JPH05283841A - 基板のパターン形成方法 - Google Patents
基板のパターン形成方法Info
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- JPH05283841A JPH05283841A JP7724392A JP7724392A JPH05283841A JP H05283841 A JPH05283841 A JP H05283841A JP 7724392 A JP7724392 A JP 7724392A JP 7724392 A JP7724392 A JP 7724392A JP H05283841 A JPH05283841 A JP H05283841A
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- Japan
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- conductor layer
- thick film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 上方向の引張に対して高い強度をもった厚膜
導体パターンを形成することができる基板のパターン形
成方法を提供する。 【構成】 基板（１０）上の所定の部位に、厚膜導体ペ
ーストを設けて焼成することにより厚膜導体層（１１）
を形成する工程と、この厚膜導体層上にレジストパター
ン（１２）を形成する工程と、レジストパターンが形成
された厚膜導体層上にブラスト処理を施して、レジスト
材で被覆されていない厚膜導体層を除去する工程と、基
板及び厚膜導体層上に高純度易焼結性アルミナのペース
ト（１５）を塗布する工程と、前記高純度易焼結性アル
ミナのペーストを研磨して前記厚膜導体層を露出させる
工程とを具える基板のパターン形成方法。
導体パターンを形成することができる基板のパターン形
成方法を提供する。 【構成】 基板（１０）上の所定の部位に、厚膜導体ペ
ーストを設けて焼成することにより厚膜導体層（１１）
を形成する工程と、この厚膜導体層上にレジストパター
ン（１２）を形成する工程と、レジストパターンが形成
された厚膜導体層上にブラスト処理を施して、レジスト
材で被覆されていない厚膜導体層を除去する工程と、基
板及び厚膜導体層上に高純度易焼結性アルミナのペース
ト（１５）を塗布する工程と、前記高純度易焼結性アル
ミナのペーストを研磨して前記厚膜導体層を露出させる
工程とを具える基板のパターン形成方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は厚膜導体ペーストを用い
て基板上に所望の配線パターンを形成するための基板の
パターン形成方法に関するものである。
て基板上に所望の配線パターンを形成するための基板の
パターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板上に配線パターンを形成するため
に、印刷による方法が一般に採用されているが、この方
法では線幅の限界が、通常１５０μｍ程度であり、微細
な配線を形成することができない。
に、印刷による方法が一般に採用されているが、この方
法では線幅の限界が、通常１５０μｍ程度であり、微細
な配線を形成することができない。
【０００３】微細な配線を得るために、基板上にあらか
じめ緻密な導体層を形成し、この導体層上にレジストパ
ターンを設けた後に、湿式のエッチング処理を施して微
細な配線パターンを形成するフォトリソグラフィが一般
に採用されている。
じめ緻密な導体層を形成し、この導体層上にレジストパ
ターンを設けた後に、湿式のエッチング処理を施して微
細な配線パターンを形成するフォトリソグラフィが一般
に採用されている。
【０００４】フォトリソグラフィで配線を形成する場
合、薄膜導体によって基板上に緻密な導体層を形成する
方法、メッキによって形成する方法、及び厚膜導体によ
って形成する方法があるが、薄膜導体による方法では製
造コストが高く、メッキによる方法では密着強度が劣る
という問題がある。これに対して厚膜導体による方法で
は製造コストが安く、かつ密着強度が優れた導体層を基
板上に形成できるという利点がある。
合、薄膜導体によって基板上に緻密な導体層を形成する
方法、メッキによって形成する方法、及び厚膜導体によ
って形成する方法があるが、薄膜導体による方法では製
造コストが高く、メッキによる方法では密着強度が劣る
という問題がある。これに対して厚膜導体による方法で
は製造コストが安く、かつ密着強度が優れた導体層を基
板上に形成できるという利点がある。
【０００５】しかし、フォトリソグラフィで基板上に厚
膜導体層を形成した場合、この厚膜導体層は緻密でなく
気孔を有する場合が多い。このため、湿式エッチングを
行うときにエッチング液が厚膜導体層内の気孔内に侵入
して厚膜導体層を侵食し、所望の配線パターンを得るこ
とが困難になる。この厚膜導体層の気孔内にエッチング
液が侵入して厚膜導体層にダメージを与えることを防ぐ
ため、本願人は厚膜導体層上にレジストパターンを形成
した後、この厚膜導体層上にブラスト処理を施すことに
よって、レジスト材で被覆されていない厚膜導体層を除
去する基板のパターン形成方法を特開平３−２８３５８
９号公報において提案している。この方法ではレジスト
材で被覆されていない厚膜導体層を、エッチングによら
ず、ブラスト処理を施すことによって除去するようにし
ているため、厚膜導体層に気孔が存在していても、この
気孔に影響される事なく微細なパターンを形成すること
ができる。
膜導体層を形成した場合、この厚膜導体層は緻密でなく
気孔を有する場合が多い。このため、湿式エッチングを
行うときにエッチング液が厚膜導体層内の気孔内に侵入
して厚膜導体層を侵食し、所望の配線パターンを得るこ
とが困難になる。この厚膜導体層の気孔内にエッチング
液が侵入して厚膜導体層にダメージを与えることを防ぐ
ため、本願人は厚膜導体層上にレジストパターンを形成
した後、この厚膜導体層上にブラスト処理を施すことに
よって、レジスト材で被覆されていない厚膜導体層を除
去する基板のパターン形成方法を特開平３−２８３５８
９号公報において提案している。この方法ではレジスト
材で被覆されていない厚膜導体層を、エッチングによら
ず、ブラスト処理を施すことによって除去するようにし
ているため、厚膜導体層に気孔が存在していても、この
気孔に影響される事なく微細なパターンを形成すること
ができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ブラス
ト処理を行って、レジスト材で被覆されていない厚膜導
体層を除去するようにした場合、図８に示すように、厚
膜導体層２のみならずセラミック等でできた基板の一部
も除去されてしまい、厚膜導体層２間の基板表面に断面
Ｕ字形状の凹部１ａが形成され、図９に拡大して示すよ
うに、この凹部１ａから基板内部にクラックが発生し易
くなるという欠点がある。したがって、基板上に形成し
た厚膜導体層２にボンディング・リード・ワイヤ付けを
行う場合に、厚膜導体層２を支持する基板部分において
上方向の引張に対する強度が弱くなり、基板１が破壊し
易くなってしまう。
ト処理を行って、レジスト材で被覆されていない厚膜導
体層を除去するようにした場合、図８に示すように、厚
膜導体層２のみならずセラミック等でできた基板の一部
も除去されてしまい、厚膜導体層２間の基板表面に断面
Ｕ字形状の凹部１ａが形成され、図９に拡大して示すよ
うに、この凹部１ａから基板内部にクラックが発生し易
くなるという欠点がある。したがって、基板上に形成し
た厚膜導体層２にボンディング・リード・ワイヤ付けを
行う場合に、厚膜導体層２を支持する基板部分において
上方向の引張に対する強度が弱くなり、基板１が破壊し
易くなってしまう。
【０００７】本発明はこのような欠点を解決すべくなさ
れたものであり、ブラスト処理を用いて配線パターンを
形成した場合でも、厚膜導体層を支持する基板部分にお
ける強度を十分なものにすることができる基板のパター
ン形成方法を提供することを目的とするものである。
れたものであり、ブラスト処理を用いて配線パターンを
形成した場合でも、厚膜導体層を支持する基板部分にお
ける強度を十分なものにすることができる基板のパター
ン形成方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題を解決
するために、本発明の基板のパターン形成方法は、基板
上の所定の部位に、厚膜導体ペーストを設けて焼成する
ことにより厚膜導体層を形成する工程と、前記厚膜導体
層上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジス
トパターンが形成された厚膜導体層上にブラスト処理を
施して、レジスト材で被覆されていない部分の厚膜導体
層を除去する工程と、前記基板及び厚膜導体層上に高純
度易焼結性アルミナのペーストを塗布する工程と、前記
高純度易焼結性アルミナのペーストを研磨して前記厚膜
導体層を露出させる工程と、 前記厚膜導体層が露出し
たパターン形成基板を焼成する工程とを具えることを特
徴とするものである。
するために、本発明の基板のパターン形成方法は、基板
上の所定の部位に、厚膜導体ペーストを設けて焼成する
ことにより厚膜導体層を形成する工程と、前記厚膜導体
層上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジス
トパターンが形成された厚膜導体層上にブラスト処理を
施して、レジスト材で被覆されていない部分の厚膜導体
層を除去する工程と、前記基板及び厚膜導体層上に高純
度易焼結性アルミナのペーストを塗布する工程と、前記
高純度易焼結性アルミナのペーストを研磨して前記厚膜
導体層を露出させる工程と、 前記厚膜導体層が露出し
たパターン形成基板を焼成する工程とを具えることを特
徴とするものである。
【０００９】このように、本発明にかかる基板のパター
ン形成方法では、ブラスト処理によってレジスト材で被
覆されていない部分の厚膜導体層を除去した後、レジス
ト材を除去し、基板表面に形成された凹部及び厚膜導体
層の上に高純度易焼結性アルミナを塗布した後、この高
純度易焼結性アルミナを研磨して厚膜導体層を露出させ
るようにしている。したがって、基板表面に形成された
凹部は高純度易焼結性アルミナで埋まっているため、厚
膜導体層を支持している基板の凸部の強度が強化され、
ボンディング・リード・ワイヤ付けを行っても、基板が
破壊されたりすることがない。
ン形成方法では、ブラスト処理によってレジスト材で被
覆されていない部分の厚膜導体層を除去した後、レジス
ト材を除去し、基板表面に形成された凹部及び厚膜導体
層の上に高純度易焼結性アルミナを塗布した後、この高
純度易焼結性アルミナを研磨して厚膜導体層を露出させ
るようにしている。したがって、基板表面に形成された
凹部は高純度易焼結性アルミナで埋まっているため、厚
膜導体層を支持している基板の凸部の強度が強化され、
ボンディング・リード・ワイヤ付けを行っても、基板が
破壊されたりすることがない。
【００１０】
【実施例】以下に本発明にかかる基板のパターン形成方
法について、実施例を挙げ、添付の図面を参照しながら
説明する。
法について、実施例を挙げ、添付の図面を参照しながら
説明する。
【００１１】図１において、符号１０は基板を示す。こ
の基板１０は、アルミナ、ムライト、ガラスセラミック
またはガラス等を含むセラミック基板である。図１に示
すように、基板１０の全面または一部分に厚膜導体ペー
スト１１を印刷、ローラあるいはスプレ等により塗布す
る。この厚膜導体ペースト１１は金属の粉末とバインダ
と溶剤とを混合してペースト状にしたものであり、基板
１０との密着度及び焼結性を向上させるべく、必要に応
じて添加剤が混合される。金属粉末にはモリブデン（Ｍ
ｏ）とマンガン（Ｍｎ）を所定の比率で混合したもの、
あるいはタングステン（Ｗ）を使用する。厚膜導体ペー
スト１１を塗布した基板１０を所定の雰囲気中で、所定
の温度で焼成し、前記Ｍｏ−Ｍｎまたはタングステンの
厚膜導体層１１が形成される。
の基板１０は、アルミナ、ムライト、ガラスセラミック
またはガラス等を含むセラミック基板である。図１に示
すように、基板１０の全面または一部分に厚膜導体ペー
スト１１を印刷、ローラあるいはスプレ等により塗布す
る。この厚膜導体ペースト１１は金属の粉末とバインダ
と溶剤とを混合してペースト状にしたものであり、基板
１０との密着度及び焼結性を向上させるべく、必要に応
じて添加剤が混合される。金属粉末にはモリブデン（Ｍ
ｏ）とマンガン（Ｍｎ）を所定の比率で混合したもの、
あるいはタングステン（Ｗ）を使用する。厚膜導体ペー
スト１１を塗布した基板１０を所定の雰囲気中で、所定
の温度で焼成し、前記Ｍｏ−Ｍｎまたはタングステンの
厚膜導体層１１が形成される。
【００１２】この厚膜導体層１１の上に、必要に応じて
ワイヤボンディング用のニッケルメッキと金メッキとを
形成する。
ワイヤボンディング用のニッケルメッキと金メッキとを
形成する。
【００１３】次に、図２に示すように、厚膜導体層１１
の上に感光性レジスト材１２を塗布し、所望の微細は配
線パターンを有するマスクを介してこの感光性レジスト
材１２を露光して、図３に示すように厚膜導体層１１上
にレジストパターン１３を形成する。感光性レジスト材
１２はネガ型ポジ型のいずれを用いても良く、後述のブ
ラスト処理により加工され難い材料を選択すると共に、
ブラスト処理中に感光性レジスト材１２がすべて除去さ
れないようその厚さを調整するようにする。
の上に感光性レジスト材１２を塗布し、所望の微細は配
線パターンを有するマスクを介してこの感光性レジスト
材１２を露光して、図３に示すように厚膜導体層１１上
にレジストパターン１３を形成する。感光性レジスト材
１２はネガ型ポジ型のいずれを用いても良く、後述のブ
ラスト処理により加工され難い材料を選択すると共に、
ブラスト処理中に感光性レジスト材１２がすべて除去さ
れないようその厚さを調整するようにする。
【００１４】レジストパターン１３が形成された厚膜導
体層１１上にブラスト処理を施すことにより、図４に示
すように感光性レジストパターン１３で被覆されていな
い部分の厚膜導体層１１を除去する。ブラスト処理に
は、アルミナ、シリコンカーバイド、タングステンカー
バイド、ガラスまたは鉄等の粒子材が用いられ、この粒
子材が厚膜導体層１１に衝突して厚膜導体層１１を基板
１０から除去する。粒子材は、その直径が所望のレジス
トパターン１３の間隔の１／５程度のものを選択する。
体層１１上にブラスト処理を施すことにより、図４に示
すように感光性レジストパターン１３で被覆されていな
い部分の厚膜導体層１１を除去する。ブラスト処理に
は、アルミナ、シリコンカーバイド、タングステンカー
バイド、ガラスまたは鉄等の粒子材が用いられ、この粒
子材が厚膜導体層１１に衝突して厚膜導体層１１を基板
１０から除去する。粒子材は、その直径が所望のレジス
トパターン１３の間隔の１／５程度のものを選択する。
【００１５】ブラスト処理終了後、図５に示すように感
光性レジストパターン１３を剥離してパターン形成基板
１４を得る。パターン形成基板は、前記ブラスト処理に
よって、基板の厚膜導体層１１間に凹部１４ａが形成さ
れている。次いで、図６に示すように、高純度易焼結性
アルミナ（ＨＰＡ）をパターン形成基板１４上に塗布し
て、厚膜導体層パターン１１の上を高純度易焼結性アル
ミナ層１５を形成すると共に、凹部１４ａ内を高純度易
焼結性アルミナで埋める。高純度易焼結性アルミナを使
用するのは、低温度かつ還元雰囲気でも焼成可能で、M
o, W 等の厚膜パターン形成に有利なためである。
光性レジストパターン１３を剥離してパターン形成基板
１４を得る。パターン形成基板は、前記ブラスト処理に
よって、基板の厚膜導体層１１間に凹部１４ａが形成さ
れている。次いで、図６に示すように、高純度易焼結性
アルミナ（ＨＰＡ）をパターン形成基板１４上に塗布し
て、厚膜導体層パターン１１の上を高純度易焼結性アル
ミナ層１５を形成すると共に、凹部１４ａ内を高純度易
焼結性アルミナで埋める。高純度易焼結性アルミナを使
用するのは、低温度かつ還元雰囲気でも焼成可能で、M
o, W 等の厚膜パターン形成に有利なためである。
【００１６】ここで高純度易焼結性アルミナには、好ま
しくは、純度９９．９９％以上、アルミナの平均粒子径
が０．２μｍ以下、焼結温度が１３５０℃以下のアルミ
ナを用いる。高純度易焼結性アルミナは、高純度易焼結
性アルミナ粉体と、有機バインダ、有機溶剤とを混合し
て作成し、塗布方法に適した粘度になるように調整す
る。塗布方法としては、印刷、カレンダーロール、スプ
レー、静電塗装、ディップ、ナイフコータ等、できるだ
け塗布後の平滑性がよい方法を選択するのが好ましい。
しくは、純度９９．９９％以上、アルミナの平均粒子径
が０．２μｍ以下、焼結温度が１３５０℃以下のアルミ
ナを用いる。高純度易焼結性アルミナは、高純度易焼結
性アルミナ粉体と、有機バインダ、有機溶剤とを混合し
て作成し、塗布方法に適した粘度になるように調整す
る。塗布方法としては、印刷、カレンダーロール、スプ
レー、静電塗装、ディップ、ナイフコータ等、できるだ
け塗布後の平滑性がよい方法を選択するのが好ましい。
【００１７】次いで、厚膜導体層パターン１１が露出す
るまで高純度易焼結性アルミナ層１５を研磨して、図７
に示すように、基板の凹部１４ａ内が高純度易焼結性ア
ルミナで埋められたパターン形成基板を得る。更に、こ
の基板を所定の雰囲気中で、所定の温度で焼成して、セ
ラミックス基板表面を平坦化する。
るまで高純度易焼結性アルミナ層１５を研磨して、図７
に示すように、基板の凹部１４ａ内が高純度易焼結性ア
ルミナで埋められたパターン形成基板を得る。更に、こ
の基板を所定の雰囲気中で、所定の温度で焼成して、セ
ラミックス基板表面を平坦化する。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る基板
のパターン形成方法によれば、基板上に設けた厚膜導体
層上にレジストパターンを形成した後、ブラスト処理を
施して、レジスト材が被覆されていない厚膜導体層を除
去し、この時基板が除去されてできる凹部を高純度易焼
結性アルミナで埋めるようにしているため、厚膜導体層
パターンを支持する基板部分にクラック等が発生しにく
くなり、ワイヤボンディング・リード付けを行う際の上
方向の引張に対して、高い強度を持ったパターン形成基
板を製造することができる。
のパターン形成方法によれば、基板上に設けた厚膜導体
層上にレジストパターンを形成した後、ブラスト処理を
施して、レジスト材が被覆されていない厚膜導体層を除
去し、この時基板が除去されてできる凹部を高純度易焼
結性アルミナで埋めるようにしているため、厚膜導体層
パターンを支持する基板部分にクラック等が発生しにく
くなり、ワイヤボンディング・リード付けを行う際の上
方向の引張に対して、高い強度を持ったパターン形成基
板を製造することができる。
【図１】本発明に係る基板のパターン形成方法の一製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図２】本発明に係る基板のパターン形成方法の一製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図３】本発明に係る基板のパターン形成方法の一製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図４】本発明に係る基板のパターン形成方法の一製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図５】本発明に係る基板のパターン形成方法の一製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図６】本発明に係る基板のパターン形成方法の一製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図７】本発明に係る基板のパターン形成方法の一製造
工程を示す図である。
工程を示す図である。
【図８】従来の方法によって形成したパターン形成基板
の断面を示す図である。
の断面を示す図である。
【図９】従来の方法によって形成したパターン形成基板
の一部を拡大して示す図である。
の一部を拡大して示す図である。
１０ 基板 １１ 厚膜導体層 １２ 感光性レジスト材 １３ レジストパターン １４ パターン形成基板 １５ 高純度易焼結性アルミナ層
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上の所定の部位に、厚膜導体ペース
トを設けて焼成することにより厚膜導体層を形成する工
程と、 前記厚膜導体層上にレジストパターンを形成する工程
と、 前記レジストパターンが形成された厚膜導体層上にブラ
スト処理を施して、レジスト材で被覆されていない部分
の厚膜導体層を除去する工程と、 前記基板及び厚膜導体層上に高純度易焼結性アルミナの
ペーストを塗布する工程と、 前記高純度易焼結性アルミナのペーストを研磨して前記
厚膜導体層を露出させる工程と、 前記厚膜導体層が露出したパターン形成基板を焼成する
工程とを具えることを特徴とする基板のパターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7724392A JPH05283841A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 基板のパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7724392A JPH05283841A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 基板のパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283841A true JPH05283841A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13628422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7724392A Withdrawn JPH05283841A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 基板のパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283841A (ja) |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP7724392A patent/JPH05283841A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |