JPH1092775A - 厚膜パターン形成方法 - Google Patents
厚膜パターン形成方法Info
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- JPH1092775A JPH1092775A JP24356396A JP24356396A JPH1092775A JP H1092775 A JPH1092775 A JP H1092775A JP 24356396 A JP24356396 A JP 24356396A JP 24356396 A JP24356396 A JP 24356396A JP H1092775 A JPH1092775 A JP H1092775A
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
て良好な形状の厚膜パターンを形成できるようにする。 【解決手段】 基板1上にパターン形成層4を形成する
第1工程と、このパターン形成層4上に所定のパターン
を有するマスク層5を形成する第2工程と、サンドブラ
スト法でパターン形成層4におけるマスク層5が形成さ
れていない部分を研削する第3工程とを少なくとも含む
厚膜パターン形成方法において、サンドブラストに用い
る研磨材としてアルミナ及びジルコンからなるものを使
用する。その重量比は1:3〜3:1の範囲内であるこ
とが望ましい。さらに研磨材に重量比で0.1〜10%
の酸化チタンを含んでいてもよい。研磨材の平均粒径は
20μm以下にするとよい。ブラスト研削速度が実用上
問題なく、しかもマスク層5へのダメージが少ないた
め、細線パターンを欠陥フリーで加工可能である。
Description
レイパネル(PDP)、フィールドエミッションディス
プレイ(FED)、液晶表示装置(LCD)、蛍光表示
装置、混成集積回路等の製造過程において基板上に所定
形状の厚膜パターンを形成する方法に関するものであ
る。
しては、ガラスやセラミックス基板上に導体或いは絶縁
体用のペーストをスクリーン印刷法によりパターン状に
塗布する方法が知られている。この方法で例えば線幅1
00μm、高さ100μmの細線を形成する際には、ス
クリーン印刷による重ね刷りを複数回繰り返す必要があ
った。また別の方法としては、特公平7−22893号
公報に記載のように、基板上の全面にパターン形成層を
形成した後、そのパターン形成層上に感光性レジストで
マスク層を形成し、さらにサンドブラスト法でパターン
形成層のパターニングを行う方法が知られている。ここ
で使用される研磨材はカーボランダム、アルミナ或いは
ガラスビーズであった。
のスクリーン印刷によるパターン形成方法では、スクリ
ーン印刷法の製法上の制約から、線幅100μm以下の
細線を精度良く形成するのが困難であり、且つ、膜厚を
大きくするには複数回に渡って積層を繰り返すという煩
雑な工程を必要とした。また、後者のサンドブラストに
よるパターン形成方法では、研磨材にカーボランダムや
アルミナを用いると、研削力はあるものの感光性レジス
トへのダメージが大きく、例えば実際に低融点ガラスペ
ーストのパターニングを行うと欠陥を誘発し、特に線幅
が100μm以下の細線パターンになると断線が多発し
た。また、研磨材にガラスビーズを使用した場合、研削
力が小さく、パターン加工に非常に長い時間を要すると
いう欠点がある。
術の問題点や欠点を解決するための手段として、サンド
ブラスト法に使用する研磨材を検討した結果に基づいて
なされたもので、基板上にパターン形成層を形成する第
1工程と、前記パターン形成層上に所定のパターンを有
するマスク層を形成する第2工程と、サンドブラスト法
で前記パターン形成層における前記マスク層が形成され
ていない部分を研削する第3工程とを少なくとも含む厚
膜パターン形成方法において、前記サンドブラストに用
いる研磨材がアルミナ及びジルコンを少なくとも含むこ
とを特徴とする厚膜パターン形成方法を提供するもので
ある。研磨材に含まれるアルミナとジルコンの重量比が
1:3〜3:1の範囲内であることが望ましく、さらに
研磨材に重量比で0.1〜10%の酸化チタンを含んで
いてもよい。そして、前記の研磨材の平均粒径は20μ
m以下であることが望ましい。
は、ガラス、金属、セラミック等を挙げることができ
る。ここではガラス基板を使用し、そのガラス基板上に
低融点ガラス層の厚膜パターンを形成する場合を例に挙
げて説明する。
ラストによるガラス表面の研磨を抑制する目的で、ガラ
ス基板2上に低融点ガラスペーストで絶縁体層3を形成
したものを基材1として用いた。そして、図1(b)に
示すように、この基材1上にパターン形成層4として低
融点ガラス層を全面に形成した。低融点ガラス層を形成
するには、ペースト状の低融点ガラスをスクリーン印刷
法、ブレードコート法、ロールコート法、ダイコート法
等のコーティング方法で所定の厚さで塗布して乾燥させ
る。例えば、低融点ガラスペーストとして奥野製薬製
「G3−0414」を使用した場合、170℃に予熱し
たオーブン内で30分間乾燥を行えばよい。或いは、セ
ラミックシートのように、ペースト状の低融点ガラスを
予めポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムの
ようなベースフィルム上に塗布乾燥させたものを、熱ロ
ールを介して基材1に圧着ラミネートし、低融点ガラス
層を転写してもよい。
ン形成層4の上に所定のパターンを有するマスク層5を
形成した。このマスク層5に使用される材料は、後工程
であるサンドブラスト加工において、パターン形成層4
に比べて研削速度が著しく小さければよい。簡易的には
弾力性のある樹脂が適しており、例えば感光性レジスト
が使用できる。
形成層4を研削するが、図1(d)に示すように、マス
ク層5が形成されていない部分でのみブラスト研削が進
行する結果、マスク層5の下方にパターン形成層4が残
ってパターニングが可能となる。ここで、使用する研磨
材によってパターニングの良否が決定される。
使用した研磨材はカーボランダム、アルミナ、ガラスビ
ーズ、混合研磨材1及び混合研磨材2の5種類であり、
混合研磨材1の組成はアルミナが約50%、ジルコン
(ZrAlO4 )が約50%、混合研磨材2の組成はア
ルミナが約48%、ジルコンが約48%、酸化チタンが
約4%である。各研磨材の平均粒径は共に約10μmと
した。
きく、低融点ガラス層のブラスト加工時間が短くて済む
が、その反面、マスク層へのダメージが大きく、細線パ
ターンの加工には不向きであった。具体的には、線幅8
0μm(ライン/スペース比=1:1)、高さ140μ
mのパターンを形成した場合、カーボランダム、アルミ
ナともに1000本の細線中50本以上の断線を生じ
た。ガラスビーズを使用した場合は、低融点ガラス層の
研削速度がカーボランダムやアルミナと比較して著しく
小さく、それゆえブラスト加工時間を延長するとマスク
層へのダメージを誘発するため、実質的にサンドブラス
トによるパターニングが行えなかった。これに対して上
記の混合研磨材1或いは混合研磨材2を使用した場合、
ブラスト研削速度はカーボランダムの約20%減であ
り、実用上特に問題はなく、且つマスク層へのダメージ
が少ないため、上記の細線パターンを欠陥フリーで加工
可能であった。
ずに、平均粒径を5μmから40μmまで変化させたと
ころ、平均粒径の大きい方が低融点ガラス層の研削速度
が大きくなるが、平均粒径が20μmより大きくなる
と、形成した低融点ガラスの細線パターンの線間に研磨
材が残りやすく、マスク層へのダメージも無視できなく
なった。したがって、研磨材の平均粒径は20μm以下
が望ましい。
変化させた結果、アルミナとジルコンの重量比が1:3
〜3:1の範囲内では、上記の組成比の混合研磨材1と
同様に欠陥フリーで細線加工が可能であった。さらに、
混合研磨材2でアルミナとジルコンの重量比を1:1に
固定した上で研磨材の全重量に対する酸化チタンの重量
比を変化させたところ、0.1〜10%の範囲内では欠
陥フリーで細線加工が可能であった。
パターンに加工した後、マスク層5を低融点ガラス層か
ら剥離し、さらに低融点ガラス層を焼成して焼き固め
た。具体的には、例えばピーク温度580℃で10分間
の条件で焼成すればよい。
膜パターンを形成する場合を例に挙げて実施形態を説明
したが、本発明はその他の種々の厚膜パターン、例えば
PDPについて言えば、障壁、電極、誘電体層、抵抗等
の形成についても同様に適用できる。
ーン形成方法によれば、従来のスクリーン印刷法では製
法上困難であった線幅100μm以下の細線パターンに
パターン形成層をパターニングでき、且つ膜厚が大きい
場合でも煩雑な工程を必要とせずに加工できる。また、
従来のサンドブラスト法では低融点ガラス層の研削速度
と細線パターンの欠陥数とを同時に満たす研磨材がなか
ったが、混合研磨材の組成を適切に選択することによ
り、特に線幅が小さく膜厚が大きいパターンに対しても
パターン形成層のパターニングを欠陥なく行うことが可
能である。
す工程図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 基板上にパターン形成層を形成する第1
工程と、前記パターン形成層上に所定のパターンを有す
るマスク層を形成する第2工程と、サンドブラスト法で
前記パターン形成層における前記マスク層が形成されて
いない部分を研削する第3工程とを少なくとも含む厚膜
パターン形成方法において、前記サンドブラストに用い
る研磨材がアルミナ及びジルコンを少なくとも含むこと
を特徴とする厚膜パターン形成方法。 - 【請求項2】 研磨材に含まれるアルミナとジルコンの
重量比が1:3〜3:1の範囲内である請求項1に記載
の厚膜パターン形成方法。 - 【請求項3】 研磨材が重量比で0.1〜10%の酸化
チタンを含んでいる請求項1又は2に記載の厚膜パター
ン形成方法。 - 【請求項4】 研磨材の平均粒径が20μm以下である
請求項1,2又は3に記載の厚膜パターン形成方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP24356396A JP3894594B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 厚膜パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP24356396A JP3894594B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 厚膜パターン形成方法 |
Publications (2)
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP24356396A Expired - Fee Related JP3894594B2 (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 厚膜パターン形成方法 |
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Country | Link |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1005096A3 (en) * | 1998-11-12 | 2000-12-27 | Kaneka Corporation | Solar cell module |
WO2008132123A3 (de) * | 2007-04-27 | 2009-04-16 | Osram Gmbh | Verfahren zur herstellung einer molybdänfolie für den lampenbau und molybdänfolie sowie lampe mit molybdänfolie |
WO2017164241A1 (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | ブラスト材 |
JP2017171840A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | ブラスト研磨用スラリ |
-
1996
- 1996-09-13 JP JP24356396A patent/JP3894594B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US6300556B1 (en) | 1998-11-12 | 2001-10-09 | Kaneka Corporation | Solar cell module |
US6384315B1 (en) | 1998-11-12 | 2002-05-07 | Kaneka Corporation | Solar cell module |
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US8408961B2 (en) | 2007-04-27 | 2013-04-02 | Osram Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Method for producing a molybdenum film for the construction of a lamp and molybdenum film and lamp with molybdenum film |
WO2017164241A1 (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | ブラスト材 |
JP2017171840A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | ブラスト研磨用スラリ |
JPWO2017164241A1 (ja) * | 2016-03-25 | 2019-02-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | ブラスト材 |
Also Published As
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JP3894594B2 (ja) | 2007-03-22 |
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