JPH1126366A - 処理液供給機構および液吐出機構 - Google Patents

処理液供給機構および液吐出機構

Info

Publication number
JPH1126366A
JPH1126366A JP19337897A JP19337897A JPH1126366A JP H1126366 A JPH1126366 A JP H1126366A JP 19337897 A JP19337897 A JP 19337897A JP 19337897 A JP19337897 A JP 19337897A JP H1126366 A JPH1126366 A JP H1126366A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
processing liquid
liquid
pipe
processing
supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19337897A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuo Konishi
信夫 小西
Keizo Hirose
圭藏 廣瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP19337897A priority Critical patent/JPH1126366A/ja
Priority to SG200002283A priority patent/SG115335A1/en
Priority to TW087110107A priority patent/TW421818B/zh
Priority to SG200002282-2A priority patent/SG135904A1/en
Priority to SG9801488A priority patent/SG81234A1/en
Priority to US09/105,166 priority patent/US6165270A/en
Priority to KR1019980026753A priority patent/KR100659417B1/ko
Publication of JPH1126366A publication Critical patent/JPH1126366A/ja
Priority to US09/708,633 priority patent/US6383291B1/en
Priority to US09/708,631 priority patent/US6431258B1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配管を通流する液体中に微細気泡が発生する
こと、および液体の劣化が生じることを防止することが
できる処理液供給機構および液吐出機構を提供するこ
と。 【解決手段】 被処理体に処理液を供給する処理液供給
機構であって、処理液Lを収容する処理液源42と、処理
液源42から被処理体Wへ処理液を導く処理液配管41と、
処理液Lを処理液源42から被処理体Wへ向けて供給する
処理液供給駆動系44,45と、処理液の供給および停止を
行う処理液供給/停止手段47,48とを具備し、処理液配
管42と処理液供給駆動系44,45とは別個に設けられ、処
理液供給/停止手段47,48が処理液配管41以外に設けら
れている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやLCD基板等の被処理体に対してレジスト液や現像
液等の処理液を供給するための処理液供給機構および液
吐出機構に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスや液晶表示素子の製造に
おいては、被処理体としての半導体ウエハやにLCD基
板にフォトレジストを塗布し、回路パターンに対応して
フォトレジストを露光し、これを現像処理するという、
いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターン
が形成される。
【0003】このような塗布・現像処理においては、処
理液として、レジスト液、現像液等が用いられる。そし
て、現状では、これらの処理液は、処理液タンクからポ
ンプにより配管を通って被処理体に供給される。このた
め、これら配管には、ポンプの他、処理液の吐出を制御
するためのバルブ類、例えばエアオペレーションバルブ
やサックバックバルブ等が介在され、さらにこれら取り
付けるために必要な継手も介在される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、配管に
これらバルブや継手等が存在すると、オリフィスが多く
形成されて液の圧力変化が発生するため、それに伴って
処理液中に微細気泡が発生する。このような微細気泡
は、特にデバイスの微細化の要請に対応して用いられて
いるi線レジスト等を用いる場合に影響が大きく、微細
気孔の存在により精度の高い配線パターンを形成できな
いおそれがある。
【0005】また、配管中にバルブや継手が存在するこ
とにより、処理液の滞留部分が生じ、長時間経過するこ
とにより処理液の成分変化が生じ、劣化した処理液が吐
出される場合がある。例えば、レジスト液の場合には、
長時間滞留することにより感光物が破壊され、レジスト
の機能が低下してしまう。
【0006】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、配管を通流する液体中に微細気泡が発生する
こと、および液体の劣化が生じることを防止することが
できる処理液供給機構および液吐出機構を提供すること
を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第1発明は、被処理体に処理液を供給する処理液供
給機構であって、処理液を収容する処理液源と、処理液
源から被処理体へ処理液を導く処理液配管と、処理液を
処理液源から被処理体へ向けて供給する処理液供給駆動
系と、処理液の供給および停止を行う処理液供給/停止
手段とを具備し、前記処理液配管と処理液供給駆動系と
は別個に設けられ、前記処理液供給/停止手段が前記処
理液配管以外に設けられていることを特徴とする処理液
供給機構を提供する。
【0008】第2発明は、第1発明において、前記処理
液供給駆動系は、前記処理液源中の処理液にガス圧を印
加し、そのガス圧で処理液を送出するガス圧印加手段を
有していることを特徴とする処理液供給機構を提供す
る。
【0009】第3発明は、第2発明において、前記処理
液供給駆動系は、前記ガス圧印加手段の圧力を制御する
ガス圧制御手段を有していることを特徴とする処理液供
給機構を提供する。
【0010】第4発明は、第1発明ないし第3発明のい
ずれかにおいて、前記処理液供給/停止手段が処理液供
給駆動系に設けられていることを特徴とする処理液供給
機構を提供する。
【0011】第5発明は、第1発明ないし第4発明のい
ずれかにおいて、前記処理液供給/停止手段はバルブを
有していることを特徴とする処理液供給機構を提供す
る。
【0012】第6発明は、第1発明ないし第5発明のい
ずれかにおいて、前記処理液配管は、その処理液流路に
実質的に他の部材が介在されていないことを特徴とする
処理液供給機構を提供する。
【0013】第7発明は、被処理体に処理液を供給する
処理液供給機構であって、処理液を収容する処理液源
と、処理液源から被処理体へ処理液を導く処理液配管
と、前記処理液源の処理液を加圧するためのガスを供給
する加圧ガス源と、加圧ガス源のガスを処理液源に導く
加圧配管と、加圧配管に設けられ、ガス圧の供給および
停止を行うガス圧供給・停止バルブとを具備し、前記処
理液配管と加圧配管とは別個に設けられ、前記ガス圧供
給・停止バルブを開にした状態で前記加圧ガス源から前
記加圧配管を介して処理液源の処理液を加圧することに
より前記処理液配管を介して被処理体に処理液を供給
し、前記ガス圧供給・停止バルブを閉じることにより処
理液の供給を停止することを特徴とする処理液供給機構
を提供する。
【0014】第8発明は、第7発明において、さらに、
一端が前記処理液源に挿入され他端が開放された大気開
放配管と、この大気開放配管に設けられた大気開放バル
ブとを有することを特徴とする処理液供給機構を提供す
る。
【0015】第9発明は、第8発明において、さらに、
前記ガス圧供給・停止バルブおよび前記大気開放バルブ
を制御する制御手段を有することを特徴とする処理液供
給機構を提供する。
【0016】第10発明は、第9発明において、さら
に、前記処理液配管の先端の処理液面の位置を検出する
センサーを有し、前記制御手段は、このセンサーの検出
信号に基づいて前記大気開放バルブを制御することを特
徴とする処理液供給機構を提供する。
【0017】第11発明は、第8発明ないし第10発明
のいずれかにおいて、さらに、前記ガス圧供給・停止バ
ルブおよび前記大気開放バルブが閉じられた状態で前記
処理液源に微細な加圧力を与える加圧手段と、その圧力
を制御するレギュレータとを有することを特徴とする処
理液供給機構を提供する。
【0018】第12発明は、第7発明ないし第11発明
のいずれかにおいて、さらに、前記加圧配管に設けら
れ、前記加圧ガス源の圧力を制御するレギュレータを有
することを特徴とする処理液供給機構を提供する。
【0019】第13発明は、液体を収容する液体源と、
前記液体源に接続され、液体を吐出する液吐出配管と、
液体を吐出する駆動力を与える液吐出駆動系と、液体の
吐出および停止を行う液吐出/停止手段とを具備し、前
記液吐出配管と液吐出駆動系とは別個に設けられ、前記
液吐出/停止手段が前記液吐出配管以外に設けられてい
ることを特徴とする液吐出機構を提供する。
【0020】第14発明は、第13発明において、前記
液吐出駆動系は、前記液体源中の液体にガス圧を印加
し、そのガス圧で液体を送出するガス圧印加手段を有し
ていることを特徴とする液吐出機構を提供する。
【0021】第15発明は、第14発明において、前記
液吐出駆動系は、前記ガス圧印加手段の圧力を制御する
ガス圧制御手段を有していることを特徴とする液吐出機
構を提供する。
【0022】第16発明は、第13発明ないし第15発
明のいずれかにおいて、前記液吐出/停止手段が液吐出
駆動系に設けられていることを特徴とする液吐出機構を
提供する。
【0023】第17発明は、第13発明ないし第16発
明のいずれかにおいて、前記液吐出/停止手段はバルブ
を有していることを特徴とする液吐出機構を提供する。
【0024】第18発明は、第13発明ないし第17発
明のいずれかにおいて、前記液吐出配管は、その液体流
路に実質的に他の部材が介在されていないことを特徴と
する液吐出機構を提供する。
【0025】第1発明および第13発明においては、従
来液体が通流する配管に設けられていた処理液供給/停
止手段ないしは液吐出/停止手段を配管以外に設けたの
で、配管にはバルブおよびそれを取り付けるための継手
が不要となり、配管中にオリフィスや滞留部分が発生す
ることが回避される。したがって、配管を通流する液体
中に微細気泡が発生すること、および液体の劣化が生じ
ることを防止することができる。
【0026】第2発明および第14発明においては、処
理液供給駆動系ないしは液吐出駆動系がガス加圧手段を
備えており、ガスの圧力で液体を送出するので、配管に
ポンプ等を設けることなく容易に処理液の供給ないしは
液の吐出を行うことができる。
【0027】第3発明および第15発明においては、ガ
ス圧制御手段によりガス圧印加手段の圧力を制御するの
で、精度よく処理液の供給ないしは液の吐出を制御する
ことができる。
【0028】第4発明においては、処理液供給/停止手
段が処理液供給駆動系に設けられているので、処理液供
給/停止手段により処理液供給駆動系の駆動力をオン・
オフすることによって容易に処理液の供給および停止を
行うことができる。また、第16発明においては、液吐
出/停止手段が液吐出駆動系に設けられているので、液
吐出/停止手段により液吐出駆動系の駆動力をオン・オ
フすることによって容易に液体の吐出および停止を行う
ことができる。
【0029】第5発明および第17発明においては、処
理液供給/停止手段ないしは液吐出/停止手段がバルブ
を有しているのでバルブの切換により容易に処理液供給
および停止ならびに液吐出および停止を行うことができ
る。
【0030】第6発明および第18発明においては、処
理液供給配管ないし液吐出配管の流路に実質的に他の部
材が介在されていないので、よどみなく液体を通流させ
ることができ、したがって微細気泡の発生および液体の
劣化を一層有効に防止することができる。
【0031】第7発明においては、処理液配管と加圧配
管とを別個に設け、ガス圧供給・停止バルブを開にした
状態で加圧ガス源から加圧配管を介して処理液源の処理
液を加圧することにより処理液配管を介して被処理体に
処理液を供給し、ガス圧供給・停止バルブを閉じること
により処理液の供給を停止するので、処理液配管にはバ
ルブおよびそれを取り付けるための継手が不要となり、
処理液配管中にオリフィスや滞留部分が発生することが
回避される。したがって、処理液配管を通流する液体中
に微細気泡が発生すること、および液体の劣化が生じる
ことを防止することができる。
【0032】第8発明においては、一端が前記処理液源
に挿入され他端が開放された大気開放配管と、この大気
開放配管に設けられた大気開放バルブとを有するので、
ガス圧供給・停止バルブを閉じた状態で大気開放バルブ
を開にすることにより、処理液配管内の処理液をサック
バックすることが可能となる。
【0033】第9発明においては、ガス圧供給・停止バ
ルブおよび大気開放バルブを制御する制御手段を有する
ので、処理液の供給、停止およびサックバックを高精度
で行うことができる。
【0034】第10発明においては、処理液配管の先端
の処理液面の位置を検出するセンサーを有し、制御手段
がこのセンサーの検出信号に基づいて大気開放バルブを
制御するので、処理液配管内の処理液の液面位置を制御
することができる。
【0035】第11発明においては、ガス圧供給・停止
バルブおよび大気開放バルブが閉じられた状態で前記処
理液源に微細な加圧力を与える加圧手段と、その圧力を
制御するレギュレータとを有するので、レギュレータに
より圧力制御を行うことにより、処理液配管内の液面位
置の微調整を行うことができる。
【0036】第12発明においては、加圧配管に加圧ガ
ス源の圧力を制御するレギュレータを設けたので、処理
液源の処理液に印加される圧力を制御することができ、
もって処理液の供給量を高精度で制御することができ
る。
【0037】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発
明が適用される半導体ウエハの塗布・現像処理システム
を示す斜視図である。
【0038】この塗布・現像処理システムは、複数の半
導体ウエハWを収容するカセットCを載置するカセット
ステーション1と、半導体ウエハWにレジスト塗布およ
び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニッ
トを備えた処理部2と、カセットステーション1上のカ
セットCと処理部2との間で半導体ウエハWの搬送を行
うための搬送機構3とを備えている。そして、カセット
ステーション1においてシステムへのカセットCの搬入
およびシステムからのカセットCの搬出が行われる。ま
た、搬送機構3はカセットの配列方向に沿って設けられ
た搬送路12上を移動可能な搬送アーム11を備え、こ
の搬送アーム11によりカセットCと処理部2との間で
半導体ウエハWの搬送が行われる。
【0039】処理部2は、前段部分2aと後段部分2b
とに分かれており、それぞれ中央に通路15、16を有
しており、これら通路の両側に各処理ユニットが配設さ
れている。そして、これらの間には中継部17が設けら
れている。
【0040】前段部2aは、通路15に沿って移動可能
なメインアーム18を備えており、通路15の一方側に
は、ブラシ洗浄ユニット21、水洗ユニット22、アド
ヒージョン処理ユニット23、および冷却ユニット24
が、他方側には2つのレジスト塗布ユニット25が配置
されている。一方、後段部2bは、通路16に沿って移
動可能なメインアーム19を備えており、通路19の一
方側には複数の加熱処理ユニット26および冷却ユニッ
ト27からなる熱系ユニット群28が、他方側には2つ
の現像処理ユニット29が配置されている。熱系ユニッ
ト群28は、ユニットが2段積層されてなる組が通路1
9に沿って3つ並んでおり、上段が加熱処理ユニット2
6であり、下段が冷却ユニット27である。加熱処理ユ
ニット26は、レジストの安定化のためのプリベーク、
露光後のポストエクスポージャーベーク、および現像後
のポストベーク処理を行うものである。なお、後段部2
bの後端には露光装置(図示せず)との間で半導体ウエ
ハWの受け渡しを行うためのインターフェース部30が
設けられている。
【0041】上記メインアーム18は、搬送機構3のア
ーム11との間で半導体ウエハWの受け渡しを行うとと
もに、前段部2aの各処理ユニットに対する半導体ウエ
ハWの搬入・搬出、さらには中継部17との間で半導体
ウエハWの受け渡しを行う機能を有している。また、メ
インアーム19は中継部17との間で半導体ウエハWの
受け渡しを行うとともに、後段部2bの各処理ユニット
に対する半導体ウエハWの搬入・搬出、さらにはインタ
ーフェース部30との間の半導体ウエハWの受け渡しを
行う機能を有している。このように各処理ユニットを集
約して一体化することにより、省スペース化および処理
の効率化を図ることができる。
【0042】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットC内の半導体ウエハWが、処
理部2に搬送され、まず、洗浄ユニット21および水洗
ユニット22により洗浄処理され、レジストの定着性を
高めるためにアドヒージョン処理ユニット23にて疎水
化処理され、冷却ユニット24で冷却後、レジスト塗布
ユニット25でレジストが塗布される。その後、半導体
ウエハWは、加熱処理ユニット26の一つでプリベーク
処理され、冷却ユニット27で冷却された後、インター
フェース部30を介して露光装置に搬送されてそこで所
定のパターンが露光される。そして、再びインターフェ
ース部30を介して搬入され、加熱処理ユニット26の
一つでポストエクスポージャーベーク処理が施される。
その後、冷却ユニット27で冷却された半導体ウエハW
は、現像処理ユニット29で現像処理され、所定の回路
パターンが形成される。現像処理された半導体ウエハW
は、メインアーム19,18および搬送機構3によって
カセットステーション1上の所定のカセットに収容され
る。
【0043】次に、本発明の対象である処理液供給機構
が適用されたレジスト塗布ユニット25について、図2
を参照しながら説明する。図2に示すように、レジスト
塗布ユニット25は、半導体ウエハWを吸着保持するス
ピンチャック31を有し、その上方に、ノズルホルダー
32が設けられている。ノズルホルダー32には、レジ
スト液ノズル33と溶剤ノズル34が取り付けられてい
る。なお、スピンチャック31に保持された半導体ウエ
ハWはカップ(図示せず)に囲繞されている。
【0044】レジスト液ノズル33にはノズル33内の
液面を検出するための透過型センサー35が設けられて
いる。この透過型センサー35は、図3に示すように、
発光子35aおよび受光子35bを備えており、発光子
35aからノズル33を透過して受光子35bに入射し
た光の光量によりその透過部分の液の有無を検出し、こ
れにより液面検出を行う。
【0045】レジスト液供給機構40は、レジスト液供
給配管41を有しており、その一端には前記レジスト液
ノズル33が設けられ、他端はレジスト液容器42内に
挿入されている。レジスト液容器42内にはレジスト液
Lが貯留され、このレジスト容器42は加圧容器43に
収容されている。レジスト液供給配管41には従来のよ
うなポンプ、エアオペレーションバルブ、サックバック
バルブ、フィルター等は設けられていない。
【0046】加圧容器43には配管44の一端が接続さ
れており、配管44の他端は大気開放されている。この
配管44にはエアオペレーションバルブ45が設けられ
ている。配管44のエアオペレーションバルブ45と加
圧容器43との間の部分には配管46が分岐して接続さ
れており、その先端にはN2ガスボンベ47が設けられ
ている。この配管46には、加圧のための圧力を調整す
るレギュレータ48およびエアオペレーションバルブ4
9が設けられている。また、配管46のレギュレータ4
8とエアオペレーションバルブ49との間の部分には配
管50が分岐して接続されており、配管50の他端は配
管44の加圧容器43近傍部分に接続されている。この
配管50にはレギュレータ51が設けられている。
【0047】エアオペレーションバルブ45,49およ
びレギュレータ48,51はコントローラ60により制
御される。また、透過型センサー35の受光子35bか
らの出力はコントローラ60に入力される。そして、エ
アオペレーションバルブ45を閉じエアオペレーション
バルブ49を開にすることにより、加圧容器43内にN
2ガスボンベ47のガス圧が印加され、そのガス圧によ
り容器42内のレジスト液Lがレジスト液供給配管41
を圧送され、ノズル33から吐出される。また、エアオ
ペレーションバルブ45を開にしてエアオペレーション
バルブ49を閉にすることにより、レジスト液吐出終了
後にノズル33先端のレジスト液をサックバックするこ
とができる。さらに、これらバルブを両方とも閉にする
ことにより、レジスト液ノズル33内のレジスト液面が
停止する。
【0048】一方、溶剤供給機構70は、溶剤供給配管
71を有しており、その一端には前記溶剤ノズル34が
設けられている。図示は省略しているが、この溶剤供給
機構70は基本的にレジスト液供給機構40と同様の構
成を有している。
【0049】次に、レジスト液供給機構40によるレジ
スト液供給動作について説明する。レジスト液をノズル
33から吐出させて、レジスト液を半導体ウエハWに供
給する場合には、まず、エアオペレーションバルブ45
を閉にし、エアオペレーションバルブ49を開にして、
2ガスボンベ47から配管46および44を通って、
加圧容器43内にN2ガスを供給する。このガス圧によ
り、レジスト液容器42内のレジスト液Lが配管41を
通ってその先端に設けられたノズル33から吐出され、
半導体ウエハWに供給される。この場合に、コントロー
ラ60がレギュレータ48をコントロールし、加圧レベ
ルが適切な値になるように調整する。このようにして加
圧レベルを調整することにより、所定の圧力が容器42
内のレジスト液Lに印加され、所望の量のレジスト液が
所定時間、例えば1〜5secの間吐出される。
【0050】所定量のレジスト液を吐出した時点でエア
オペレーションバルブ49を閉じレジスト液の吐出を停
止する。そして、それと同時にエアオペレーションバル
ブ45を開にして配管44を大気開放する。これによ
り、加圧容器43内が減圧され、配管41内のレジスト
液が容器42に向けて引き戻される。このようなサック
バック機能により、レジスト液吐出終了後、配管に残存
したレジスト液が滴下されることが防止される。この場
合に、透過型センサー35により、ノズル33内の液面
がセンサーからの光のレベよりも先端にあることが検出
されている際にはエアオペレーションバルブ45は開の
ままにし、液面が光のレベルよりも戻されたことを検出
した時点でエアオペレーションバルブ45を閉にする。
これによりノズル33内の液面が停止する。ノズル33
内の液面位置の微調整は、バルブ45および49が閉じ
られた状態で、レギュレータ51を調整し、わずかな加
圧力を加圧容器43内に印加することにより行う。
【0051】このようにして1回のレジスト液の吐出が
終了した後、次のレジスト液吐出に備える。そして、同
様の動作を繰り返すことにより、所定枚の半導体ウエハ
Wのレジスト塗布を行う。
【0052】このように、レジスト液配管41に、従来
のようなエアオペレーションバルブ、サックバックバル
ブ、ポンプ、フィルター等を介在させないため、これら
の継手も不要となり、レジスト液流路には他の部材が全
く存在していないので、よどみなくレジスト液を通流さ
せることができ、配管中にオリフィルや滞留部分が発生
することが回避される。したがって配管41中に通流す
るレジスト液に微細気泡が発生したり、レジスト液の劣
化が生じたりすることを防止することができる。
【0053】また、加圧容器43にガス圧を印加し、そ
のガス圧で配管41内を通ってレジスト液を圧送するの
で、配管にポンプを設けることなく容易にレジスト液を
供給することができる。さらに、ガス圧供給系を調節す
ることにより、レジスト液の吐出のオン・オフをコント
ロールし、さらにバルブの切換でサックバックを行うの
で、配管41にエアオペレーションバルブおよびサック
バックバルブがなくても、レジスト液の吐出/停止およ
びサックバックを容易に行うことができる。そして、そ
の際にレジスト液吐出のオン・オフ制御およびサックバ
ックは、エアオペレーションバルブにより行えばよいの
で極めて簡便である。さらに、コントローラ60により
バルブおよびレギュレータをコントロールするので、極
めて高い精度のレジスト液の吐出制御を行うことができ
る。
【0054】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、配管41を通流
するレジスト液は、温度制御することが好ましく、温度
制御を行う場合には、図4に示すように、配管41の周
囲に温度調節機構61を設ける。しかし、気泡発生防止
および滞留防止の観点から、極力継手等を用いずに温度
調節機構61を設けることが好ましい。
【0055】また、圧送ガスとしてN2ガスを用いた
が、これに限らずレジスト液に悪影響を及ぼさないガス
であればどのようなガスであってもよい。ガスを加圧容
器に供給する手段としてはポンプを用いてもよい。
【0056】さらに、上記実施の形態では、レジスト液
容器42を加圧容器43に入れ、加圧容器内にガス圧を
印加したが、レジスト液容器42に直接ガス圧を印加す
るようにしてもよい。
【0057】さらにまた、上記実施の形態では、本発明
の機構を塗布ユニットにおけるレジスト液の供給に用い
た例を示したが、現像処理ユニットにおける現像液の供
給に用いることができることはいうまでもない。また、
塗布・現像ユニットに適用した例を示したが、これに限
らず他の処理装置に適用することもできる。被処理体と
して半導体ウエハを用いた場合について示したが、これ
に限らずLCD基板等他の被処理体の処理の場合にも適
用可能であることはいうまでもない。また、被処理体に
対する処理液の供給に限らず、液体の吐出全般に適用す
ることが可能である。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように、第1発明および第
7発明によれば、処理液供給/停止手段ないしは液吐出
/停止手段を配管以外に設けたので、配管にはバルブお
よびそれを取り付けるための継手が不要となり、配管中
にオリフィスや滞留部分が発生することが回避される。
したがって、配管を通流する液体中に微細気泡が発生す
ること、および液体の劣化が生じることを防止すること
ができる。
【0059】第2発明および第8発明によれば、ガスの
圧力で液体を送出するので、配管にポンプ等を設けるこ
となく容易に処理液の供給ないしは液の吐出を行うこと
ができる。
【0060】第3発明および第9発明によれば、ガス圧
制御手段によりガス圧印加手段の圧力を制御するので、
精度よく処理液の供給ないしは液の吐出を制御すること
ができる。
【0061】第4発明および第10発明によれば、処理
液供給/停止手段ないしは液吐出3/停止手段により駆
動系の駆動力をオン・オフすることによって容易に処理
液等の液体の供給および停止を行うことができる。
【0062】第5発明および第11発明によれば、バル
ブの切換により容易に処理液供給および停止ならびに液
吐出および停止を行うことができる。第6発明および第
12発明によれば、処理液供給配管ないし液吐出配管の
流路に実質的に他の部材が介在されていないので、よど
みなく液体を通流させることができ、したがって微細気
泡の発生および液体の劣化を一層有効に防止することが
できる。
【0063】第7発明によれば、処理液配管と加圧配管
とを別個に設け、ガス圧供給・停止バルブを開にした状
態で加圧ガス源から加圧配管を介して処理液源の処理液
を加圧することにより処理液配管を介して被処理体に処
理液を供給し、ガス圧供給・停止バルブを閉じることに
より処理液の供給を停止するので、処理液配管にはバル
ブおよびそれを取り付けるための継手が不要となり、処
理液配管中にオリフィスや滞留部分が発生することが回
避される。したがって、処理液配管を通流する液体中に
微細気泡が発生すること、および液体の劣化が生じるこ
とを防止することができる。
【0064】第8発明によれば、処理液源に大気開放配
管を設け、それに大気開放バルブを設けたので、ガス圧
供給・停止バルブを閉じた状態で大気開放バルブを開に
することにより、処理液配管内の処理液をサックバック
することが可能となる。
【0065】第9発明によれば、ガス圧供給・停止バル
ブおよび大気開放バルブを制御する制御手段を有するの
で、処理液の供給、停止およびサックバックを高精度で
行うことができる。
【0066】第10発明によれば、制御手段が、処理液
配管の先端の処理液面の位置を検出するセンサーの検出
信号に基づいて大気開放バルブを制御するので、処理液
配管内の処理液の液面位置を制御することができる。
【0067】第11発明によれば、ガス圧供給・停止バ
ルブおよび大気開放バルブが閉じられた状態で前記処理
液源に微細な加圧力を与える加圧手段と、その圧力を制
御するレギュレータとを有するので、レギュレータによ
り圧力制御を行うことにより、処理液配管内の液面位置
の微調整を行うことができる。
【0068】第12発明によれば、加圧配管に加圧ガス
源の圧力を制御するレギュレータを設けたので、処理液
源の処理液に印加される圧力を制御することができ、も
って処理液の供給量を高精度で制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の対象となる処理液供給機構が適用され
るレジスト塗布・現像システムを示す斜視図。
【図2】本発明の処理液供給機構が組み込まれたレジス
ト塗布ユニットにおけるレジスト液および溶剤の供給系
を示す図。
【図3】レジスト液ノズル内の液面を検出する状態を説
明する図。
【図4】本発明の処理液供給機構の他の実施形態を示す
図。
【符号の説明】
25……レジスト塗布ユニット 33……レジスト液ノズル 34……溶剤ノズル 40……レジスト液供給系 41……レジスト液供給配管 42……レジスト液容器 43……加圧容器 44,46,50……配管 45,49……エアオペレーションバルブ 47……N2ガスボンベ 48,51……レギュレータ 60……コントローラ W……半導体ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/30 569A

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体に処理液を供給する処理液供給
    機構であって、 処理液を収容する処理液源と、 処理液源から被処理体へ処理液を導く処理液配管と、 処理液を処理液源から被処理体へ向けて供給する処理液
    供給駆動系と、 処理液の供給および停止を行う処理液供給/停止手段と
    を具備し、 前記処理液配管と処理液供給駆動系とは別個に設けら
    れ、前記処理液供給/停止手段が前記処理液配管以外に
    設けられていることを特徴とする処理液供給機構。
  2. 【請求項2】 前記処理液供給駆動系は、前記処理液源
    中の処理液にガス圧を印加し、そのガス圧で処理液を送
    出するガス圧印加手段を有していることを特徴とする請
    求項1に記載の処理液供給機構。
  3. 【請求項3】 前記処理液供給駆動系は、前記ガス圧印
    加手段の圧力を制御するガス圧制御手段を有しているこ
    とを特徴とする請求項2に記載の処理液供給機構。
  4. 【請求項4】 前記処理液供給/停止手段は処理液供給
    駆動系に設けられていることを特徴とする請求項1ない
    し請求項3のいずれか1項に記載の処理液供給機構。
  5. 【請求項5】 前記処理液供給/停止手段はバルブを有
    していることを特徴とする請求項1ないし請求項4のい
    ずれか1項に記載の処理液供給機構。
  6. 【請求項6】 前記処理液配管は、その処理液流路に実
    質的に他の部材が介在されていないことを特徴とする請
    求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の処理液供
    給機構。
  7. 【請求項7】 被処理体に処理液を供給する処理液供給
    機構であって、 処理液を収容する処理液源と、 処理液源から被処理体へ処理液を導く処理液配管と、 前記処理液源の処理液を加圧するためのガスを供給する
    加圧ガス源と、 加圧ガス源のガスを処理液源に導く加圧配管と、 加圧配管に設けられ、ガス圧の供給および停止を行うガ
    ス圧供給・停止バルブとを具備し、 前記処理液配管と加圧配管とは別個に設けられ、前記ガ
    ス圧供給・停止バルブを開にした状態で前記加圧ガス源
    から前記加圧配管を介して処理液源の処理液を加圧する
    ことにより前記処理液配管を介して被処理体に処理液を
    供給し、前記ガス圧供給・停止バルブを閉じることによ
    り処理液の供給を停止することを特徴とする処理液供給
    機構。
  8. 【請求項8】 さらに、一端が前記処理液源に挿入され
    他端が開放された大気開放配管と、この大気開放配管に
    設けられた大気開放バルブとを有することを特徴とする
    請求項7に記載の処理液供給機構。
  9. 【請求項9】 さらに、前記ガス圧供給・停止バルブお
    よび前記大気開放バルブを制御する制御手段を有するこ
    とを特徴とする請求項8に記載の処理液供給機構。
  10. 【請求項10】 さらに、前記処理液配管の先端の処理
    液面の位置を検出するセンサーを有し、前記制御手段
    は、このセンサーの検出信号に基づいて前記大気開放バ
    ルブを制御することを特徴とする請求項9に記載の処理
    液供給機構。
  11. 【請求項11】 さらに、前記ガス圧供給・停止バルブ
    および前記大気開放バルブが閉じられた状態で前記処理
    液源に微細な加圧力を与える加圧手段と、その圧力を制
    御するレギュレータとを有することを特徴とする請求項
    8ないし請求項10に記載の処理液供給機構。
  12. 【請求項12】 さらに、前記加圧配管に設けられ、前
    記加圧ガス源の圧力を制御するレギュレータを有するこ
    とを特徴とする請求項7乃至請求項11のいずれか1項
    に記載の処理液供給機構。
  13. 【請求項13】 液体を収容する液体源と、 前記液体源に接続され、液体を吐出する液吐出配管と、 液体を吐出する駆動力を与える液吐出駆動系と、 液体の吐出および停止を行う液吐出/停止手段とを具備
    し、 前記液吐出配管と液吐出駆動系とは別個に設けられ、前
    記液吐出/停止手段が前記液吐出配管以外に設けられて
    いることを特徴とする液吐出機構。
  14. 【請求項14】 前記液吐出駆動系は、前記液体源中の
    液体にガス圧を印加し、そのガス圧で液体を送出するガ
    ス印加手段を有していることを特徴とする請求項7に記
    載の液吐出機構。
  15. 【請求項15】 前記液吐出駆動系は、前記ガス圧印加
    手段の圧力を制御するガス圧制御手段を有していること
    を特徴とする請求項8に記載の液吐出機構。
  16. 【請求項16】 前記液吐出/停止手段は液吐出駆動系
    に設けられていることを特徴とする請求項7ないし請求
    項9のいずれか1項に記載の液吐出機構。
  17. 【請求項17】 前記液吐出/停止手段はバルブを有し
    ていることを特徴とする請求項7ないし請求項10のい
    ずれか1項に記載の液吐出機構。
  18. 【請求項18】 前記液吐出配管は、その液体流路に実
    質的に他の部材が介在されていないことを特徴とする請
    求項7ないし請求項11のいずれか1項に記載の液吐出
    機構。
JP19337897A 1997-07-04 1997-07-04 処理液供給機構および液吐出機構 Pending JPH1126366A (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19337897A JPH1126366A (ja) 1997-07-04 1997-07-04 処理液供給機構および液吐出機構
SG200002283A SG115335A1 (en) 1997-07-04 1998-06-23 Process solution supplying apparatus
TW087110107A TW421818B (en) 1997-07-04 1998-06-23 Process solution supplying apparatus
SG200002282-2A SG135904A1 (en) 1997-07-04 1998-06-23 Process solution supplying apparatus
SG9801488A SG81234A1 (en) 1997-07-04 1998-06-23 Process solution supplying apparatus
US09/105,166 US6165270A (en) 1997-07-04 1998-06-26 Process solution supplying apparatus
KR1019980026753A KR100659417B1 (ko) 1997-07-04 1998-07-03 처리액공급장치
US09/708,633 US6383291B1 (en) 1997-07-04 2000-11-09 Process solution supplying apparatus
US09/708,631 US6431258B1 (en) 1997-07-04 2000-11-09 Process solution supplying apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19337897A JPH1126366A (ja) 1997-07-04 1997-07-04 処理液供給機構および液吐出機構

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1126366A true JPH1126366A (ja) 1999-01-29

Family

ID=16306933

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19337897A Pending JPH1126366A (ja) 1997-07-04 1997-07-04 処理液供給機構および液吐出機構

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1126366A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100468517B1 (ko) * 2002-08-21 2005-01-27 씨앤지하이테크 주식회사 반도체 및 엘씨디(lcd) 감광용 약액 중앙공급제어장치
JP2005334803A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Toppan Printing Co Ltd 塗工装置
CN113731752A (zh) * 2021-09-18 2021-12-03 邵宇辰 一种黄水曲柳生态板防水漆涂抹机器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100468517B1 (ko) * 2002-08-21 2005-01-27 씨앤지하이테크 주식회사 반도체 및 엘씨디(lcd) 감광용 약액 중앙공급제어장치
JP2005334803A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Toppan Printing Co Ltd 塗工装置
JP4645066B2 (ja) * 2004-05-28 2011-03-09 凸版印刷株式会社 塗工装置
CN113731752A (zh) * 2021-09-18 2021-12-03 邵宇辰 一种黄水曲柳生态板防水漆涂抹机器
CN113731752B (zh) * 2021-09-18 2022-07-05 邵宇辰 一种黄水曲柳生态板防水漆涂抹机器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100659417B1 (ko) 처리액공급장치
US20180093205A1 (en) Solution treatment apparatus and solution treatment method
US8136477B2 (en) Apparatus for and method of dispensing chemical solution in spin-coating equipment
JP3410342B2 (ja) 塗布装置
US7237581B2 (en) Apparatus and method of dispensing photosensitive solution in semiconductor device fabrication equipment
JP3990567B2 (ja) ダイヤフラムバルブ、基板処理ユニットおよび基板処理装置
US6258167B1 (en) Process liquid film forming apparatus
JP4335470B2 (ja) 塗布装置及び混合装置
KR20190029426A (ko) 처리액 공급 장치
JPH1126366A (ja) 処理液供給機構および液吐出機構
JPH11135472A (ja) 基板処理装置
JP3704054B2 (ja) 処理液の濃度を変更する方法及び処理液供給装置
JP3055998B2 (ja) ガス供給装置
JPH04330961A (ja) 現像処理装置
KR20190103947A (ko) 기판 처리 장치, 처리액 배출 방법, 처리액 교환 방법, 및 기판 처리 방법
TW559881B (en) Adhesion apparatus
JP3356964B2 (ja) 処理液供給装置およびそれを用いた液処理装置
JP4034285B2 (ja) 温度調節システム及び温度調節方法
KR20210042628A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JPH1119570A (ja) 液供給機構
JP3260301B2 (ja) 配管構造および配管用継手
KR102296276B1 (ko) 기판 처리 장치
JP3824030B2 (ja) 気泡発生防止機構およびそれを用いた液処理装置
JP2000114154A (ja) 薬液供給システムおよび基板処理システム
JP2001327909A (ja) 処理液吐出装置