JP4852156B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関するものである。

リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分に所望のパターンを付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、マスクなどのパターン形成装置を用いて、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することが可能であり、このパターンを、放射感応材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコン・ウェハ）上の（例えば１つ又は複数のダイの一部を含む）ターゲット部分に結像させることができる。一般に、単一の基板は連続的に露光される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置には、パターン全体をターゲット部分に一度に露光することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパと、パターンを投影ビームによって所与の方向（「走査」方向）に走査し、それと同時にこの方向に対して平行又は逆平行に基板を同期して走査することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナとが含まれる。

リソグラフィ装置では、ウェハに結像させることのできるフィーチャのサイズは、投影放射の波長によって制限される。放射のエネルギーはその波長に反比例するため、より小さいフィーチャの結像を可能とするために短い波長が用いられるようになるにつれて、放射線量が増加する。従来のリソグラフィ装置には、局所的な規模でも全体的な規模でも、放射線量によってウェハが加熱される欠点があることが分かっている。一般にリソグラフィ装置は、ウェハ上にパターンを順次重ね合わせるために、一連の処理段階を実施する。ウェハの加熱による１つの結果として、重ね合わせの問題が生じる。すなわち、ウェハ上の異なるパターンの層の間での重ね合わせ誤差によって誤差が生じる。さらに、紫外、遠紫外、極紫外及びより短い波長で動作するリソグラフィ装置で一般的に見られる放射線量のように放射線量が大きい場合には、ウェハの加熱による誤差が、全体的な重ね合わせ誤差の一因となりつつあることも分かっている。さらに、例えば米国特許第５２２０１７１号に記載されている、ウェハを冷却するための従来技術は、局所的なウェハの加熱の問題には対処していない。

特に、ウェハ・テーブルの熱抵抗、ウェハとウェハ・テーブルとの接触抵抗、並びにウェハ・テーブルと露光チャックとの接触抵抗が比較的大きいため、従来のリソグラフィ装置では局所的な調節が依然として問題であることも分かっている。さらに、一般的なウェハの加熱に関連する主要な問題が、ウェハから熱を十分迅速に取り除くことであることも分かっている。また、ウェハ・テーブルの材料の熱伝導が小さいため、従来の装置ではウェハ・テーブルの部分、例えばミラー・ブロックを適切に熱調節しても、わずかな効果しかもたらさないことも分かっている。

本発明の観点は、従来のリソグラフィ装置の直面する問題に対処することである。本発明の他の観点は、重ね合わせ誤差の問題に対処することである。本発明のさらに他の観点は、ウェハの調節、とりわけその熱調節を改善することである。本発明のさらに他の観点は、局所的なウェハの調節を改善することである。

本発明のさらに他の観点は、ウェハが冷却される速度を改善することである。

本発明の一観点によれば、放射の投影ビームを提供するように構成された照明系と、パターン形成装置を支持するように構成された支持構造体であって、パターン形成装置が投影ビームの断面にパターンを与えてパターンの形成されたビームを形成するように働く支持構造体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターンの形成されたビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムと、調節用流体を用いて基板の非ターゲット部分を直接的に調節するように構成された調節システムとを含むリソグラフィ投影装置が提供される。

このようにして、ウェハの局所的な加熱が低減され、その結果、重ね合わせの性能が改善される。

本発明の代表的な具体例では、調節用流体は、基板を冷却することのできる冷却剤である。このようにして、効率的な形で基板の冷却が実施される。

本発明の代表的な具体例では、調節用流体は基板に接触するように配置される。

代表的な具体例では、調節システムは、調節用流体を基板の表面に運ぶように構成された少なくとも１つの調節用流体供給要素を含む。とりわけ、この少なくとも１つの調節用流体供給要素は、基板テーブルの表面に形成された少なくとも１つの孔を含み、この少なくとも１つの孔は調節用流体の供給部と流体連通している。調節用流体を供給するために基板テーブルに孔を設けることにより、調節用流体は、最も調節を必要とする構成要素である基板に対して最も効率的に供給されるため、より効率的に供給される。

代表的な具体例では、調節用流体を供給するために設けられる孔の数は、基板テーブルについて約２００孔／ｍ^２〜約１１３０００孔／ｍ^２の範囲にある。好ましい範囲の孔密度を与えることにより、基板テーブルの性能を損なうことなく、且つリソグラフィ装置に振動を生じさせることなく、改善された調節が実施される。

他の代表的な具体例では、設けられる孔の数は、約１４０００孔／ｍ^２〜約５７０００孔／ｍ^２の範囲にある。このようにして、リソグラフィ装置の性能に対する影響を最小限に抑えながら、調節に関するさらに改善された結果が得られる。

代表的な具体例では、冷却システムは、調節用流体を基板の表面から運び去るように構成された少なくとも１つの調節用流体除去要素を含む。とりわけ、この調節用流体除去要素は基板テーブルの表面に形成された少なくとも１つの孔を含み、この少なくとも１つの孔は、調節用流体を受け入れる調節用流体のリザーバ（貯蔵器）と流体連通している。さらに、調節用流体を基板から除去するために基板テーブルに形成される孔の総面積を、調節用流体を基板に供給するために基板テーブルに形成される孔の総面積と実質的に同じにできる。このようにして、流れによって引き起こされる振動をリソグラフィ装置に生じさせることなく、調節用流体が効率的に基板に供給され、また基板から除去される。

代表的な具体例では、調節用流体は基板を冷却することのできる冷却剤である。とりわけ、流体は空気などの気体、又は水などの液体である。とりわけ、リソグラフィ装置の他の構成要素を冷却するために空気及び水の冷却システムが設けられるので、リソグラフィ装置を実質的に複雑にすることなく、調節システムを設けることができる。

代表的な具体例では、気体の流量は１時間あたり約３〜１５０ｍ^３の範囲にある。このようにして、リソグラフィ装置、とりわけ、基板又はチャック（或いはミラー・ブロックとも呼ばれ、基板テーブルの位置を決めるための干渉測定装置の一部を形成する）を含む基板テーブルに対して力学的外乱を生じさせることなく、効率的な調節が実施される。

代表的な具体例では、液体の流量は１分あたり約０．００３〜６リットルの範囲にある。このようにして、液体によって調節される基板に力学的外乱を生じさせることなく、効率的な調節が実施される。

代表的な具体例では、気体によって調節されるシステムにおいて基板に気体を供給するための孔は、基板に供給される調節用流体の熱伝達を高めるように成形されたノズルである。このようにして、調節の効率がさらに高められる。

代表的な具体例では、基板の非ターゲット部分には基板の裏面に配置された領域が含まれ、基板の裏面は、ターゲット部分が位置している基板の面の反対側に位置し、流体はこの基板の裏面を調節する。このようにして、露光に影響を及ぼすことなく効率的な調節が実施される。

本発明の他の観点によれば、基板を提供する段階と、パターンの形成された放射ビームを基板のターゲット部分に投影する段階と、調節用流体を用いて基板の非ターゲット部分を調節する段階とを含むデバイス製造方法が提供される。

本明細書では、リソグラフィ装置をＩＣの製造に用いることについて特に言及することがあるが、本明細書で記載するリソグラフィ装置は、一体型光学システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドその他の製造など、他の用途にも使用可能であることを理解すべきである。こうした別の用途についての文脈では、本明細書中の「ウェハ」又は「ダイ」という用語の使用はいずれも、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義であると考えられることを理解すべきである。本明細書で言及する基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジスト層を施し、露光されたレジストを現像するツール）や計測又は検査ツールで処理することができる。該当する場合には、本明細書の開示をこうしたツールや他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために、基板を２回以上処理することも可能であり、したがって本明細書で使用する基板という用語は、処理が施された複数の層を既に含む基板を指すこともある。

本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射、及び（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）極紫外（ＥＵＶ）放射を含むあらゆるタイプの電磁放射、並びにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを包含している。

本明細書で使用する「パターン形成装置」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するためなど、放射ビームの断面にパターンを与えるために用いることのできる装置を指すものとして広く解釈すべきである。ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンと厳密に一致しない可能性があることに留意すべきである。一般に、ビームに与えられるパターンは、集積回路などターゲット部分に作製されるデバイスの特定の機能層に対応している。

パターン形成装置は、透過式でも反射式でもよい。パターン形成装置の例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ（配列）及びプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、それにはバイナリ・マスク、交互位相シフト・マスク（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ＰＳＭ）及び減衰位相シフト・マスク（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ ＰＳＭ）などのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。プログラム可能ミラー・アレイの一例は、小さいミラーのマトリクス（行列）状の配列を使用するものであり、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように、それぞれのミラーを別々に傾斜させることができる。このようにして、反射ビームにパターンが形成される。パターン形成装置の各例では、支持構造体を、例えばフレーム又はテーブルとすることが可能であり、これらは必要に応じて固定することも移動させることもでき、またパターン形成装置が、例えば投影システムに対して、所望の位置にあることを保証することができる。本明細書中の「レチクル」又は「マスク」という用語の使用はいずれも、「パターン形成装置」という、より一般的な用語と同義であると考えられる。

本明細書で使用する「投影システム」という用語は、適宜、例えば使用される露光放射向け、又は浸漬液の使用や真空の使用など他の要素向けの屈折光学系、反射光学系及び反射屈折光学系を含めて様々なタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書中の「レンズ」という用語の使用はいずれも、「投影システム」というより一般的な用語と同義であると考えられる。

照明系も、放射の投影ビームの方向付け、成形又は制御のための屈折式、反射式及び反射屈折式の光学要素を含めて様々なタイプの光学要素を包含することが可能であり、こうした構成要素も以下では一括して、又は単独で「レンズ」と呼ぶことがある。

リソグラフィ装置は、２（デュアル・ステージ）又は３以上の基板テーブル（及び／又は２以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものでもよい。こうした「マルチ・ステージ」装置では、追加のテーブルを並行して用いてもよく、或いは１つ又は複数のテーブル上で予備段階処理を実施し、それと同時に１つ又は複数の他のテーブルを露光に用いてもよい。

リソグラフィ装置は、投影システムの最後の要素と基板との間の空間を満たすように、例えば水など比較的高い屈折率を有する液体に基板を浸すタイプのものでもよい。浸漬液を、例えばマスクと投影システムの第１の要素との間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用することもできる。投影システムの開口数を高めるための浸漬技術は、当技術分野では周知である。

次に本発明の代表的な実施例を、添付の概略図を参照して例示のみの目的で説明するが、図中において同じ参照記号は同じ部品を指すものであることに留意されたい。

また、様々な図中の類似の参照記号は、類似の要素を指すものであることにも留意されたい。

本発明の代表的な実施例によるリソグラフィ装置を示す図。 本発明の代表的な実施例によるリソグラフィ装置の詳細を示す図。 ウェハの調節を計算するためのコンピュータ・シミュレーションに用いた３次元モデルについての２次元図。 ウェハの直接冷却でのウェハの平均温度に対する空気流の影響を示す図。 ウェハの直接冷却でのウェハの最高温度に対する空気流の影響を示す図。 ウェハの直接冷却でのウェハの平均温度に対する水流の影響を示す図。 ウェハの直接冷却でのウェハの最高温度に対する水流の影響を示す図。 ウェハ上の異なる位置、特に最初に露光されるダイ、中心で露光されるダイ及び最後に露光されるダイにおけるウェハの温度挙動を示す図。 １分あたり０．００６リットルの水流での、ウェハの中心、ウェハ・テーブル上部、ウェハ・テーブル底部、ミラー・ブロック上部及びミラー・ブロック中央部における温度挙動を示す図。 １分あたり０．３リットルの水流での、最初に露光されるダイ、中心で露光されるダイ及び最後に露光されるダイにおけるウェハの温度挙動を示す図。 １分あたり０．３リットルの水流での、ウェハの中心、ウェハ・テーブル上部、ウェハ・テーブル底部、ミラー・ブロック上部及びミラー・ブロック中央部における温度挙動を示す図。 従来のリソグラフィ装置について、ウェハの異なる位置、特に最初の露光位置、ウェハの中心位置及び最後の露光時のウェハの位置における温度を時間に対して示す図。

図１は、本発明の代表的な実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、放射（例えばＵＶ放射、遠紫外（ＤＵＶ）放射又は極紫外（ＥＵＶ）放射）ビームＰＢを提供するように構成された照明系（照明器）ＩＬを含んでいる。第１の支持体（例えばマスク・テーブル）ＭＴは、パターン形成装置（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、投影システム（「レンズ」）ＰＬに対してパターン形成装置を正確に位置決めする第１の位置決め装置ＰＭに接続されている。基板テーブル（例えばウェハ・テーブル）ＷＴは、基板（例えばレジストを塗布されたウェハ）Ｗを保持するように構成され、投影システムＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２の位置決め装置ＰＷに接続されている。投影システム（例えば屈折投影レンズ）ＰＬは、パターン形成装置ＭＡによってビームＰＢに与えられたパターンを、基板Ｗの（例えば１つ又は複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃに結像させる。基板はさらに、投影ビームが入射しない非ターゲット部分を含んでいる。基板は、一般に、ターゲット部分の位置する面、及びターゲット部分の位置する面の反対側に配置された裏面を含む。基板の非ターゲット部分には、基板の裏面に配置された領域が含まれる。しかし、その他にも、ターゲット部分の配置された面の領域を非ターゲット部分に含めることもできる。例えば、基板は、ターゲット部分がターゲット部分の範囲を越えて配置された区域に延在している。ターゲット部分を越えて延在するこうした領域も、非ターゲット部分に含まれる。

本明細書で図示する装置は、（例えば透過性マスクを使用する）透過式のものである。或いは、装置は（例えば、先に言及した種類のプログラム可能ミラー・アレイを使用する）反射式のものでもよい。

照明器ＩＬは放射源ＳＯから放射を受け取る。例えば放射源がエキシマ・レーザーの場合、放射源とリソグラフィ装置とを別々の構成要素にすることができる。その場合には、放射源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは、例えば適切な指向性ミラー（ｄｉｒｅｃｔｉｎｇ ｍｉｒｒｏｒ）及び／又はビーム・エキスパンダー（拡大器）を含むビーム送出システムＢＤを用いて、放射源ＳＯから照明器ＩＬへ送られる。他の場合、例えば放射源が水銀ランプの場合には、放射源を装置の一部とすることができる。放射源ＳＯ及び照明器ＩＬを、必要であればビーム送出システムＢＤと共に、放射システムと呼ぶことがある。

照明器ＩＬは、ビームの角強度分布を調整する調整装置ＡＭを含むことができる。一般に、照明器の瞳面内における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側の半径方向範囲（それぞれ一般にσ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）、σ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）と呼ばれる）を調整することができる。さらに、照明器ＩＬは、一般には積算器ＩＮやコンデンサＣＯなど他の様々な構成要素を含む。照明器は、その断面が所望の均一性及び強度分布を有する調節された放射ビームＰＢを提供する。

ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴに保持されたマスクＭＡの形で示されているパターン形成装置に入射する。マスクＭＡを通過した投影ビームＰＢは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる投影システムＰＬを通過する。第２の位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉測定装置）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば異なるターゲット部分ＣをビームＰＢの経路内に位置決めするように、正確に移動させることができる。さらに、基板テーブルＷＴは、干渉測定装置の一部を形成する鏡面Ｍを備えることができる。この鏡面Ｍについては、図２を参照してより詳細に記載する。同様に、第１の位置決め装置ＰＭ及び他の位置センサ（例えば、図１には明示されていない干渉測定装置）を用いて、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後、又は走査中に、マスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクト・テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決め装置ＰＭ及びＰＷの一部を形成する長ストローク・モジュール（粗い位置決め）及び短ストローク・モジュール（細かい位置決め）を用いて実現される。しかし（スキャナではなく）ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータに接続するだけでもよく、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置調整用マークＭ１、Ｍ２、及び基板位置調整用マークＰ１、Ｐ２を用いて位置を調整することができる。

図示した装置は、以下の好ましいモードで使用することができる。
（１）ステップ・モードでは、投影ビームに与えられたパターン全体を１回でターゲット部分Ｃに投影する間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを本質的に静止した状態に保つ（すなわち、ただ１回の静止露光）。次に、異なるターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴをＸ及び／又はＹ方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
（２）走査モードでは、投影ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期して走査する（すなわち、ただ１回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速さ及び方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）率、及び像の反転特性によって決まる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の動的露光におけるターゲット部分の（非走査方向の）幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の（走査方向の）高さが決定される。
（３）他のモードでは、投影ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する間、プログラム可能なパターン形成装置を保持しながらマスク・テーブルＭＴを本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルＷＴを移動又は走査させる。このモードでは、一般にパルス式の放射源が使用され、基板テーブルＷＴが移動するたびに、又は走査中の連続する放射パルスの間に、プログラム可能なパターン形成装置が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。

前記の使用モードの組み合わせ及び／又は変形形態、或いは全く異なる使用モードを採用することもできる。

さらに図１には、調節用流体を用いて基板の非ターゲット部分を調節するように構成された調節システムＣＳが示されている。本発明の代表的な実施例によれば、例えば空気や水などの流体を、基板の下面又は裏面、すなわち投影ビームＰＢを受けるように配置された表面の反対側の基板表面に流す。この流体を熱調節することにより基板の冷却が可能になる。特に、基板の裏面は熱調節された流体によって調節される。この流体を基板に供給して、基板の表面に接触するようにできる。

図２は、本発明の代表的な実施例によるリソグラフィ装置の詳細を示している。図２は、基板テーブルＷＴ、及び基板Ｗを調節するように構成された調節システムＣＳを示している。この調節システムＣＳは熱調節システムである。代表的な実施例では、基板テーブルＷＴは、実質的にビームＰＢの伝搬方向に対して傾斜した平面内に延在し、基板Ｗは基板テーブルＷＴによって実質的にその平面内に支持される。基板は、それぞれ基板の上面１７及び裏面１５とも呼ばれる、第１及び第２の反対表面１７、１５を有している。第１の表面１７はビームＰＢを受けるように配置され、第２の表面１５及び第１の表面１７のうちの少なくとも一方は、例えば調節システムＣＳによって冷却されるなど、直接調節されるように配置されている。調節システムは、調節用流体を用いて基板の非ターゲット部分１５、１７を調節するように構成されている。さらに、ビームＰＢの伝搬方向について見ると、第２の表面１５は第１の表面１７の下流に配置されている。調節システムＣＳは、基板の裏面１５及び基板の上面１７のうちの少なくとも一方を直接調節するように構成されている。

基板テーブルＷＴは、基板Ｗを受け止める表面２を含むことができる。基板テーブルＷＴはさらに、処理中に基板を保持する基板ホルダＣを含むこともできる。この基板ホルダＣは、例えば真空を用いて基板を保持する真空チャックなどのチャックとすることができる。或いは、基板を静電気的に保持するチャックにすることもできる。図２には真空チャックが示されている。チャックの位置を決定するために、チャックの外表面Ｍは、例えばミラーなどの反射領域Ｍを備えている。このミラーＭは、チャックＣの位置を決定する干渉測定装置ＩＦの一部を形成している。例えば図３を参照して図示及び記載するように、チャックはミラー・ブロックＭＢと呼ばれることもある。

図２では、直接的な基板又はウェハの調節は、好ましくはウェハの第２の表面、すなわち裏面１５で行われる。ビームＰＢを受けるように構成されたウェハの第１の表面１７とは反対側の、ウェハの第２の表面１５が調節される。この調節は、熱調節された流体、例えば空気などの気体、水などの液体、又は気体／液体混合物を、ウェハＷの表面１５に接触させることによって実施される。代表的な実施例では、熱調節された空気をウェハ・チャックの方へ供給することができる。他の実施例では、環境空気が吸入され、ウェハの裏面を経由して、ウェハの裏面に、ウェハ・テーブルおよびチャックの方へ、そして真空ポンプの方へ流れるようにすることができる。吸気口はウェハ・テーブル又はウェハ・チャックに設けられ、そこを通して調節用空気が導入される。リソグラフィ装置では、特定の構成要素を調節するために空気シャワーを設けることができる。一実施例では、吸入される環境空気を空気シャワーから吸入することが可能であり、その場合、それは適切に熱調節される。別法として、或いは追加として、少なくとも１つのチャック及びウェハ・テーブルを熱調節することが可能であり、その結果、空気はそこを横切って流れることによって熱調節される。図２に示した実施例では、ウェハＷを適切な位置に保持するために真空が提供される。ウェハを保持するために用いられる真空はウェハＷへの空気の供給１０、１１によって差し引かれるため、従来のリソグラフィ装置と比べて必要な吸引量は増加する。冷却剤は、流体供給部１０を経由して少なくとも１つの供給流路１１によってウェハＷへ供給される。冷却剤は、少なくとも１つの除去流路１３及び流体出口１２を経由してウェハＷの裏面から除去される。ウェハＷへ供給される流体の特定の特性は、制御ユニット１４によって制御される。制御ユニットは、ウェハＷに供給される流体を熱調節する熱調節ユニット１６を含むことができる。特に、この熱調節ユニットは、供給される流体をウェハＷの熱調節にとって望ましい温度になるように熱調節するためのシステムを含む。露光の局面によっては、流体の加熱が必要になることがある。例えば、最初、露光を開始する前にウェハをウェハ・テーブルに置いたとき、ウェハが冷たくなり過ぎることがある。しかし、露光中にウェハは放射によって加熱され、その場合、露光が進むと、流体を熱調節して流体によってウェハを冷却することが必要になる可能性がある。流体供給部１０及び流体出口１２は、熱調節ユニット１６に適切に熱接触するように設けられる。制御ユニット１４はさらに、例えば流量や圧力など、流体の他の特定の特性を制御するための供給制御装置１８を含むことができる。この供給制御装置１８はさらに、ウェハＷの処理中及び調節中にウェハＷを適切な位置に保持するために、チャックに適用される真空を制御することができる。一般に、ウェハを適切な位置に保持するために必要な真空度Ｐｖａｃは、約０．５バールである。ウェハＷの下における必要な真空を得るために、追加の空気を低圧で供給してもよい。実施例に応じたウェハＷの裏面への空気、又は他の流体の供給はさらに、供給孔２０及び除去孔２２の数及び寸法を変えることによって制御することができる。一般には、孔２０、２２が基板Ｗの表面積に比べて小さくなるようにする。このようにして、ウェハに供給される流体の圧力が制御される。特に、流体が気体である実施例では、孔がノズルの形で設けられる。すなわち流出面積を小さくすることによって流出速度を増加させれば、基板Ｗの調節が改善されることが分かっている。特に、制御ユニット１４は、チャックＣ及びウェハＷの力学的外乱を抑制するように、流体の供給及び除去を制御する。以下でより詳細に記載するように、このことは、流量など流れのパラメータを制御することによって実施される。

基板Ｗを調節するために必要な孔２０、２２の数を決定するには、以下の仮定条件に基づいて以下の計算を行う。すなわち、高露光線量は一般に２３５ｍＪ／ｃｍ^２であり、基板Ｗが２６×３２ミリメートルのダイ５０個を含み、処理量が１時間あたりウェハ８４枚であり、レチクルの透過率が６３％であると仮定する。したがって、Ａ＿ｗａｆｅｒ＿ｅｘｐ＝５０×２．６×３．２＝４１６ｃｍ^２（ここで、Ａ＿ｗａｆｅｒ＿ｅｘｐは露光されるウェハの面積）、Ｑ＿ｗａｆｅｒ＿ｅｘｐ＝Ａ＿ｗａｆｅｒ＿ｅｘｐ×線量×レチクルの透過率＝４１６×２３５×０．６３＝６２×１０^３ｍＪ（ここで、Ｑ＿ｗａｆｅｒ＿ｅｘｐは露光されるウェハの領域が受けるエネルギー）である。

さらに、ウェハが露光される時間は、Ｔ＿ｗａｆｅｒ＝３６００／８４＝４３秒（ここで、３６００は１時間の秒数である）であり、したがって、ｄＱ／ｄｔ＿ｗａｆｅｒ＝６２／４３＝１．４４ワット（ここで、ｄＱ／ｄｔは露光されるウェハの領域が受ける出力）である。

本発明の代表的な実施例によれば、露光中にウェハに供給される出力は空気によって冷却される。冷却されない従来のリソグラフィ装置では、ウェハは２．４Ｋ（ケルビン）だけ加熱されるが、冷却される装置では、最大の空気の加熱による上昇が０．１Ｋであることが望ましい。

ウェハを冷却して空気の温度を最大０．１Ｋだけ上昇させるために流す必要のある１秒あたりの空気量ｄｍ／ｄｔ＿ａｉｒを決定するには、以下の計算を行う。すなわち、ｄＱ／ｄｔ＿ａｉｒ＝ｄＱ／ｄｔ＿ｗａｆｅｒ＝ｄｍ／ｄｔ＿ａｉｒ×Ｃｐ＿ａｉｒ×ｄＴ＿ａｉｒ、すなわち１．４４＝ｄｍ／ｄｔ＿ａｉｒ×１０１２×０．１（ここで、ｄＱ／ｄｔ＿ａｉｒは空気によって吸収される出力量であり、Ｃｐ＿ａｉｒは一定圧力における空気の比熱で１０１２Ｊ／ｋｇＫに等しく、ｄＴ＿ａｉｒは空気の温度の最大変化である）となる。

前記の式を並べ変えると、ｄｍ／ｄｔ＿ａｉｒ＝１４×１０^−３ｋｇ／秒が得られる。

空気の圧力Ｐ＿ａｉｒは０．５バールに等しく、空気の密度ｒｈｏ＿ａｉｒは約０．６ｋｇ／ｍ^３に等しいため、必要な体積流量又は空気の速度ｄＶ／ｄｔ＿ａｉｒは、ｄＶ／ｄｔ＿ａｉｒ＝１４×１０^−３／０．６＝２３×１０^−３ｍ^３／秒である。

ウェハ・テーブルＷＴに必要な孔の総面積Ａ＿ｒｅｑを決定するため、空気の流れによって装置内部に振動を生じさせることなく前記で計算された１秒あたりの体積の空気を送り込むように、最大空気速度ｖ＿ｍａｘを１０メートル／秒に設定する。したがって、Ａ＿ｒｅｑ＝ｄＶ／ｄｔ＿ａｉｒ／ｖ＿ｍａｘ＝２３×１０^−３／１０＝２．３×１０^−３ｍ^２である。

代表的な実施例では、孔の直径は１．２ｍｍである。したがって、単一の孔の面積Ａ＿ｈｏｌｅは以下のように計算される。Ａ＿ｈｏｌｅ＝（π／４）×（１．２×１０^−３）^２＝１．１３×１０^−６ｍ^２。したがって、所望の空気流を与えるのに必要な孔の数ｎ＿ｈｏｌｅｓは、ｎ＿ｈｏｌｅｓ＝Ａ＿ｒｅｑ／Ａ＿ｈｏｌｅ＝２．３×１０^−３／１．１３×１０^−６＝２０３５によって決まる。

幾何学的条件によれば、基板の位置決め及び剛性に関係する機能の低下などの悪影響を生じさせることなく、基板テーブルに最大約８０００個までの孔を形成できることが分かっている。他の代表的な実施例では、基板への冷却流体の供給を容易にするために、基板に最大約４０００個までの孔を形成できる。例えば水や他の液体など空気より優れた熱伝達特性を有する流体では、必要な孔の数を減らすことができることが分かっている。

前記の代表的な実施例では、ウェハの直径Ｄ＿ｗａｆｅｒは０．３メートルである。したがって、ウェハ・テーブルの面積Ａ＿ｔａｂｌｅは、π／４（０．３）^２、すなわち０．０７１ｍ^２である。

したがって、例えば直接的な気体の調節では、ウェハ・テーブルの孔の密度は約１４０００孔／ｍ^２から約１１３０００孔／ｍ^２まで様々でよい。他の実施例では、孔の密度は約１４０００孔／ｍ^２〜約５７０００孔／ｍ^２である。

既に言及したように、水など液体の直接的な調節では、必要な孔の密度はより小さくなる。低水流を用いると、孔の最小数を１にする著しい低減が既に達成されていることが分かっている。したがって、先に計算した孔のサイズでは、１平方メートルあたり１４孔という最小の孔の配置が可能である。ただし、この値は、使用される孔の面積によって変化するが、孔の面積も変わる可能性がある。代表的な実施例では、孔の数を約３０個とすることが可能であり、これは１平方メートルあたり約４２０孔という孔の密度に相当する。代表的な実施例では、水によって調節される冷却システムの場合、ウェハ・テーブルの孔の密度は１平方メートルあたり約２００孔以上で変化する。

前記の実施例では、特定のパラメータには予め決定された値が割り当てられているが、こうした予め決定された値は変化する可能性のあることを理解すべきである。そのような場合には、それに応じて予め決定されたパラメータに依存する他のパラメータも変化する。

シミュレーションによれば、空気を用いてウェハを直接調節すると、全体的なウェハの温度が２分の１〜３分の１に低下することが分かっている。さらに、ウェハの最大加熱は約２０％減少する。こうした結果を得るには、１２〜６０ｍ^３／時の範囲の比較的高流速の空気流、及びノズル流出が必要であることが分かっている。

シミュレーションによれば、さらに、水流を用いてウェハを直接調節すると、０．００３〜０．３リットル／分の範囲の比較的小さい水流の場合には、全体的なウェハの温度は、４分の１〜１０分の１に低下し、ウェハの最高温度については２分の１〜３分の１になることが分かっている。

水流によってウェハの加熱現象が低減されることが分かっている。

図３は、本発明の実施例によるウェハ調節を計算するためのシミュレーションで用いた、３次元モデルについての２次元図を示している。

計算は、熱ネットワーク解析プログラムＴＡＫ３を用いて行った。そのモデルを図３に概略的に示す。モデル化を簡単にするため、計算ではウェハを正方形として、７×７＝４９のウェハ・ノードを使用している。すべてのウェハ・ノード３１を１つのダイとみなす。ウェハ・ノード３１の下には、同様のノードの配置を、水又は空気ノード３３、（ｚ方向における温度の不均一性を説明するために、２つの垂直部分に分割された）ウェハ・テーブル・ノード３４、ミラー・ブロック・ノード３５（２つの垂直部分、次には境界ノード）に対して用いている。

さらに、環境空気の境界ノード３０、空気／水供給の境界ノード３２、及びミラー・ブロックの境界ノード３６が設けられている。

モデル中のノード３０〜３６は、一般的にはシリコンで作製されるウェハＷ、ウェハ・テーブルＷＴ及びミラー・ブロックＭＢの各材料からなる面内および垂直方向の導体４０〜４７によって接続されている。ウェハ・テーブルＷＴ及びミラー・ブロックＭＢ／Ｃは、小さい熱膨張係数を有する材料で作製することができる。材料には、きわめて低い熱膨張係数を有するＺＥＲＯＤＵＲ（商標登録）などのガラス材料や、Ｃｏｒｄｕｒｉｔｅなど他の材料が含まれる。特にこのモデルでは、ノード３０〜３６は、環境空気との自由な熱伝達４０、ウェハ材料による熱伝導４１、空気／水による強制的熱伝達４２、空気／水による熱伝導４３、ウェハ・テーブル材料による熱伝導４４、空気による熱伝導４５、ミラー・ブロック材料による熱伝導４６、及び水流による熱伝導４７の各導体に接続されている。すなわち、図２に示すように、モデルにおける水又は空気の冷却流は、まずウェハ・テーブルＷＴ内の孔２０を通過し、次にウェハＷとウェハ・テーブルＷＴとの間を流れ、次に孔２２を通って流出する。ウェハ・テーブルＷＴの孔２０を通る媒体による強制的熱伝達は空気による冷却の計算には組み込まず、水の計算にのみ組み込む。強制的熱伝達を組み込み、それがウェハ・テーブルＷＴの加熱に影響を与えるかどうかを調べたが、シミュレーションによれば、その影響は無視できるものであることが分かった。したがって、このモデルを、空気に対する媒体の強制的熱伝達を説明するように適合させなかった。さらに実際には、流体はミラー・ブロックＭＢ／Ｃを通り、ウェハを直接冷却した後、ウェハ・テーブルＷＴ及びミラー・ブロックＭＢ／Ｃを通って戻ることができる。この場合も、このモデルの単純化が、結果に対して無視できる程度の影響しか及ぼさないものと考えられる。

図３では、モデルを２次元モデル（例えば、ウェハに対して１×７のノード）として示しているが、シミュレーションに用いた実際のモデルは、Ｘ方向にもＹ方向にも７×７のノード及び導体を有している。

ウェハでの照射線量として２４９ｍＪ／ｃｍ^２という値を用いているが、これはリソグラフィ装置にとって一般的な大きな照射線量である。

冷却媒体として空気を用いるとき、空気の速度を制限するために孔の最小量が必要である。そうでないと、流れによって振動が引き起こされる可能性があるためである。さらに、圧力損失が制限されるようにすることが好ましい。媒体の供給に必要な孔２０の直径及び数（戻り孔２２は含まず）を、空気と水の両方について表１に一覧表にとして示す。

図２に示すように、ウェハ・テーブルＷＴからウェハＷに向かう空気の流出は、単に孔２０から出るだけでもよい。しかし、他の実施例では、ウェハＷに対する空気の熱伝達を高めるために、例えばノズルの形で、局所的により小さい流出開口が基板テーブルＷＴに設けられる。このノズルの効果により、はるかに高い熱伝達係数を与える小さい空気ジェットが得られる。ノズルありの状態とノズルなしの状態の両方について、空気流の設定、空気の速度及びその結果得られる強制的熱伝達の熱伝達係数をすべて表２にリストとして示す。空気流が高速になると、空気流が音速でノズルを通過することを防ぐために、ノズルの直径を大きくしなければならない。水に対する流れの設定、並びにその結果得られる水の速度及び熱伝達係数を表３に示す。

最も正確なモデルを提供するために、残りのモデルのパラメータは、リソグラフィ装置における一般的な値を示すように設定した。

各表に示したＸｅＹ（ここで、Ｘは正の数値であり、Ｙは正の整数でも負の整数でもよい）という表記は、Ｘ×１０^Ｙという表記と同義であることに留意されたい。

シミュレーションの結果を図４〜図１１に示す。特にこの結果は、ウェハを直接冷却すると、特にウェハの全体的な加熱及び露光位置での局所的な加熱が低減されることを示している。以下の結果は前記のモデルについて言及したものであるが、このモデルから得られるパラメータは実際のリソグラフィ装置に適用できる。このように、モデル化された結果から本発明の実施例が得られる。

図１２は、従来のリソグラフィ装置について、ウェハの異なる位置、とりわけ、最初の露光位置（１１１）、ウェハの中心位置（１４４）、及び最後の露光時のウェハ上の位置（１７７）における温度を時間に対して示している。図１２は、本発明の実施例に従って冷却された装置について、従来のリソグラフィ装置との比較を示すために記載したものである。

図１２は、調節がない場合のウェハの平均温度に対する空気流の影響を示している。図１２では、３つの位置１１１、１４４、１７７について、ウェハＷにおける温度を時間に対して示している。

図４〜図１２に関して、−ＺＸＹという表記を有する各位置に対する識別名は、モデルにおける座標を表している。したがって、座標１ＸＹを有する位置はウェハ上の位置を指し、座標２ＸＹを有する位置はウェハの下面の位置を指し、座標３ＸＹを有する位置はウェハ・テーブルＷＴの上面の位置を指し、座標４ＸＹを有する位置はウェハ・テーブルＷＴの底面の位置を指し、座標５ＸＹを有する位置はミラー・ブロックＭＢの上面の位置を指し、座標６ＸＹを有する位置はミラー・ブロックＭＢの中央領域の位置を指す。Ｘ方向及びＹ方向の位置は、それぞれ１〜７の値をとることが可能であり、Ｘ−Ｙ平面内での位置を通常の方法で指す。図３では、位置１１１は最初の露光位置であり、１４４はウェハの中心にあり、位置１７７は最後の露光が行われる位置である。

図３からは、特に、最後に露光されるダイでの露光直前のウェハの温度（以下、Ｔ−ｇｌｏｂａｌと呼ぶ）、及び最後のダイでの露光終了後ウェハの最高温度（以下、Ｔ−ｍａｘと呼ぶ）の各パラメータが注目される。調節されたウェハについて、モデル化された設定、すなわち通常の空気流、ノズルの空気流、水流の様々な流量におけるＴ−ｇｌｏｂａｌ及びＴ−ｍａｘの値、並びにそれらの比を表４に示す。比較のため、表４には調節されていないウェハについてのＴ−ｇｌｏｂａｌ及びＴ−ｍａｘも示している。これらの結果は、図４〜図７にもグラフを用いて示す。

これらの結果から、空気を用いてウェハを直接冷却すると、全体的な加熱を２分の１〜３分の１に減少させることができることが分かる。最高温度Ｔ−ｍａｘの低下量は約２０％である。

水を用いてウェハを直接冷却すると、その結果は空冷に対してさらに改善される。低速の水流でもその改善は著しいものである。小さい水流では、全体的な加熱Ｔ−ｇｌｏｂａｌを４分の１〜１０分の１に減少させることができる。ウェハの最高温度Ｔ−ｍａｘも小さくなり、２分の１〜３分の１になる。特に、図４はウェハの直接冷却でのウェハの平均温度に対する空気流の影響を示し、図５はウェハの直接冷却でのウェハの最高温度に対する空気流の影響を示し、図６はウェハの直接冷却でのウェハの平均温度に対する水流の影響を示し、図７はウェハの直接冷却でのウェハの最高温度に対する水流の影響を示している。表４に示し、且つ図４〜図７に図示した結果から、空気など気体の場合には、約３リットル／分〜１５０リットル／分の空気流によってウェハの調節が改善されることが分かる。さらに、水などの液体の場合には、約０．００３リットル／分〜約６リットル／分の流れによってウェハの調節が改善される。これらの範囲内では、それぞれの特定の状況に応じて任意の特定の流れを提供することができる。特に、約０．０６リットル／分以上の水流により、特に有利なウェハの調節結果がもたらされることが分かっている。

２つの異なる水流について、ウェハの異なる位置、並びにウェハ・テーブルＷＴ及びミラー・ブロックＭＢの中心位置における温度の挙動のグラフを、図８〜図１１に示している。特に図８は、ウェハの異なる位置、特に最初のダイ１１１、中心のダイ１４４及び最後のダイ１７７におけるウェハの温度挙動を示している。特に図８は、３つの位置について時間に対する温度変化を示している。調節されていないウェハを示す図１２に示された結果に対して、Ｔ−ｍａｘ及びＴ−ｇｌｏｂａｌが著しく改善されていることが分かる。露光される各位置について、時間に対する温度の上昇は調節されていないウェハの場合より少なくなる。図８に示すように温度の上昇、特にＴ−ｍａｘ及びＴ−ｇｌｏｂａｌを減少させることができれば、重ね合わせなどウェハの加熱に関連する問題を緩和できることが分かっている。

図９は、１分あたり０．００６リットルの水流でのウェハの中心１４４、ウェハ・テーブル上部の中心３４４、ウェハ・テーブル底部の中心４４４、ミラー・ブロック上部の中心５４４及びミラー・ブロック中央部の中心６４４における温度の挙動を示している。ウェハの中心、すなわちウェハ全体の露光を通じて概ね半分の距離での露光中の温度上昇が示されている。図９を図１２の中心のピークと比較すると、調節されていないウェハでウェハの中心位置１４４が到達する最高温度Ｔ−ｃｅｎｔｅｒは、図９に示した調節されたウェハの場合より著しく高いことが分かる。さらに図９は、ウェハの直接冷却による著しい効果を示している。さらに図９は、ウェハ及びウェハ・テーブル、特にウェハでは、露光中の温度上昇がミラー・ブロックＭＢよりはるかに高いことを示している。したがって、チャック又はミラー・ブロックのみを調節する従来の冷却システムでは、最も調節を必要とする位置が間接的にしか調節されず、効率的な調節が行われないため、調節の効率が最適化されていないことが分かる。このことはさらに、異なる流量について同様のグラフを示した図１１にも示されている。

図１０は、１分あたり０．３リットル／分の水流での最初のダイ１１１、中心のダイ１４４及び最後のダイ１７７におけるウェハの温度挙動を示している。特に図１０は、図１２と比べると、ウェハの直接調節が、調節されていないウェハに対して大幅に改善されることを示している。特にＴ−ｍａｘ及びＴ−ｇｌｏｂａｌは著しく低下している。水など液体の流れによる実施例では、約３リットル／分の速度で、特にＴ−ｍａｘ及びＴ−ｇｌｏｂａｌについて、ウェハの調節が大幅に改善されることが分かる。

図１１は、１分あたり０．３リットル／分の水流でのウェハの中心１４４、ウェハ・テーブル上部の中心３４４、ウェハ・テーブル底部の中心４４４、ミラー・ブロック上部の中心５４４及びミラー・ブロック中央部の中心６４４における温度挙動を示している。図１１は、１分当たり０．３リットル／分の水流量について示されていることを除いて、図９と同じである。図９に関して得られた所見は、図１１にも同様にあてはまる。

ここまで本発明の特定の実施例について説明してきたが、本発明は記載したものとは別の方法で実施することができることが理解されよう。上記説明は本発明を限定するものではない。

Claims (20)

1. 基板を保持する真空チャックを含む基板テーブルと、
   前記基板を保持するために前記真空チャックに適用される真空に供給される調節用流体を用いて前記基板の非ターゲット部分を直接的に熱調節するように構成された調節システムとを有し、
   前記調節システムが、前記基板を保持するために前記真空チャックに適用される真空を制御しかつ前記基板の表面に調節用流体を運ぶように構成された少なくとも１つの調節用流体供給装置を有し、
   前記調節システムの直接的熱調節は、前記基板のターゲット部分を露光しているときに、前記非ターゲット部分に前記調節用流体の流れを提供することによって行われるリソグラフィ装置。
2. 前記調節用流体が、前記基板を冷却することのできる冷却剤である請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
3. 前記少なくとも１つの調節用流体供給装置が、前記基板テーブルの表面に形成された少なくとも１つの孔を有し、該少なくとも１つの孔が調節用流体の供給部と流体連通している請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
4. 前記調節用流体を供給するために設けられた孔の数が、前記基板テーブルについて約２００孔／ｍ^２〜１１３０００孔／ｍ^２である請求項３に記載されたリソグラフィ装置。
5. 設けられた孔の数が、前記基板テーブルについて約４２０孔／ｍ^２〜５７０００孔／ｍ^２である請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
6. 前記調節システムが、前記調節用流体を前記基板の表面から運び去るように構成された少なくとも１つの調節用流体除去装置を含む請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
7. 前記調節用流体除去装置が、前記基板テーブルの表面に形成された少なくとも１つの孔を有し、該少なくとも１つの孔が、前記調節用流体を受け入れる調節用流体のリザーバと流体連通している請求項６に記載されたリソグラフィ装置。
8. 前記調節用流体を前記基板から除去するために前記基板テーブルに形成された孔の総面積が、前記調節用流体を前記基板に供給するために前記基板テーブルに形成された孔の総面積と実質的に同じである請求項７に記載されたリソグラフィ装置。
9. 前記流体が気体である請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
10. 前記気体が空気である請求項９に記載されたリソグラフィ装置。
11. 前記流体が液体である請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
12. 前記液体が水である請求項１１に記載されたリソグラフィ装置。
13. 前記気体の流量が、１時間あたり約３〜１５０ｍ^３である請求項９に記載されたリソグラフィ装置。
14. 前記液体の流量が、１分あたり約０．００３〜６リットルである請求項１１に記載されたリソグラフィ装置。
15. 前記孔が、前記調節用流体の流速を高めることによって前記基板に供給される前記調節用流体への熱伝達を高めるように成形されたノズルである請求項３に記載されたリソグラフィ装置。
16. 放射ビームを提供するように構成された照明系と、
    パターン形成装置を支持するように構成された支持体であって、該パターン形成装置が前記ビームの断面にパターンを与えるように構成された支持体と、
    パターンの形成されたビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、をさらに備え、
    前記基板テーブルが、実質的にビームの伝搬方向に対して傾斜した平面内に延在し、第１及び第２の反対表面を有する前記基板が、前記基板テーブルによって実質的に該平面内に支持され、該第１の表面がビームを受けるように配置され、該第２の表面が前記調節システムによって直接的に調節されるように配置されている請求項１から１５のいずれかに記載されたリソグラフィ装置。
17. 前記ビームの伝搬方向について見ると、前記第２の表面が前記第１の表面の下流に配置されている請求項１６に記載されたリソグラフィ装置。
18. 前記基板の前記非ターゲット部分が、前記基板のターゲット部分の位置している前記基板の面の反対側に配置された、前記基板の裏面に配置された領域を含み、前記流体が前記基板の該裏面を調節するようになっている請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
19. 前記調節用流体を供給するための供給口は、前記基板の裏面に対応する前記基板テーブルの表面に前記裏面全体に分布するよう約１４０００孔／ｍ^２から約１１３０００孔／ｍ^２までの密度で設けられており、前記調節用流体は１時間あたり約３〜１５０ｍ^３の流量で提供される気体である請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
20. パターンの形成されたビームを基板のターゲット部分に投影する段階と、
    パターンの形成されたビームの投影中に前記基板を真空チャックにより基板テーブルに保持する段階と、
    真空チャックの供給口を通じて供給される調節用流体により真空チャックに適用される真空を制御しかつ前記基板テーブルにより保持されている基板に調節用流体を接触させて前記基板の非ターゲット部分を直接的に熱調節する段階と、を含み、
    前記基板の非ターゲット部分を直接的に熱調節する段階は、前記基板のターゲット部分に前記ビームを投影しているときに前記調節用流体の流れを提供することを含み、
    前記基板の非ターゲット部分を直接的に熱調節する段階は、前記基板を保持するために前記真空チャックに適用される真空に供給される前記調節用流体によって前記基板の非ターゲット部分を直接的に熱調節することを含むことを特徴とするデバイス製造方法。