトロン共鳴条件を満たす。つまり局所
的電子サイクロトロン共鳴条件が成立する。そし
てこのような条件は、実際上、高周波の周波数を
固定してある場合には、前記第１図の空心コイル
１に供給する電流を適当に調整したり、複数個の
空心コイル１の配置を適当に調整することで達成
できるし、また逆に静磁場の強度Ｂ（Ｚ）が固定
されている場合には、高周波の周波数を調整する
ことにより、ω＝ωcなる電子サイクロトロン共
鳴条件を達成できる。
と、よく知られているように、ある強度の静磁場
Ｂ中での電子の回転角周波数は、サイクロトロン
角周波数ωc＝eB／mcで表わすことができる。従
つてもしω＝ωcなるサイクロトロン共鳴条件が
成立すれば、高周波のエネルギは電子に連続的に
供給されて電子のエネルギが増大する。ここで前
記第２図に示したような、静磁場Ｂ（Ｚ）が不均
一で、しかも高周波の周波数が固定されている場
合には、例えばＺ＝Z0なる場所でのみω＝ωcな
るサイクロトロン共鳴条件を満たす。つまり局所
的電子サイクロトロン共鳴条件が成立する。そし
てこのような条件は、実際上、高周波の周波数を
固定してある場合には、前記第１図の空心コイル
１に供給する電流を適当に調整したり、複数個の
空心コイル１の配置を適当に調整することで達成
できるし、また逆に静磁場の強度Ｂ（Ｚ）が固定
されている場合には、高周波の周波数を調整する
ことにより、ω＝ωcなる電子サイクロトロン共
鳴条件を達成できる。
ここで今、前記第１図のような配置において、
Ｚ＝Z0でω＝ωcなるサイクロトロン共鳴条件が
成立している場合を考える。このような条件で
は、プラズマ発生用ガラス管３内に適当な圧力の
ガスを導入すると、予備放電状態で発生した電子
は、高周波から連続的にエネルギを供給されて高
いエネルギ状態になり、衝突過程を通してプラズ
マが発生し、この発生したプラズマにさらに共鳴
条件のもとで高周波電力が注入されプラズマ加熱
を行う。従つて、例えばプラズマ発生室のプラズ
マ発生用ガラス管３に導入するガスをCF4とする
と、ガスの圧力以外に高周波の電力を適当に調整
することにより、F+、CF+、CF2 +、CF3 +などの
イオンおよびそれぞれのイオンの種類、濃度ある
いはそのエネルギを制御できると同時に、F*、
CFx*などのラジカルの種類、濃度あるいはその
エネルギを制御できる。なおこのような状況は、
ガス圧力のみならず、共鳴条件ω＝ωcからずれ
たような条件においても多少達成し得るが、必ず
しも効率がよくない。
Ｚ＝Z0でω＝ωcなるサイクロトロン共鳴条件が
成立している場合を考える。このような条件で
は、プラズマ発生用ガラス管３内に適当な圧力の
ガスを導入すると、予備放電状態で発生した電子
は、高周波から連続的にエネルギを供給されて高
いエネルギ状態になり、衝突過程を通してプラズ
マが発生し、この発生したプラズマにさらに共鳴
条件のもとで高周波電力が注入されプラズマ加熱
を行う。従つて、例えばプラズマ発生室のプラズ
マ発生用ガラス管３に導入するガスをCF4とする
と、ガスの圧力以外に高周波の電力を適当に調整
することにより、F+、CF+、CF2 +、CF3 +などの
イオンおよびそれぞれのイオンの種類、濃度ある
いはそのエネルギを制御できると同時に、F*、
CFx*などのラジカルの種類、濃度あるいはその
エネルギを制御できる。なおこのような状況は、
ガス圧力のみならず、共鳴条件ω＝ωcからずれ
たような条件においても多少達成し得るが、必ず
しも効率がよくない。
一方、前記第２図に示したような、不均一な静
磁場Ｂ（Ｚ）と不均一な電場Erf（Ｚ）の中では、
電子には次式で与えられるような軸方向の力Fz
が作用し、電子は軸方向に加速される。
磁場Ｂ（Ｚ）と不均一な電場Erf（Ｚ）の中では、
電子には次式で与えられるような軸方向の力Fz
が作用し、電子は軸方向に加速される。
Fz＝e2／4mω2∂／∂Z〔Erf（Ｚ）2／１−（ωc（Ｚ）
）2／ω〕 この軸方向の力Fzは、第１図に示すプラズマ
反応部Ｂの方向に向う。
）2／ω〕 この軸方向の力Fzは、第１図に示すプラズマ
反応部Ｂの方向に向う。
従つて前記第１図のプラズマ発生部Ａで発生し
たプラズマ中の電子がプラズマ反応部Ｂに向け軸
方向に加速され、このためにプラズマ中にはイオ
ンを加速する静電場E0（Ｚ）が軸方向に形成され
る。すなわち、これによつてプラズマは全体とし
て軸方向に加速されることになり、プラズマ反応
槽１１に軸方向に沿つプラズマ流が発生する。
たプラズマ中の電子がプラズマ反応部Ｂに向け軸
方向に加速され、このためにプラズマ中にはイオ
ンを加速する静電場E0（Ｚ）が軸方向に形成され
る。すなわち、これによつてプラズマは全体とし
て軸方向に加速されることになり、プラズマ反応
槽１１に軸方向に沿つプラズマ流が発生する。
そしてこのときのプラズマ流の径は、プラズマ
発生用ガラス管３の開口端８の径により規定され
るが、この開口端８に対向して配置された基板支
持台９上の被処理基板１０までの距離が長い場合
には、開口端８から槽１１内に流れ込むプラズマ
流の径は、一般に開口端８の径よりも大きく末広
がりの形状となる。これはこの部分での空心コイ
ル１による磁場の磁力線が末広がりになつている
からである。
発生用ガラス管３の開口端８の径により規定され
るが、この開口端８に対向して配置された基板支
持台９上の被処理基板１０までの距離が長い場合
には、開口端８から槽１１内に流れ込むプラズマ
流の径は、一般に開口端８の径よりも大きく末広
がりの形状となる。これはこの部分での空心コイ
ル１による磁場の磁力線が末広がりになつている
からである。
また前記基板支持台９上におかれた被処理基板
１０、例えばシリコン基板の表面内に均一にプラ
ズマを照射する場合、このプラズマ反応槽１１内
でのプラズマ流の径を適当に調整する必要があ
る。
１０、例えばシリコン基板の表面内に均一にプラ
ズマを照射する場合、このプラズマ反応槽１１内
でのプラズマ流の径を適当に調整する必要があ
る。
このために槽１１の外周にはプラズマ流の形状
補正用の静磁場発生コイル１２および１３が得ら
れる。このコイルは１個でもそれ以上であつても
よく、その配置位置およびそれによつて形成され
る磁力線形状、磁場の空間分布などを適当に調整
することにより、任意の大きさの基板１０の表面
に垂直かつ均一にプラズマ流を照射することがで
きる。さらにこのプラズマ反応槽１１には、プラ
ズマ流の状態および処理過程での基板表面状態を
観測するための観測口１４および１５が設けられ
ており、かつガスの排気は真空保持槽１６の排気
口１７から行なわれると共に、基板支持台９は上
下および回転可能にされる。なお１８は高周波も
れ防止板である。
補正用の静磁場発生コイル１２および１３が得ら
れる。このコイルは１個でもそれ以上であつても
よく、その配置位置およびそれによつて形成され
る磁力線形状、磁場の空間分布などを適当に調整
することにより、任意の大きさの基板１０の表面
に垂直かつ均一にプラズマ流を照射することがで
きる。さらにこのプラズマ反応槽１１には、プラ
ズマ流の状態および処理過程での基板表面状態を
観測するための観測口１４および１５が設けられ
ており、かつガスの排気は真空保持槽１６の排気
口１７から行なわれると共に、基板支持台９は上
下および回転可能にされる。なお１８は高周波も
れ防止板である。
この第１図実施例によるプラズマ処理装置は、
プラズマエツチング、プラズマCVD（化学的気相
成長）、プラズマ酸化を始めとする各種表面処理
に応用可能であつて、これらの処理を効果的に行
ない得る。
プラズマエツチング、プラズマCVD（化学的気相
成長）、プラズマ酸化を始めとする各種表面処理
に応用可能であつて、これらの処理を効果的に行
ない得る。
次に前記装置構成において、プラズマ流のイオ
ンエネルギーなどの制御手段の他の例について述
べる。例えばプラズマ流中のイオンのみを利用し
たい場合には、第３図実施例のように、前記プラ
ズマ反応槽１１内にプラズマ流の方向に直交する
１個以上の制御用グリツド１９，２０を配置さ
せ、これらに適当な電位を印加することにより、
被処理基板１０面にイオン、ラジカルのみを作用
させ得られ、かつこの場合、各グリツド１９，２
０に印加する電位および高周波電力、それにガス
圧などを適当に組み合わせることにより、作用エ
ネルギの大きさとその分布を任意に変化させ得
る。
ンエネルギーなどの制御手段の他の例について述
べる。例えばプラズマ流中のイオンのみを利用し
たい場合には、第３図実施例のように、前記プラ
ズマ反応槽１１内にプラズマ流の方向に直交する
１個以上の制御用グリツド１９，２０を配置さ
せ、これらに適当な電位を印加することにより、
被処理基板１０面にイオン、ラジカルのみを作用
させ得られ、かつこの場合、各グリツド１９，２
０に印加する電位および高周波電力、それにガス
圧などを適当に組み合わせることにより、作用エ
ネルギの大きさとその分布を任意に変化させ得
る。
すなわち、このような制御は、例えば反応に寄
与するイオンであるところの、F+のエネルギを
反応効率のよい分布に揃えるのに有効であり、し
かも入射イオンを常に基板表面に垂直にし得て、
方向性の良好な反応性イオンエツチングを達成で
きる。
与するイオンであるところの、F+のエネルギを
反応効率のよい分布に揃えるのに有効であり、し
かも入射イオンを常に基板表面に垂直にし得て、
方向性の良好な反応性イオンエツチングを達成で
きる。
さらに第４図実施例のように、プラズマ流の方
向にその外側で平行する制御用グリツド２１，２
２を、円筒状もしくはスリツト状に配置させ、こ
れらに適当な電位を印加させることで、プラズマ
流の外形を整形し得るほか、適当な極性、例えば
負の極性の適当な値の電位の印加で、電子のコレ
クタなどの役割りを果すことが可能となり、この
場合は、基板表面のうち特に周辺での反応の均一
性を増加させるのに効果的である。
向にその外側で平行する制御用グリツド２１，２
２を、円筒状もしくはスリツト状に配置させ、こ
れらに適当な電位を印加させることで、プラズマ
流の外形を整形し得るほか、適当な極性、例えば
負の極性の適当な値の電位の印加で、電子のコレ
クタなどの役割りを果すことが可能となり、この
場合は、基板表面のうち特に周辺での反応の均一
性を増加させるのに効果的である。
第１図はこの発明装置の基本的な一実施例によ
る概要を示す構成図、第２図は同上作用説明図、
第３図および第４図はそれぞれに他の実施例によ
る概要を示す構成図である。 Ａはプラズマ発生部、Ｂはプラズマ反応部、１
は空心コイル、２は高周波導波管、３はプラズマ
発生用ガラス管、４は高周波供給結合端子、５は
ガス供給弁、９は基板支持台、１０は被処理基
板、１１はプラズマ反応槽、１２，１３は静磁場
発生コイル、１４，１５は観測口、１６は真空保
持槽、１７は排気口、１９，２０および２１，２
２は制御用グリツドである。尚、図中同一符号
は、同一または相当部分を示す。
る概要を示す構成図、第２図は同上作用説明図、
第３図および第４図はそれぞれに他の実施例によ
る概要を示す構成図である。 Ａはプラズマ発生部、Ｂはプラズマ反応部、１
は空心コイル、２は高周波導波管、３はプラズマ
発生用ガラス管、４は高周波供給結合端子、５は
ガス供給弁、９は基板支持台、１０は被処理基
板、１１はプラズマ反応槽、１２，１３は静磁場
発生コイル、１４，１５は観測口、１６は真空保
持槽、１７は排気口、１９，２０および２１，２
２は制御用グリツドである。尚、図中同一符号
は、同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラズマ発生部とプラズマ反応部とで構成さ
れるプラズマ処理装置において、 上記プラズマ発生部には、高周波導波管とこの
導波管内に設けられたプラズマ発生室と、 上記導波管の周囲に設けられた空心コイルを備
え、 上記プラズマ反応部には、プラズマ反応槽とこ
の反応槽内に設けられた支持台に支持された被処
理基板と、上記反応槽の周囲に設けられたプラズ
マ整形用の磁場発生コイルとを備え、 上記プラズマ発生部の高周波導波管は軸方向に
不均一な高周波電磁場を発生し、上記空心コイル
はその軸方向中心に最大磁場値を有し上記軸方向
中心に対称な不均一な静磁場を形成し、この対称
で不均一な静磁場のうち一方が上記プラズマ反応
部側の空心コイル領域内に形成され、この領域に
上記高周波電磁場の「腹」が存在して上記不均一
な静磁場と上記高周波電磁場との間で局部的な電
子サイクロトロン共鳴条件を成立させて、上記プ
ラズマ発生室内のプラズマの加熱加速を行い、こ
の加速されたプラズマ流が上記プラズマ反応部に
設けられたプラズマ整形用磁場発生コイルの磁場
によつて、上記反応槽内の被処理基板に垂直に照
射されることを特徴とするプラズマ処理装置。 ２ プラズマ反応槽内に、プラズマ流に直交もし
くは平行してプラズマ制御用グリツドを設けたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラ
ズマ処理装置。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP55156086A JPS5779621A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Plasma processing device |
| US06/315,730 US4438368A (en) | 1980-11-05 | 1981-10-28 | Plasma treating apparatus |
| DE19813144016 DE3144016A1 (de) | 1980-11-05 | 1981-11-05 | Plasmabehandlungsapparat |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP55156086A JPS5779621A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Plasma processing device |
Publications (2)
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ID=15619988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55156086A Granted JPS5779621A (en) | 1980-11-05 | 1980-11-05 | Plasma processing device |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPS5779621A (ja) |
| DE (1) | DE3144016A1 (ja) |
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