JPS6334157A - サ−マルヘツドの導体形成方法 - Google Patents
サ−マルヘツドの導体形成方法Info
- Publication number
- JPS6334157A JPS6334157A JP61179540A JP17954086A JPS6334157A JP S6334157 A JPS6334157 A JP S6334157A JP 61179540 A JP61179540 A JP 61179540A JP 17954086 A JP17954086 A JP 17954086A JP S6334157 A JPS6334157 A JP S6334157A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- film
- conductor
- paste
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 58
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 41
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野]
この発明は、サーマルヘッドの導体形成法に関するもの
である。
である。
第3図はセラミックス等の基板上に形成された導体及び
抵抗体を示し念もので、(1)は基板、(4)は導体、
(5)は抵抗体を示す。
抵抗体を示し念もので、(1)は基板、(4)は導体、
(5)は抵抗体を示す。
図において導体(4)を金で構成する場合、得体材料と
して厚膜用金ペーストを用い、印刷、焼成により成膜し
写真製版エツチング法により導体(4)として形成する
が従来は、その膜厚として3〜5μmがどうしても必要
であった。
して厚膜用金ペーストを用い、印刷、焼成により成膜し
写真製版エツチング法により導体(4)として形成する
が従来は、その膜厚として3〜5μmがどうしても必要
であった。
導体として金を使用する場合、材料そのものが高価であ
るので、できるだけ膜厚をう丁く形成することが、コス
ト面より製氷されており、例えば、時開も58−244
61勺公報では、盆ペーストの印刷、焼成による成膜後
、メツキ法により全厚を成膜することにより、膜厚がう
すくでさる、・−・と記載されている。
るので、できるだけ膜厚をう丁く形成することが、コス
ト面より製氷されており、例えば、時開も58−244
61勺公報では、盆ペーストの印刷、焼成による成膜後
、メツキ法により全厚を成膜することにより、膜厚がう
すくでさる、・−・と記載されている。
従来、膜厚が3〜5μm必要であるのは次の理由による
。即ち、通常使用されている金ペーストハ金に7リント
がラスを混入したもの、あるいは、ある棟の添加物を混
入したブリットレスのものが一般的であるが、いずれも
その金粒子の大きさは1〜3μφ程度である。一方専体
パターンは製品の高密度化が進めば進む程、微細パター
ンが要求される。パターン中が10〜20μmの微細パ
ターンを企ペーストを使用して形成する場合、その焼成
後の膜の緻密性は、より完全なものでなければならない
。
。即ち、通常使用されている金ペーストハ金に7リント
がラスを混入したもの、あるいは、ある棟の添加物を混
入したブリットレスのものが一般的であるが、いずれも
その金粒子の大きさは1〜3μφ程度である。一方専体
パターンは製品の高密度化が進めば進む程、微細パター
ンが要求される。パターン中が10〜20μmの微細パ
ターンを企ペーストを使用して形成する場合、その焼成
後の膜の緻密性は、より完全なものでなければならない
。
以上の様な理由により、従来、導体としての金換厚は3
〜5μmが必要であった。
〜5μmが必要であった。
〔発明が解決しようとする問題点J
従来の導体としての金膜厚Fi3〜5μmの厚さが必要
であるので、高価な金を多量に使用しなければならず製
造原価が高くなる欠点があった。また基板全面に企ペー
ストを成映し写真製版エツチング法により導体パターン
を形成する場合、膜厚が厚いことにより、パターン精度
が良くなく、更にエツチングによる金のロスが多(なる
等の欠点もあった。
であるので、高価な金を多量に使用しなければならず製
造原価が高くなる欠点があった。また基板全面に企ペー
ストを成映し写真製版エツチング法により導体パターン
を形成する場合、膜厚が厚いことにより、パターン精度
が良くなく、更にエツチングによる金のロスが多(なる
等の欠点もあった。
また特開昭58−244614公報に記載された方法で
も、企換厚が2μm必要であり、更に、この方法ではプ
ロセス的に複雑になる欠点がある。
も、企換厚が2μm必要であり、更に、この方法ではプ
ロセス的に複雑になる欠点がある。
この発tqh上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、膜厚のうすい導体を得ることができるとと
もに、プロセス的にも簡単Ke、膜できる導体形成法を
提供するものである。
れたもので、膜厚のうすい導体を得ることができるとと
もに、プロセス的にも簡単Ke、膜できる導体形成法を
提供するものである。
この発明は、企ペーストを構成する金粒径を、非常に小
さくすることにより、サーマルヘッドの導体として光分
緻密性を有し、かつその濃厚が非常に薄い導体を形成す
るようにしたものである。
さくすることにより、サーマルヘッドの導体として光分
緻密性を有し、かつその濃厚が非常に薄い導体を形成す
るようにしたものである。
この発明は、必要な導体膜厚と企ペーストを構成してい
る金粒径との関係に注目して、なされたものである。即
ち10〜20#m巾の微細パターンは、その導体膜の密
度は充分でなければ得られない。膜密度を充分にするた
めに、従来はその膜厚が3〜5jIm必要としていたの
であるが、膜密度の充分な導体を得るために必要な膜厚
が、金ペーストを構成している金粒径と相関があること
を見い出したのが零発男の重要な点であり、現在使用さ
れている金粒径を丈に細かくした金粒を使用した金ペー
ストで導体を形成すれば、膜密度が充分でかつ、その膜
厚を非常に薄くできることを見い出したものである。
る金粒径との関係に注目して、なされたものである。即
ち10〜20#m巾の微細パターンは、その導体膜の密
度は充分でなければ得られない。膜密度を充分にするた
めに、従来はその膜厚が3〜5jIm必要としていたの
であるが、膜密度の充分な導体を得るために必要な膜厚
が、金ペーストを構成している金粒径と相関があること
を見い出したのが零発男の重要な点であり、現在使用さ
れている金粒径を丈に細かくした金粒を使用した金ペー
ストで導体を形成すれば、膜密度が充分でかつ、その膜
厚を非常に薄くできることを見い出したものである。
〔発明の実施例J
以下、この発明の実施例について説明する。第112:
lはこの発明の模式図を示したもので、(1)はセラミ
ックス等の基板、(2)、(3)は、導体を形成してい
る金の粒子を示している。膜密度が充分な導体を底膜す
るガムは、従来、金ペーストの印刷、乾燥、焼成工程を
数回くり返すことにより行っていた。膜密度を充分緻密
にできるメカニズムを考察すると、焼成後の金膜は、企
ペーストを構成している金粒径が積層され之ものと考え
られ、各々の金粒子間にスキ間のない状態まで@層され
7tものが、膜密度が充分緻密になっていると推察され
る。
lはこの発明の模式図を示したもので、(1)はセラミ
ックス等の基板、(2)、(3)は、導体を形成してい
る金の粒子を示している。膜密度が充分な導体を底膜す
るガムは、従来、金ペーストの印刷、乾燥、焼成工程を
数回くり返すことにより行っていた。膜密度を充分緻密
にできるメカニズムを考察すると、焼成後の金膜は、企
ペーストを構成している金粒径が積層され之ものと考え
られ、各々の金粒子間にスキ間のない状態まで@層され
7tものが、膜密度が充分緻密になっていると推察され
る。
そこで発側者は、充分な膜密度を、最小の[厚で得るた
めの要素が企ペーストを構成している金粒径にあるので
は;1いかと考えて、充分な膜密度の導体の膜厚と金ペ
ースト中の金粒径との関係を実験により解析し、第2図
の結果を得た。即ち膜密度を充分にするための膜厚は金
ペーストを構成する金粒径と相関があること、[密度を
充分にするための経済的な膜厚は、金ぺ〜ストを構成す
る金粒径の概略3〜5倍で良いこと、充分な膜密度を得
るための膜厚をうすくするには、金ペーストを構成する
金粒径を小さくすれば良いことをヌ吸結果より見い出し
た。これは、第1図(、)及び第1図(bJに模式的に
示した様に各々の金粒子間のスキ間のない状態まで積層
するする丸めの膜厚は、第1図(a)の様に金粒子が大
きいと結果的にその膜厚taが厚くな抄、第1図(b)
の様に、金粒子が小さいとその膜厚tbは、うすくても
良いのであろうと推察される。この結果より金粒径0.
3μφ以下の金ペーストを使用して成膜すれば、膜厚1
.5μm以下の充分な膜密度の導体が得られることがわ
かった。
めの要素が企ペーストを構成している金粒径にあるので
は;1いかと考えて、充分な膜密度の導体の膜厚と金ペ
ースト中の金粒径との関係を実験により解析し、第2図
の結果を得た。即ち膜密度を充分にするための膜厚は金
ペーストを構成する金粒径と相関があること、[密度を
充分にするための経済的な膜厚は、金ぺ〜ストを構成す
る金粒径の概略3〜5倍で良いこと、充分な膜密度を得
るための膜厚をうすくするには、金ペーストを構成する
金粒径を小さくすれば良いことをヌ吸結果より見い出し
た。これは、第1図(、)及び第1図(bJに模式的に
示した様に各々の金粒子間のスキ間のない状態まで積層
するする丸めの膜厚は、第1図(a)の様に金粒子が大
きいと結果的にその膜厚taが厚くな抄、第1図(b)
の様に、金粒子が小さいとその膜厚tbは、うすくても
良いのであろうと推察される。この結果より金粒径0.
3μφ以下の金ペーストを使用して成膜すれば、膜厚1
.5μm以下の充分な膜密度の導体が得られることがわ
かった。
更に、この解析を行った結果として、金粒子の小さい金
ペースを使用する方がrftNのために行う印刷、乾燥
、焼成工程のくり返し回数が少なくて済むことも見い出
した。即ち、各粒子間のスキ間を無くすための積層回W
Kは、粒子の小さい方が少なくて済むものと推察され、
従来使用していた金粒径1〜3μφの金ペーストの場合
、膜密度の充分な導体を得るための印刷、乾燥、焼成回
数は、3〜5回を要していたものが、金粒径0.3μφ
以下の金ペーストでは、それが2回で良いことを見い出
した0この様に金粒子を小さくした方が成膜のプロセス
も簡単になることがわかった。
ペースを使用する方がrftNのために行う印刷、乾燥
、焼成工程のくり返し回数が少なくて済むことも見い出
した。即ち、各粒子間のスキ間を無くすための積層回W
Kは、粒子の小さい方が少なくて済むものと推察され、
従来使用していた金粒径1〜3μφの金ペーストの場合
、膜密度の充分な導体を得るための印刷、乾燥、焼成回
数は、3〜5回を要していたものが、金粒径0.3μφ
以下の金ペーストでは、それが2回で良いことを見い出
した0この様に金粒子を小さくした方が成膜のプロセス
も簡単になることがわかった。
[発明の効果]
以上のように、この発明によれば、充分なMW度の導体
を、金粒径0.3μφ以下の金ペーストを使用すること
により、その−厚が1.5μm以下で良く上し、エツチ
ングによる金ロスの減少が計れ、更に製造プロセスが簡
単になる等、多大な効果に有するものである。
を、金粒径0.3μφ以下の金ペーストを使用すること
により、その−厚が1.5μm以下で良く上し、エツチ
ングによる金ロスの減少が計れ、更に製造プロセスが簡
単になる等、多大な効果に有するものである。
第1図はこの発明の模式図、第2因は、充分な膜密度と
するための経済的な膜厚と金ペースト中の金粒径との関
係を示した因、第3図はサーマルヘッドの構成図である
。 (1)はセラミックス等の基板、(2) 、(3) t
it導体を形成している金の粒子、(4) tf導体、
(5)は抵抗体を示す。ta%tbは導体膜厚である◇ なお、図中、同−符′55は同−又は相当S分を示す。
するための経済的な膜厚と金ペースト中の金粒径との関
係を示した因、第3図はサーマルヘッドの構成図である
。 (1)はセラミックス等の基板、(2) 、(3) t
it導体を形成している金の粒子、(4) tf導体、
(5)は抵抗体を示す。ta%tbは導体膜厚である◇ なお、図中、同−符′55は同−又は相当S分を示す。
Claims (1)
- 発熱用の抵抗体層に連なる通電用の導体を、厚膜用金
ペーストで形成させたサーマルヘッドに於て、前記金ペ
ーストに、金ペーストを構成している金の粒径が0.3
μφ以下であるペーストを用い、かつ形成された金導体
の膜厚が、1.5μm以下であることを特長とするサー
マルヘッドの導体形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61179540A JPS6334157A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | サ−マルヘツドの導体形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61179540A JPS6334157A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | サ−マルヘツドの導体形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6334157A true JPS6334157A (ja) | 1988-02-13 |
Family
ID=16067536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61179540A Pending JPS6334157A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | サ−マルヘツドの導体形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6334157A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0449309A2 (en) * | 1990-03-29 | 1991-10-02 | Vacuum Metallurgical Co. Ltd. | Method of making metalic thin film |
US5587111A (en) * | 1990-03-29 | 1996-12-24 | Vacuum Metallurgical Co., Ltd. | Metal paste, process for producing same and method of making a metallic thin film using the metal paste |
-
1986
- 1986-07-29 JP JP61179540A patent/JPS6334157A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0449309A2 (en) * | 1990-03-29 | 1991-10-02 | Vacuum Metallurgical Co. Ltd. | Method of making metalic thin film |
EP0449309A3 (en) * | 1990-03-29 | 1994-08-17 | Vacuum Metallurg Co Ltd | Method of making metalic thin film |
US5587111A (en) * | 1990-03-29 | 1996-12-24 | Vacuum Metallurgical Co., Ltd. | Metal paste, process for producing same and method of making a metallic thin film using the metal paste |
US5750194A (en) * | 1990-03-29 | 1998-05-12 | Vacuum Metallurgical Co., Ltd. | Process for producing a metal paste |
US5966580A (en) * | 1990-03-29 | 1999-10-12 | Vacuum Metallurgical Co., Ltd. | Process for making a thin film using a metal paste |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6334157A (ja) | サ−マルヘツドの導体形成方法 | |
JPH01319990A (ja) | 厚膜形成方法 | |
JPS63308803A (ja) | 導電ペーストおよびそれを用いた電子回路部品並びにその製法 | |
US4632845A (en) | Process for the fabrication of thermal printing boards in multilayer thick-film technology | |
JPH0365032B2 (ja) | ||
JP4131762B2 (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法 | |
KR970002878A (ko) | 박막 헤드의 패턴 평탄화 방법 | |
JPH1092775A (ja) | 厚膜パターン形成方法 | |
JPH02231722A (ja) | 配線パターン形成方法 | |
JPH0587763A (ja) | ガスセンサの製造方法 | |
JPH08204313A (ja) | ファインパターン印刷回路 | |
JPS61121387A (ja) | 吐出ノズル | |
JPS626510A (ja) | 表面弾性波デバイスの製造方法 | |
JPH07218515A (ja) | 金属箔を加工した探針部品およびその製造方法 | |
JPS61131515A (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
JP2004047733A (ja) | 薄膜コンデンサにおける下部電極層の製造方法 | |
JPH01263059A (ja) | 厚膜サーマルヘッドの製造方法 | |
JPH01207949A (ja) | 集積回路装置の電極形成法 | |
JPH0964502A (ja) | 厚膜集積回路 | |
JP2002225325A (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
JPH05283841A (ja) | 基板のパターン形成方法 | |
JPS61104482A (ja) | 磁気バブルメモリ素子の作成方法 | |
JPH01286403A (ja) | 抵抗体およびその製造方法ならびにその抵抗体を用いたサーマルヘッド | |
JPS60171178A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPH0584949A (ja) | サーマルヘツドの製造方法 |