JPH0334922Y2 - - Google Patents
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- JPH0334922Y2 JPH0334922Y2 JP1983166283U JP16628383U JPH0334922Y2 JP H0334922 Y2 JPH0334922 Y2 JP H0334922Y2 JP 1983166283 U JP1983166283 U JP 1983166283U JP 16628383 U JP16628383 U JP 16628383U JP H0334922 Y2 JPH0334922 Y2 JP H0334922Y2
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- JP
- Japan
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- mos transistor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 16
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、半導体基板上にトランジスタを形成
するか否かによつてデータが書き込まれるダイナ
ミツクROMに関し、特に、データの読み出し状
態に於ける誤動作を防止したダイナミツクROM
に関する。
するか否かによつてデータが書き込まれるダイナ
ミツクROMに関し、特に、データの読み出し状
態に於ける誤動作を防止したダイナミツクROM
に関する。
(ロ) 従来技術
一般に、Ｃ−MOSで形成されたダイナミツク
ROMの回路構成を第１図に示す。第１図に於い
て、アドレス信号A0，A1，…をデコードするデ
コーダ１は、アドレスライン２と接地間に直列接
続されたＮチヤンネルMOSトランジスタ３と、
デイスチヤージ用のＮチヤンネルMOSトランジ
スタ４とから構成されるAND−ROMであり、ア
ドレス信号A0，A1，…及びその反転信号をMOS
トランジスタ３のゲートに印加する組み合わせに
よつて、一つのアドレスライン２が選択され、
MOSトランジスタ４のゲートに印加されるプリ
チヤージクロツクφによつて、選択されたアドレ
スライン２にプリチヤージされた電荷が放電され
る。アドレスライン２と電源VDDとの間には、プ
リチヤージ用のＰチヤンネルMOSトランジスタ
５が接続され、ゲートに印加されたプリチヤージ
クロツクφによつて、アドレスライン２がプリチ
ヤージされる。アドレスライン２と出力ライン６
はマトリクスを構成し、任意の交点に、ゲートが
アドレスライン２に接続され、ドレインが出力ラ
イン６に接続されると共にソースが電源ライン７
に接続されたＰチヤンネルMOSトランジスタ８
とを設けることにより、データを記憶する。出力
ライン６と接地間には、プリチヤージクロツクφ
の反転信号がゲートに印加されたデイスチヤージ
用のＮチヤンネルMOSトランジスタ９が接続さ
れる。
ROMの回路構成を第１図に示す。第１図に於い
て、アドレス信号A0，A1，…をデコードするデ
コーダ１は、アドレスライン２と接地間に直列接
続されたＮチヤンネルMOSトランジスタ３と、
デイスチヤージ用のＮチヤンネルMOSトランジ
スタ４とから構成されるAND−ROMであり、ア
ドレス信号A0，A1，…及びその反転信号をMOS
トランジスタ３のゲートに印加する組み合わせに
よつて、一つのアドレスライン２が選択され、
MOSトランジスタ４のゲートに印加されるプリ
チヤージクロツクφによつて、選択されたアドレ
スライン２にプリチヤージされた電荷が放電され
る。アドレスライン２と電源VDDとの間には、プ
リチヤージ用のＰチヤンネルMOSトランジスタ
５が接続され、ゲートに印加されたプリチヤージ
クロツクφによつて、アドレスライン２がプリチ
ヤージされる。アドレスライン２と出力ライン６
はマトリクスを構成し、任意の交点に、ゲートが
アドレスライン２に接続され、ドレインが出力ラ
イン６に接続されると共にソースが電源ライン７
に接続されたＰチヤンネルMOSトランジスタ８
とを設けることにより、データを記憶する。出力
ライン６と接地間には、プリチヤージクロツクφ
の反転信号がゲートに印加されたデイスチヤージ
用のＮチヤンネルMOSトランジスタ９が接続さ
れる。
第１図に示されたダイナミツクROMに於い
て、プリチヤージクロツクφが接地レベル、即
ち、“０”である場合、デイスチヤージ用のMOS
トランジスタ４はオフとなり、プリチヤージ用の
MOSトランジスタ５はオンとなるため、アドレ
スライン２は電源電圧VDDレベル、即ち、“１”
にプリチヤージされ、一方、出力ライン６に接続
されたMOSトランジスタ９はオンとなり、出力
ライン６を“０”にデイススチヤージする。即
ち、プリチヤージクロツクφが“０”の期間はプ
リチヤージ期間である。また、プリチヤージクロ
ツクφが“１”となると、MOSトランジスタ５
はオフとなり、MOSトランジスタ４はオンとな
るため、アドレス信号A0，A1で指定されたアド
レスライン２は“０”にデイスチヤージされる
が、他のアドレスライン２は“１”がチヤージさ
れたままフローテイング状態となる。従つて、
“１”のままであるアドレスライン２に接続され
たMOSトランジスタ８はすべてオフであり、選
択されて“０”となつたアドレスライン２に接続
されたMOSトランジスタ８がオンとなる。この
とき、MOSトランジスタ９はオフであるため、
出力ライン６は“０”のままフローテイング状態
となるが、オンとなるMOSトランジスタ８が接
続された出力ライン６は“１”に引き上げられ
る。これにより出力ライン６から記憶されたデー
タの出力信号OUT０，OUT１，OUT２，…が
取り出される。このプリチヤージクロツクφが
“１”の期間は、データ読み出し期間である。
て、プリチヤージクロツクφが接地レベル、即
ち、“０”である場合、デイスチヤージ用のMOS
トランジスタ４はオフとなり、プリチヤージ用の
MOSトランジスタ５はオンとなるため、アドレ
スライン２は電源電圧VDDレベル、即ち、“１”
にプリチヤージされ、一方、出力ライン６に接続
されたMOSトランジスタ９はオンとなり、出力
ライン６を“０”にデイススチヤージする。即
ち、プリチヤージクロツクφが“０”の期間はプ
リチヤージ期間である。また、プリチヤージクロ
ツクφが“１”となると、MOSトランジスタ５
はオフとなり、MOSトランジスタ４はオンとな
るため、アドレス信号A0，A1で指定されたアド
レスライン２は“０”にデイスチヤージされる
が、他のアドレスライン２は“１”がチヤージさ
れたままフローテイング状態となる。従つて、
“１”のままであるアドレスライン２に接続され
たMOSトランジスタ８はすべてオフであり、選
択されて“０”となつたアドレスライン２に接続
されたMOSトランジスタ８がオンとなる。この
とき、MOSトランジスタ９はオフであるため、
出力ライン６は“０”のままフローテイング状態
となるが、オンとなるMOSトランジスタ８が接
続された出力ライン６は“１”に引き上げられ
る。これにより出力ライン６から記憶されたデー
タの出力信号OUT０，OUT１，OUT２，…が
取り出される。このプリチヤージクロツクφが
“１”の期間は、データ読み出し期間である。
ところが第１図に示されたダイナミツクROM
に於いて、本来“０”であるべきデータが“１”
と読み出されるという誤動作が生じた。その原因
を調べたところ、アドレスライン２と出力ライン
６間に生じる線間容量１０と寄生トランジスタ１
１に原因があることがわかつた。即ち、従来、第
１図に示された回路を半導体基板上に形成する場
合、プリチヤージ用のMOSトランジスタ５、出
力ライン６、電源ライン７及びMOSトランジス
タ８は、第２図の如く形成される。
に於いて、本来“０”であるべきデータが“１”
と読み出されるという誤動作が生じた。その原因
を調べたところ、アドレスライン２と出力ライン
６間に生じる線間容量１０と寄生トランジスタ１
１に原因があることがわかつた。即ち、従来、第
１図に示された回路を半導体基板上に形成する場
合、プリチヤージ用のMOSトランジスタ５、出
力ライン６、電源ライン７及びMOSトランジス
タ８は、第２図の如く形成される。
第２図に於いて、半導体基体１２はＰ型の低不
純物濃度を有するシリコン基板であり、半導体基
体１２上には、Ｎ型の低不純物濃度を有するＮ型
領域１３が形成される。このＮ型領域１３内に
は、P+型の高不純物濃度によつて形成された
MOSトランジスタ５のソース領域１４及びドレ
イン領域１５と、同様にP+型の高不純物濃度に
よつて形成された出力ライン６及び電源ライン７
とが設けられる。また、ドレイン領域１５からは
アルミニウム等から成るアドレスライン２が、酸
化膜１６上を出力ライン６及び電源ライン７と交
叉して延在されている。そして、出力ライン６と
電源ライン７との間に於いて、酸化膜１６の厚さ
を薄くすることによつて記憶用のMOSトランジ
スタ８が作られる。
純物濃度を有するシリコン基板であり、半導体基
体１２上には、Ｎ型の低不純物濃度を有するＮ型
領域１３が形成される。このＮ型領域１３内に
は、P+型の高不純物濃度によつて形成された
MOSトランジスタ５のソース領域１４及びドレ
イン領域１５と、同様にP+型の高不純物濃度に
よつて形成された出力ライン６及び電源ライン７
とが設けられる。また、ドレイン領域１５からは
アルミニウム等から成るアドレスライン２が、酸
化膜１６上を出力ライン６及び電源ライン７と交
叉して延在されている。そして、出力ライン６と
電源ライン７との間に於いて、酸化膜１６の厚さ
を薄くすることによつて記憶用のMOSトランジ
スタ８が作られる。
第２図の如く、形成されたダイナミツクROM
に於いては、アドレスライン２と出力ライン６と
の間には線間容量１０が生じることは明らかであ
る。一方、MOSトランジスタ５のドレイン領域
１５をエミツタとし、Ｎ型領域１３をベースと
し、出力ライン６をコレクタとするPNP型の寄
生トランジスタ１１が作られている。そこで、選
択されたアドレスライン２によつて、そのアドレ
スライン２に接続されたMOSトランジスタ８が
オンとなり、更に、MOSトランジスタ８に接続
された出力ライン６が“０”から“１”になる
と、選択されないアドレスライン２、即ち、“１”
のままフローテイング状態にあるアドレスライン
２は、“１”となつた出力ライン６に線間容量１
０にチヤージされた電荷が直列接続された電位、
即ち、電源電圧VDDの略２倍程度の電位となる。
従つて、寄生トランジスタ１１のエミツタ電位が
高くなるため、寄生トランジスタ１１はオンし、
“０”のままフローテイング状態となつている出
力ライン６にアドレスライン２から寄生トランジ
スタ１１を介して電流が流れ、出力ライン６の電
位は“１”レベルに引き上げられてしまう。即
ち、本来“０”であるべきデータが“１”として
出力されてしまうという誤動作が生じるのであ
る。
に於いては、アドレスライン２と出力ライン６と
の間には線間容量１０が生じることは明らかであ
る。一方、MOSトランジスタ５のドレイン領域
１５をエミツタとし、Ｎ型領域１３をベースと
し、出力ライン６をコレクタとするPNP型の寄
生トランジスタ１１が作られている。そこで、選
択されたアドレスライン２によつて、そのアドレ
スライン２に接続されたMOSトランジスタ８が
オンとなり、更に、MOSトランジスタ８に接続
された出力ライン６が“０”から“１”になる
と、選択されないアドレスライン２、即ち、“１”
のままフローテイング状態にあるアドレスライン
２は、“１”となつた出力ライン６に線間容量１
０にチヤージされた電荷が直列接続された電位、
即ち、電源電圧VDDの略２倍程度の電位となる。
従つて、寄生トランジスタ１１のエミツタ電位が
高くなるため、寄生トランジスタ１１はオンし、
“０”のままフローテイング状態となつている出
力ライン６にアドレスライン２から寄生トランジ
スタ１１を介して電流が流れ、出力ライン６の電
位は“１”レベルに引き上げられてしまう。即
ち、本来“０”であるべきデータが“１”として
出力されてしまうという誤動作が生じるのであ
る。
(ハ) 考案の目的
本考案は、上述した点に鑑みて為されたもので
あり、アドレスラインと出力ラインとの間に生じ
る寄生容量を除去し、誤動作を防止したダイナミ
ツクROMを提供するものである。
あり、アドレスラインと出力ラインとの間に生じ
る寄生容量を除去し、誤動作を防止したダイナミ
ツクROMを提供するものである。
(ニ) 考案の構成
本考案は、アドレス信号のデコーダによつて選
択されるアドレスラインと、該アドレスラインに
接続されたプリチヤージ用のMOSトランジスタ
と、前記アドレスラインとマトリクスを構成する
出力ラインと、前記アドレスラインと出力ライン
の任意の交点に設けられたデータを記憶するため
のMOSトランジスタとを有するダイナミツク
ROMに於いて、前記プリチヤージ用のMOSトラ
ンジスタが形成される半導体領域と、前記出力ラ
イン及び記憶用のMOSトランジスタが形成され
る半導体領域とを分離する構成である。
択されるアドレスラインと、該アドレスラインに
接続されたプリチヤージ用のMOSトランジスタ
と、前記アドレスラインとマトリクスを構成する
出力ラインと、前記アドレスラインと出力ライン
の任意の交点に設けられたデータを記憶するため
のMOSトランジスタとを有するダイナミツク
ROMに於いて、前記プリチヤージ用のMOSトラ
ンジスタが形成される半導体領域と、前記出力ラ
イン及び記憶用のMOSトランジスタが形成され
る半導体領域とを分離する構成である。
(ホ) 実施例
第３図は、本考案の実施例を示す断面図であ
り、第１図に示されたダイナミツクROMのプリ
チヤージ用のMOSトランジスタ５、出力ライン
６、電源ライン７、アドレスライン２及び記憶用
のMOSトランジスタ８の形成部分を示す。尚、
第１図及び第２図と同一部分には同一図番を付
す。
り、第１図に示されたダイナミツクROMのプリ
チヤージ用のMOSトランジスタ５、出力ライン
６、電源ライン７、アドレスライン２及び記憶用
のMOSトランジスタ８の形成部分を示す。尚、
第１図及び第２図と同一部分には同一図番を付
す。
第３図に於いて、半導体基体１７はＰ型の低不
純物濃度を有するシリコン基板であり、この半導
体基体１７には、互いにＰ型の領域１８で分離さ
れたＮ型領域１９，２０が、Ｎ型不純物の拡散あ
るいはイオンインプラ等によつて形成される。こ
のＮ型領域１９，２０を各々電源電圧VDDに接続
し、半導体基体１７を接地電位に接続することに
より、Ｎ型領域１９，２０は半導体基体１７と逆
バイアスされ、分離される。そして、Ｎ型領域１
９内には、第１図に示されたプリチヤージ用の
MOSトランジスタ５が作成され、P+型の高不純
物濃度のソース領域１４とドレイン領域１５が形
成される。ソース領域１４はアルミニウム等の電
極によつて電源電圧VDDに接続され、ドレイン領
域１５からはアドレスライン２が延在される。一
方、Ｎ型領域２０内には、P+型の高不純物濃度
の出力ライン６及び電源ライン７が、拡散あるい
はイオンインプラ等によつて設けられる。また、
出力ライン６をドレインとし、電源ライン７をソ
ースとして、その出力ライン６と電源ライン７間
の酸化膜１６を薄く形成することによつて、アド
レスライン２がゲート電極となる記憶用のMOS
トランジスタ８が形成される。
純物濃度を有するシリコン基板であり、この半導
体基体１７には、互いにＰ型の領域１８で分離さ
れたＮ型領域１９，２０が、Ｎ型不純物の拡散あ
るいはイオンインプラ等によつて形成される。こ
のＮ型領域１９，２０を各々電源電圧VDDに接続
し、半導体基体１７を接地電位に接続することに
より、Ｎ型領域１９，２０は半導体基体１７と逆
バイアスされ、分離される。そして、Ｎ型領域１
９内には、第１図に示されたプリチヤージ用の
MOSトランジスタ５が作成され、P+型の高不純
物濃度のソース領域１４とドレイン領域１５が形
成される。ソース領域１４はアルミニウム等の電
極によつて電源電圧VDDに接続され、ドレイン領
域１５からはアドレスライン２が延在される。一
方、Ｎ型領域２０内には、P+型の高不純物濃度
の出力ライン６及び電源ライン７が、拡散あるい
はイオンインプラ等によつて設けられる。また、
出力ライン６をドレインとし、電源ライン７をソ
ースとして、その出力ライン６と電源ライン７間
の酸化膜１６を薄く形成することによつて、アド
レスライン２がゲート電極となる記憶用のMOS
トランジスタ８が形成される。
即ち、第３図に示された実施例では、プリチヤ
ージ用のMOSトランジスタ５が形成されるＮ型
領域１９と出力ライン６及び記憶用のMOSトラ
ンジスタ８が形成されるＮ型領域２０とが分離さ
れるため、ドレイン領域１５をエミツタとし、Ｎ
型領域１９をベースとし、更に、半導体基体１７
をコレクタとする寄生トランジスタ２１は生じる
が、ドレイン領域１５、即ち、アドレスライン２
と出力ライン６との間を接続する寄生トランジス
タは生じない。従つて、出力ライン６の少なくと
も１つが“０”から“１”となり、線間容量１０
によつてフローテイング状態のアドレスライン２
が電源電圧VDDの略２倍近くになると、寄生トラ
ンジスタ２１がオンとなり、アドレスライン２の
電荷は接地レベルに放電されるため、出力ライン
６には影響を与えない。このとき、アドレスライ
ン２の電位が電源電圧VDDレベルに低下すると寄
生トランジスタ２１はオフとなり、アドレスライ
ン２の“１”は保持される。
ージ用のMOSトランジスタ５が形成されるＮ型
領域１９と出力ライン６及び記憶用のMOSトラ
ンジスタ８が形成されるＮ型領域２０とが分離さ
れるため、ドレイン領域１５をエミツタとし、Ｎ
型領域１９をベースとし、更に、半導体基体１７
をコレクタとする寄生トランジスタ２１は生じる
が、ドレイン領域１５、即ち、アドレスライン２
と出力ライン６との間を接続する寄生トランジス
タは生じない。従つて、出力ライン６の少なくと
も１つが“０”から“１”となり、線間容量１０
によつてフローテイング状態のアドレスライン２
が電源電圧VDDの略２倍近くになると、寄生トラ
ンジスタ２１がオンとなり、アドレスライン２の
電荷は接地レベルに放電されるため、出力ライン
６には影響を与えない。このとき、アドレスライ
ン２の電位が電源電圧VDDレベルに低下すると寄
生トランジスタ２１はオフとなり、アドレスライ
ン２の“１”は保持される。
(ヘ) 考案の効果
上述の如く、本考案によれば、アドレスライン
と出力ラインとに生じる寄生トランジスタが完全
に除去されるため、線間容量によつてアドレスラ
インの電位が変化しても、出力ラインにはその影
響が生じないのであり、データの読み出しの際に
於ける誤動作が無くなり、ダイナミツクROMの
信頼性が向上する利点を有する。
と出力ラインとに生じる寄生トランジスタが完全
に除去されるため、線間容量によつてアドレスラ
インの電位が変化しても、出力ラインにはその影
響が生じないのであり、データの読み出しの際に
於ける誤動作が無くなり、ダイナミツクROMの
信頼性が向上する利点を有する。
第１図はダイナミツクROMの回路図、第２図
は第１図に示されたダイナミツクROMを形成す
る半導体装置の従来例を示す断面図、第３図は本
考案の実施例を示す断面図である。 主な図番の説明、２……アドレスライン、５，
８……MOSトランジスタ、６……出力ライン、
７……電源ライン、１０……線間容量、１１，２
１……寄生トランジスタ、１４……ソース領域、
１５……ドレイン領域、１６……酸化膜、１７…
…半導体基体、１８……Ｐ型領域、１９，２０…
…Ｎ型領域。
は第１図に示されたダイナミツクROMを形成す
る半導体装置の従来例を示す断面図、第３図は本
考案の実施例を示す断面図である。 主な図番の説明、２……アドレスライン、５，
８……MOSトランジスタ、６……出力ライン、
７……電源ライン、１０……線間容量、１１，２
１……寄生トランジスタ、１４……ソース領域、
１５……ドレイン領域、１６……酸化膜、１７…
…半導体基体、１８……Ｐ型領域、１９，２０…
…Ｎ型領域。
Claims (1)
- アドレス信号のデコーダによつて選択されるア
ドレスラインと、該アドレスラインに接続された
プリチヤージ用のMOSトランジスタと、前記ア
ドレスラインとマトリクスを構成する出力ライン
と、前記アドレスラインと出力ラインの任意の交
点に設けられたデータを記憶するためのMOSト
ランジスタとを有するダイナミツクROMに於
て、前記プリチヤージ用のMOSトランジスタが
形成される半導体領域と、前記出力ライン及び記
憶用のMOSトランジスタが形成される半導体領
域とを分離し、前記アドレスラインと出力ライン
間に形成される寄生容量によつて生じる前記アド
レスラインの電圧変化が、前記プリチヤージ用の
MOSトランジスタから前記出力ラインに伝達さ
れることを防止したことを特徴とするダイナミツ
クROM。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16628383U JPS6073259U (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | ダイナミツクｒｏｍ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16628383U JPS6073259U (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | ダイナミツクｒｏｍ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6073259U JPS6073259U (ja) | 1985-05-23 |
| JPH0334922Y2 true JPH0334922Y2 (ja) | 1991-07-24 |
Family
ID=30364073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16628383U Granted JPS6073259U (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | ダイナミツクｒｏｍ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6073259U (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5438782A (en) * | 1977-09-01 | 1979-03-23 | Nec Corp | Production of integrated circuit device |
| JPS54107278A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-22 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS58116763A (ja) * | 1982-12-24 | 1983-07-12 | Hitachi Ltd | Ｍｏｓ型ｒｏｍ |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP16628383U patent/JPS6073259U/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5438782A (en) * | 1977-09-01 | 1979-03-23 | Nec Corp | Production of integrated circuit device |
| JPS54107278A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-22 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS58116763A (ja) * | 1982-12-24 | 1983-07-12 | Hitachi Ltd | Ｍｏｓ型ｒｏｍ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6073259U (ja) | 1985-05-23 |
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