JPH03281783A - 金属薄膜の形成方法 - Google Patents

金属薄膜の形成方法

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JPH03281783A
JPH03281783A JP2081635A JP8163590A JPH03281783A JP H03281783 A JPH03281783 A JP H03281783A JP 2081635 A JP2081635 A JP 2081635A JP 8163590 A JP8163590 A JP 8163590A JP H03281783 A JPH03281783 A JP H03281783A
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正明 小田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ・（産業上の利用分野） 本発明は、金属薄膜の形成方法に関し、更に詳細ニハ、
金属超微粒子ペーストによる金属薄膜の形１表方法に関
するものである。
（従来の技術） 金属薄膜は、従来から、プリント基板、サーマルヘッド
、コンデンサ等の配線、電極等の導体回路を形成するも
のとして用いられており、その形成方法としては、次の
三つの方法が知られている。
第一の方法は、粒径が１μｒ口以上の金属またはその合
金の粒子を有機溶剤、バインダ、添迦剤と共に混練して
形成した通常の金属ペーストを基板上に塗布、乾燥、焼
成することにより、金属薄膜を形成する方法である。こ
の方法による場合は、金属簿膜の厚は５μｍ以上となる
。
第二の方法は、貴金属と有機物が化学結合した液状の金
属有機物（メタルオーガエックス）を塗４１、乾煙、焼
成するこよにより、金属薄膜を形成する方法である。こ
の方法によれば、膜厚が１μｍ以下の金属簿膜を形成す
ることが可能となる。
第三の方法は、真空蒸着法、スパッタリング法等の真空
ブ［］セスを用い金属薄膜を形成する方法である。
上記方法において、導体回路のパターンニングを行うに
は、上記第−の方法では、スクリーン印刷法、上記第二
の方法では、スクリーン印刷法あるいはフォトエツチン
グ法、上記第三の方法では、フォトエツチング法がそれ
ぞれ用いられる。
（発明が解決しようとする課題〉 上記第−の方法においては、金属ペーストの金属粒子の
含有率は５０％以上であるか、その粒径が１μｍ以上で
あるので、形成された金属薄膜の膜厚が５〜１０μｍと
大きくなってしまい、薄膜化に対応不可能であるととも
に、材料コストの高い金、白金、パラジウム等の使用量
が多くなり、全体のコストも高いものとなってしまうと
いう問題点がある。
また、上記第＝、の方法においては、貴金属が金属有機
物中に原子状で存在するため、形成する金属薄膜の薄膜
化は容易であるが、金属成分の含有率は２０％が限度で
あるため、導体として通常必要な０．２〜０．３μｍ以
上を達成するには、２〜３回のす布、乾燥、焼成を繰り
返す必要があり、形成が面倒であり、形成に時間がかか
るという問題がある。この方法においては、更に、使用
する金属有機物中に、ファン等の有害物質が含まれてい
ることが多く、焼成行程での安全、衛生上問題がある。
更に、第三の方法においては、真空バッチ処理を必要と
するため、生産性が低く、また、スクリーン印刷といっ
た容易なパターン形成法を採用することができないので
、この点からも、生産性に欠けるとういう問題がある。
そこで、本発明は、上記３つの金属薄膜の形成方法の問
題に鑑み、容易な方法でより薄い金属薄膜を形成するこ
とのできる金属薄膜の形成方法を提供することを目的と
するものである。
（課題を解決するための手段） 本発明の金属簿膜の形成方法は、有機溶剤中に粒径０．
００１μｍ〜０．１μｍの金属超微粒子を均一に高分散
させて形成した金属ペーストを使用し、膜厚が０．０１
１Ｊｍ〜１μｍの範囲の金属薄膜を形成することを特徴
とするものである。
本発明の方法で用いる金属としては、形成する金属簿膜
の用途によって、銀、金、ニッケル、インジウム、錫、
亜鉛、チタン、銅、り［］ム、タンタル、タングステン
、パラジウム、白金、鉄、コバルト、珪素、ロジウム、
イリジウム、ルテニウム、オスミラｌ、等のうち、少な
くとも１種の金属またはこれら金属の合金が挙げられる
。
また、本発明の方法で用いる有機溶媒としては、炭素数
５以上のアルコール類、例えばテレピネオール、シＩ・
０不ロール、ゲラニオール、ネロール、フェネチルアル
コールの１種以上を含有する溶媒、または有機エステル
類、例えば酢酸エチル、オレイン酸エチル、酢酸ブチル
、グリセリドの１種以上を含有する溶媒であればよく、
使用する金属または金属薄膜の用途によって適官選択で
きる。なお、有機溶媒中に必要に応じて適当な有機物を
添加してもよい。
〈作　用） 本発明の金属薄膜の形成方法においては、−ト記従来の
第一の方法と基本的には同様に、上記金属ペーストを基
板」二に塗布し、乾燥し、焼成することにより、金属薄
膜を形成することができる。形成された金属薄膜の膜厚
は、１μｍ以下を達成できた。また、この金属薄膜を導
体回路に使用するときには、−回の塗布、乾燥、焼成工
程を経ることにより、形成された金属簿膜の膜厚を、導
体として必要な膜厚すなわち０．３μｍ以上とすること
もできる。
（実施例） 以下、添付図面を参照しつつ、本発明の好ましい実施例
による金属薄膜の形成方法について説明する。
第１ＪＱｉ化 第１図は、本発明の金属薄膜の形成り法に使用される金
属ペーストを製造するための金属ベース！・製造装置の
一例を示す概略図である。
この金属ペースト製造装置は、互いに連通された蒸発室
１と回収室２とを備えている。−Ｊ−記蒸介室ｌには、
該蒸発室１内にヘリウｌ、ガスを導入するだめのヘリウ
ノ、ガス導入通路３が接続されており、このヘリウムガ
ス樽入通ｉ１′８３には、該通路を開閉するバルブ４が
設けられている。また、回収室２には、該回収室２の−
１−記蒸発室１との連通部の近傍において、該回収室２
内に有機溶媒蒸気を導入するための有機溶媒蒸気導入通
路５が接続されており、この有機溶媒蒸気導入ｉＩ￥ｌ
路５には、該通路を開閉するバルブ６が設けられている
。回収室２には更に、該回収室２を真空にするための真
空ポンプ（図示せず）に接続された排気通路７が接続さ
れており、この通路７にも、該３ＩｆＪ路を開閉するた
めのバルブ８が設けられている。
上記蒸発室１内には、使用する金１！４９を収容するる
つぼ１０が配置されており、このるつぼｌＯには、内部
の金属９を加熱するだめの高周波誘導加熱装置１】が設
けられている。一方、上記回収室２内には、冷却板１２
が配置されており、この冷却板１２は、冷却剤循環通路
１３によって循環させられている冷却剤によって常時冷
却されている。
以下、上で説明した金属ペースト製造装置を用いての金
属ペーストの製造を説明する。なお、この実施例におい
ては、金属として金を、有機溶媒蒸気としてα−テルピ
ネオール蒸気を用いた。
まず、バルブ４および６を閉じ、一方バルブ８を開き真
空ポンプを作動して排気し、蒸発室ｊおよび回収室２の
圧力を１０−’　Ｔａｒｒまで下げた。
次いで、バルブ４を開いてヘリウムガスを蒸発室１に導
入しながらバルブ８を介しての排気を続け、内部をヘリ
ウムガス圧Ｉ　　Ｔｏｒｒに保った。この後、バルブ６
を聞いてα−テルピネオール蒸気１４を回収室２に導入
しながら、るつぼ１０内の金９を高周波誘導加熱装置Ｉ
Ｉにより加熱して全蒸気１５を発生させた。全蒸気１５
は、排気の流れに従って蒸発室１から回収室２へと移行
され、この流れの中で、全蒸気１５はυ縮して全超微粒
子となり、回収室２でα−テルピネオール蒸気１４と混
合されて、冷却剤１３によって低温に保たれた冷却板１
２上に、α〜テルピネオールの薄い膜１６で覆われて安
定化した全超微粒子１７となって沈積した。これを回収
して透過電子顕ａａａで観察したところ、金の超微粒子
は＆１葉やチェーン化しておらず、α−テルピネオール
中に孤立してよく分散していた。これは、全超微粒子が
α−テルピネオール蒸気とよく混合されるため、金粒子
同士が結合する前にα−テルピネオールで膜状に包まれ
てしまうためと思われる。金粒子は、形状が球形でよく
そろっており、粒径は平均０．０１μ【ｎであった。こ
のようにして得られた粒子に分散剤、結合剤を加えて混
合し、金属ペーストを作成した。
この金属ペーストの組成は、重量比で、金４０％、分散
剤１％、結合剤５％、有機溶剤（溶媒）５４％であった
。
上記金属ペーストを用い導体膜を形成した。
まず、アルミナ基板りに、４００メツツユスクリーンを
使用し、上記金属ペーストで５０μｍ５０μｍラインア
ンドギャップのファインパターンを形成した。金属ペー
ストの塗布厚は、約１２μｍであった。これを、人気中
で１２０ｔに１５分間保って乾燥し、次いで、マツフル
炉を用い、ピーク温度８５０℃、保持時間１０分の条件
で焼成を行い、導体膜を形成した。
この導体膜の膜厚は、０．５μｍとなり、抵抗値９０ｍ
Ω１０　（０，５μｍ）が得られた。これは、従来の金
属ペーストを用いて形成した場合の最小膜厚１．５μｍ
に比べて約１／３であり、層の薄膜化を実現した。また
、抵抗値においても、従来のものと大差ない値を得られ
、実用上問題は無かった。また、各ライン間の抵抗値の
バラツキも少なく、粒子高分散形ペーストの特徴が実証
された。
上記のようにして得られた金属薄膜表面のＳＥＭ写真を
第２図に示す。この写真からもあきらかなように、ピン
ホールの無い平滑な表面が得られている。また、基板と
の密着性をテストするため、溶剤中で、２８ｋＨｚ、１
００Ｗの超音波処理を６０分間行−〕だが剥離等の現象
は認められなかった。
第」」（施−忽 第１実施例、：！：同じ装置を用い、ヘリウノ、圧力０
゜５　　Ｔｏｒｒの条（ｇ下で、銀−２５％パラジウム
合金を蒸発させ、有機溶媒としてα−テルピネオールを
用いて、銀−パラジウム合金の粒子が高分散した銀−バ
ラジウｌ、合金ペーストを作成し、この金属ペーストを
用いて、導体膜を形成した。上記銀パラジウム合金の粒
子の粒径は、０．０２μｍであり、上記金属ペーストの
組成は、重量比で、銀−パラジウム５０％、分散剤０．
５％、結合剤５％、有機溶剤（溶媒）４４．５％であっ
た。
上記金属ペーストを用い導体膜を形成した。
まず、アルミナ基板上に、４００メツシユスクリーンを
使用し、上記金属ペーストで５０μｍ５０μｍラインア
ンドギャップのファインパターンを形成した。金属ペー
ストの塗布厚は、約８μｍであった。これを、大気中で
１２０℃に１５分間保ってで乾燥し、次いで、マツフル
炉を用い、ピーク温度９００℃、保持時間１０分の条件
で焼成を行い、導体膜を形成した。形成された導体膜の
膜厚は、０．８μｍとなり、抵抗値１８０ｍΩ／口（０
，８μｍ）が得られた。
この結果、上記第１実施例の金粒子ペーストの場合と同
様、従来の膜厚用ペースト、金属有機物ペーストに比べ
てそれぞれ優れた特徴を持つことが実証された。
また、この実施例で形成された導体膜の表面もＳＥＭ観
察結果から平滑でピンホールは認められなかった。また
、剥離テストにおいても良好な特性結果を得た。
髭ｌ尖呈刊 ′ｆ、１実施例と同じ装置を用い、ヘリウム圧力０゜５
　Ｔｏｒｒの条件下で、ルテニウムを蒸発させ、有機溶
媒としてα−テルピネメールを用いて、ルテニウムの粒
子が高分散したルテニウムペーストを作成した。更に、
同一の条件で、ルテニウムの代わりにシリコン、ビスマ
スを用いてシリコンペースト、ビスマスペーストを作成
した。ペースト中のルテニウム粒子、シリコン粒子、ビ
スマス粒子の粒径は、それぞれ０．０１μｒｎ、Ｄ、Ｄ
Ｄ５ｕｍ、０．００５μｍであった。次いで、これらを
用いて金属ペーストを作成した。」−記金属ペーストの
組成は、重量比で、ルテニウム３５％、シリコン５％、
ビスマス２％、分散剤１％、結合剤５％、有機溶剤（溶
媒）５２％であった。
上記金属ペーストを用い導体膜を形成した。
まず、アルミナ基板」二に、４００メツンユスクリーン
を使用し、上記金属ペーストで５０μｍ５０μｍライン
アンドギャップのファインパターンを形成した。金属ペ
ーストの塗布厚は、約１１／ｊ　ｌ’ｊｌであった。こ
れを、人気中で１２０℃に１５分間保って乾燥し、次い
で、マツフル炉を用い、ピーク温度９００℃、保持時間
１５分の条件で焼成を行い、導体膜を形成した。形成さ
れた導体膜の膜厚は、０．４μｍとなり、抵抗値３００
ｍΩ／口（０，４μｍ）が得られた。この実施例で形成
された導体膜の表面もＳＥＭ観察結果から平滑でピンホ
ールは認められなかった。また、剥離テストにおいても
良好な特性結果を得た。
（発明の効果） 以−［、説明したように、本発明によれば、簡単な方法
で、極めて薄くかつ細い金属薄膜を形成することができ
、その結果、貴金属等を少量使用するだけでよく、製作
コストが極めて低減するとともに、この金属Ｎ膜を用い
て電子部品を形成した場合その小型化を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明方法において金属ペーストを形成する
際に使用される金属ペースト製造装置の概略図、 第２図は、 第１実施例によって形成した導体膜 の表面状態を示す走査電子顕微鏡写真である。 外３名 手 続 り竹 正 書 （方式） ％式％ 金属薄膜の形成方法 ３゜ 補 正 を す る 者 事件との関係 特 許 出 願 人 真空冶金株式会社 ４゜ 代 理 人 ５゜ 補正命令の日付 ６、補正の対象 １８明細書の発明の詳細な説明、図面の簡単な説明の各
欄 ２、図面の第２図 ７、補正の内容 ｌ、明細書第１０頁第５行乃至第８行の「金属薄膜表面
の・・・ている。」を下記の様に補正する。 記 金属薄膜表面をＳＥＭで観察したところピンホールの無
い平滑な表面が得られていることが確認された。 ２、同第１４頁第１行乃至第３行の「ｖ１略図、・・・
写真である。」を「概略図である。」と補正する。 ３、図面第２図を削除する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 有機溶剤中に粒径０．００１μｍ〜０．１μｍの金属超
    微粒子を均一に高分散させて形成した金属ペーストを使
    用し、膜厚が０．０１μｍ〜１μｍの範囲の金属薄膜を
    形成することを特徴とする金属薄膜の形成方法。
JP2081635A 1990-03-29 1990-03-29 金属薄膜の形成方法 Pending JPH03281783A (ja)

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JP2081635A JPH03281783A (ja) 1990-03-29 1990-03-29 金属薄膜の形成方法
DE69133487T DE69133487T2 (de) 1990-03-29 1991-03-28 Verfahren zur Herstellung eines dünnen metallischen Films
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US08/704,250 US5750194A (en) 1990-03-29 1996-08-28 Process for producing a metal paste
US08/965,425 US5966580A (en) 1990-03-29 1997-11-06 Process for making a thin film using a metal paste

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001035814A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Vacuum Metallurgical Co Ltd 銀配線パターンの形成法
JP2006032326A (ja) * 2004-06-17 2006-02-02 Mitsubishi Materials Corp 薄膜電極用ペースト並びに薄膜電極及び薄膜素子の製造方法
EP1887106A1 (en) * 2005-05-30 2008-02-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Metal coating film, method for forming same, and metal wiring
DE112007001519T5 (de) 2006-06-22 2009-06-18 Mitsubishi Paper Mills Limited Verfahren zum Herstellen eines leitfähigen Materials
EP2116895A2 (en) 2008-05-07 2009-11-11 Ricoh Company, Ltd. Laminated structure and image display device
JP2009302291A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Nec Corp 電気回路用配線、その製造装置、その製造方法及び分散剤の回収方法
US8253137B2 (en) 2007-07-18 2012-08-28 Ricoh Company, Ltd. Laminate structure, electronic device, and display device
JP2012204468A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Fujifilm Corp 銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0591604B1 (en) * 1992-10-05 1997-07-02 E.I. Du Pont De Nemours And Company Via fill compositions
JP3422233B2 (ja) 1997-09-26 2003-06-30 株式会社村田製作所 バイアホール用導電性ペースト、およびそれを用いた積層セラミック基板の製造方法
WO2001027983A1 (fr) * 1999-10-15 2001-04-19 Ebara Corporation Procede et appareil destines a former une interconnexion
EP1153762A4 (en) * 1999-10-19 2007-07-11 Ebara Corp OPTICAL RECORDING MEDIUM AND APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SAME
US6486413B1 (en) * 1999-11-17 2002-11-26 Ebara Corporation Substrate coated with a conductive layer and manufacturing method thereof
TW476073B (en) * 1999-12-09 2002-02-11 Ebara Corp Solution containing metal component, method of and apparatus for forming thin metal film
TW511122B (en) * 1999-12-10 2002-11-21 Ebara Corp Method for mounting semiconductor device and structure thereof
JP3841607B2 (ja) * 2000-02-03 2006-11-01 三井金属鉱業株式会社 ニッケル粉及び導電ペースト
US6743395B2 (en) 2000-03-22 2004-06-01 Ebara Corporation Composite metallic ultrafine particles and process for producing the same
US7824466B2 (en) 2005-01-14 2010-11-02 Cabot Corporation Production of metal nanoparticles
US20060189113A1 (en) 2005-01-14 2006-08-24 Cabot Corporation Metal nanoparticle compositions
US8167393B2 (en) 2005-01-14 2012-05-01 Cabot Corporation Printable electronic features on non-uniform substrate and processes for making same
US8383014B2 (en) 2010-06-15 2013-02-26 Cabot Corporation Metal nanoparticle compositions
US8334464B2 (en) 2005-01-14 2012-12-18 Cabot Corporation Optimized multi-layer printing of electronics and displays
KR101081864B1 (ko) 2011-04-01 2011-11-09 한국에너지기술연구원 휘발성이 우수한 고순도 ＳＩＯｘ나노 분말 제조 방법 및 그 제조 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4122023B1 (ja) * 1963-02-14 1966-12-22
DE3134918A1 (de) * 1981-09-03 1983-03-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka "elektrode auf waermebestaendigem isolierendem substrat und verfahren zur herstellung derselben"
JPS5876287A (ja) * 1981-10-31 1983-05-09 Mitsubishi Electric Corp サ−マルヘツド
JPS60192658A (ja) * 1984-03-13 1985-10-01 Mitsubishi Electric Corp 厚膜型サ−マルヘツド
US4617237A (en) * 1984-05-14 1986-10-14 Allied Corporation Production of conductive metal silicide films from ultrafine powders
JPS6334157A (ja) * 1986-07-29 1988-02-13 Mitsubishi Electric Corp サ−マルヘツドの導体形成方法
US4793946A (en) * 1986-10-06 1988-12-27 Engelhard Corporation Thin print etchable gold conductor composition

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001035814A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Vacuum Metallurgical Co Ltd 銀配線パターンの形成法
JP2006032326A (ja) * 2004-06-17 2006-02-02 Mitsubishi Materials Corp 薄膜電極用ペースト並びに薄膜電極及び薄膜素子の製造方法
JP4670497B2 (ja) * 2004-06-17 2011-04-13 三菱マテリアル株式会社 薄膜電極用ペースト並びに薄膜電極及び薄膜素子の製造方法
EP1887106A1 (en) * 2005-05-30 2008-02-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Metal coating film, method for forming same, and metal wiring
EP1887106A4 (en) * 2005-05-30 2009-06-03 Sumitomo Electric Industries METAL COATING FILM, PROCESS FOR FORMING THE SAME, AND METAL WIRING
US8507104B2 (en) 2005-05-30 2013-08-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Metal coating, forming method thereof, and metal wiring
DE112007001519T5 (de) 2006-06-22 2009-06-18 Mitsubishi Paper Mills Limited Verfahren zum Herstellen eines leitfähigen Materials
DE112007001519B4 (de) 2006-06-22 2022-03-10 Mitsubishi Paper Mills Limited Verfahren zum Herstellen eines leitfähigen Materials
US8253137B2 (en) 2007-07-18 2012-08-28 Ricoh Company, Ltd. Laminate structure, electronic device, and display device
US8263969B2 (en) 2008-05-07 2012-09-11 Ricoh Company, Ltd. Laminated structure and image display device
EP2116895A2 (en) 2008-05-07 2009-11-11 Ricoh Company, Ltd. Laminated structure and image display device
JP2009302291A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 Nec Corp 電気回路用配線、その製造装置、その製造方法及び分散剤の回収方法
JP2012204468A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Fujifilm Corp 銅配線の形成方法、配線基板の製造方法および配線基板

Also Published As

Publication number Publication date
EP0449309B9 (en) 2006-01-18
EP0449309A2 (en) 1991-10-02
DE69133487D1 (de) 2006-02-09
EP0449309B1 (en) 2005-09-28
EP0449309A3 (en) 1994-08-17
DE69133487T2 (de) 2006-06-14

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