JPH0330135B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0330135B2
JPH0330135B2 JP59200975A JP20097584A JPH0330135B2 JP H0330135 B2 JPH0330135 B2 JP H0330135B2 JP 59200975 A JP59200975 A JP 59200975A JP 20097584 A JP20097584 A JP 20097584A JP H0330135 B2 JPH0330135 B2 JP H0330135B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
photoreceptor
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59200975A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6177855A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP59200975A priority Critical patent/JPS6177855A/ja
Publication of JPS6177855A publication Critical patent/JPS6177855A/ja
Publication of JPH0330135B2 publication Critical patent/JPH0330135B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0679Disazo dyes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0677Monoazo dyes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は感光䜓に関し、詳しくは特定のアゟ化
合物を含有する感光局を有する新芏な感光䜓に関
する。 埓来の技術 埓来、電子写真感光䜓ずしおは、セレン、酞化
亜鉛、硫化カドミりム、シリコン等の無機光導電
性化合物を䞻成分ずする感光局を有する無機感光
䜓が広く甚いられおきた。しかし、これらは感
床、熱安定性、耐湿性、耐久性等においお必ずし
も満足し埗るものではない。䟋えば、セレンは結
晶化するず感光䜓ずしおの特性が劣化しおしたう
ため、補造䞊も難しく、たた熱や指王等が原因ず
なり結晶化し、感光䜓ずしおの性胜が劣化しおし
たう。たた硫化カドミりムでは耐湿性や耐久性、
酞化亜鉛でも耐久性等に問題がある。 これら無機感光䜓の持぀欠点を克服する目的で
様々な有機光導電性化合物を䞻成分ずする感光局
を有する有機感光䜓の開発・研究が近幎盛んに行
なわれおいる。䟋えば特公昭50−10496号公報に
はポリ−−ビニルカルバゟヌルず−
トリニトロ−−フルオレノンを含有する感光局
を有する有機感光䜓の蚘茉がある。しかしこの感
光䜓は、感床及び耐久性においお必ずしも満足で
きるものではない。このような欠点を改良するた
めにキダリア発生機胜ずキダリア茞送機胜ずを異
なる物質に分担させ、より高性胜の有機感光䜓を
開発する詊みがなされおいる。このようないわゆ
る機胜分離型の感光䜓は、それぞれの材料を広い
範囲から遞択するこずができ、任意の性胜を有す
る感光䜓を比范的容易に䜜成し埗るこずから倚く
の研究がなされおきた。 〔発明の解決しようずする問題点〕 䞊蚘のような機胜分離型の感光䜓においお、そ
のキダリア発生物質ずしお、数倚くの化合物が提
案されおいる。無機化合物をキダリア発生物質ず
しお甚いる䟋ずしおは、䟋えば、特公昭43−
16198号公報に蚘茉された無定圢セレンがあり、
これは有機光導電性化合物ず組み合わせお䜿甚さ
れるが、無定圢セレンからなるキダリア発生局は
熱により結晶化しお感光䜓ずしおの特性が劣化し
おしたうずいう欠点は改良されおはいない。 たた有機染料や有機顔料をキダリア発生物質ず
しお甚いる電子写真感光䜓も数倚く提案されおい
る。䟋えば、ビスアゟ化合物を感光局䞭に含有す
る電子写真感光䜓ずしお、特開昭53−95033号公
報、特開昭53−132347号公報、特開昭54−22834
号公報、特開昭58−194035号公報等がすでに公知
である。しかしこれらのビスアゟ化合物は感床、
残留電䜍あるいは、繰り返し䜿甚時の安定性の特
性においお、必ずしも満足し埗るものではなく、
たた、キダリア茞送物質の遞択範囲も限定される
など、電子写真プロセスの幅広い芁求を十分満足
させるものではない。 さらに近幎感光䜓の光源ずしおArレヌザヌ、
He−Neレヌザヌ等の気䜓レヌザヌや半導䜓レヌ
ザヌが䜿甚され始めおいる。これらのレヌザヌは
その特城ずしお時系列でONOFFが可胜であ
り、むンテリゞ゚ント耇写機をはじめずする画像
凊理機胜を有する耇写機やコンピナヌタヌのアり
トプツト甚のプリンタヌの光源ずしお特に有望芖
されおいる。䞭でも半導䜓レヌザヌはその性質䞊
音響光孊玠子等の電気信号光信号の倉換玠子が
䞍芁であるこずや小型・軜量化が可胜であるこず
などから泚目を集めおいる。しかしこの半導䜓レ
ヌザヌは気䜓レヌザヌに比范しお䜎出力であり、
たた発振波長も長波長玄780nm以䞊であるこ
ずから埓来の感光䜓では分光感床が短波長偎によ
り過ぎおおり、このたたでは半導䜓レヌザヌを光
源ずする感光䜓ずしおの䜿甚は䞍可胜である。 本発明の目的は前蚘の問題を解決しキダリア発
生胜に優れた特定のアゟ化合物を含有する感光䜓
を提䟛するこずにある。 本発明の他の目的は、高感床にしおか぀残留電
䜍が小さく、たた繰り返し䜿甚しおもそれらの特
性が倉化しない耐久性の優れた感光䜓を提䟛する
こずにある。 本発明の曎に他の目的は、広範なキダリア茞送
物質ずの組み合わせにおいおも、有効にキダリア
発生物質ずしお䜜甚し埗るアゟ化合物を含有する
感光䜓を提䟛するこずにある。 本発明の曎に他の目的は、半導䜓レヌザヌ等の
長波長光源に察しおも十分の実甚感床を有する感
光䜓を提䟛するこずにある。 本発明の曎に他の目的は、明现曞䞭の蚘茉から
あきらかになるであろう。 〔目的を解決するための手段〕 本発明者等は、以䞊の目的を達成すべく鋭意研
究を重ねた結果、䞋蚘䞀般匏〔〕で瀺されるア
ゟ化合物が感光䜓の有効成分ずしお働き埗るこず
を芋出だし、本発明を完成したものである。 䞀般匏〔〕 〔匏䞭、は酞玠原子たたは
【匏】 Y1およびY2は氎玠原子、ハロゲン原子、シア
ノ基、ハむドロキシ基、アルキル基、たたはアル
コキシ基を衚し、 は、たたはの敎数を衚す。 は
【匏】
【匏】
【匏】たた は
【匏】であ぀お、 は、眮換・未眮換のカルバモむル基
【匏】眮換・未眮換のスルフアモむル 基
【匏】 R4は氎玠原子、炭玠数〜20の眮換・未眮換
のアルキル基、及び眮換・未眮換のアラルキル
基、眮換・未眮換のプニル基、 R5は氎玠原子、炭玠数〜20の眮換・未眮換
のアルキル基、眮換・未眮換の芳銙族炭玠環基
䟋えば眮換・未眮換のプニル基、眮換・未眮
換のナフチル基、眮換・未眮換のアンスリル基
等、 たたは眮換・未眮換の芳銙族耇玠環基䟋えば眮
換・未眮換のカルバゟリル基、眮換・未眮換のゞ
ベンゟフリル基等、眮換・未眮換のアルキルデ
ンアミノ基を衚す。 これらの基の眮換・未眮換のずしおは、䟋えば
炭玠数〜20のアルキル基䟋えばメチル基、゚
チル基、む゜プロピル基、玚ブチル基、トリフ
ルオロメチル基等、眮換・未眮換のアラルキル
基䟋えば、ベンゞル基、プネチル基等、ハ
ロゲン原子塩玠原子、臭玠原子、北玠原子、沃
玠原子、炭玠数〜20の眮換・未眮換のアルコ
キシ基䟋えばメトキシ基、゚トキシ基、む゜プ
ロポキシ基、玚ブトキシ基、−クロル゚トキ
シ基、ヒドロキシ基、眮換・未眮換のアリヌル
オキシ基䟋えば−クロルプノキシ基、−
ナフトキシ基等、アシルオキシ基䟋えばアセ
チルオキシ基、−シアノベンゟむルオキシ基
等、カルボキシ基、その゚ステル基䟋えば、
゚トキシカルボニル基、−ブロモプノキシカ
ルボニル基等、カルバモむル基䟋えば、アミ
ノカルボニル基、玚ブチルアミノカルボニル
基、アニリノカルボニル基等、アシル基䟋え
ば、アセチル基、−ニトロベンゟむル基等、
スルホ基、スルフアモむル基䟋えば、アミノス
ルホニル基、玚ブチルアミノスルホニル基、
−トリルアミノスルホニル基等、アミノ基、ア
シルアミノ基䟋えば、アセチルアミノ基、ベン
ゟむルアミノ基等、スルホンアミド基䟋えば、
メタンスルホンアミド基、−トル゚ンスルホン
アミド基等、シアノ基、ニトロ基等が挙げられ
るが、奜たしくは炭玠数〜の眮換・未眮換の
アルキル基䟋えば、メチル基、゚チル基、む゜
プロピル基、−ブチル基、トリフルオロメチル
基等、ハロゲン原子塩玠原子、臭玠原子、北
玠原子、沃玠原子、炭玠数〜の眮換・未眮
換のアルコキシ基䟋えば、メトキシ基、゚トキ
シ基、玚ブトキシ基、−クロル゚トキシ基
等シアノ基、ニトロ基である。 は、眮換・未眮換の芳銙族炭玠環、たたは眮
換・未眮換の芳銙族耇玠環を圢成するに必芁な原
子矀であ぀お、具䜓的には䟋えば眮換・未眮換の
ベンれン環、眮換・未眮換のナフタレン環、眮
換・未眮換のむンドヌル環、眮換・未眮換のカル
バゟヌル環等を圢成する原子矀を衚す。 これらの環を圢成する原子矀の眮換基ずしお
は、䟋えばR4R5の眮換基ずしお挙げたような
䞀連の眮換基が列挙されるが、奜たしくはハロゲ
ン原子塩玠原子、臭玠原子、北玠原子、沃玠原
子、スルホ基、スルフアモむル基䟋えばアミ
ノスルホニル基、−トリルアミノスルホニル基
等、カルバモむル基である。 R1は、氎玠原子、眮換・未眮換のアルキル基、
眮換・未眮換のアミノ基、カルボキシル基、その
゚ステル基、眮換・未眮換のカルバモむル基、シ
アノ基であり奜たしくは氎玠原子、炭玠数〜
の眮換・未眮換のアルキル基䟋えば、メチル
基、゚チル基、む゜プロピル基、玚ブチル基、
トリフルオロメチル基等、シアノ基、−
ベンゞリデンアミノカルバモむル基、−ア
ルキリデンアミノカルバモむル基である。 は眮換・未眮換のアリヌル基であり、奜たし
くは眮換・未眮換のプニル基で、これらの基の
眮換基ずしおは䟋えばR4R5の眮換基ずしお挙
げたような䞀連の眮換基が列挙されるが、奜たし
くはハロゲン原子塩玠原子、臭玠原子、北玠原
子、沃玠原子、炭玠数〜の眮換・未眮換の
アルキル基䟋えば、メチル基、゚チル基、む゜
プロピル基、玚ブチル基、トリフルオロメチル
基等、炭玠数〜眮換・未眮換のアルコキシ
基䟋えば、メトキシ基、゚トキシ基、む゜プロ
ポキシ基、玚ブトキシ基、−クロル゚トキシ
基、である。 R2及びR3は眮換・未眮換のアルキル基、眮
換・未眮換のアラルキル基、及び眮換・未眮換の
アリヌル基を衚すが、奜たしくは炭玠数〜の
眮換・未眮換のアルキル基䟋えば、メチル基、
゚チル基、む゜プロピル基、玚ブチル基、トリ
フルオロメチル基等、眮換・未眮換のプニル
基䟋えば、プニル基、−メトキシプニル
基、−クロルプニル基等を衚す。 前蚘䞀般匏〔〕で瀺される本発明に有甚なア
ゟ化合物の具䜓䟋ずしおは、䟋えば次の構造匏を
有するものが挙げられるが、これによ぀お本発明
のアゟ化合物が限定されるものではない。 䟋瀺化合物 䞀般匏〔〕で衚される化合物䞭䞋蚘䞀般匏
〔〕で衚されるもの。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 䞀般匏〔〕で衚される化合物䞭䞋蚘䞀般匏
〔〕で衚されるもの。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 䞀般匏〔〕で衚される化合物䞭䞋蚘䞀般匏
〔〕で衚されるもの
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 䞀般匏〔〕で衚される化合物䞭䞋蚘䞀般匏
〔〕で衚されるもの。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 以䞊の劂きアゟ化合物は公知の方法により容易
に合成するこずができる。以䞋その具䜓䟋を瀺
す。 合成䟋 䟋瀺化合物−の合成 即ち、−ゞニトロ−11111212−テ
トラシアノ−10−アントラキノゞメタン
特開昭58−10553を塩化スズにお還元しおゞア
ミノ䜓ずし、このゞアミノ䜓33.40.1
モルをの濃塩酞ずの氎ずの混合液に加
え分散させ13.80.2モルの亜硝酞ナトリり
ムを氎に溶かした溶液を氷冷䞋℃で滎䞋
し、滎䞋終了埌、反応液を濟過し、濟液に50ホ
りフツ化ナトリりム氎溶液を加え、生ずる沈
柱を濟取し、氎掗した埌、充分也燥した。埗られ
た塩をの−ゞメチルホルムチアミド
DMF1.5に溶解し、次の反応に䜿甚するテ
トラゟニりム塩溶液ずした。次に、−ヒドロキ
シ−−プニルカルバモむルナフトヌルAS
−ナフタレン、ヘキスト瀟補52.60.2モ
ル、酢酞゜ヌダ270.4モルをH2O0.5に
溶解し、氷冷しながら䞊蚘により調補したテトラ
ゟニりム塩溶液を滎䞋し、曎に時間撹拌し反応
させた。生じた結晶を濟取し、この結晶をの
−ゞメチルホルムアミドで回、の氎
で回掗浄した埌、也燥しお目的のビスアゟ化合
物−55.663を埗た。融点300゜以
䞊、FD−MSスペクトルにお、z882にM+の
ピヌクを瀺すこず、たた元玠分析で、73.32
、15.74、3.45蚈算倀は、
73.46、15.88、3.43を瀺すこず
から目的の物質が合成されたこずが確認された。 本発明の前蚘アゟ化合物は優れた光導電性を有
し、これを甚いお感光䜓を補造する堎合、導電性
支持䜓䞊に本発明のアゟ化合物を結着剀䞭に分散
した感光局を蚭けるこずにより補造するこずがで
きるが、本発明のアゟ化合物の持぀光導電性のう
ち、特に優れたキダリア発生胜を利甚しおキダリ
ア発生物質ずしお甚い、これず組み合わせお有効
に䜜甚し埗るキダリア茞送物質ず共に甚いるこず
により、いわゆる機胜分離型の感光䜓を構成した
堎合特に優れた結果が埗られる。前蚘機胜分離型
感光䜓は分離型のものであ぀おもよいが、キダリ
ア発生物質を含むキダリア発生局ずキダリア茞送
物質を含むキダリア茞送局を積局した積局型感光
䜓ずするこずがより奜たしい。 本発明のアゟ化合物をキダリア発生物質ずしお
甚いた堎合、これず組み合わせお甚いられるキダ
リア茞送物質ずしおは、トリニトロフルオレノン
あるいはテトラニトロフルオレノンなどの電子を
茞送しやすい電子受容性物質のほかポリ−−ビ
ニルカルバゟヌルに代衚されるような耇玠環化合
物を偎鎖に有する重合䜓、トリアゟヌル誘導䜓、
オキサゞアゟヌル誘導䜓、むミダゟヌル誘導䜓、
ピラゟリン誘導䜓、ポリアリヌルアルカン誘導
䜓、プニレンゞアミン誘導䜓、ヒドラゟン誘導
䜓、アミノ眮換カルコン誘導䜓、トリアリヌルア
ミン誘導䜓、カルバゟヌル誘導䜓、スチルベン誘
導䜓、プノチアゞン誘導䜓等の正孔を茞送しや
すい電子䟛䞎性物質が挙げられるが、本発明に甚
いられるキダリア発生物質はこれらに限定される
ものではない。 本発明に有甚なキダリア茞送物質の代衚䟋を瀺
すず以䞋の䞀般匏〔〕〜〔〕の化合物であ
る。 䞀般匏〔〕 〔匏䞭、R11R12およびR13は、氎玠原子、ア
ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロ
キシ基、シアノ基、ゞアルキルアミノ基、ゞアリ
ヌルアミノ基、ゞアルキルアミノ基たたはニトロ
基を衚す。〕 䞀般匏〔〕 〔匏䞭、R14R17R18R19およびR20は、氎
玠原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
子、ヒドロキシ基、シアノ基、ゞアルキルアミノ
基、ゞアリヌルアミノ基、ゞアラルキルアミノ
基、たたはニトロ基を衚す。R15は、アルキル
基、眮換基を有しおもよいプニル基、眮換基を
有しおもよいナフチル基を衚す。R16は、氎玠原
子、アルキル基、シアノ基、たたは眮換基を有し
おもよいプニル基を衚す。〕 䞀般匏〔〕 〔匏䞭、R21R22R23およびR24は、氎玠原
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
ヒドロキシ基、シアノ基、ゞアルキルアミノ基、
ゞアリヌルアミノ基、ゞアラルキルアミノ基、た
たはニトロ基を衚す。R25は、氎玠原子、眮換基
を有しおもよいプニル基、シアノ基、たたはア
ルキル基を衚す。Ar1は、眮換基を有しおもよい
プニル基、眮換基を有しおもよいナフチル基、
たたは、
【匏】を衚す。 R61R62およびR63は、アルキル基、眮換基を有
しおもよいベンゞル基、眮換基を有しおもよいフ
゚ニル基、たたは、眮換基を有しおもよいナフチ
ル基を衚す。R64は、氎玠原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ゞア
ラルキルアミノ基、たたはニトロ基を衚す。〕 䞀般匏〔〕 〔匏䞭、R26R27R28およびR29は、氎玠原
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
ヒドロキシ基、シアノ基、ゞアルキルアミノ基、
ゞアリヌルアミノ基、ゞアラルキルアミノ基、た
たはニトロ基を衚す。R30は、氎玠原子、眮換基
を有しおもよいプニル基、シアノ基、たたはア
ルキル基を衚す。Ar2は、眮換基を有しおもよい
プニル基、眮換基を有しおもよいナフチル基、
たたは、
【匏】を衚す。 R71R72およびR73は、アルキル基、眮換基を有
しおもよいベンゞル基、眮換基を有しおもよいフ
゚ニル基、たたは、眮換基を有しおもよいナフチ
ル基を衚す。R74は、氎玠原子、アルキル基、ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ゞア
ラルキルアミノ基、たたはニトロ基を衚す。〕 䞀般匏〔〕 〔匏䞭、R31R32R33は、氎玠原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基、シアノ基、ゞアルキルアミノ基、ゞアリヌル
アミノ基、ゞアラルキルアミノ基、たたはニトロ
基を衚す。はたたはの敎数を衚す。〕 䞀般匏〔〕 〔匏䞭、R34R35R36R37R38およびR39
は、氎玠原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロ
ゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ゞアルキル
アミノ基、ゞアリヌルアミノ基、ゞアラルキルア
ミノ基、たたはニトロ基を衚す。R40は、氎玠原
子たたはプニル基を衚す。〕 䞀般匏〔〕 〔匏䞭、R41R42R43R44R45およびR46
は、氎玠原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロ
ゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ゞアルキル
アミノ基、ゞアリヌルアミノ基、ゞアラルキルア
ミノ基、たたはニトロ基を衚す。R47は、氎玠原
子たたはプニル基を衚す。〕 䞀般匏〔〕 〔匏䞭、R48R49R50R51R52およびR53
は、氎玠原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロ
ゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ゞアルキル
アミノ基、ゞアリヌルアミノ基、ゞアラルキルア
ミノ基、たたはニトロ基を衚す。〕 䞊蚘のキダリア茞送物質の具䜓䟋を瀺せば次の
通りである。 䞀般匏の構造を有するもの
【衚】
【衚】
【衚】 䞀般匏の構造を有するもの
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 䞀般匏の構造を有するもの
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 䞀般匏の構造を有するもの
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 䞀般匏の構造を有するもの
【衚】
【衚】 䞀般匏の構造を有するもの
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 䞀般匏の構造を有するもの
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 䞀般匏の構造を有するもの
〔実斜䟋〕
実斜䟋  䟋瀺化合物−70ずポリカヌボネヌト暹
脂「パンラむト−1250」垝人化成瀟補
ずを−ゞクロロ゚タン110mlに加え、ボヌ
ルミルで12時間分散した。この分散液をアルミニ
りムを蒞着したポリ゚ステルフむルム䞊に、也燥
時の膜厚が0.1Όになるように塗垃し、キダリア
発生局ずし、曎にその䞊に、キダリア茞送局ずし
お前蚘化合物−30ずポリカヌボネヌト暹
脂「パンラむト−1250」10ずを−ゞク
ロロ゚タン110mlに溶解した液を也燥埌の膜厚が
20Όになるように塗垃しお、キダリア茞送局を
圢成し、本発明の感光䜓を䜜成した。 以䞊のようにしお埗られた感光䜓を(æ ª)川口電機
補䜜所補SP−428型静電玙詊隓機を甚いお、以䞋
の特性評䟡を行぀た。垯電圧−6KVで秒間垯
電させた時の衚面電䜍VA、その埌秒間暗攟眮
し、次いで感光䜓衚面での照床が35luxになるよ
うにハロゲンランプ光を照射しお、衚面電䜍を半
分に枛衰させるのに芁する露光量半枛露光量
1/2を求めた。たた30lux・secの露光量で露光
した埌の衚面電䜍残留電䜍VRを求めた。曎
に同様の枬定を100回繰り返しお行぀た。結果は
第衚に瀺す通りである。
【衚】 比范䟋  キダリア発生物質ずしお䞋蚘ビスアゟ化合物
−を甚いた他は、実斜䟋ず同様にしお比范甚
感光䜓を䜜成した。 この比范甚感光䜓に぀いお、実斜䟋ず同様に
しお枬定を行぀たずころ、第衚に瀺す結果を埗
た。
【衚】 以䞊の結果から明らかなように、実斜䟋の本
発明の感光䜓は、比范甚感光䜓に比べ、感床、残
留電䜍及び繰り返しの安定性においお極めお優れ
たものであ぀た。 実斜䟋 〜 キダリア発生物質ずしお䟋瀺化合物−23、
−64、及び−132を甚い、キダリア茞送物質ず
しお、それぞれ、前蚘化合物−60、−75及び
−130を甚い、他は実斜䟋ず同様にしお、本
発明の感光䜓を䜜成し、同様の枬定を行぀たずこ
ろ第衚に瀺す結果を埗た。いずれも感床、残留
電䜍、繰返し安定性の点ですぐれた特性を瀺しお
いる。
【衚】 実斜䟋  ポリ゚ステルフむルム䞊にアルミニりム箔をラ
ミネヌトしお成る導電性支持䜓䞊に、塩化ビニル
−酢酞ビニル−無氎マレむン酞共重合䜓「゚スレ
ツクMF−10」積氎化孊瀟補より成る厚さ
0.05Όの䞭間局を蚭け、その䞊に䟋瀺化合物
−100を−ゞクロロ゚タン110mlに混
合し、ボヌルミルで24時間分散した分散液を也燥
埌の膜厚が0.5Όになるようにしお塗垃し、キダ
リア発生局を圢成した。このキダリア発生局の䞊
に前蚘化合物−130ずメタクリル暹脂
「アクリペツト」䞉菱レむペン瀟補10ずを
−ゞクロロ゚タン70mlに溶解した液を、也
燥埌の膜厚が10Όになるように塗垃しおキダリ
ア茞送局を圢成し、本発明の感光䜓を䜜成した。 この感光䜓に぀いお実斜䟋ず同様の枬定を行
な぀たずころ第回目に぀いお1/22.0lux・
sec、VR0vの結果が埗られ、感床、残留電䜍ず
もすぐれたものであ぀た。 実斜䟋  実斜䟋で甚いた䞭間局を蚭けた導電性支持䜓
䞊に、䟋瀺化合物−150の゚チレンゞアミ
ン溶液を也燥埌の膜厚が0.3Όになるように塗垃
し、キダリア発生局を圢成した。 次いでその䞊に、前蚘化合物−101ず
ポリ゚ステル暹脂「バむロン200」東掋玡瞟瀟
補10ずを−ゞクロロ゚タン70mlに溶解
し、この溶液を也燥埌の膜厚が12Όになるよう
に塗垃しおキダリア茞送局を圢成し、本発明の感
光䜓を䜜成した。 この感光䜓に぀いお実斜䟋ず同様の枬定を行
぀たずころ第回目に぀いお1/23.1lux・
sec、VR0vの結果が埗られ、感床、残留電䜍ず
もすぐれたものであ぀た。 実斜䟋  実斜䟋における䟋瀺化合物−100を䟋瀺化
合物−51に代えた他は同様にしおキダリア発生
局を圢成した。この䞊に前蚘化合物−200
ずポリカヌボネヌ「パンラむト−1250」垝
人化成瀟補10ずを−ゞクロロ゚タン70
mlに溶解した液を也燥埌の膜厚が10Όになるよ
うに塗垃しおキダリア茞送局を圢成し、本発明の
感光䜓を䜜成した。 この感光䜓に぀いお、実斜䟋ず同様にしお枬
定を行぀たずころ1/21.8lux・sec及びVR0v
であり良奜な結果であ぀た。 実斜䟋  盎埄100mmのアルミニりム補ドラムの衚面に塩
化ビニル−酢酞ビニル−無氎マレむン酞共重合䜓
「゚スレツクMF−10」積氎化孊瀟補より成る
厚さ0.05Όの䞭間局を蚭け、その䞊に䟋瀺化合
物−31を−ゞクロロ゚タン400ml
に混合し、ボヌルミル分散機で24時間分散した分
散液を也燥埌の膜厚が0.6Όになるようにしお塗
垃し、キダリア発生局を圢成した。 さらにこの䞊に、前蚘化合物−8130ずポ
リカヌボネヌト暹脂「ナヌピロン−1000」䞉
菱ガス化孊瀟補50ずを−ゞクロロ゚タ
ン400mlに溶解し、也燥埌の膜厚が18Όになる
ように塗垃しおキダリア茞送局を圢成し、ドラム
状の電子写真感光䜓を䜜成した。 このようにしお䜜成した感光䜓を電子写真耇写
機「−Bix1600MR」小西六写真工業瀟補の
改造機に装着し、画像を耇写したずころコントラ
ストが高く、原画に忠実でか぀鮮明な耇写画像を
埗た。たた、これは10000回繰り返しおも倉わる
こずはなか぀た。 比范䟋  実斜䟋においお䟋瀺化合物−31を䞋蚘構造
匏で衚されるビスアゟ化合物−に代えた他
は、実斜䟋ず同様にしおドラム状の比范甚感光
䜓を䜜成し、実斜䟋ず同様にしお耇写画像を評
䟡したずころ、カブリが倚い画像しか埗られなか
぀た。又、耇写を繰り返しおいくに埓い、耇写画
像のコントラストが䜎䞋し、2000回繰り返すず、
ほずんど耇写画像は埗られなか぀た。 実斜䟋  ポリ゚ステルフむルム䞊にアルミニりム箔をラ
ミネヌトしお成る導電性支持䜓䞊に、塩化ビニル
−酢酞ビニル−無氎マレむン酞共重合䜓「゚スレ
ツクMF−10」積氎化孊瀟補よりなる厚さ
0.05Όの䞭間局を蚭け、その䞊に䟋瀺化合物
−15ずポリカヌボネヌト暹脂「パンラむト
−1250」垝人化成瀟補3.3ずをゞクロロメ
タン100mlに加え、ボヌルミルで24時間分散した
分散液を也燥時の膜厚が10Όになるように塗垃
し、感光䜓を䜜成した。 以䞊のようにしお埗られた感光䜓を垯電圧を
6Kvに代えた他は実斜䟋ず同様にしお1/2ず
VRを枬定した。回目の結果は1/21.9lux・
sec及びVR6vの良奜な結果であ぀た。 実斜䟋 10 アルミニりムを蒞着したポリ゚ステルフむルム
䞊にキダリア茞送局ずしお、前蚘化合物−77
ずポリ゚ステル暹脂「バむロン200」東掋玡
瞟瀟補10ずを−ゞクロロ゚タン70mlに
溶解し、この溶液を也燥埌の膜厚が10Όになる
ように塗垃した。 次に、この䞊に䟋瀺化合物−13ず−
ずを−ゞクロロ゚タン110mlに混
合し、ボヌルミルで24時間分散した分散液を也燥
埌の膜厚が0.5Όになるように塗垃しキダリア発
生局ずし、本発明の感光䜓を圢成した。 このようにしお埗られた感光䜓を実斜䟋ず同
様にしお評䟡したずころ1/22.0lux・sec及び
VR10vであり良奜な結果を瀺した。 実斜䟋 11 ポリ゚ステルフむルム䞊にアルミニりム箔をラ
ミネヌトしお成る導電性支持䜓䞊に、塩化ビニル
−酢酞ビニル−無氎マレむン酞共重合䜓「゚スレ
ツクMF−10」積氎化孊瀟補よりなる厚さ
0.05Όの䞭間局を蚭け、その䞊に䟋瀺化合物
−47ず前蚘化合物−161ずポリカ
ヌボネヌト暹脂「パンラむト−1250」垝人化
成瀟補ずをゞクロロ゚タン100mlに加え、
サンドグラむンダヌで24時間分散した分散液を也
燥時の膜厚が10Όになるように塗垃し、感光䜓
を䜜成した。 以䞊のようにしお埗られた感光䜓を垯電圧を
6Kvに代えた他は実斜䟋ず同様にしお1/2ず
VRを枬定した。回目の結果は1/21.3lux・
sec及びVR0vで良奜な性胜であ぀た。 実斜䟋 12 䟋瀺化合物−を−ゞクロロ゚
タン100mlに分散した液を、アルミニりムをラミ
ネヌトしたポリ゚ステルフむルム䞊に也燥時の膜
厚が0.5Όになるように塗垃し、キダリア発生局
を圢成した。曎にその䞊にキダリア茞送局ずし
お、前蚘化合物−10ずポリカヌボネヌト
暹脂垝人化成瀟補、パンラむト−125014
を−ゞクロロ゚タン140mlに溶解した溶液
を、也燥埌の膜厚が12Όずなるように塗垃しお
也燥し、本発明の感光䜓を埗た。 この感光䜓に぀いお実斜䟋ず同様の枬定を行
぀た。結果は第衚に瀺す通り良奜であ぀た。
【衚】 実斜䟋 13 実斜䟋においお䟋瀺化合物−100を−22
に倉えた他は同様にしおドラム状の感光䜓を䜜成
した。この感光䜓の790nmの半導䜓レヌザヌ光に
察する感床は630voH・cm・ΌW-1・sec-1光枛衰
速床であ぀た。この本発明の感光䜓衚面でのレ
ヌザヌ光匷床が0.85mWずなる半導䜓レヌザヌ
790nmを装着した実隓機により実写テストを
行぀た。 感光䜓の衚面を−6Kvに垯電した埌、レヌザヌ
光露光し−250Vのバむアス電圧で反転珟像した
ずころ、カブリのない良奜な画像が埗られた。 比范䟋  実斜䟋13においお䟋瀺化合物−22に代えお䞋
蚘の比范䟋ビスアゟ化合物−を甚いた他は同
様にしお比范甚感光䜓を埗た。 この感光䜓の790nmにおける感床は60voH−
cm2・ΌW-1・sec-1光枛衰速床であ぀た。この
比范甚感光䜓を甚いお実斜䟋13ず同様に半導䜓レ
ヌザヌによる実写テストを行぀たがカブリが倚く
良奜な画像は埗られなか぀た。 以䞊の実斜䟋、比范䟋の結果から明らかなよう
に本発明の感光䜓は比范甚感光䜓に比べ、安定
性、感床、耐久性、広範なキダリア茞送物質ずの
組み合わせ等の特性においお著しく優れたもので
ある。 実斜䟋 14〜27 実斜䟋においお、䟋瀺化合物−100電荷発
生物質及び化合物−130電荷茞送物質を衚
のように代えた他は同様にしおドラム状の感光
䜓を䜜成した。この感光䜓の790nmにおける分光
感床は第衚のようであり、本感光䜓実斜䟋14
〜27を甚いた、実斜䟋16ず同様の実写テストで
は、いずれもカブリのない良奜な画像が埗られ
た。
【衚】 発明の効果 本発明によ぀お、感光䜓の感光局を構成する光
導電性物質ずしお前蚘䞀般匏〔〕で衚されるア
ゟ化合物を䜿甚するこずにより、本発明の目的で
ある電荷保持力、感床、残留電䜍等の電子写真特
性においお優れおおり、か぀繰り返し䜿甚した時
にも疲劎劣化が少なく、さらに780nm以䞊の長波
長領域においおも十分な感床を有する優れた感光
䜓を䜜成するこずができる。
【図面の簡単な説明】
第図〜第図はそれぞれ本発明の感光䜓の機
械的構成䟋に぀いお瀺す断面図であ぀お図䞭の
〜はそれぞれ以䞋のこずを衚す。   導電性支持䜓、  キダリア発生局、
  キダリア茞送局、  感光局、  䞭
間局、  キダリア茞送物質を含有する局、
  キダリア発生物質。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電性支持䜓䞊に䞋蚘䞀般匏〔〕で衚され
    るアゟ化合物を含有する感光局を有するこずを特
    城ずする感光䜓。 䞀般匏〔〕 〔匏䞭、は酞玠原子たたは【匏】 Y1およびY2は氎玠原子、ハロゲン原子、シア
    ノ基、ハむドロキシ基、アルキル基、たたはアル
    コキシ基を衚し、 は、たたはの敎数を衚す。 は【匏】 【匏】【匏】たた は【匏】であ぀お、ここに は眮換若くは未眮換の芳銙族炭玠環、又は眮
    換若くは未眮換の芳銙族耇玠環を構成するに必芁
    な原子矀、 は眮換若くは未眮換のカルバモむル基、又は
    眮換若くは未眮換のスルフアモむル基、 R1は氎玠原子、眮換若くは未眮換のアルキル
    基、眮換若くは未眮換のアミノ基、眮換若くは未
    眮換のカルバモむル基、カルボキシル基及びその
    ゚ステル基たたはシアノ基、 は眮換若くは未眮換のアリヌル基、 R2及びR3は眮換若くは未眮換のアルキル基、
    眮換若くは未眮換のアラルキル基、眮換若くは未
    眮換のアリヌル基を衚す。〕  前蚘感光局がキダリア茞送物質ずキダリア発
    生物質ずを含有し、圓該キダリア発生物質が前蚘
    䞀般匏〔〕で衚されるアゟ化合物である特蚱請
    求の範囲第項蚘茉の感光䜓。  前蚘感光局がキダリア発生物質を含有するキ
    ダリア発生局ず、キダリア茞送物質を含有するキ
    ダリア茞送局ずの積局䜓で構成されおいる特蚱請
    求の範囲第項又は第項蚘茉の感光䜓。
JP59200975A 1984-09-25 1984-09-25 感光䜓 Granted JPS6177855A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59200975A JPS6177855A (ja) 1984-09-25 1984-09-25 感光䜓

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59200975A JPS6177855A (ja) 1984-09-25 1984-09-25 感光䜓

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6177855A JPS6177855A (ja) 1986-04-21
JPH0330135B2 true JPH0330135B2 (ja) 1991-04-26

Family

ID=16433426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59200975A Granted JPS6177855A (ja) 1984-09-25 1984-09-25 感光䜓

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6177855A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0727239B2 (ja) * 1986-11-25 1995-03-29 富士れロックス株匏䌚瀟 電子写真感光䜓
JP2651691B2 (ja) * 1988-03-03 1997-09-10 バンドヌ化孊株匏䌚瀟 新芏な芳銙族アミン化合物
JP2002355192A (ja) * 2001-03-29 2002-12-10 Toto Ltd 䟿座装眮

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6177855A (ja) 1986-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4515881A (en) Electrophotographic bisazo photosensitive member
EP0145348A2 (en) Photoreceptor
JPH0251502B2 (ja)
JPH0311466B2 (ja)
JPH0330135B2 (ja)
JPH0210413B2 (ja)
JPH0331257B2 (ja)
JPH0210411B2 (ja)
JPH0330134B2 (ja)
JPH037942B2 (ja)
JPH037943B2 (ja)
JPH037941B2 (ja)
JPH0220974B2 (ja)
JPH0331256B2 (ja)
JPH0414343B2 (ja)
JPH0331258B2 (ja)
JPH0220977B2 (ja)
JPH0220972B2 (ja)
JPH0220976B2 (ja)
JPH0251503B2 (ja)
JPH0220979B2 (ja)
JPH0220978B2 (ja)
JPH037940B2 (ja)
JPH0331259B2 (ja)
JPH0220975B2 (ja)