JP2962776B2 - 導電性パターン形成用組成物及び導電性パターン形成方法 - Google Patents
導電性パターン形成用組成物及び導電性パターン形成方法Info
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 62
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 44
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 39
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000000374 eutectic mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- 238000007670 refining Methods 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 21
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 11
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 6
- 238000009692 water atomization Methods 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
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- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C19/00—Alloys based on nickel or cobalt
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- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- H01J1/46—Control electrodes, e.g. grid; Auxiliary electrodes
- H01J1/48—Control electrodes, e.g. grid; Auxiliary electrodes characterised by the material
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- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上利用しうる分野〕 本発明は、導電性パターン形成用組成物及び導電性パ
ターン形成方法に関し、特にプラズマディスプレイ用基
板に適した導電性パターン形成用組成物及び導電性パタ
ーン形成方法に関する。
ターン形成方法に関し、特にプラズマディスプレイ用基
板に適した導電性パターン形成用組成物及び導電性パタ
ーン形成方法に関する。
プラズマディスプレイ用基板は、導電性パターン形成
用組成物を基材上にスクリーン印刷等の厚膜印刷により
パターニングし、焼成により導電化することにより製造
されている。
用組成物を基材上にスクリーン印刷等の厚膜印刷により
パターニングし、焼成により導電化することにより製造
されている。
従来、このような導電性パターン形成用組成物として
は、微細化された金属粒子とガラスフリット粉を不活性
有機ビヒクル中に分散したペースト状物が提供されてい
るが、特にプラズマディスプレイ用基板においては、耐
スパッタリング特性が優れていることから、金属粒子と
してニッケル粉が使用されている。
は、微細化された金属粒子とガラスフリット粉を不活性
有機ビヒクル中に分散したペースト状物が提供されてい
るが、特にプラズマディスプレイ用基板においては、耐
スパッタリング特性が優れていることから、金属粒子と
してニッケル粉が使用されている。
また、最近では焼成時の耐酸化性を改良する観点か
ら、ニッケルボロン(Ni3B)合金に燐、或いは珪素を含
有させた導電性パターン形成用組成物が開発されている
(米国特許第3,943,168号明細書、特公昭61−15521号公
報)。
ら、ニッケルボロン(Ni3B)合金に燐、或いは珪素を含
有させた導電性パターン形成用組成物が開発されている
(米国特許第3,943,168号明細書、特公昭61−15521号公
報)。
近年、プラズマディスプレイは大型化、ファインピッ
チ化の方向へと開発、商品化が進められており、大型化
するほど電極が長くなり、またファインピッチ化するほ
ど電極は細く形成されなければならず、電極材料の導電
性に対する要求は高まっている。またプラズマディスプ
レイの発光輝度を高める方法としてメモリー駆動法があ
るが、この場合には同時に複数のプラズマ放電電流が1
本の電極に集中することとなり、電極材料の高導電性が
益々要求される状況となっている。
チ化の方向へと開発、商品化が進められており、大型化
するほど電極が長くなり、またファインピッチ化するほ
ど電極は細く形成されなければならず、電極材料の導電
性に対する要求は高まっている。またプラズマディスプ
レイの発光輝度を高める方法としてメモリー駆動法があ
るが、この場合には同時に複数のプラズマ放電電流が1
本の電極に集中することとなり、電極材料の高導電性が
益々要求される状況となっている。
しかしながら、現在提供されている導電性パターン形
成用組成物では、大気中での導電性パターン形成時(焼
成)に於けるニッケル金属の耐酸化性を可能とはしてい
るものの、得られた焼成物の導電性は十分ではなく、プ
ラズマディスプレイの大型化、ファインピッチ化、メモ
リー化に対応しえていないのが現状である。
成用組成物では、大気中での導電性パターン形成時(焼
成)に於けるニッケル金属の耐酸化性を可能とはしてい
るものの、得られた焼成物の導電性は十分ではなく、プ
ラズマディスプレイの大型化、ファインピッチ化、メモ
リー化に対応しえていないのが現状である。
一方、小型のプラズマディスプレイにおいても、現在
提供されている導電性パターン形成用組成物では電極の
抵抗値を実質的に低下させる目的でパターンの厚みを大
きくとったり、極力パターンを太くすることが必要であ
り、プラズマディスプレイの構造や性能に大きな制約と
なっているし、更にその製造に際しても、使用材料や工
程数が増え、コストの上昇といった問題点を生じてい
る。
提供されている導電性パターン形成用組成物では電極の
抵抗値を実質的に低下させる目的でパターンの厚みを大
きくとったり、極力パターンを太くすることが必要であ
り、プラズマディスプレイの構造や性能に大きな制約と
なっているし、更にその製造に際しても、使用材料や工
程数が増え、コストの上昇といった問題点を生じてい
る。
本発明は、導電性が高く、且つ焼成ムラのない導電性
パターン形成用組成物及び導電性パターン形成方法の提
供を課題とする。
パターン形成用組成物及び導電性パターン形成方法の提
供を課題とする。
本発明の導電性パターン形成用組成物は、ニッケル成
分が99.5重量%〜94.5重量%、ボロン成分が0.5重量%
〜5.5重量%からなる共融混合物を冷却、微細化して得
られる合金粉と、ガラスフリット粉及び有機ビヒクルか
らなるものである。
分が99.5重量%〜94.5重量%、ボロン成分が0.5重量%
〜5.5重量%からなる共融混合物を冷却、微細化して得
られる合金粉と、ガラスフリット粉及び有機ビヒクルか
らなるものである。
また、本発明の導電性パターン形成方法は、ニッケル
成分が99.5重量%〜94.5重量%、ボロン成分が0.5重量
%〜5.5重量%からなる共融混合物を冷却、微細化して
得られる合金粉とガラスフリット粉を有機ビヒクルと混
練してペースト化した後、印刷手段により基材上にパタ
ーン状に印刷し、次いで加熱焼成するか、或いはニッケ
ル成分が99.5重量%〜94.5重量%、ボロン成分が0.5重
量%〜5.5重量%からなる共融混合物を冷却、微細化し
て得られる合金粉とガラスフリット粉のそれぞれの表面
に有機樹脂絶縁層を被覆した後混合してトナーを形成
し、次いで静電手段により基材上にパターン状に転写
し、次いで加熱焼成して導電性パターンとすることを特
徴とするものである。
成分が99.5重量%〜94.5重量%、ボロン成分が0.5重量
%〜5.5重量%からなる共融混合物を冷却、微細化して
得られる合金粉とガラスフリット粉を有機ビヒクルと混
練してペースト化した後、印刷手段により基材上にパタ
ーン状に印刷し、次いで加熱焼成するか、或いはニッケ
ル成分が99.5重量%〜94.5重量%、ボロン成分が0.5重
量%〜5.5重量%からなる共融混合物を冷却、微細化し
て得られる合金粉とガラスフリット粉のそれぞれの表面
に有機樹脂絶縁層を被覆した後混合してトナーを形成
し、次いで静電手段により基材上にパターン状に転写
し、次いで加熱焼成して導電性パターンとすることを特
徴とするものである。
本発明の導電性パターン形成用組成物における合金粉
について説明する。
について説明する。
まず、合金粉におけるニッケル成分としてはニッケル
単体、ニッケル硼素合金等を使用することができ、また
ボロン成分としてはボロン単体、硼酸が使用され、これ
らの原料を混合、溶融して合金とされる。
単体、ニッケル硼素合金等を使用することができ、また
ボロン成分としてはボロン単体、硼酸が使用され、これ
らの原料を混合、溶融して合金とされる。
溶融温度としては、使用成分であるニッケル単体の溶
融点が約1450℃、ニッケル−ボロン合金が1000℃以上で
あるので、少なくとも1450℃以上とする必要があり、好
ましくは1500℃以上とするとよい。
融点が約1450℃、ニッケル−ボロン合金が1000℃以上で
あるので、少なくとも1450℃以上とする必要があり、好
ましくは1500℃以上とするとよい。
合金を調製するにあたっては、アルミナ坩堝等の耐熱
容器中、大気中或いはアルゴン等の不活性ガス気流中
で、例えば高周波加熱により加熱することにより達成さ
れる。
容器中、大気中或いはアルゴン等の不活性ガス気流中
で、例えば高周波加熱により加熱することにより達成さ
れる。
合金組成においてボロンが0.5重量%以下、又は5.5重
量%以上であると、焼成により形成される導電性パター
ンにおける導電性が低下する。
量%以上であると、焼成により形成される導電性パター
ンにおける導電性が低下する。
また、本発明における合金粉は、印刷性、焼成後の導
電性を向上させる観点から、その形状が球形に近く、又
粒径が10μm以下のものが好ましい。
電性を向上させる観点から、その形状が球形に近く、又
粒径が10μm以下のものが好ましい。
このような合金粉を調製するにあたっては、ニッケル
成分が99.5重量%〜94.5重量%であるような組成では、
延性が強く、通常の機械的に粉砕するような微細化手段
ではその調製は不可能である。また、別の方法としてア
トマイズ法による微細化方法があり、粉体化は可能であ
るが、一般に行われているアトマイズ法では、分級によ
り望ましい粒径の粒子のみを選別したとしても収量は僅
かであり、微細な合金粉を得るためにはコストが著しく
高く、実用的ではない。
成分が99.5重量%〜94.5重量%であるような組成では、
延性が強く、通常の機械的に粉砕するような微細化手段
ではその調製は不可能である。また、別の方法としてア
トマイズ法による微細化方法があり、粉体化は可能であ
るが、一般に行われているアトマイズ法では、分級によ
り望ましい粒径の粒子のみを選別したとしても収量は僅
かであり、微細な合金粉を得るためにはコストが著しく
高く、実用的ではない。
そのため本発明に適した合金粉を調製するには、例え
ば、特許第552253号明細書及び特開昭60−152605号公報
に開示されているような水アトマイズ法を使用して粉体
化したものを使用するとよい。水アトマイズ法は、溶融
した金属を急冷する過程で粉体化が同時に行われるの
で、粉砕による微細化法と異なり、必ずしも前もってイ
ンゴットを製造する必要はない。尚、水アトマイズ法に
より微細化された合金粉は、更に適宜の手段で分級して
粒径を10μm以下に調節するとよい。
ば、特許第552253号明細書及び特開昭60−152605号公報
に開示されているような水アトマイズ法を使用して粉体
化したものを使用するとよい。水アトマイズ法は、溶融
した金属を急冷する過程で粉体化が同時に行われるの
で、粉砕による微細化法と異なり、必ずしも前もってイ
ンゴットを製造する必要はない。尚、水アトマイズ法に
より微細化された合金粉は、更に適宜の手段で分級して
粒径を10μm以下に調節するとよい。
また、ガラスフリット粉は、PbO、SiO2、B2O3からな
るが、その軟化点、熱膨張率が適当な値を有するものを
使用する必要がある。例えば、焼成温度が600℃の場合
には、ガラスフリットとしては、軟化点が400℃〜550℃
のものを使用するとよく、特に500℃〜550℃のものを使
用すると焼成ムラの少ないものとしえることを見出し
た。
るが、その軟化点、熱膨張率が適当な値を有するものを
使用する必要がある。例えば、焼成温度が600℃の場合
には、ガラスフリットとしては、軟化点が400℃〜550℃
のものを使用するとよく、特に500℃〜550℃のものを使
用すると焼成ムラの少ないものとしえることを見出し
た。
即ち、焼成温度よりガラスフリットの軟化温度が低す
ぎると有機ビヒクルのみを飛ばすことができず、有機ビ
ヒクル成分が残留しやすくなるのに対して、高軟化点の
ガラスフリットを使用すると有機ビヒクルの除去が容易
であり、ガラスフリットの含有量の許容範囲を広くする
ことができる。焼成ムラがあると、導電性の不均一性の
他、パネルとした時に放電開始電圧等の不均一の原因と
なるし、また残留物はパネル寿命を短くする原因ともな
るので好ましくない。
ぎると有機ビヒクルのみを飛ばすことができず、有機ビ
ヒクル成分が残留しやすくなるのに対して、高軟化点の
ガラスフリットを使用すると有機ビヒクルの除去が容易
であり、ガラスフリットの含有量の許容範囲を広くする
ことができる。焼成ムラがあると、導電性の不均一性の
他、パネルとした時に放電開始電圧等の不均一の原因と
なるし、また残留物はパネル寿命を短くする原因ともな
るので好ましくない。
このように、焼成温度に応じたガラスフリットを選択
することにより、焼成適性が向上して焼成ムラが生じに
くくすることができ、例えばプラズマディスプレイ用基
板とした際のパネル寿命の向上を図ることができるもの
である。
することにより、焼成適性が向上して焼成ムラが生じに
くくすることができ、例えばプラズマディスプレイ用基
板とした際のパネル寿命の向上を図ることができるもの
である。
プラズマディスプレイ用基板における基材としてソー
ダフロートガラスを使用する場合には、ガラスフリット
の熱膨張率は70×10-7/℃〜90×107/℃程度が適切であ
る。
ダフロートガラスを使用する場合には、ガラスフリット
の熱膨張率は70×10-7/℃〜90×107/℃程度が適切であ
る。
ガラスフリット粉の粒径も合金粉と同様に10μm以下
とされ、機械的手段により微細化され、分級されて粒径
が調節される。
とされ、機械的手段により微細化され、分級されて粒径
が調節される。
ガラスフリット粉は、合金粉100重量部に対して1重
量部〜40重量部の割合で使用するとよい。
量部〜40重量部の割合で使用するとよい。
有機ビヒクルとしては、合金粉、ガラスフリットに対
して不活性で、かつ焼成により焼去してしまうものであ
り、エチルセルロース、硝酸セルロース等のセルロース
系樹脂やアクリル樹脂等が使用される。これらの樹脂
は、ターピネオール、ブチルカービトール、ブチルカー
ビトールアセテート等の溶剤に溶解して使用される。樹
脂と溶剤との使用割合は重量比で樹脂1に対して4〜20
とするとよい。
して不活性で、かつ焼成により焼去してしまうものであ
り、エチルセルロース、硝酸セルロース等のセルロース
系樹脂やアクリル樹脂等が使用される。これらの樹脂
は、ターピネオール、ブチルカービトール、ブチルカー
ビトールアセテート等の溶剤に溶解して使用される。樹
脂と溶剤との使用割合は重量比で樹脂1に対して4〜20
とするとよい。
有機ビヒクルは、導電性パターン形成用組成物におい
て10重量%〜30重量%の割合とするとよい。
て10重量%〜30重量%の割合とするとよい。
本発明の導電性パターンを形成する方法は、印刷手段
による方法、及び静電転写による方法がある。
による方法、及び静電転写による方法がある。
まず印刷手段による方法としては、導電性パターン形
成用組成物は、合金粉とガラスフリットとを不活性有機
ビヒクルに、例えば3本ロール上で分散、混練して調製
される。この際、必要に応じて界面活性剤、レヴェリン
グ剤、消泡剤等公知の添加剤が添加されてもよい。
成用組成物は、合金粉とガラスフリットとを不活性有機
ビヒクルに、例えば3本ロール上で分散、混練して調製
される。この際、必要に応じて界面活性剤、レヴェリン
グ剤、消泡剤等公知の添加剤が添加されてもよい。
この導電性パターン形成用組成物は、スクリーン印刷
等により基材上にパターニングされる。基材としては、
ガラス、ガラス−セラミック、セラミック板であるが、
ソーダフロートガラス板等が使用される。
等により基材上にパターニングされる。基材としては、
ガラス、ガラス−セラミック、セラミック板であるが、
ソーダフロートガラス板等が使用される。
スクリーン印刷による方法では、基材上に所定パター
ン形状の開口部を有するスクリーン印刷版を用いて行わ
れるが、印刷用ペーストはこの開口部を通してスキージ
により基板上に積層される。
ン形状の開口部を有するスクリーン印刷版を用いて行わ
れるが、印刷用ペーストはこの開口部を通してスキージ
により基板上に積層される。
印刷されたペーストは、90℃〜200℃で乾燥処理され
て固定化され、更に、基材としてソーダフロートガラス
を用いる場合には550℃〜620℃で焼成されて、導電性パ
ターンが形成される。焼成は大気中で行われるが、窒素
雰囲気下、或いは還元雰囲気下で行われてもよい。焼成
により不活性有機ビヒクル、各種添加剤は焼去され、ま
た合金粉はガラスフリットにより基板上に固着され、導
電性パターンとなる。
て固定化され、更に、基材としてソーダフロートガラス
を用いる場合には550℃〜620℃で焼成されて、導電性パ
ターンが形成される。焼成は大気中で行われるが、窒素
雰囲気下、或いは還元雰囲気下で行われてもよい。焼成
により不活性有機ビヒクル、各種添加剤は焼去され、ま
た合金粉はガラスフリットにより基板上に固着され、導
電性パターンとなる。
スクリーン印刷版は、よく知られているように、メッ
シュに感光性樹脂がパターニングされ、印刷用ペースト
のマスクとして機能している。従って、スクリーン印刷
版に使用されているメッシュの開口部に比べ、十分に小
さな粒径を有する粉体のみが使用される。プラズマディ
スプレイの電極のようなファインパターンに使用される
スクリーン印刷版のメッシュは250本/inch以下が一般的
であるので、ペースト中の粉体は粒径25μm以下とする
ことが必要であり、好ましくは10μm以下とするもので
ある。合金粉は微細化されることにより印刷用組成物と
した際、ペーストのチクソトロピー性が高くなり、ファ
インパターン印刷に適したものとすることができる。ま
た、合金粉の形状は球形状とするとよい。合金粉の形状
はペーストのレオロジーに大きな影響を与え、また印刷
パターンにおける合金粉の充填性をよくし、導電性をよ
り向上させることができるものであり、又、ペーストの
印刷適性を優れたものとすることができる。
シュに感光性樹脂がパターニングされ、印刷用ペースト
のマスクとして機能している。従って、スクリーン印刷
版に使用されているメッシュの開口部に比べ、十分に小
さな粒径を有する粉体のみが使用される。プラズマディ
スプレイの電極のようなファインパターンに使用される
スクリーン印刷版のメッシュは250本/inch以下が一般的
であるので、ペースト中の粉体は粒径25μm以下とする
ことが必要であり、好ましくは10μm以下とするもので
ある。合金粉は微細化されることにより印刷用組成物と
した際、ペーストのチクソトロピー性が高くなり、ファ
インパターン印刷に適したものとすることができる。ま
た、合金粉の形状は球形状とするとよい。合金粉の形状
はペーストのレオロジーに大きな影響を与え、また印刷
パターンにおける合金粉の充填性をよくし、導電性をよ
り向上させることができるものであり、又、ペーストの
印刷適性を優れたものとすることができる。
また、本発明の導電性パターンは、静電転写により形
成することもできる。
成することもできる。
このための導電性パターン形成用組成物は、合金粉及
びガラスフリット粉における表面をそれぞれ絶縁性樹脂
でコーティングすることにより、静電手段によりパター
ニングが可能なトナーとするものである。絶縁性樹脂と
してはアクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹
脂等がある。その膜厚は0.1μm〜5μmとするとよ
い。
びガラスフリット粉における表面をそれぞれ絶縁性樹脂
でコーティングすることにより、静電手段によりパター
ニングが可能なトナーとするものである。絶縁性樹脂と
してはアクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹
脂等がある。その膜厚は0.1μm〜5μmとするとよ
い。
この導電性パターン形成用組成物においては、それぞ
れ絶縁層を被覆した合金粉100重量部に対してガラスフ
リット粉を1重量部〜40重量部混合して形成するとよ
い。
れ絶縁層を被覆した合金粉100重量部に対してガラスフ
リット粉を1重量部〜40重量部混合して形成するとよ
い。
こうして調製されるトナーを使用して基材上にパター
ニングするには、例えばパターン状に帯電された感光体
上に、本発明の導電性パターン形成用組成物を付着させ
た後、ソーダフロートガラス基材上に静電転写すること
により行なわれるものであり、その後上述した印刷手段
により形成される場合と同様の条件で焼成されることに
より導電性パターンとするものである。
ニングするには、例えばパターン状に帯電された感光体
上に、本発明の導電性パターン形成用組成物を付着させ
た後、ソーダフロートガラス基材上に静電転写すること
により行なわれるものであり、その後上述した印刷手段
により形成される場合と同様の条件で焼成されることに
より導電性パターンとするものである。
本発明の導電性パターン形成用組成物は、導電性成分
が多く含有させた共融混合物を冷却、微細化して得られ
る合金粉とガラスフリット及び有機ビヒクルからなるも
のであり、この導電性パターン形成用組成物により形成
される導電性パターンは、耐酸化性を保持しつつも、ニ
ッケル成分が多量に存在しているので、優れた導電性を
示すものであり、またプラズマディスプレイ用基板とし
て使用すると、優れた耐スパッタリング性を示すに至る
ものと考えられる。
が多く含有させた共融混合物を冷却、微細化して得られ
る合金粉とガラスフリット及び有機ビヒクルからなるも
のであり、この導電性パターン形成用組成物により形成
される導電性パターンは、耐酸化性を保持しつつも、ニ
ッケル成分が多量に存在しているので、優れた導電性を
示すものであり、またプラズマディスプレイ用基板とし
て使用すると、優れた耐スパッタリング性を示すに至る
ものと考えられる。
導電性パターン形成用組成物にガラスフリットを含有
させることにより、より合金粉の接合が強まり導電性を
向上させるものである。
させることにより、より合金粉の接合が強まり導電性を
向上させるものである。
又、合金粉の形状を球形状とすることにより、導電性
パターンを形成する際に合金粉の充填度を高め、これに
より導電性を向上させることができ、更に合金粉の粒径
を10μm以下とすることにより、スクリーン印刷用ペー
ストとした時のチクソトロピー性を良くし、印刷適性を
良くすることができる、特にプラズマディスプレイ用電
極のごときファインパターンの印刷に適したレオロジー
が得られるものである。
パターンを形成する際に合金粉の充填度を高め、これに
より導電性を向上させることができ、更に合金粉の粒径
を10μm以下とすることにより、スクリーン印刷用ペー
ストとした時のチクソトロピー性を良くし、印刷適性を
良くすることができる、特にプラズマディスプレイ用電
極のごときファインパターンの印刷に適したレオロジー
が得られるものである。
以下、実施例により本発明を説明する。
〔実施例1〕 ニッケル−ボロン合金(ボロン15重量%含有)とニッ
ケル単体を、アルミナ製坩堝に入れ、大気雰囲気下、高
周波加熱により1500℃に加熱して溶融させた。
ケル単体を、アルミナ製坩堝に入れ、大気雰囲気下、高
周波加熱により1500℃に加熱して溶融させた。
この溶融状態の合金を、水アトマイズ法により微細化
させた。
させた。
次いで風力分級により粒径を調節し、ボロンを0.87、
1.90、2.93、3.65、4.15、4.70、5.16、6.04、8.7、13.
2重量%それぞれ含有するニッケル−ボロン合金を得
た。
1.90、2.93、3.65、4.15、4.70、5.16、6.04、8.7、13.
2重量%それぞれ含有するニッケル−ボロン合金を得
た。
得られた合金粉を電子顕微鏡で観察したところ球形状
であり、平均粒径をMicrotrac社製のレーザー回折型粒
度分析計で測定したところ6μmであった。
であり、平均粒径をMicrotrac社製のレーザー回折型粒
度分析計で測定したところ6μmであった。
この合金粉と、ガラスフリット(日本電気硝子社製GA
−8、成分PbO、SiO2、B2O3、密度5.38g/cm3、熱膨張係
数81.0×10-7/℃、軟化点490℃、粒径5μm)とを、ワ
ニス{エチルセルロース:ブチルカービトールアセテー
ト=1:9(重量比)}中に、合金粉が75.8重量%、ガラ
スフリットが7.6重量%となるように、3本ロール上で
混練した後、フロートガラス板上に幅200μm、長さ90m
m、厚さ20μmのライン状パターンにスクリーン印刷し
た。これを150℃、10分間乾燥してブチルカルビトール
アセテートを除去した後、連続焼成炉を用いてピーク温
度600℃、保持時間10分間の条件で大気中焼成した。
−8、成分PbO、SiO2、B2O3、密度5.38g/cm3、熱膨張係
数81.0×10-7/℃、軟化点490℃、粒径5μm)とを、ワ
ニス{エチルセルロース:ブチルカービトールアセテー
ト=1:9(重量比)}中に、合金粉が75.8重量%、ガラ
スフリットが7.6重量%となるように、3本ロール上で
混練した後、フロートガラス板上に幅200μm、長さ90m
m、厚さ20μmのライン状パターンにスクリーン印刷し
た。これを150℃、10分間乾燥してブチルカルビトール
アセテートを除去した後、連続焼成炉を用いてピーク温
度600℃、保持時間10分間の条件で大気中焼成した。
この導電性パターンにおける両端間の電気抵抗をデシ
ダルテスターにより測定した。その結果を第1表に示す
と共に、第1図に図示した。尚第1図における数字は実
験Noを示す。
ダルテスターにより測定した。その結果を第1表に示す
と共に、第1図に図示した。尚第1図における数字は実
験Noを示す。
実験No1〜7は本発明の導電性パターン形成用組成物
である。この表からわかるように、本発明のニッケル−
ボロン組成では抵抗値が低く、優れた導電性パターン形
成用組成物であることがわかる。更に実験No2〜4では
抵抗値が特に低く、ボロンの含有量が1.5〜4.0重量%の
範囲では極めて優れた導電性パターンが得られることが
わかる。
である。この表からわかるように、本発明のニッケル−
ボロン組成では抵抗値が低く、優れた導電性パターン形
成用組成物であることがわかる。更に実験No2〜4では
抵抗値が特に低く、ボロンの含有量が1.5〜4.0重量%の
範囲では極めて優れた導電性パターンが得られることが
わかる。
また上記実施例において、ガラスフリットを使用しな
いで、実験No1〜5、実験No7〜8と同様のボロン含有量
を有する合金粉を83.3重量%、ワニスを16.6重量%含有
させて導電性パターン形成用組成物を、それぞれ実験No
11〜17として調製し、上記実施例同様に導電性パターン
を形成し、その抵抗を測定した。その結果を第2表に示
す。
いで、実験No1〜5、実験No7〜8と同様のボロン含有量
を有する合金粉を83.3重量%、ワニスを16.6重量%含有
させて導電性パターン形成用組成物を、それぞれ実験No
11〜17として調製し、上記実施例同様に導電性パターン
を形成し、その抵抗を測定した。その結果を第2表に示
す。
第2表に示すように、ガラスフリットを含有させない
と導電性が低くなることがわかる。
と導電性が低くなることがわかる。
〔比較例1〕 ニッケル単体をアルミナ坩堝中、大気雰囲気中で1500
℃に高周波加熱して溶融し、実施例1同様の水アトマイ
ズ法により、粒径5μmの球形ニッケル粉を調製した。
℃に高周波加熱して溶融し、実施例1同様の水アトマイ
ズ法により、粒径5μmの球形ニッケル粉を調製した。
このニッケル粉に、ボロン含有量が4.7重量%のニッ
ケル−ボロン合金粉(実施例1同様水アトマイズ法によ
り調製)を下記第3表の混合比(重量%)で混合し、そ
のそれぞれの混合物に実施例1で使用したガラスフリッ
トをそれぞれ7.6重量%、ワニス16.6重量%含有させ
て、導電性パターン形成用組成物を調製し、実施例1同
様に導電性パターンを形成し、その抵抗を測定した。そ
の結果を第3表に示すと共に、第2図に図示した。図中
の数字は実験Noを示す。
ケル−ボロン合金粉(実施例1同様水アトマイズ法によ
り調製)を下記第3表の混合比(重量%)で混合し、そ
のそれぞれの混合物に実施例1で使用したガラスフリッ
トをそれぞれ7.6重量%、ワニス16.6重量%含有させ
て、導電性パターン形成用組成物を調製し、実施例1同
様に導電性パターンを形成し、その抵抗を測定した。そ
の結果を第3表に示すと共に、第2図に図示した。図中
の数字は実験Noを示す。
第3表における実験No18は、実験No6と同一の本発明
の導電性パターン形成用組成物であり、実験No19〜23は
比較例である。このように導電性パターン形成用組成物
における金属成分を、ニッケル−ボロン合金とニッケル
単体の混合物とすると、形成された導電性パターンの抵
抗値が高くなることがわかる。
の導電性パターン形成用組成物であり、実験No19〜23は
比較例である。このように導電性パターン形成用組成物
における金属成分を、ニッケル−ボロン合金とニッケル
単体の混合物とすると、形成された導電性パターンの抵
抗値が高くなることがわかる。
〔比較例2〕 上記比較例1において使用したニッケル−ボロン合金
に代えてボロンを13.2重量%含有するニッケル−ボロン
合金を使用し、比較例1同様に導電性パターンを形成
し、その抵抗値を測定した。その結果を第4表に示すと
共に、第2図に図示した。尚図中の数字は実験Noを示
す。
に代えてボロンを13.2重量%含有するニッケル−ボロン
合金を使用し、比較例1同様に導電性パターンを形成
し、その抵抗値を測定した。その結果を第4表に示すと
共に、第2図に図示した。尚図中の数字は実験Noを示
す。
第4表における実験No24〜28はいずれも比較例である
が、いずれも本発明の導電性パターン形成用組成物に比
較して、形成された導電性パターンの導電性が低いこと
がわかる。
が、いずれも本発明の導電性パターン形成用組成物に比
較して、形成された導電性パターンの導電性が低いこと
がわかる。
〔実施例2〕 実施例1において、ワニス含有量を16.6重量%と一定
として、実施例1において調製した、ボロンを2.93重量
%含有するニッケル−ボロン合金粉と実施例1で使用し
たガラスフリットとの含有量を下記第5表に示すように
変化させて、実施例1同様に導電性パターン形成用組成
物を調製した後、実施例1同様に導電性パターンを形成
し、その電気抵抗を測定すると共に、焼成ムラの有無を
目視で確認した。
として、実施例1において調製した、ボロンを2.93重量
%含有するニッケル−ボロン合金粉と実施例1で使用し
たガラスフリットとの含有量を下記第5表に示すように
変化させて、実施例1同様に導電性パターン形成用組成
物を調製した後、実施例1同様に導電性パターンを形成
し、その電気抵抗を測定すると共に、焼成ムラの有無を
目視で確認した。
結果を下記第5表に示す。
第5表からわかるように、ガラスフリット含有量が多
くなると焼成ムラが生じることがわかる。
くなると焼成ムラが生じることがわかる。
〔実施例3〕 実施例2におけるガラスフリットに代えて、軟化点の
相違するガラスフリット(岩城ガラス社製:商品名TO7
2、熱膨張係数70×10-7/℃、軟化点525℃、粒径5μ
m)を使用し、実施例2同様に導電性パターン形成用組
成物を調製した後、実施例1同様に導電性パターンを形
成し、その電気抵抗を測定すると共に、焼成ムラの有無
を目視で確認した。
相違するガラスフリット(岩城ガラス社製:商品名TO7
2、熱膨張係数70×10-7/℃、軟化点525℃、粒径5μ
m)を使用し、実施例2同様に導電性パターン形成用組
成物を調製した後、実施例1同様に導電性パターンを形
成し、その電気抵抗を測定すると共に、焼成ムラの有無
を目視で確認した。
結果を下記第6表に示す。
第6表からわかるように、ガラスフリットとして軟化
点の高いものを使用することにより、低抵抗の導電性パ
ターンを形成できると共に、焼成ムラのない導電性パタ
ーンを形成しうることがわかる。
点の高いものを使用することにより、低抵抗の導電性パ
ターンを形成できると共に、焼成ムラのない導電性パタ
ーンを形成しうることがわかる。
〔実施例4〕 実施例1で調製した合金粉(ボロン含有量2.93重量
%、粒径6μm、球形状)とアクリル樹脂微粉体(綜研
化学(株)、MP−4951)をメカノフュージョンシステム
(ホソカクミロン)により処理し、合金粉の回りにアク
リル樹脂を1μmの膜厚でコーティングした。
%、粒径6μm、球形状)とアクリル樹脂微粉体(綜研
化学(株)、MP−4951)をメカノフュージョンシステム
(ホソカクミロン)により処理し、合金粉の回りにアク
リル樹脂を1μmの膜厚でコーティングした。
同様に、実施例1で使用したガラスフリット(日本電
気硝子、GA−8)の回りにアクリル樹脂を1μmの膜厚
でコーティングした。
気硝子、GA−8)の回りにアクリル樹脂を1μmの膜厚
でコーティングした。
これらの合金粉とガラスフリット粉を10:1(重量比)
で混合し、トナーとした。
で混合し、トナーとした。
次に、セレンドラム(感光体)上に静電潜像を形成し
た後、上記で作成したトナーを使用して現像し、ソーダ
フロートガラス基材上に静電転写したところ、幅200μ
m、長さ90μm、厚み20μmのパターンを形成すること
ができ、更に実施例1同様に焼成処理することにより、
導電性パターンの形成されたプラズマディスプレイ基板
を作製することができた。
た後、上記で作成したトナーを使用して現像し、ソーダ
フロートガラス基材上に静電転写したところ、幅200μ
m、長さ90μm、厚み20μmのパターンを形成すること
ができ、更に実施例1同様に焼成処理することにより、
導電性パターンの形成されたプラズマディスプレイ基板
を作製することができた。
この導電性パターンの電気抵抗を測定したところ、実
施例1同様の結果が得られた。
施例1同様の結果が得られた。
第1図及び第2図は、導電性成分におけるボロン含有量
と抵抗値との関係を示す図である。
と抵抗値との関係を示す図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01B 5/14 H01B 5/14 B 13/00 503 13/00 503D H01J 9/02 H01J 9/02 F 17/04 17/04 H05K 1/09 H05K 1/09 A 3/12 610 3/12 610J 630 630A (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C03C 8/18 H01B 1/00 - 1/24 H01B H05K 1/09,1/16 C09D 11/00
Claims (10)
- 【請求項1】ニッケル成分が99.5重量%〜94.5重量%、
ボロン成分が0.5重量%〜5.5重量%からなる共融混合物
を冷却、微細化して得られる合金粉と、ガラスフリット
粉及び有機ビヒクルとを主成分とする導電性パターン形
成用組成物。 - 【請求項2】前記合金粉が、ニッケル成分98.5重量%〜
96.0重量%、ボロン成分1.5重量%〜4.0重量%からなる
共融混合物を冷却、微細化して得られるものである請求
項1記載の導電性パターン形成用組成物。 - 【請求項3】前記ガラスフリット粉の軟化点が、400℃
〜550℃である請求項1記載の導電性パターン形成用組
成物。 - 【請求項4】前記合金粉100重量部に対して、ガラスフ
リット粉が1〜40重量部配合された請求項1記載の導電
性パターン形成用組成物。 - 【請求項5】前記合金粉がほぼ球形状で、粒径10μm以
下である請求項1又は2記載の導電性パターン形成用組
成物。 - 【請求項6】ニッケル成分が99.5重量%〜94.5重量%、
ボロン成分が0.5重量%〜5.5重量%からなる共融混合物
を冷却、微細化して得られる合金粉とガラスフリット粉
を有機ビヒクルと混練してペースト化した後、印刷手段
により基材上にパターン状に印刷し、次いで加熱焼成す
ることを特徴とする導電性パターン形成方法。 - 【請求項7】ニッケル成分が99.5重量%〜94.5重量%、
ボロン成分が0.5重量%〜5.5重量%からなる共融混合物
を冷却、微細化して得られる合金粉とガラスフリット粉
のそれぞれの表面に有機樹脂絶縁層を被覆した後、混合
してトナーを形成し、次いで静電手段により基材上にパ
ターン状に転写した後加熱焼成して導電性パターンとす
ることを特徴とする導電性パターン形成方法。 - 【請求項8】前記合金粉が、ニッケル成分98.5重量%〜
96.0重量%、ボロン成分1.5重量%〜4.0重量%からなる
共融混合物を冷却、微細化して得られるものである請求
項6又は7記載の導電性パターン形成方法。 - 【請求項9】前記ガラスフリット粉の軟化点が、400℃
〜550℃である請求項6又は7記載の導電性パターン形
成方法。 - 【請求項10】前記導電性パターンが、プラズマディス
プレー用基板における導電性パターンである請求項6又
は7記載の導電性パターン形成方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16361290A JP2962776B2 (ja) | 1989-08-31 | 1990-06-21 | 導電性パターン形成用組成物及び導電性パターン形成方法 |
PCT/JP1990/001102 WO1991003817A1 (en) | 1989-08-31 | 1990-08-30 | Conductive pattern forming composition and method of producing the same |
DE1990625908 DE69025908T2 (de) | 1989-08-31 | 1990-08-30 | Leitfähige struktur bildende zusammensetzung und verfahren zur herstellung derselben |
EP19900912958 EP0440822B1 (en) | 1989-08-31 | 1990-08-30 | Conductive pattern forming composition and method of producing the same |
US08/422,608 US5571455A (en) | 1989-08-31 | 1995-04-13 | Composition for forming electroconductive pattern and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22630489 | 1989-08-31 | ||
JP1-226304 | 1989-08-31 | ||
JP16361290A JP2962776B2 (ja) | 1989-08-31 | 1990-06-21 | 導電性パターン形成用組成物及び導電性パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03187948A JPH03187948A (ja) | 1991-08-15 |
JP2962776B2 true JP2962776B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=26488998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16361290A Expired - Lifetime JP2962776B2 (ja) | 1989-08-31 | 1990-06-21 | 導電性パターン形成用組成物及び導電性パターン形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5571455A (ja) |
EP (1) | EP0440822B1 (ja) |
JP (1) | JP2962776B2 (ja) |
DE (1) | DE69025908T2 (ja) |
WO (1) | WO1991003817A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06349316A (ja) * | 1993-06-11 | 1994-12-22 | Tdk Corp | 導電ペースト |
DE19841900A1 (de) * | 1998-09-11 | 2000-03-30 | Schott Glas | Verfahren zum Aufbringen von metallischen Leiterbahnen als Elektroden auf eine Kanalplatte für großflächige Flachbildschirme |
JP2002341376A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 液晶表示装置、半導体素子、半導体素子用基板及び半導体素子配線用被覆金属粒子 |
JP2002343235A (ja) * | 2001-05-14 | 2002-11-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル用背面基板及び前面基板、及びプラズマディスプレイパネル配線用被覆金属粒子 |
JP4257566B2 (ja) * | 2001-11-06 | 2009-04-22 | 住友電気工業株式会社 | 微細金属構造体の形成方法とそれを用いたセラミックパッケージ、マルチチップ用基板およびプラズマディスプレイパネル用基板 |
WO2005007919A2 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-27 | Fry's Metals Inc. | Coating metal particles |
EP1663513A4 (en) * | 2003-07-09 | 2009-08-05 | Fry Metals Inc | DESCALING AND MODELING PROCEDURES |
EP1783558B1 (en) * | 2004-07-09 | 2013-09-11 | Asahi Glass Company, Limited | Conductive toner and process for producing glass plate with conductive printed wire |
US7413805B2 (en) * | 2005-02-25 | 2008-08-19 | Fry's Metals, Inc. | Preparation of metallic particles for electrokinetic or electrostatic deposition |
ITFI20050142A1 (it) * | 2005-06-23 | 2006-12-24 | Colorobbia Italiana Spa | Materiali per la ricopertura di corpi ceramici, processi per la loro preparazione loro uso e manufatti ceramici che li comprendono |
DE112006002464T5 (de) | 2005-09-14 | 2008-07-24 | Littelfuse, Inc., Des Plaines | Gasgefüllter Überspannungsableiter, aktivierende Verbindung, Zündstreifen und Herstellungsverfahren dafür |
US7704660B2 (en) * | 2006-01-10 | 2010-04-27 | Asahi Glass Company, Limited | Developer for electronic printing, and process for producing glass plate having electric conductor pattern |
JP5135818B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2013-02-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 印刷用インキ組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いたプラズマディスプレイパネル用電極の形成方法及びその電極 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1508586A (en) * | 1974-03-16 | 1978-04-26 | Univ Southampton | Methods of electrostatic deposition of fine particles |
US4079156A (en) * | 1975-03-07 | 1978-03-14 | Uop Inc. | Conductive metal pigments |
US4122232A (en) * | 1975-04-21 | 1978-10-24 | Engelhard Minerals & Chemicals Corporation | Air firable base metal conductors |
US4070517A (en) * | 1976-07-08 | 1978-01-24 | Beckman Instruments, Inc. | Low fired conductive compositions |
US4469625A (en) * | 1980-02-25 | 1984-09-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Prolonged tack toners for the preparation of electric circuits |
JPS5889702A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-28 | 松下電器産業株式会社 | 導電性ペ−スト |
US4496875A (en) * | 1983-06-22 | 1985-01-29 | Burroughs Corporation | Conductor composition and devices using it |
JPS6016041A (ja) * | 1983-07-06 | 1985-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | フレ−ム同期検定回路 |
JPS6413793A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-18 | Ricoh Kk | Forming method for conductive film or conductive pattern |
-
1990
- 1990-06-21 JP JP16361290A patent/JP2962776B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-30 EP EP19900912958 patent/EP0440822B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-30 WO PCT/JP1990/001102 patent/WO1991003817A1/ja active IP Right Grant
- 1990-08-30 DE DE1990625908 patent/DE69025908T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-13 US US08/422,608 patent/US5571455A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69025908D1 (de) | 1996-04-18 |
US5571455A (en) | 1996-11-05 |
EP0440822B1 (en) | 1996-03-13 |
EP0440822A1 (en) | 1991-08-14 |
EP0440822A4 (en) | 1992-02-05 |
WO1991003817A1 (en) | 1991-03-21 |
JPH03187948A (ja) | 1991-08-15 |
DE69025908T2 (de) | 1996-11-28 |
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