JPH033222A - 露光装置 - Google Patents
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- JPH033222A JPH033222A JP1138809A JP13880989A JPH033222A JP H033222 A JPH033222 A JP H033222A JP 1138809 A JP1138809 A JP 1138809A JP 13880989 A JP13880989 A JP 13880989A JP H033222 A JPH033222 A JP H033222A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣ，ＬＳＩの製造に用いられる露光装置に
関する。
関する。
半導体リングラフィ工程においては、露光装置によりマ
スクを介してウェハを露光しウェハ上にパターンを転写
形成している。この様な装置においては、高精度のパタ
ーンを形成するためにウェハの温度を一定にし熱による
変形を極力防止する必要がある。このため従来ではウェ
ハを吸着するウェハチエツクに温度調整用の冷却媒体を
常に一定量流してウェハチャック上のウェハ温度を一定
に保っていた。
スクを介してウェハを露光しウェハ上にパターンを転写
形成している。この様な装置においては、高精度のパタ
ーンを形成するためにウェハの温度を一定にし熱による
変形を極力防止する必要がある。このため従来ではウェ
ハを吸着するウェハチエツクに温度調整用の冷却媒体を
常に一定量流してウェハチャック上のウェハ温度を一定
に保っていた。
しかしながら、前記従来技術においては、ウェハ露光に
伴う温度上昇を抑えるために必要な流量の冷却媒体を一
定量として、常に流す必要があるが、このような流量の
冷却媒体をウエノλチャック内の媒体流路を通して流す
と、この流れに伴いウェハチャック及びその周Ｊのウェ
ハ支持部が振動する。この振動による変位は０．０数μ
ｍ〜０．数μｍに及び露光時のパターン形成精度を低下
させていた。
伴う温度上昇を抑えるために必要な流量の冷却媒体を一
定量として、常に流す必要があるが、このような流量の
冷却媒体をウエノλチャック内の媒体流路を通して流す
と、この流れに伴いウェハチャック及びその周Ｊのウェ
ハ支持部が振動する。この振動による変位は０．０数μ
ｍ〜０．数μｍに及び露光時のパターン形成精度を低下
させていた。
一方、冷却媒体の流れに伴う振動がパターン形成精度に
影響を与えない程度の流量の冷却媒体を流したのでは、
露光時に照射されるエネルギーを吸収し、ウェハの温度
上昇を許容温度以下に抑えることができない。
影響を与えない程度の流量の冷却媒体を流したのでは、
露光時に照射されるエネルギーを吸収し、ウェハの温度
上昇を許容温度以下に抑えることができない。
本発明は、上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであ
って、流れの振動によるパターン形成精度の低下を来す
ことなく、露光時のウェハ温度上昇を許容温度以下に抑
えることが出来るウェハ支持部の温度調整機構を備えた
露光装置の提供を目的とする。
って、流れの振動によるパターン形成精度の低下を来す
ことなく、露光時のウェハ温度上昇を許容温度以下に抑
えることが出来るウェハ支持部の温度調整機構を備えた
露光装置の提供を目的とする。
〔課題を解決するための手段（及び作用）〕上記問題点
に鑑み、本発明は媒体流路上に流量調整手段を設け、露
光状態および露光位置に応じて、この流量調整手段を制
御する手段を備えている。
に鑑み、本発明は媒体流路上に流量調整手段を設け、露
光状態および露光位置に応じて、この流量調整手段を制
御する手段を備えている。
以下図面を用いて、本発明の実施例について詳しく説明
する。
する。
第１図、第２図、第３図、第４図は本発明の第１の実施
例を示す。
例を示す。
第１図は本発明に係わる露光装置のブロック構成図であ
る。第１図において１０１は露光を行なうための光源、
１０２は所望の露光時間だけ露光するためのシャッター
、１０３は転写すべきパターンを有するマスク、１０４
はパターン転写すべきウェハ、１０５はウェハを吸着保
持するウェハチャック、１０６はウェハとマスクを位置
合わせするための位置合わせ用ステージ、１０７は露光
手順を制御するところの露光制御部、１０８は流量調節
バルブを制御するための流量調節部、１０９は温度調整
用媒体を循環させるための温調ポンプであり、図示しな
い熱交換手段により媒体温度は一定に制御される。１１
０ａ。
る。第１図において１０１は露光を行なうための光源、
１０２は所望の露光時間だけ露光するためのシャッター
、１０３は転写すべきパターンを有するマスク、１０４
はパターン転写すべきウェハ、１０５はウェハを吸着保
持するウェハチャック、１０６はウェハとマスクを位置
合わせするための位置合わせ用ステージ、１０７は露光
手順を制御するところの露光制御部、１０８は流量調節
バルブを制御するための流量調節部、１０９は温度調整
用媒体を循環させるための温調ポンプであり、図示しな
い熱交換手段により媒体温度は一定に制御される。１１
０ａ。
１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄ、ｆｌｏｅは温度調整用
媒体の流量を加減するための流量調節バルブ、１ｌｌａ
。
媒体の流量を加減するための流量調節バルブ、１ｌｌａ
。
１１１ｂ、１ｌｌｃ、１ｌｌｄ、１ｌｌｅは温度調整媒
体が流れる配管Ａ、配管Ｂ、配管Ｃである。１１２は露
光制御部１０７から流量調節部１０８へ、露光状態や露
光位置を伝える通信線、シ１３はウェハチャックの温度
をモニタするところの温度センサである。
体が流れる配管Ａ、配管Ｂ、配管Ｃである。１１２は露
光制御部１０７から流量調節部１０８へ、露光状態や露
光位置を伝える通信線、シ１３はウェハチャックの温度
をモニタするところの温度センサである。
次に第２図は、第１の実施例のウェハ保持部を詳しく示
している。２０１ａは配管Ａ１１ｌａにつながる流路２
０３ａの流入口であり、以下同様に２０１ｂ〜２０１ｅ
は、配管Ｂ１１１ｂ〜配管Ｅｌｌｌｅにつながる流路２
０３ｂ〜２０３ｅの流入口である。２０２ａは流路２０
３ａの流出口であり、以下同様に２０２ｂ〜２０２ｅは
流路２０３ｂ〜２０３ｅの流出口である。２０３ ａ
〜２０３ ｅは配管Ａ１１ｌａ〜配管Ｅｌｌｌｅにつな
がる流路である。それ以外の構成は第１図と同様である
。
している。２０１ａは配管Ａ１１ｌａにつながる流路２
０３ａの流入口であり、以下同様に２０１ｂ〜２０１ｅ
は、配管Ｂ１１１ｂ〜配管Ｅｌｌｌｅにつながる流路２
０３ｂ〜２０３ｅの流入口である。２０２ａは流路２０
３ａの流出口であり、以下同様に２０２ｂ〜２０２ｅは
流路２０３ｂ〜２０３ｅの流出口である。２０３ ａ
〜２０３ ｅは配管Ａ１１ｌａ〜配管Ｅｌｌｌｅにつな
がる流路である。それ以外の構成は第１図と同様である
。
次に第３図は第１の実施例の特徴をよ（示す、タイミン
グチャートである。同図において、３０１は露光装置が
露光中であるか否かを示す露光状態タイミング、３０２
はウェハ１０４の表面の露光されている場所を示すとこ
ろの露光タイミング、３０３は配管Ａｌ１１ａに流れて
いる温度調整媒体の流量を示す配管Ａ流量であり、以下
同様に３０４〜３０７は配管Ｂ１１１ｂ〜配管Ｅｌｉｔ
ｅの流量をあられしている。
グチャートである。同図において、３０１は露光装置が
露光中であるか否かを示す露光状態タイミング、３０２
はウェハ１０４の表面の露光されている場所を示すとこ
ろの露光タイミング、３０３は配管Ａｌ１１ａに流れて
いる温度調整媒体の流量を示す配管Ａ流量であり、以下
同様に３０４〜３０７は配管Ｂ１１１ｂ〜配管Ｅｌｉｔ
ｅの流量をあられしている。
次に第４図は、第１の実施例において、ウェハ１０４を
露光する順番を示している。４０１は１回の露光ショッ
トで露光ができる範囲を示しており、他のマス目も同様
である。
露光する順番を示している。４０１は１回の露光ショッ
トで露光ができる範囲を示しており、他のマス目も同様
である。
次に上記構成において、各構成における動作の説明を行
う。まず、第１図において温調ポンプ１０９より、温度
調整媒体が送出される。この媒体温度は２３℃±２／１
００℃に制御され循環を繰り返す。
う。まず、第１図において温調ポンプ１０９より、温度
調整媒体が送出される。この媒体温度は２３℃±２／１
００℃に制御され循環を繰り返す。
本実施例の温調ポンプ１０９は、５系統の配管に温度調
整用媒体を送出することができる。
整用媒体を送出することができる。
第１の系統は、温調ポンプ１０９から、配管Ａ１１ｌａ
にはいり、ウェハチャック１０５及びウェハ１０４の熱
を吸収して、流量調節バルブ１１０ａを経由して、温調
ポンプ１０９に戻り、ここで再び２３℃±２／１０００
Ｃに温度制御され循環を繰り返す。
にはいり、ウェハチャック１０５及びウェハ１０４の熱
を吸収して、流量調節バルブ１１０ａを経由して、温調
ポンプ１０９に戻り、ここで再び２３℃±２／１０００
Ｃに温度制御され循環を繰り返す。
同様に第２の系統は配管Ｂ１１１ｂと流量調節バルブ１
１０ｂとで構成される。第３の系統は配管Ｃ１ｌｌｃと
流量調節バルブ１１０ｃとで構成される。第４の系統は
配管Ｄｌｌｌｄと流量調節バルブ１１０ｄとで構成され
る。第５の系統は配管Ｅｌｉｔｅと流量調節バルブ１１
０ｅとで構成される。
１０ｂとで構成される。第３の系統は配管Ｃ１ｌｌｃと
流量調節バルブ１１０ｃとで構成される。第４の系統は
配管Ｄｌｌｌｄと流量調節バルブ１１０ｄとで構成され
る。第５の系統は配管Ｅｌｉｔｅと流量調節バルブ１１
０ｅとで構成される。
露光制御部１０７は、通信線１１２を介して、装置が露
光中か否かを示す露光情報およびウェハ１０４上のどの
場所を露光しているかを示す露光位置情報を流量調節部
１０８に伝える。
光中か否かを示す露光情報およびウェハ１０４上のどの
場所を露光しているかを示す露光位置情報を流量調節部
１０８に伝える。
尚、露光制御部１０７にはあらかじめウェハ上をどの様
な領域に分けて露光を行うかのレイアウト設定データが
入力されており、露光作業中は、このレイアウト設定デ
ータを基に露光位置を判別している。又、露光状態情報
は例えば、基板上の領域とマスクパターンとのアライメ
ント時のアラインメント完了信号を基に判別している。
な領域に分けて露光を行うかのレイアウト設定データが
入力されており、露光作業中は、このレイアウト設定デ
ータを基に露光位置を判別している。又、露光状態情報
は例えば、基板上の領域とマスクパターンとのアライメ
ント時のアラインメント完了信号を基に判別している。
又この判別はシャッター１０２の始動開始信号より行っ
ても良い。そして流量調節部１０８は、露光位置情報お
よび露光状態情報に応じて流量調節バルブ１１０ａ〜１
１０ｅを制御して、温調媒体の流量を三段階に調節する
。また、露光制御部１０７は温度センサ１１３によりウ
ェハチャック１０５の温度を読み込み、ウェハ１０４の
温度を推定することができる。露光制御部１０７は前述
のウェハチャック１０５の温度または推定したウェハ１
０４の温度の情報を流量調節部１０８へ送る。流量調節
１０８は、前述の三段階のあらかじめ決められた基礎流
量に対して受信した前述の温度情報に応じて流量補正を
かけることができる。
ても良い。そして流量調節部１０８は、露光位置情報お
よび露光状態情報に応じて流量調節バルブ１１０ａ〜１
１０ｅを制御して、温調媒体の流量を三段階に調節する
。また、露光制御部１０７は温度センサ１１３によりウ
ェハチャック１０５の温度を読み込み、ウェハ１０４の
温度を推定することができる。露光制御部１０７は前述
のウェハチャック１０５の温度または推定したウェハ１
０４の温度の情報を流量調節部１０８へ送る。流量調節
１０８は、前述の三段階のあらかじめ決められた基礎流
量に対して受信した前述の温度情報に応じて流量補正を
かけることができる。
一方、露光制御部１０７は、予ｂウェハチャック１０５
上に搭載吸着されたウェハ１０４の第１露光位置にマス
ク１０３のパターンを転写するために、位置合せ用ステ
ージ１０６を不図示の駆動機構により駆動してウェハ１
０４の第１露光位置とマスク１０３とを位置合せする。
上に搭載吸着されたウェハ１０４の第１露光位置にマス
ク１０３のパターンを転写するために、位置合せ用ステ
ージ１０６を不図示の駆動機構により駆動してウェハ１
０４の第１露光位置とマスク１０３とを位置合せする。
次に、露光制御部１０７は不図示のシャッター駆動機構
により、シャッター１０２を所定時間だけ開いて第１露
光位置の露光を行う。
により、シャッター１０２を所定時間だけ開いて第１露
光位置の露光を行う。
所定時間経過したら、シャッター１０２を閉じて第１露
光位置の露光を終了する。
光位置の露光を終了する。
次に、位置合わせ用ステージ１０６を駆動してウェハ１
０４の第２露光位置とマスク１０３とを位置合わせして
、前述の第１露光位置の場合と同様に露光する。以下第
３、第４と順次位置合わせと露光を繰り返してウェハ１
０４の露光プロセスをすべて終了する。次に本発明にお
ける温度制御について第２図、第３図を用いて更に詳し
く説明する。第２図はウェハチャック１０５を詳しく図
示したものである。同図においてウェハチャック１０５
を透視して内部の温調媒体流路が示されている。５系統
の流路があり、ウェハチャック５の各部分の冷却を担当
させている。
０４の第２露光位置とマスク１０３とを位置合わせして
、前述の第１露光位置の場合と同様に露光する。以下第
３、第４と順次位置合わせと露光を繰り返してウェハ１
０４の露光プロセスをすべて終了する。次に本発明にお
ける温度制御について第２図、第３図を用いて更に詳し
く説明する。第２図はウェハチャック１０５を詳しく図
示したものである。同図においてウェハチャック１０５
を透視して内部の温調媒体流路が示されている。５系統
の流路があり、ウェハチャック５の各部分の冷却を担当
させている。
すなわち、露光制御部１０７から送られてくる露光位置
情報より流量調節部が流路Ａ２０３ａの上または、近傍
であると判断したときは、流路Ａ２０３ａの流量はＬｌ
という値になる。そして同じ（露光制御部１０７より送
られてくる露光状態情報より、露光が終了したことを判
断すると、流路Ａ２０３ａの流量はＳＴＤという値にな
る。他の流路の制御についても同様である。ここで流量
Ｌ１と流量ＳＴＤの関係は、 ＳＴＤ＞Ｌｌ である。
情報より流量調節部が流路Ａ２０３ａの上または、近傍
であると判断したときは、流路Ａ２０３ａの流量はＬｌ
という値になる。そして同じ（露光制御部１０７より送
られてくる露光状態情報より、露光が終了したことを判
断すると、流路Ａ２０３ａの流量はＳＴＤという値にな
る。他の流路の制御についても同様である。ここで流量
Ｌ１と流量ＳＴＤの関係は、 ＳＴＤ＞Ｌｌ である。
さらに露光シーケンスが進んで、露光位置が流路Ｅ２０
３ｅの上または近傍であるとき、流路Ａ２０３ａの流量
は露光中にＬ２という値になり、非露光中はＳＴＤとい
う値になる。
３ｅの上または近傍であるとき、流路Ａ２０３ａの流量
は露光中にＬ２という値になり、非露光中はＳＴＤとい
う値になる。
ここで流量Ｌ１と流量Ｌ２と流量ＳＴＤの関係は、ＳＴ
Ｄ＞Ｌｌ＞Ｌ２ である。
Ｄ＞Ｌｌ＞Ｌ２ である。
次に第４図は、露光順序を示しており、第１露光位置が
ａｌ、第２露光位置がａ２と順次に以下、ａ３→ｂ１→
ｂ２→ｂ３→ｂ４→ｂ５→ｃ１→ｃ２→ｃ３→ｃ４ →
（５−＋ ｄ １→ｄ ２ →ｄ ３−＋ ｄ ４−＋
ｄ ５−＞ ６１−＊ ６２→ｅ３の順に露光する。
ａｌ、第２露光位置がａ２と順次に以下、ａ３→ｂ１→
ｂ２→ｂ３→ｂ４→ｂ５→ｃ１→ｃ２→ｃ３→ｃ４ →
（５−＋ ｄ １→ｄ ２ →ｄ ３−＋ ｄ ４−＋
ｄ ５−＞ ６１−＊ ６２→ｅ３の順に露光する。
前述の露光順序は代表的な一例を示したままで、これに
限定されるものではない。またウェハを２１個のマス目
に分割して図示したが、これに限定されるものではない
。
限定されるものではない。またウェハを２１個のマス目
に分割して図示したが、これに限定されるものではない
。
次に以上の動作を第３図のタイミングチャートを用いて
説明する。。露光位置タイミング３０２で第１露光位置
ａ１に位置合わせを完了するまでは、流量Ａ２０３ａ、
流路Ｂ２０３ｂ、流路Ｃ２０３ｃ、流路Ｄ２０３ｄ。
説明する。。露光位置タイミング３０２で第１露光位置
ａ１に位置合わせを完了するまでは、流量Ａ２０３ａ、
流路Ｂ２０３ｂ、流路Ｃ２０３ｃ、流路Ｄ２０３ｄ。
流路Ｅ２０３ｅの流量は、すべてＳＴＤである。次にａ
ｌの位置合わせが完了して露光位置ａ１に対する露光が
開始される前に、流路Ａ２０３ａの流量は、Ｌｌになり
、その他の流路２０３ｂ〜２０３ｅの流量はＬ２になる
。前述のように、流ｆｉＬ１．Ｌ２．ＳＴＤの関係はＳ
ＴＤ＞Ｌｌ＞Ｌ２である。露光位置ａ１に対する露光が
終了すると、すべての流路２０３ａ〜２０３ｅの流量は
ＳＴＤになり、次の露光位置ａ２に対する位置合わせが
はじまる。つぎにａ２の位置合わせが完了して、露光位
置ａ２に対する露光が開始される前に、流路Ａ２０３ａ
の流量は再びＬｌになり、その他の流路２０３ｂ〜２０
３ｅの流量も再びＬ２になる。
ｌの位置合わせが完了して露光位置ａ１に対する露光が
開始される前に、流路Ａ２０３ａの流量は、Ｌｌになり
、その他の流路２０３ｂ〜２０３ｅの流量はＬ２になる
。前述のように、流ｆｉＬ１．Ｌ２．ＳＴＤの関係はＳ
ＴＤ＞Ｌｌ＞Ｌ２である。露光位置ａ１に対する露光が
終了すると、すべての流路２０３ａ〜２０３ｅの流量は
ＳＴＤになり、次の露光位置ａ２に対する位置合わせが
はじまる。つぎにａ２の位置合わせが完了して、露光位
置ａ２に対する露光が開始される前に、流路Ａ２０３ａ
の流量は再びＬｌになり、その他の流路２０３ｂ〜２０
３ｅの流量も再びＬ２になる。
以下前記と同様に露光位置ａ２とａ３の露光手順を終了
し、その時点で流路２０３ａ〜２０３ｅの流量はＳＴＤ
になっている。次に露光位置ｂ１の位置合わせを開始し
、流量の変化はなくすべてＳＴＤである。
し、その時点で流路２０３ａ〜２０３ｅの流量はＳＴＤ
になっている。次に露光位置ｂ１の位置合わせを開始し
、流量の変化はなくすべてＳＴＤである。
露光位置ｂｌ、 ｂ２． ｂ３． ｂ４． ｂ５は、
第２図における流路Ｂ２０３ｂの上または近傍に位置す
るので、露光位置ｂｌの位置合せが完了し、露光が開始
される前に、流路Ｂ２０３ｂの流量はＬｌになり、その
他の流路２０３ａ、 ２０３ｃ〜２０３ｅの流量はすべ
て同じＬ２になる。次に露光位置ｂ１に対する露光が終
了すると、すべての流路２０３ａ〜２０３ｅの流量はＳ
ＴＤになる。以下前述と同様に露光シーケンスが進んで
いく。
第２図における流路Ｂ２０３ｂの上または近傍に位置す
るので、露光位置ｂｌの位置合せが完了し、露光が開始
される前に、流路Ｂ２０３ｂの流量はＬｌになり、その
他の流路２０３ａ、 ２０３ｃ〜２０３ｅの流量はすべ
て同じＬ２になる。次に露光位置ｂ１に対する露光が終
了すると、すべての流路２０３ａ〜２０３ｅの流量はＳ
ＴＤになる。以下前述と同様に露光シーケンスが進んで
いく。
尚、本実施例においては、露光位置に対向する流体管路
の流量をＬ２とし、他の位置に対応する流体管路の流量
をＬｌとしてＳＴＤ＞Ｌ２＞Ｌｌとしてチャックの温度
制御を行ったが、これに限らず本発明においては、露光
時において、チャックに流良いわけであり、上記の様な
定義のかぎりではない。
の流量をＬ２とし、他の位置に対応する流体管路の流量
をＬｌとしてＳＴＤ＞Ｌ２＞Ｌｌとしてチャックの温度
制御を行ったが、これに限らず本発明においては、露光
時において、チャックに流良いわけであり、上記の様な
定義のかぎりではない。
例えば、露光時には、露光位置以外の位置の流体供給を
停止させ、露光位置に対応する流体管路のみに、露光に
影響を与える振動を発生させない程度の流量を供給する
様にしても良い。
停止させ、露光位置に対応する流体管路のみに、露光に
影響を与える振動を発生させない程度の流量を供給する
様にしても良い。
この場合はＳＴＤ＞Ｌ２とはかぎらない。
第５図は本発明の第２の実施例を示した図である。
本実施例では、ウェハチャックの流路の系統数を増やし
てより細かくウェハチャック５０２の面を分解して、温
調媒体の流量を制御しようとするものである。
てより細かくウェハチャック５０２の面を分解して、温
調媒体の流量を制御しようとするものである。
以上説明したように、本発明においては、ウェハチャッ
ク内に流す温度調節用媒体の流量制御手段を備えている
ため、露光状態に応じて媒体流量を制御することができ
、露光プロセスのスループットを低下させることなく、
ウェハ温度を所定の許容温度以下に保ち、媒体の流れの
振動によるパターン精度の低下を防止し、高精度のパタ
ーニングが可能になる。
ク内に流す温度調節用媒体の流量制御手段を備えている
ため、露光状態に応じて媒体流量を制御することができ
、露光プロセスのスループットを低下させることなく、
ウェハ温度を所定の許容温度以下に保ち、媒体の流れの
振動によるパターン精度の低下を防止し、高精度のパタ
ーニングが可能になる。
第１図は本発明に係わる第１の実施例の構成図。
第２図は第１の実施例のウェハチャック部の詳細図。
第３図は第１の実施例のタイミングチャート。
第４図は第１の実施例の露光順序を示す図。
第５図は本発明に係わる第２の実施例。
１０１・・・光源
１０２・・・シャッタ
１０３・・・マスク
１０４・・・ウェハ
１０５・・・ウアハチャック
１０６・・・位置合わせ用ステージ
１０７・・・露光制御部
１０８・・・流量調節部
１０９・・・温調ポンプ
１１０ａ〜１１０ｅ・・・流量調節バルブ１１１ ａ
〜１１１ ｅ−配管Ａ〜配管Ｅ１１２・・・通信線 ０１
〜１１１ ｅ−配管Ａ〜配管Ｅ１１２・・・通信線 ０１
Claims (1)
- （１）マスク上のパターンを感光剤を塗布した基板上の
複数領域に順次転写露光する露光装置において、 前記基板を吸着する吸着面を有する吸着手段と、 前記吸着面上の複数領域のそれぞれに対応して設けられ
た温度調整手段と、 前記温度調整手段それぞれを各々独立して制御する制御
手段とを備え、 前記温度調整手段は、前記吸着面近傍に温調流体を循環
させることにより前記吸着面を介して前記基板の温度調
整を行ない、且つ前記制御手段は露光状態及び露光位置
情報に対応して、露光時において前記循環流体の総流量
を非露光時に比べて減少させるとともに、露光位置に対
応する前記吸着面の領域の温度調整手段の循環流量を他
の領域の循環流量より増大させる制御を行なうことを特
徴とする露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138809A JP2774574B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 露光装置 |
| EP89308821A EP0357423B1 (en) | 1988-09-02 | 1989-08-31 | An exposure apparatus |
| DE68921687T DE68921687T2 (de) | 1988-09-02 | 1989-08-31 | Belichtungseinrichtung. |
| US07/658,434 US5063582A (en) | 1988-09-02 | 1991-02-20 | Liquid cooled x-ray lithographic exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1138809A JP2774574B2 (ja) | 1989-05-30 | 1989-05-30 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH033222A true JPH033222A (ja) | 1991-01-09 |
| JP2774574B2 JP2774574B2 (ja) | 1998-07-09 |
Family
ID=15230748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1138809A Expired - Fee Related JP2774574B2 (ja) | 1988-09-02 | 1989-05-30 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2774574B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007519238A (ja) * | 2004-01-20 | 2007-07-12 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
| JP2007281462A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2009105443A (ja) * | 2004-08-13 | 2009-05-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US9810996B2 (en) | 2006-05-09 | 2017-11-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optical imaging device with thermal attenuation |
-
1989
- 1989-05-30 JP JP1138809A patent/JP2774574B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2007519238A (ja) * | 2004-01-20 | 2007-07-12 | カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
| JP4843503B2 (ja) * | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
| JP2015135524A (ja) * | 2004-01-20 | 2015-07-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
| US10345710B2 (en) | 2004-01-20 | 2019-07-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Microlithographic projection exposure apparatus and measuring device for a projection lens |
| US10254663B2 (en) | 2004-08-13 | 2019-04-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater |
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| JP2012064982A (ja) * | 2004-08-13 | 2012-03-29 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| JP2014027308A (ja) * | 2004-08-13 | 2014-02-06 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
| US10838310B2 (en) | 2004-08-13 | 2020-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a heater |
| JP2010147506A (ja) * | 2006-04-06 | 2010-07-01 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2774574B2 (ja) | 1998-07-09 |
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