JP2006128682A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006128682A JP2006128682A JP2005310028A JP2005310028A JP2006128682A JP 2006128682 A JP2006128682 A JP 2006128682A JP 2005310028 A JP2005310028 A JP 2005310028A JP 2005310028 A JP2005310028 A JP 2005310028A JP 2006128682 A JP2006128682 A JP 2006128682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate support
- target portion
- duct
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】リソグラフィ装置は、基板を支持するように構築された基板サポートと、パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射するようになされた投影システムとを備えている。基板サポートは、基板の次の目標である目標部分の所定の軌道に沿って基板を移動させるようになされている。基板サポートは、基板を熱的に安定させるためのダクト構成を備えている。このダクト構成は、熱安定化媒体をダクトで基板サポートに供給し、且つ、基板の先行する目標部分を支持している基板サポート部分を介して目標部分を支持している基板サポートの一部から熱安定化媒体を実質的にダクトで除去し、それにより次の目標である目標部分を熱的に安定に維持するようになされている。
【選択図】図1
Description
1.ステップ・モード:ステップ・モードでは、基本的にマスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Cに1回で投影される(即ち単一静止露光)。次に、基板テーブルWTがX及び/又はY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Cのサイズが制限される。
2.走査モード:走査モードでは、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期走査される(即ち単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの倍率(縮小率)及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅(非走査方向の幅)が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ(走査方向の高さ)が決まる。
3.その他のモード:その他のモードでは、プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブルMTが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影されている間、基板テーブルWTが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルWTが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
B 放射ビーム
BD ビーム引渡しシステム
C 基板の目標部分
CO コンデンサ
IF 位置センサ
IL 照明システム(イルミネータ)
IN インテグレータ
MA パターン化デバイス(マスク)
MT 支持構造(マスク・テーブル)
M1、M2 マスク位置合せマーク
P 目標の進行方向
PM 第1のポジショナ
PS、4 投影システム
PW 第2のポジショナ
P1、P2 基板位置合せマーク
SO 放射源
W、6 基板
WT 基板テーブル
1 冷媒構造(ダクト構造、ダクト構成)
2 基板サポート(支持構造、ウェハ・テーブル)
3 チャック
5 パターン化された放射ビーム
7 チャックの全体的な移動方向
8 ダイ(次に照射される目標部分)
9 冷媒ダクト(ダクト)
10 中央ダクト
11 次に照射される目標部分の軌道
12 出口
13 入口
14 中央接続部分
15 ウェハ・テーブルの周辺縁
16 蛇行回路
17 結合層
18 陽極結合層
Claims (14)
- 放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与し、パターン化された放射ビームを形成することができるパターン化デバイスを支持するように構築されたパターン化デバイス・サポートと、
基板を支持するように構築された基板サポートと、
前記パターン化された放射ビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムとを備えたリソグラフィ装置であって、
前記基板サポートが、前記基板の次の目標である目標部分の所定の軌道に沿って前記基板を移動させるようになされ、
前記基板サポートが、前記基板を熱的に安定させるためのダクト構成を備え、前記ダクト構成が、熱安定化媒体をダクトで前記基板サポートに供給し、且つ、前記基板の先行する目標部分を支持している前記基板サポート部分を介して前記目標部分を支持している前記基板サポートの一部から前記熱安定化媒体を実質的にダクトで除去し、それにより次の目標である目標部分を熱的に安定に維持するようになされたリソグラフィ装置。 - 前記軌道が、前記基板の前記次の目標部分の平均進行方向を縦軸に沿って画定し、前記基板サポート中の前記ダクト構成が、前記平均進行方向とは逆方向の前記熱安定化媒体の平均流れ方向を画定している、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ダクト構成が、前記熱安定化媒体が流入し、且つ、流出する入口部分及び出口部分をそれぞれ備え、前記入口部分及び出口部分が前記基板サポートの一方の側に互いに隣接して配置され、前記熱安定化媒体を前記入口部分から前記基板サポートの周辺縁を介して前記基板サポートの反対側へダクトで供給するようにダクトが配置された、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記熱安定化媒体が前記基板サポートの一方の側から蛇行回路を介して前記基板サポートの反対側へ流れる、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ダクト構成が、半径方向に配向された少なくとも1つのダクトを介して接続された、同心で配置された複数のダクトを備えた、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記熱安定化媒体が前記基板サポートの一方の側から反対側へ流れる、請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ダクト構成が、連続する走査軌道に従うレイアウトを備えた、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 基板をリソグラフィ装置内で支持するための基板サポートであって、熱安定化媒体をダクトで前記基板サポートに供給し、且つ、前記基板の先行する目標部分を支持している前記基板サポート部分を介してパターン化放射ビームを受け取る前記基板の目標部分を支持している前記基板サポートの一部から前記熱安定化媒体を実質的にダクトで除去し、それにより次の目標である目標部分を熱的に安定に維持するようになされたダクト構成を備えた基板サポート。
- 前記基板サポートが、前記熱安定化媒体が流入し、且つ、流出する入口部分及び出口部分を備え、前記入口部分及び出口部分が前記基板サポートの一方の側に互いに隣接して配置され、前記熱安定化媒体を前記入口部分から前記基板サポートの周辺縁を介して前記基板サポートの反対側へ直接ダクトで供給するようにダクトが配置された、請求項8に記載の基板サポート。
- 前記冷媒が前記基板サポートの一方の側から蛇行回路を介して前記基板サポートの反対側へ流れる、請求項8に記載の基板サポート。
- リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法であって、
パターン化された放射ビームを基板と熱接触している基板サポートによって支持されている前記基板の目標部分に投射するステップと、
最初の目標部分から最後の目標部分まで所定の軌道に沿って前記基板を移動させるステップであって、前記軌道が前記基板サポートの平均移動進行方向を画定しているステップと、
前記基板サポートの前記平均移動進行方向とは逆方向の平均流れ方向に熱安定化媒体を前記基板サポートにダクトで供給するステップとを含む方法。 - リソグラフィ装置を使用したデバイス製造方法であって、
パターン化された放射ビームを基板と熱接触している基板サポートによって支持されている前記基板の目標部分に投射するステップと、
最初の目標部分から最後の目標部分まで所定の軌道に沿って前記基板を移動させるステップと、
次の目標部分を熱的に安定に維持するために、前記基板の先行する目標部分を介して前記基板サポート中の熱安定化媒体を前記目標部分からダクトで除去するステップとを含む方法。 - 放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与し、パターン化された放射ビームを形成することができるパターン化デバイスを支持するように構築されたパターン化デバイス・サポートと、
基板を支持するように構築された基板サポートと、
前記パターン化された放射ビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムであって、液浸リソグラフィを提供するために、前記基板と前記投影システムの間に光学液体を提供するようになされた投影システムとを備えた液浸リソグラフィ装置であって、
前記基板サポートが、次の目標である目標部分の所定の軌道に沿って前記基板を移動させるようになされ、
前記基板サポートが、前記基板を熱的に安定させるためのダクト構成を備え、前記ダクト構成が、熱安定化媒体をダクトで前記基板サポートに供給し、且つ、前記基板の先行する目標部分を支持している前記基板サポート部分を介して前記目標部分を支持している前記基板サポートの一部から前記熱安定化媒体を実質的にダクトで除去し、それにより次の目標である目標部分を熱的に安定に維持するようになされた液浸リソグラフィ装置。 - 基板を支持するための基板サポートを製造する方法であって、
腐食性媒体をダクトで供給するためのダクト・レイアウト構成を前記基板サポートの頂部層及び/又は底部層に生成するステップであって、前記頂部層が前記基板と接触するようになされたステップと、
前記頂部層と底部層を陽極結合して結合層を生成するための材料を前記頂部層及び底部層のいずれか一方に付着させるステップと、
前記結合層の材料を前記頂部層及び底部層の前記いずれか一方へ移動させ、それにより腐食に敏感な結合表面を保護するために、前記陽極結合を介して前記頂部層を前記底部層に結合するステップとを含む方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/972,754 US7196768B2 (en) | 2004-10-26 | 2004-10-26 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006128682A true JP2006128682A (ja) | 2006-05-18 |
JP4335197B2 JP4335197B2 (ja) | 2009-09-30 |
Family
ID=35583513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005310028A Expired - Fee Related JP4335197B2 (ja) | 2004-10-26 | 2005-10-25 | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7196768B2 (ja) |
EP (1) | EP1653283B1 (ja) |
JP (1) | JP4335197B2 (ja) |
KR (1) | KR100706072B1 (ja) |
CN (1) | CN100593133C (ja) |
DE (1) | DE602005018150D1 (ja) |
SG (1) | SG122045A1 (ja) |
TW (1) | TWI278056B (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008227489A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
JP2013042128A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の支持テーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2017501434A (ja) * | 2013-12-20 | 2017-01-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィにおけるオブジェクトを位置決めするシステム |
US9835957B2 (en) | 2013-09-27 | 2017-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2020516942A (ja) * | 2017-04-11 | 2020-06-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および冷却方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080071552A (ko) * | 2005-12-06 | 2008-08-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US20070212337A1 (en) * | 2006-02-01 | 2007-09-13 | The Johns Hopkins University | Polypeptide-nucleic acid conjugate for immunoprophylaxis or immunotherapy for neoplastic or infectious disorders |
US7593096B2 (en) | 2006-05-15 | 2009-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8325321B2 (en) * | 2006-07-28 | 2012-12-04 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of heat dissipation and frame |
TWI541615B (zh) * | 2007-07-13 | 2016-07-11 | 瑪波微影Ip公司 | 在微影裝置中交換晶圓的方法 |
MX2010001194A (es) * | 2007-07-31 | 2010-07-30 | Univ Louisiana State | Conjugado de polipeptido-acido nucleico para inmunoprofilaxis o inmunoterapia para desordenes neoplasicos o infecciones. |
US9025126B2 (en) * | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
JP5369443B2 (ja) | 2008-02-05 | 2013-12-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
NL2002888A1 (nl) | 2008-06-12 | 2009-12-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, composite material and manufacturing method. |
NL2005874A (en) | 2010-01-22 | 2011-07-25 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2006809A (en) * | 2010-06-23 | 2011-12-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cooling method. |
NL2006913A (en) | 2010-07-16 | 2012-01-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
DE102011005778A1 (de) | 2011-03-18 | 2012-09-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element |
NL2008751A (en) | 2011-06-06 | 2012-12-10 | Asml Netherlands Bv | Temperature sensing probe, burl plate, lithographic apparatus and method. |
KR20150008124A (ko) * | 2012-04-23 | 2015-01-21 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 정전기 클램프, 리소그래피 장치 및 방법 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01152639A (ja) | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Canon Inc | 吸着保持装置 |
EP0363098B1 (en) * | 1988-10-03 | 1995-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Temperature controlling device |
US5231291A (en) * | 1989-08-01 | 1993-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer table and exposure apparatus with the same |
DE69118315T2 (de) * | 1990-11-01 | 1996-08-14 | Canon Kk | Waferhaltebefestigung für Belichtungsgerät |
JPH04271108A (ja) | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Fujitsu Ltd | 露光装置 |
JPH0781755A (ja) | 1993-09-16 | 1995-03-28 | Canon Inc | 基板保持装置 |
JPH09270457A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nippon Steel Corp | 露光装置 |
JP3695000B2 (ja) * | 1996-08-08 | 2005-09-14 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
JP2003045947A (ja) | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Canon Inc | 基板処理装置及び露光装置 |
JP4153781B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2008-09-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および基板処理装置 |
SG135052A1 (en) | 2002-11-12 | 2007-09-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR100532322B1 (ko) * | 2003-06-04 | 2005-11-29 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 베이킹 플레이트의 냉각 장치 |
-
2004
- 2004-10-26 US US10/972,754 patent/US7196768B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-10-13 TW TW094135615A patent/TWI278056B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-10-14 EP EP05077374A patent/EP1653283B1/en not_active Not-in-force
- 2005-10-14 DE DE602005018150T patent/DE602005018150D1/de active Active
- 2005-10-25 CN CN200510118070A patent/CN100593133C/zh active Active
- 2005-10-25 JP JP2005310028A patent/JP4335197B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-25 KR KR1020050100969A patent/KR100706072B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-10-25 SG SG200508465A patent/SG122045A1/en unknown
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100952445B1 (ko) | 2007-03-12 | 2010-04-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 방법 |
JP4700076B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2011-06-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および方法 |
JP2008227489A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置および方法 |
US10324382B2 (en) | 2011-08-17 | 2019-06-18 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2013042128A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-02-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の支持テーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
US8970822B2 (en) | 2011-08-17 | 2015-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US11650511B2 (en) | 2011-08-17 | 2023-05-16 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9575419B2 (en) | 2011-08-17 | 2017-02-21 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9740110B2 (en) | 2011-08-17 | 2017-08-22 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10747126B2 (en) | 2011-08-17 | 2020-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9971252B2 (en) | 2011-08-17 | 2018-05-15 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9835957B2 (en) | 2013-09-27 | 2017-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9946172B2 (en) | 2013-12-20 | 2018-04-17 | Asml Netherlands B.V. | System for positioning an object in lithography |
JP2017501434A (ja) * | 2013-12-20 | 2017-01-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィにおけるオブジェクトを位置決めするシステム |
JP2020516942A (ja) * | 2017-04-11 | 2020-06-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および冷却方法 |
JP7155148B2 (ja) | 2017-04-11 | 2022-10-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置および冷却方法 |
US11720034B2 (en) | 2017-04-11 | 2023-08-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and cooling method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1653283B1 (en) | 2009-12-09 |
KR100706072B1 (ko) | 2007-04-12 |
DE602005018150D1 (de) | 2010-01-21 |
TW200633112A (en) | 2006-09-16 |
US7196768B2 (en) | 2007-03-27 |
JP4335197B2 (ja) | 2009-09-30 |
CN100593133C (zh) | 2010-03-03 |
SG122045A1 (en) | 2006-05-26 |
EP1653283A2 (en) | 2006-05-03 |
EP1653283A3 (en) | 2006-07-05 |
CN1766739A (zh) | 2006-05-03 |
TWI278056B (en) | 2007-04-01 |
KR20060049358A (ko) | 2006-05-18 |
US20060087637A1 (en) | 2006-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4335197B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5008648B2 (ja) | 支持テーブル、機器、基板を熱的に調整する方法、基板支持テーブルを熱的に調整する方法、及びデバイスの製造方法 | |
KR100909455B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP4473811B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP5108737B2 (ja) | リソグラフィ投影装置 | |
JP5539251B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP4383408B2 (ja) | リソグラフィ機器及びデバイスの製作方法 | |
JP2007318131A (ja) | リソグラフィ装置および熱ひずみを小さくする方法 | |
US10488759B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP2005142570A (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4602317B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ装置の較正方法 | |
JP4756101B2 (ja) | 物品支持体、リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060904 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080901 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090618 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090624 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4335197 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130703 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |