TWI278056B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents
Lithographic apparatus and device manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- TWI278056B TWI278056B TW094135615A TW94135615A TWI278056B TW I278056 B TWI278056 B TW I278056B TW 094135615 A TW094135615 A TW 094135615A TW 94135615 A TW94135615 A TW 94135615A TW I278056 B TWI278056 B TW I278056B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- support
- substrate support
- radiation beam
- target
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
1278056 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種微影裝置及一種器件製造方法,該微影 裝置包括一基板台,該基板台經排列以沿著隨後歡向目標 部分的預定執跡移動一基板。 【先前技術】 被影裝置係將所要圖案施加至基板上,通常施加至基板 , 之目標部分上的機械。微影裝置例如可用於製造積體電路 • (ic)。在彼情形下,可使用或者被稱為光罩或主光罩之圖案 化器件來產生待形成於1(:之個別層上的電路圖案。此圖案 可轉移至基板(例如矽晶圓)上之目標部分上(例如,包括一 或若干個晶粒的部分)。該圖案之轉移通係常經由在基板上 所長:供之輕射敏感材料(抗餘劑)層上成像。通常,單個基板 含有連續圖案化之相鄰目標部分的網路。已知微影裝置包 括所謂之步進器,其中各目標部分係藉由將整個圖案一次 性曝光至目標部分上來照射,及所謂之掃描器,其中各目 鲁標部分係以一給定方向之輻射光束掃描圖案(”掃描"方向) 同時平行或反平行於此方向同步掃描基板來照射。亦可藉 由將圖案轉印至基板上來將圖案自圖案化器件轉移至基 板。 在最近之發展中,由於對影像解析度(諸如在浸潰微影之 新領域中)更苛求之需要,日益發生提供熱穩定基板之問 4 b處口為/文頃液體可藉由過渡至氣相而引起熱冷卻, 斤、日凰卷生熱穩定性問題。因此,吾人發現在該基板中 105521.doc 1278056 可發生局部熱梯度,且應穩定該等梯度。又,吾人已發現 在基板之光微影處理期間,該基板由於目標部分之隨後照 明而傾向於以在該基板之表面進展之溫度鋒面(temperature front)不均衡地變暖。此溫度鋒面亦可引起可達到該基板之 局部變形的熱梯度。明顯地,對於奈米投影精確性而言, 此可引起聚焦及上覆層誤差之問題。意即,歸因於熱變形, 基板之表面可遠離一理想投影平面彎曲,其可導致聚焦損 失或影像平面之至少有效側向移動,以致於可發生覆蓋問 題。 【發明内容】 本發明之一態樣係提供一種光微影裝置,其中可處理前 述熱問題,且其中可提供基板之經改良的熱穩定性。 根據本發明之一態樣,提供一種微影裝置。該裝置包括 一經組態以調節一輻射光束之照明系統,及一經構造以支 撐一圖案化器件之圖案化器件支撐件。該圖案化器件能夠 賦予輻射束一在其橫截面上之圖案以形成一圖案化輻射光 束。該裝置亦包括一經構造以支撐一基板之基板支撐件, 及一經組態以將圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部 分上的投影系統。排列該基板支撐件以沿著該基板之隨後 乾向目標部分的預定執跡來移動該基板。該基板支撐件包 括一用於為基板提供熱穩定性之管道組態。排列該管道組 悲以在該支撐件中管道輸送熱穩定介質,及大體經由支撐 該基板之先前乾向部分之基板支#件的部分,來將該介質 輸送遠離支撐該目標部分之基板切件的一部分,以使隨 105521.doc 1278056 後靶向目標部分保持熱穩定。 根據本發明之-態樣,提供_種用於在—微影裳置中支 撐一基板之基板支撐件。該基板支撐件包括一管道組態, 排列該官道組態以在該支撐件中管道輸送熱穩定介質,及 大體經由支採該基板之先前乾向部分之基板支樓件的部分 來遠離支撲基板之接收-圖案化輻射光束的把向部分的基 板支樓件的一部分管道輸送該介質,以使隨後靶向目標^ 分保持熱穩定。 $ °
因此,隨後之目標部分不受來自靶向部分之經加熱介質 的熱影響,以可達成更好之熱穩定性。雖然應清楚,使用 了提供熱穩定性之更寬廣意、彡,但是熱穩定介質亦可稱為 冷卻劑。 根據本發明之一態樣,提供一種使用一微影裝置製造一 器件的方法。該方法包括將一圖案化輻射光束投影至藉由 與基板熱接觸之基板支撐件支撐的基板的一目標部分i, 及沿著一預定軌跡將該基板自起始目標部分移動至結束目 標部分。該執跡界定基板支撐件移動之平均進展方向。兮 方法亦包括在該基板支撐件中以與基板支撐件移動之平= 進展方向相對的流動平均方向管道輸送熱穩定介質。二 微影裝置製造—器件的 在一實施例中,提供一種使 方法。該方法包括將一圖案化輻射束投影至藉由與基板熱 接觸之基板支撐件支撐的基板的一目標部分上,沿著— 定軌跡將該基板自起始目標部分移動至結束目標部分, 在該支料中經由該基板之先妹向部分來遠離該目標2 105521.doc 1278056 分管道輸送熱穩定介質以使隨聽向部分保持熱穩定。 ❿:據本务明之—態樣,提供一種浸潰微影裝置。該浸潰 微影裝置包括-經組態以調節一輕射光束之照明系統,及 一經構造以支撐—圖案化器件之圖案化器件支撑件。該圖 f化器件能夠賦予幸畐射光束一在其橫截面上之圖案以形成 一圖案化輻射光束。該裝置亦包括—經構造以支撑一基板 之基板支撑件,及一經組態以將圖案化韓射光束投影至基 板之目&部分上的投影系統。排列該投影系統以在基板 與投影系統之間提供一光學液體以用於提供浸潰微影。排 列該基板支撐件以沿著隨後乾向目標部分的預定執跡移動 基板。該基板支撐包含一用於為基板提供熱穩定性之管道 組態。排列該管道組態以在該支撐件中管道輸送熱穩定介 質,及大體經由支撐基板之先前靶向部分的基板支撐件的 部分來遠離支撐該目標部分之基板支撐件的一部分管道輸 送該介質以使隨後靶向目標部分保持熱穩定。 , 根據本發明之一態樣,提供一種製造一用於支撐一基板 之基板支樓#的方法。該方法包括纟基板支撐件之頂層及/ 或底層中產生-管道布局組態以用於在其中管道輸送腐餘 ^ M頂層i組態以接觸基板。該方法亦包括在頂層及 底層中之一者上沉積一材料用於陽極黏結該頂層與底層以 產生钻、、Ό層及藉由陽極黏結將該頂層黏結至該底層以 在該頂層及底層中之—者中遷移該黏結層之材料,以防止 腐餘敏感性黏結表面。 【實施方式】 105521.doc 1278056 圖1不意性描繪根據本發明之一實施例之微影裝置。該裝 置包括一照明系統(照明器)IL,其經組態以調節輻射光束 B(例如,UV輻射);一支撐結構(例如,光罩台)ΜΤ,其經 構造以支撐一圖案化器件(例如,光罩)ΜΑ且連接至一第一 定位器ΡΜ’該第-定位n ΡΜ經組態以根據某些參數精確地 晶圓臺)WT,其經 定位該圖案化器件ΜΑ; —基板台(例如,
組態以固持-基板(例 >,經抗㈣塗覆之晶圓)w且連接一 第一疋位态PW’該第二定位器PWM組態以根據某些參數 精確地定位該基板;及—投影系統(例如,折射式投影透鏡 系統)PS’其經組態以將藉由—圖案化器件MA賦予該輕射 光束B之圖案投影至基板w之一目標部分c⑽如,包括一或 多個晶粒)上。 該照明系統可包括各種類型之光學組件,諸如用於引 導、成形或㈣輻射之折射式、反射式、磁性、電磁性、 靜電性或其它類型之光學組件或其之任何組合。 該支揮結構MT支揮、意即承載圖案化器件MA之重量。 其以一方式固持圖案化器件MA,該方式取決於該圖案化器 :MA之疋向、微影裝置之設計及其它條件,諸如該圖案化 牛疋否,固持於一真空環境中。支撐結構MT可使用機 械、真空、靜電或其它夾持技術來固持圖案化器件。支撐 了構MT了為框架或工作臺,例如,其可按需要為固定式或 =動1。切結構MT可確保圖案化器件ma處於所要位 -’列如,相對於投影系統之所要 -先罩,之任何使用可視為與更通用之術語”圖案 10552l.doc 1278056 化為件”同義。 本文中所使用之術語,,圖案化器 何可用於賦m射光束—在‘…冑釋為指任 如UU / I 4 也、截面中之圖案的器件,(諸 如)以在基板之目標部分中產生_ 圖案包括相移特徵或所謂之辅 、了 1 ’例如若該 ^ p, ^ ^ 〇β 特试’則賦予該輻射光束 :圖案可不嚴格對應於基板之目標部分 t賦予_光束之圖案對應於正在目標部分中產 件(諸如積體電路)中的特定功能層。 α
圖案化器件可為透射式歧射式。圖案化器件之實例包 括光罩、可程式規劃鏡面陣列及可程式規劃[CD面板。光 罩在微影術中係熟知的,且包括諸如二元式、交替相移式、 及衰減相移式之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式 規W鏡面陣列之一實例採用小鏡面之矩陣配置,每一該等 小鏡面可個別地傾斜,以便以不同方向反射人射輕射光 束傾斜之鏡面賦予一圖案於藉由鏡面矩陣反射之輻射光 束中。 如本文中所使用之術語,,投影系統,,應廣泛地解釋為包涵 任何類型之投影系統,包括適用於所使用之曝光輻射或適 用於諸如浸潰液之使用或真空之使用的其它因素的折射 式、反射式、折反射式、磁性、電磁性及靜電性光學系統 或其之任何組合。本文中術語,,投影透鏡”之任何使用可視 為與更通用之術語"投影系統”同義。 如此處所描繪,該裝置可為透射型(例如,採用透射式光 罩)。或者,該裝置可為反射型(例如,採用如上文所引用之 105521.doc -11 - 1278056 可耘式規劃鏡面陣列或採用反射式光罩)。 /微〜裝置可為具有兩個(雙平臺)或兩個以上基板台(及/ 或兩個或兩個以上光罩台)之類型。在該等,,多平臺"機械 *可平行使用額外工作臺,或在使用一或多個其它工作 室:於曝光時可於—或多個工作臺上進行預備階段。 。微影裝置亦可為以下類型:其中可藉由具有相對高折射 ^液體(例如,水)來覆蓋該基板之至少一部分以填充投影 =H板之間的空間。亦可施加浸潰液於微影裝置中之 ” ](例%光罩與投影系統之間)。浸潰技術在此項技 術"九知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所用之 術^/貝並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中, 而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。 參考圖卜照明1UL自韓射源犯接收輻射光束。該源與微 影裝置可為獨立實體,例如當該源為準分子雷射時。在該 等狀況下,不認為該源形成微影裝置之部分,且在包括例 如合適之引導鏡及/或光束放大器的光束傳遞系統⑽的幫 助下,輻射光束自該源so傳至照明器IL。在其它狀況下, 該源可為微影裝置之一整體部分,例如,當該源為汞燈時。 若需要,則該源so及照明器江連同光束傳遞系統BD一起可 被稱為輪射系統。 照明器IL可包括用於調整輕射光束之角強度分佈的調整 益AD。通常’至少可調整照明器之瞳孔平面中的強度分佈 的外徑及或内徑長度(通常分別稱4σ•外徑Ασ•内徑)。另 外’照明訊可包括各種其它組件,諸如積分謂及 105521.doc -12- 1278056 器CO。照明器可用於調節輻射光束以在其橫截面中具有所 要的均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於固持於支撐結構(例如,光罩台MT)上 的圖案化器件(例如,光罩MA)上,且藉由該圖案化器件圖 案化。在橫越光罩MA後,輻射光束B穿過投影系統PS,該 投影系統將該輻射聚焦至基板W之目標部分c上。在第二定 位器PW與位置感應器IF(例如,干涉器件、線性編碼器或電 谷式感應器)之幫助下,可精確地移動基板台WT,例如以 便在輪射光束B之路徑中定位不同的目標部分匚。類似地, 第一定位器PM及另一位置感應器(其在圖丨中未明確描繪) 例如在自光罩庫擷取機器後或在掃描期間可用於相對於輻 射光束B之路徑精確地定位光罩μα。通常,在形成第一定 位器ΡΜ之部分之長衝程模組(粗定位)及一短衝程模組(精 定位)之幫助下,可實現光罩台ΜΤ的移動。類似地,使用 形成第二定位器PW之部分的長衝程模組及短衝程模組可 實現基板台WT的移動。在步進器(與掃描器相對)之狀況 下,光罩台ΜΤ可僅連接至短衝程致動器或其可固定。可使 用光罩對準標記ΜΙ、M2及基板對準標記?1、ρ2來對準光罩 ΜΑ及基板W。雖然如說明之基板對準標記佔據專門的目標 部分,但是其可位於目標部分之間之空間中(此等稱為切割 路徑對準標記)。類似地,在於光罩ΜΑ上提供一個以上晶 粒之情況下,光罩校準標記可位於該等晶粒之間。 所描緣之裝置可以下列模式之至少一者使用·· 1·以步進核式’當賦予輻射光束之整個圖案—次性投影 105521.doc 13 1278056 至目標部分c上(意即,單個靜態曝光)時,光罩sMT及基 板台WT基本上保持固定。基板台WT接著在又及/或γ方向上 偏移,以可曝光一不同之目標部分c。在步進模式中,曝光 場之最大尺寸限制單個靜態曝光中成像之目標部分C的尺 寸。 2·以掃描模式,在賦予輻射光束之圖案投影至目標部分c 上(意即,單個動態曝光)時同步掃描光罩台MT及基板台 WT。可藉由投影糸統pl之放大(縮小)率及影像反轉特性來 判定基板台WT相對於光罩台MT之速度與方向。在掃描模 式中’曝光場之最大尺寸限制單個動態曝光中之目標部分 的寬度(在非掃描方向上),而掃描運動之長度確定該目標部 分之高度(在掃描方向上)。 3·以另一模式,固持可程式規劃之圖案化器件的光罩台 MT基本上保持固定,且在賦予輻射光束之圖案投影至目標 部分C上時,移動或掃描基板台WT。在此模式中,通常採 用脈衝輻射源,且在基板台WT之各移動後,或在掃描期間 中之連續輻射脈衝之間,按需要更新可程式規劃之圖案化 器件。此操作模式可容易地應用於利用可程式規劃之圖案 化器件(諸如如上文所引用之類型的可程式規劃鏡面陣列) 的無光罩微影術中。 亦可採用上述使用模式之組合及/或變化,或完全不同之 使用模式。 圖2及圖3給出用於在基板支撐件2中提供冷卻劑結構工之 替代性實施例。如自圖式所顯而易見,藉由在投影系統4下 105521.doc -14- 1278056 方之夾盤3移動基板支撐件2,該投影系統4係參考圖1中之 將圖案化輻射光束5提供至基板6上之受照明目標位置的PS 來描述,且此處不再進一步討論。受照明者係夾盤3相對於 投影系統4(其保持固定)之總移動方向7,其中以垂直於平面 視圖之列掃描晶粒8之列(參見圖4及圖5),界定待照明之目 標的進展方向P。在此配置中,通常識別支撐結構2為,,晶圓 堂π,其通常係硬質結構,通常由向基板6提供支撐之平坦 平面且與其直接接觸之玻璃類型或陶器材料製成。晶圓臺2
可包括複數個突起,該等突起限制接觸區域以使污染提供 理想支撐平坦平面的最小變形。在圖2中,如將參考圖4及 圖5進一步說明,晶圓臺2具有管道結構丨。或者或可能另 外,如圖3中所描繪,該管道結構丨可提供於基板支撐件2之 下部部分,如圖2中所描繪,其經由晶圓臺2間接熱耦接至 基板6。該下部部分通常稱為夾盤3或第二定位器pw,詳言 之,如上文參考圖i所解釋,稱為其精衝程模組。因為此替 代性位置需要藉由晶圓臺2之熱傳導,所以其在熱穩定性上 車乂不有效。然而’因為晶圓臺2通常具有硬質結構,所以結 構1可更易於實施,且冷卻劑管道9可較不易實施。 々圖4 口兄月用於根據本發明之晶圓臺2之管道組態1的一實 轭例、f e之’党照明之管道組態i同心排列於圓形晶圓臺 2、中。經由至少一個中心管道10連接複數個管道9。排列管 道9、1〇以猎由晶圓臺2移動或管道輸送熱穩定介質(尤其是 ° ^ 3日^ i 2頂部保持熱接觸(未料)之基板6提供 熱穩疋性。藉由平衡管道迴路之流動阻力,可提供最佳流 105521.doc -15- 1278056 動條件。在該圖之下半部分,示意性指出隨後受照明之目 標部分8的軌跡U。此照明通常逐列進行,且箭頭p界定晶 圓(”晶粒”)之隨後受照明部分8的平均進展方向。可見晶圓 臺中之管道組態丨將熱穩定介質方向之平均流動方向^定 於與平均進展方向P相對的方向上。以此方式,可藉由來自 靶向邛刀且朝向出口 12排出之經加熱介質以最短路徑熱影 響仍在更高的隨後順序中受照明之目標部分8。自入口 13新 進之冷卻劑應不受晶圓之已經受照明之部分的影響,且因 • 企匕可為仍待照明之部分達成更佳的熱穩定性。以此方式, 可進一步防止熱變形。 圖5展示根據本發明之晶圓臺2的第二實施例。如圖$中可 見,官道組態1可具有排列有出口 12及入口 13部分之中心連 接邛为14。自入口部分13排列管道9以直接經由晶圓臺2之 周邊邊緣15來管道輸送熱穩定介質至晶圓臺2之另一側。因 為"亥a曰圓之周邊可對熱擾動最敏感,所以此組態亦可幫助 φ 基板6之周邊熱穩定。在該流經過與連接部分14相對之侧 時,根據彎曲迴路16進一步排列管道。以此方式,冷卻劑 藉由列列對稱組態(mirr〇red r〇w by r〇w _邮加丨⑽)而自 基板之一側流至相對側,該組態可與受照明之晶粒8的列組 態一致(參見圖4)。 t見參考圖6中所描緣之實施例,可藉由提供黏結在 起之層化結構來將管道結構丨整合於晶圓臺2中。在黏結 層17中之一層或兩層中,可提供管道布局以在黏結組態中 形成管道9。該黏結較佳藉由陽極來黏結。此外,可使用抗 105521.doc -16 - l278〇56 腐餘材料。詳言之,如參看圖6進一步說明,陽極黏結層18 可為抗腐蝕性或全部遷移入黏結層17中。 雖然在此文中可特別引用微影裝置在1C製造中之使用, 但疋應瞭解’本文中所描述之微影裝置可具有其它應用, 諸如製造積體光學系統、磁域記憶體之導引及偵測圖案、 平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟練技工 應瞭解’在該等替代性應用之内容中,術語”晶圓,,或”晶粒” 在本文中之任何使用可視為分別與更通用之術語”基板,,或 ”目標部分’’同義。本文中所引用之基板可在曝光之前或之 後於例如軌道(通常將一層抗蝕劑塗覆至基板及將經曝光 之抗姓劑顯影的工具)、度量工具及/或檢測工具中處理。在 適用之處,本文中之揭示内容可應用於該等及其它基板處 理工具。另外,例如為了產生多層1C,該基板可處理一次 以上以使得本文中所用之術語基板可亦指已含有多個處理 層之基板。 雖然上文在光學微影之内容中可特定參考本發明之實施 例之使用,但是應瞭解本發明可用於其它應用中,例如轉 印微影’且在内容允許之處,其不限於光學微影。在轉印 微影中’目案化ϋ件中之構形界定基板上所產生之圖案。 圖案化器件之構形可壓人供應至基板之抗㈣層中,之後 藉由施加電磁輕射、熱量、壓力或其組合來固化該抗钱劑。 在抗蝕劑固化後,冑圖案化器件移出抗蝕劑,在 Θ 一圖案。 本文中使用之術語"輻射,,及”光束,,包涵所有類型之電磁 105521.doc 1278056 轄射,包括紫外線(UV)輻射(例如,具有約365、35 5、248、 D3、157或126 nm之波長)及超紫外線(EUV)輻射(例如,具 有在5_20 nm範圍内之波長)以及諸如離子束或電子束之粒 子束。 術語’’透鏡”在内容允許之處可係指各種類型之光學組件 之任一者或組合,包括折射式及反射式、磁性 '電磁性及 靜電性光學組件。 雖然上文中已經描述了本發明之特定實施例,但是應瞭 I 解,本發明可以除所描述之外的方式來實踐。舉例而言, 本發明可採取含有一或多個描述如上文所揭示之方法的機 器可讀指令之序列的電腦程式形式,或具有其中所儲存之 該電腦程式的資料儲存媒體(例如,半導體記憶體、磁碟或 光碟)形式。 上文之描述思欲為說明性而非限制性。因此,對於熟習 此項技術者顯而易見的是不偏離下文所陳述之申請專利範 圍之範疇的情況下,可如描述對本發明做出修改。 β 【目賴單說明】 圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。 圖2描繪圖1之裝置之一基板支撐件的一實施例。 圖3描繪圖1之裝置之一基板支撐件的另一實施例。 圖4提供圖2之基板支樓件之一實施例的一更詳細視圖。 圖5提供根據本發明之基板支撐件之另一實施例的更詳 細圖式。 圖6示意性說明用於提供根撼太 ^ _ 吸%很艨本發明之基板支撐件的製 105521.doc •18- 1278056 造方法。 【主要元件符號說明】
1 管道組態 2 晶圓臺/基板支撐件 3 夾盤 4 投影系統 5 圖案化輻射光束 6 基板 7 總移動方向 8 目標部分 9 管道/冷卻劑管道 10 中心管道 11 軌跡 12 出口 13 入口 14 中心連接部分 15 周邊邊緣 16 彎曲迴路 17 黏結層 18 陽極黏結層 AD 調整器 B 輻射光束 BD 光束傳遞系統 CO 聚光器 105521.doc -19- 1278056 IF 定位感應器 IL 照明系統/照明器 IN 入口 /積光器 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 圖案化器件/光罩 MT 光罩台 P 進展方向 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 SO 輻射源 W 基板 WT 基板台 105521.doc -20-
Claims (1)
1278056 十、申請專利範圍: 1 · 一種微影裝置,其包含: 一照明系統,其經組態以調節一輻射光束; -圖案化器件支撐件,其經構造以支撐一圖案化器 件’該圖案化器件能夠職予該輻射光束-在其橫截面: 之圖案以形成一圖案化輻射光束; -基板支撐件,其經構造以支推一基板;及 以糸、、先其經組態以將該圖案化輻射光束投影至 該基板之一目標部分上, 该基板支撐件經排列以沿著該基板之隨後把向目標部 分的一預定軌跡來移動該基板, 其中該基板支撐件包含一用於向該基板提供熱穩定性 之&道、、且悲,該管道組態經排列以在該支撐件中運輸熱 鉍疋;I貝,及大體經由支撐該基板之先前靶向部分之該 基板支撐件的部分,來將該介質輸送遠離支撐該目標部 /刀之遠基板支撐件的一部分,以使隨後靶向目標部分保 持熱穩定。 2·如吻求項1之微影農置,其中該執跡沿著一縱向軸線界定 忒基板之該隨後靶向部分的一平均進展方向,且其中該 基板支撐件中之該管道組態將該熱穩定介質之一平均流 動方向界定於一與該平均進展方向相對之方向上。 3 ·如明求項丨之微影裝置,其中該管道組態包含分別用於流 入及机出該熱穩定介質之一入口部分及一出口部分,其 中古女入 ^ 口及出口部分彼此鄰近排列於該基板支撐件之一 105521.doc 1278056 ' 且其中自該入口部分排列一管道經以經由該基板 支撐件之一周邊邊緣來輸送該熱穩定介質至該基板支撐 件的一相對側。 •如明求項1之微影裝置,其中該熱穩定介質經由一彎曲迴 路自忒基板支樓件之一侧流至一相對側。 5·如叫求項1之微影裝置,其中該管道組態包含複數個同心 排列之管道,該等管道經由至少一個徑向定向之管道連 接。
如明求項5之微影裝置,其中該熱穩定介質自該基板支撐 件之一側流至一相對側。 如叫求項1之微影裝置,其中該管道組態包含一布局,該 布局跟隨隨後掃描之該執跡。 一種用於在一微影裝置中支撐一基板之基板支撐件,該 基板支撐件包含一管道組態,該管道組態經排列以在該 支撐件中輸送熱穩定介質,及大體經由支撐該基板之先 前靶向部分之該基板支撐件的部分,來將該介質輸送遠 離支撐該基板之接收一圖案化輻射光束的一目標部分的 該基板支撐件的一部分,以使隨後靶向目標部分保持熱 穩定。 9·如請求項8之基板支撐件,其中該基板支撐件包含用於流 入及流出該熱穩定介質之一入口部分及一出口部分,其 中该入口及該出口部分彼此鄰近排列於該基板支撐件之 側上,且其中自該入口部分排列一管道以直接經由該 基板支撐件之一周邊邊緣來輸送該熱穩定介質至該基板 105521.doc -2- 1278056 支撐件的一相對側。 10U項8之基板支磐,#中該冷卻劑經由—響曲迴路 自該基板切件之—側流至―相對側。 H· 一種使用-微影裝置製造—器件之方法,該方法包含: 將一圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上, 該基板藉由與該基板熱接觸之一基板支撐件支撐; 沿著一預定軌跡將該基板自一㈣目標冑分移動至— 結束目標部分’該軌跡界定該基板切件之移動的一平 均進展方向;及 在該基板支律件中以一與該基板支撐件之移動之該平 均進展方向相對的平均流動方向輸送熱穩定介質。 12. -種使用-微影裝置製造—器件之方法,該方法包含: ;將-圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上, 該基板藉由與該基板熱接觸之一基板支撐件支撐; 沿耆一預定軌跡將該基板自一起始目標部分移動至一 結束目標部分;及 在該支揮件中經由該基板之先前把向部分輸送熱穩定 界質遠離該目標部分,以使隨後乾向部分保持熱穩定。 13. —種浸潰微影裝置,其包含: 一照明系統,其經組態以調節一輻射光束; -圖案化器件支撐件’其經構造以支撐一圖案化器 件,該圖案化器件能夠賦予該輻射束—在其橫截面上之 圖案以形成一圖案化輻射光束; 一基板支撐件,其經構造以支撐一基板;及 105521.doc 1278056 一投影系統,其經組態以將該圖案化輻射光束投影至 該基板之一目標部分上,該投影系統經排列以在該基板 與該投影系統之間提供一用於提供浸潰微影之光學液 體; «亥基板支撐件經排列以沿著隨後乾向目標部分的一預 定軌跡來移動該基板; 其中該基板支撐件包含一用於向該基板提供熱穩定性 之官道組態,該管道組態經排列以在該支撐件中輸送熱 铋定"貝,及大體經由支撐該基板之先前靶向部分之該 基板支撐件的部分,來輸送該介f遠離支撐該目標部分 之遠基板支撐件的-部分,以使隨後乾向目標部分保持 熱穩定。 14. -種製造-用於支撐_基板之基板支撐件的方法,其包 含: 在呑亥基板支撐件之_頂. ^ ^ -b 只續及/或一底層中產生一用於在 其中官道輸送腐钱性介暂沾总 ’丨買的官道布局組態,該頂層經組 態以接觸該基板; 在該頂層及底層之一 μ 上"L積一用於陽極黏結該頂層與 底層之材料以產生一黏結層;及 藉由陽極黏結將該馆s 〆了頁層黏結至該底層以在該頂層及底 層中之該一者中遷蒋兮& 7, 移違勡結層之材料,以防止一腐蝕敏 感性黏結表面。 105521.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/972,754 US7196768B2 (en) | 2004-10-26 | 2004-10-26 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200633112A TW200633112A (en) | 2006-09-16 |
TWI278056B true TWI278056B (en) | 2007-04-01 |
Family
ID=35583513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094135615A TWI278056B (en) | 2004-10-26 | 2005-10-13 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7196768B2 (zh) |
EP (1) | EP1653283B1 (zh) |
JP (1) | JP4335197B2 (zh) |
KR (1) | KR100706072B1 (zh) |
CN (1) | CN100593133C (zh) |
DE (1) | DE602005018150D1 (zh) |
SG (1) | SG122045A1 (zh) |
TW (1) | TWI278056B (zh) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1965414A4 (en) * | 2005-12-06 | 2010-08-25 | Nikon Corp | EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
WO2007089871A2 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-09 | The Johns Hopkins University | Polypeptide-nucleic acid conjugate for immunoprophylaxis or immunotherapy for neoplastic or infectious disorders |
US7593096B2 (en) | 2006-05-15 | 2009-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8325321B2 (en) * | 2006-07-28 | 2012-12-04 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of heat dissipation and frame |
US8760621B2 (en) * | 2007-03-12 | 2014-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
TWI450047B (zh) * | 2007-07-13 | 2014-08-21 | Mapper Lithography Ip Bv | 微影系統、夾緊方法及晶圓台 |
JP2010535248A (ja) * | 2007-07-31 | 2010-11-18 | ザ ジョンズ ホプキンス ユニバーシティー | 腫瘍性障害または感染症の免疫学的予防または免疫療法のためのポリペプチド−核酸複合体 |
US9025126B2 (en) * | 2007-07-31 | 2015-05-05 | Nikon Corporation | Exposure apparatus adjusting method, exposure apparatus, and device fabricating method |
JP5369443B2 (ja) | 2008-02-05 | 2013-12-18 | 株式会社ニコン | ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
NL2002888A1 (nl) * | 2008-06-12 | 2009-12-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, composite material and manufacturing method. |
NL2005874A (en) | 2010-01-22 | 2011-07-25 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2006809A (en) * | 2010-06-23 | 2011-12-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cooling method. |
NL2006913A (en) | 2010-07-16 | 2012-01-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
DE102011005778A1 (de) * | 2011-03-18 | 2012-09-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optisches Element |
NL2008751A (en) | 2011-06-06 | 2012-12-10 | Asml Netherlands Bv | Temperature sensing probe, burl plate, lithographic apparatus and method. |
NL2009189A (en) | 2011-08-17 | 2013-02-19 | Asml Netherlands Bv | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN104520770B (zh) * | 2012-04-23 | 2017-01-18 | Asml荷兰有限公司 | 静电夹持装置、光刻设备和方法 |
EP3049869B1 (en) | 2013-09-27 | 2017-11-08 | ASML Netherlands B.V. | Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP6304905B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2018-04-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィにおけるオブジェクトを位置決めするシステム |
CN110546573B (zh) * | 2017-04-11 | 2022-10-04 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01152639A (ja) | 1987-12-10 | 1989-06-15 | Canon Inc | 吸着保持装置 |
DE68922061T2 (de) * | 1988-10-03 | 1995-08-31 | Canon Kk | Vorrichtung zum Regeln der Temperatur. |
US5231291A (en) * | 1989-08-01 | 1993-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer table and exposure apparatus with the same |
US5220171A (en) * | 1990-11-01 | 1993-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer holding device in an exposure apparatus |
JPH04271108A (ja) | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Fujitsu Ltd | 露光装置 |
JPH0781755A (ja) | 1993-09-16 | 1995-03-28 | Canon Inc | 基板保持装置 |
JPH09270457A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nippon Steel Corp | 露光装置 |
JP3695000B2 (ja) * | 1996-08-08 | 2005-09-14 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置 |
JP2003045947A (ja) | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Canon Inc | 基板処理装置及び露光装置 |
JP4153781B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2008-09-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置および基板処理装置 |
JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
KR100532322B1 (ko) * | 2003-06-04 | 2005-11-29 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 베이킹 플레이트의 냉각 장치 |
-
2004
- 2004-10-26 US US10/972,754 patent/US7196768B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-10-13 TW TW094135615A patent/TWI278056B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-10-14 DE DE602005018150T patent/DE602005018150D1/de active Active
- 2005-10-14 EP EP05077374A patent/EP1653283B1/en not_active Not-in-force
- 2005-10-25 CN CN200510118070A patent/CN100593133C/zh active Active
- 2005-10-25 KR KR1020050100969A patent/KR100706072B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-10-25 SG SG200508465A patent/SG122045A1/en unknown
- 2005-10-25 JP JP2005310028A patent/JP4335197B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100706072B1 (ko) | 2007-04-12 |
JP4335197B2 (ja) | 2009-09-30 |
EP1653283A2 (en) | 2006-05-03 |
SG122045A1 (en) | 2006-05-26 |
JP2006128682A (ja) | 2006-05-18 |
EP1653283B1 (en) | 2009-12-09 |
CN1766739A (zh) | 2006-05-03 |
CN100593133C (zh) | 2010-03-03 |
TW200633112A (en) | 2006-09-16 |
EP1653283A3 (en) | 2006-07-05 |
DE602005018150D1 (de) | 2010-01-21 |
KR20060049358A (ko) | 2006-05-18 |
US20060087637A1 (en) | 2006-04-27 |
US7196768B2 (en) | 2007-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI278056B (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR100705497B1 (ko) | 기판을 지지하거나 및/또는 열적으로 콘디셔닝하는 장치,방법, 지지테이블 및 척 | |
JP4686527B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
TWI380135B (en) | Substrate support and lithographic process | |
TWI331703B (zh) | ||
JP4459194B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
TWI329790B (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR20130061647A (ko) | 지지체, 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
TW201011484A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US9195150B2 (en) | Lithographic apparatus comprising a support for holding an object, and a support for use therein | |
US10236203B2 (en) | Lithographic apparatus substrate table and method of loading a substrate | |
KR100620981B1 (ko) | 리소그래피장치, 디바이스제조방법 및 기판홀더 | |
JP4602317B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびリソグラフィ装置の較正方法 | |
TWI470362B (zh) | 微影裝置和方法 | |
NL2006514A (en) | Apparatus and method for contactless handling of an object. | |
NL2009549A (en) | Lithographic apparatus and substrate handling method. | |
JP4756101B2 (ja) | 物品支持体、リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置 | |
TW201027275A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP6637188B2 (ja) | 基板ハンドリングシステムおよびリソグラフィ装置 | |
US7494828B2 (en) | Substrate holder and device manufacturing method | |
KR20080045630A (ko) | 리소그래피 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |