JPH05129458A - セラミツク基板とその製造方法並びにこの基板を用いたセラミツク配線板 - Google Patents
セラミツク基板とその製造方法並びにこの基板を用いたセラミツク配線板Info
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- JPH05129458A JPH05129458A JP28527591A JP28527591A JPH05129458A JP H05129458 A JPH05129458 A JP H05129458A JP 28527591 A JP28527591 A JP 28527591A JP 28527591 A JP28527591 A JP 28527591A JP H05129458 A JPH05129458 A JP H05129458A
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- ceramic
- ceramic substrate
- glaze layer
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック基板の構造と製造方法、並びにこ
れを使用するセラミック配線板の構造に関し、平坦且つ
平滑な表面を有するセラミック基板、及びこのセラミッ
ク基板を使用して、薄膜導体パターンに脱粒穴やボイド
に起因する欠陥や変色がなく、且つＴＡＢ方式のアウタ
リード・ボンディングが可能なセラミック配線板を提供
することを目的とする。 【構成】 [1] セラミック基板は、焼成基板１の表面を
平面研磨して平坦化した後、この表面上にグレーズ層２
を形成し、この表面を仕上げ研磨で平滑化してグレーズ
層2Aとすることにより製造する。[2] セラミック配線板
は、前記セラミック基板の前記グレーズ層2Aの表面に薄
膜導体パターン４を有している。
れを使用するセラミック配線板の構造に関し、平坦且つ
平滑な表面を有するセラミック基板、及びこのセラミッ
ク基板を使用して、薄膜導体パターンに脱粒穴やボイド
に起因する欠陥や変色がなく、且つＴＡＢ方式のアウタ
リード・ボンディングが可能なセラミック配線板を提供
することを目的とする。 【構成】 [1] セラミック基板は、焼成基板１の表面を
平面研磨して平坦化した後、この表面上にグレーズ層２
を形成し、この表面を仕上げ研磨で平滑化してグレーズ
層2Aとすることにより製造する。[2] セラミック配線板
は、前記セラミック基板の前記グレーズ層2Aの表面に薄
膜導体パターン４を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック基板の構造と
その製造方法、及びそのセラミック基板を使用する半導
体装置用パッケージ、半導体装置実装用回路基板等のセ
ラミック配線板の構造に関する。
その製造方法、及びそのセラミック基板を使用する半導
体装置用パッケージ、半導体装置実装用回路基板等のセ
ラミック配線板の構造に関する。
【０００２】近年、ＴＡＢ( Tape Automated Bonding )
技術が実用化され、ワイヤボンディングに代わる半導体
チップ・既成パッケージ間の接合法として適用され、或
いは既成パッケージを使用せずにＴＡＢパッケージの形
で直接、実装用回路基板等に搭載されるようになって来
た。
技術が実用化され、ワイヤボンディングに代わる半導体
チップ・既成パッケージ間の接合法として適用され、或
いは既成パッケージを使用せずにＴＡＢパッケージの形
で直接、実装用回路基板等に搭載されるようになって来
た。
【０００３】このＴＡＢ方式は、多ピン・大型チップに
適用される場合が多く、その場合、アウタリードの幅及
びピッチが極めて微細となるから、アウタリードがボン
ディングされる配線板のボンディングパッド等は薄膜法
により形成される。又、ＴＡＢ方式のアウタリード・ボ
ンディング( ＯＬＢ )はワイヤボンディング方式による
場合とは異なり、多数本を一括して行う。これらのこと
から、ＴＡＢ方式アウタリード・ボンディング用セラミ
ック配線板の基板の表面は平滑性と平坦性とが要求され
る。
適用される場合が多く、その場合、アウタリードの幅及
びピッチが極めて微細となるから、アウタリードがボン
ディングされる配線板のボンディングパッド等は薄膜法
により形成される。又、ＴＡＢ方式のアウタリード・ボ
ンディング( ＯＬＢ )はワイヤボンディング方式による
場合とは異なり、多数本を一括して行う。これらのこと
から、ＴＡＢ方式アウタリード・ボンディング用セラミ
ック配線板の基板の表面は平滑性と平坦性とが要求され
る。
【０００４】
【従来の技術】従来のセラミック基板と、このセラミッ
ク基板を使用したＴＡＢ方式アウタリード・ボンディン
グ用のセラミック配線板を図２を参照しながら説明す
る。図２は従来例の説明図であり、(a) →(d) は製造工
程順にその断面を模式的に示している。同図において、
図１と同じものには同一の符号を付与した。
ク基板を使用したＴＡＢ方式アウタリード・ボンディン
グ用のセラミック配線板を図２を参照しながら説明す
る。図２は従来例の説明図であり、(a) →(d) は製造工
程順にその断面を模式的に示している。同図において、
図１と同じものには同一の符号を付与した。
【０００５】半導体装置用パッケージ、半導体装置実装
用回路基板等のセラミック配線板には、通常、電気的、
化学的、物理的に優れたアルミナ (Al2O3)・セラミック
スが使用されるから、以下、アルミナ・セラミックスの
場合の例について説明する。一般に、フラックス成分の
少ない、即ち純度の高い焼結体は、表面の平滑性が良
い。アルミナ・セラミックスの場合、純度96％以上なら
ば、薄膜パターンの形成が可能な程度の平滑性が得られ
る。
用回路基板等のセラミック配線板には、通常、電気的、
化学的、物理的に優れたアルミナ (Al2O3)・セラミック
スが使用されるから、以下、アルミナ・セラミックスの
場合の例について説明する。一般に、フラックス成分の
少ない、即ち純度の高い焼結体は、表面の平滑性が良
い。アルミナ・セラミックスの場合、純度96％以上なら
ば、薄膜パターンの形成が可能な程度の平滑性が得られ
る。
【０００６】ところが、半導体装置用パッケージ、半導
体装置実装用回路基板等のセラミック配線板に使用する
セラミック基板は、通常、いわゆる多層セラミック基板
であり、グリーンシート焼成時に内層配線等の厚膜メタ
ライズ(W, Mo等）を同時焼成する必要があるため、その
接着強度を確保する等の理由でフラックス成分のやや多
い、純度90〜93％程度のものが使用される。このような
セラミック基板の表面の平滑性は薄膜パターンを形成す
るには不充分である。更に、焼成して得たセラミック基
板には反りを生じるが、通常のフラットニング処理（加
圧、加温）ではＴＡＢ方式のアウタリード・ボンディン
グが可能な程度の平坦度が得られない場合が多い。
体装置実装用回路基板等のセラミック配線板に使用する
セラミック基板は、通常、いわゆる多層セラミック基板
であり、グリーンシート焼成時に内層配線等の厚膜メタ
ライズ(W, Mo等）を同時焼成する必要があるため、その
接着強度を確保する等の理由でフラックス成分のやや多
い、純度90〜93％程度のものが使用される。このような
セラミック基板の表面の平滑性は薄膜パターンを形成す
るには不充分である。更に、焼成して得たセラミック基
板には反りを生じるが、通常のフラットニング処理（加
圧、加温）ではＴＡＢ方式のアウタリード・ボンディン
グが可能な程度の平坦度が得られない場合が多い。
【０００７】以上の理由で、ＴＡＢ方式アウタリード・
ボンディング用のセラミック配線板は次のような製造方
法により得たセラミック基板を使用していた。先ず焼成
基板１（(a) 図参照）の表面を平面研削盤或いは平面ラ
ップ盤により平面研磨して平坦化し、焼成基板1Aを得る
（(b) 図参照）。この際、生産性（加工速度）の関係で
比較的粗い砥石或いは砥粒を使用するから焼成基板1Aの
表面はかなり粗い。しかも表面には脱粒による穴や、ボ
イドを生じている。
ボンディング用のセラミック配線板は次のような製造方
法により得たセラミック基板を使用していた。先ず焼成
基板１（(a) 図参照）の表面を平面研削盤或いは平面ラ
ップ盤により平面研磨して平坦化し、焼成基板1Aを得る
（(b) 図参照）。この際、生産性（加工速度）の関係で
比較的粗い砥石或いは砥粒を使用するから焼成基板1Aの
表面はかなり粗い。しかも表面には脱粒による穴や、ボ
イドを生じている。
【０００８】次にこの焼成基板1Aの表面を仕上げ研磨し
て平滑化し、セラミック基板1Bを得る（(c) 図参照）。
この仕上げ研磨はラッピング或いはポリッシングであ
り、粒度の小さい砥粒或いはペーストを使用するから表
面は平滑化する。但し、上記の脱粒穴やボイドを除去す
るには至らない。
て平滑化し、セラミック基板1Bを得る（(c) 図参照）。
この仕上げ研磨はラッピング或いはポリッシングであ
り、粒度の小さい砥粒或いはペーストを使用するから表
面は平滑化する。但し、上記の脱粒穴やボイドを除去す
るには至らない。
【０００９】このようにして得たセラミック基板1Bの表
面に蒸着法或いはスパッタリング法により導体金属を被
着し、これをフォトエッチング法によりパターニング
し、これにメッキを施して、薄膜導体パターン３を形成
し、セラミック配線板を得ていた（(d) 図参照）。
面に蒸着法或いはスパッタリング法により導体金属を被
着し、これをフォトエッチング法によりパターニング
し、これにメッキを施して、薄膜導体パターン３を形成
し、セラミック配線板を得ていた（(d) 図参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来のセラミック基板を使用したセラミック配線板は、
脱粒穴やボイドの上で薄膜導体パターンに欠陥（断線、
欠け等）を生じたり、洗浄工程やメッキ工程で使用した
薬液が脱粒穴やボイドに残留し、後に薄膜導体パターン
等を変色させたり、シミを生じる、という問題があっ
た。
従来のセラミック基板を使用したセラミック配線板は、
脱粒穴やボイドの上で薄膜導体パターンに欠陥（断線、
欠け等）を生じたり、洗浄工程やメッキ工程で使用した
薬液が脱粒穴やボイドに残留し、後に薄膜導体パターン
等を変色させたり、シミを生じる、という問題があっ
た。
【００１１】本発明はこのような問題を解決して、平坦
且つ平滑な表面を有するセラミック基板を提供し、更に
このセラミック基板を使用して、薄膜導体パターンに脱
粒穴やボイドに起因する欠陥や変色がなく、且つＴＡＢ
方式のアウタリード・ボンディングが可能なセラミック
配線板を提供することを目的とする。
且つ平滑な表面を有するセラミック基板を提供し、更に
このセラミック基板を使用して、薄膜導体パターンに脱
粒穴やボイドに起因する欠陥や変色がなく、且つＴＡＢ
方式のアウタリード・ボンディングが可能なセラミック
配線板を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、[1] 平面研磨により平坦化された表面を有する焼
成基板1Aと該焼成基板1Aの平坦化された表面上形成され
たガラスのグレーズ層2Aとを有し、該グレーズ層2Aの表
面は仕上げ研磨加工が施されていることを特徴とするセ
ラミック基板とすることで、[2] 焼成基板１の表面を平
面研磨して表面が平坦な焼成基板1Aとする工程と、該焼
成基板1Aの平坦化された表面上にガラスのグレーズ層２
を形成する工程と、該グレーズ層２の表面を仕上げ研磨
して表面が平滑なグレーズ層2Aとする工程とを有するこ
とを特徴とするセラミック基板の製造方法とすること
で、[3] 前記[1] のセラミック基板の前記グレーズ層2A
の表面に薄膜導体パターン３を形成してなることを特徴
とするセラミック配線板とすることで、達成される。
れば、[1] 平面研磨により平坦化された表面を有する焼
成基板1Aと該焼成基板1Aの平坦化された表面上形成され
たガラスのグレーズ層2Aとを有し、該グレーズ層2Aの表
面は仕上げ研磨加工が施されていることを特徴とするセ
ラミック基板とすることで、[2] 焼成基板１の表面を平
面研磨して表面が平坦な焼成基板1Aとする工程と、該焼
成基板1Aの平坦化された表面上にガラスのグレーズ層２
を形成する工程と、該グレーズ層２の表面を仕上げ研磨
して表面が平滑なグレーズ層2Aとする工程とを有するこ
とを特徴とするセラミック基板の製造方法とすること
で、[3] 前記[1] のセラミック基板の前記グレーズ層2A
の表面に薄膜導体パターン３を形成してなることを特徴
とするセラミック配線板とすることで、達成される。
【００１３】
【作用】本発明によるセラミック基板は、焼成基板の表
面は平面研磨加工により平坦化されており、この平面研
磨加工により生じる焼成基板表面の脱粒穴やボイドはガ
ラスのグレーズ層により塞がれている。更にこのグレー
ズ層の表面は仕上げ研磨加工が施されているから、表面
は充分に平滑且つ平坦となっている。従って、このセラ
ミック基板を使用したセラミック配線板は、脱粒穴やボ
イドに起因する薄膜導体パターンの欠陥や変色を生じる
ことはなく、且つ表面全体として平坦であるから、ＴＡ
Ｂ方式のアウタリード・ボンディングが可能である。
面は平面研磨加工により平坦化されており、この平面研
磨加工により生じる焼成基板表面の脱粒穴やボイドはガ
ラスのグレーズ層により塞がれている。更にこのグレー
ズ層の表面は仕上げ研磨加工が施されているから、表面
は充分に平滑且つ平坦となっている。従って、このセラ
ミック基板を使用したセラミック配線板は、脱粒穴やボ
イドに起因する薄膜導体パターンの欠陥や変色を生じる
ことはなく、且つ表面全体として平坦であるから、ＴＡ
Ｂ方式のアウタリード・ボンディングが可能である。
【００１４】尚、セラミック基板のグレーズ層に研磨加
工を施すことは熱伝導度の低い材料からなるグレーズ層
の厚さを減らすことになるから、セラミック配線板の放
熱特性に対して良い方向に作用する。
工を施すことは熱伝導度の低い材料からなるグレーズ層
の厚さを減らすことになるから、セラミック配線板の放
熱特性に対して良い方向に作用する。
【００１５】
【実施例】本発明に基づくセラミック基板と、このセラ
ミック基板を使用したＴＡＢ方式アウタリード・ボンデ
ィング用のセラミック配線板（ＱＦＰ、ＰＧＡ等の半導
体装置用パッケージ、半導体装置実装用回路基板等）の
実施例を、図１を参照しながら説明する。図１は本発明
の実施例の説明図であり、(a) →(e) は製造工程順にそ
の断面を模式的に示している。
ミック基板を使用したＴＡＢ方式アウタリード・ボンデ
ィング用のセラミック配線板（ＱＦＰ、ＰＧＡ等の半導
体装置用パッケージ、半導体装置実装用回路基板等）の
実施例を、図１を参照しながら説明する。図１は本発明
の実施例の説明図であり、(a) →(e) は製造工程順にそ
の断面を模式的に示している。
【００１６】図において、１は焼成基板であり、純度90
〜93％のアルミナ・グリーンシートと内層配線等の厚膜
導体パターン(W, Mo等）とを同時焼成した、いわゆる多
層セラミック基板である。この焼成基板１には若干の反
りがあり、表面の平滑度も充分ではない（(a) 図参
照）。この焼成基板１に次の加工を施して、所望のセラ
ミック基板を得る。
〜93％のアルミナ・グリーンシートと内層配線等の厚膜
導体パターン(W, Mo等）とを同時焼成した、いわゆる多
層セラミック基板である。この焼成基板１には若干の反
りがあり、表面の平滑度も充分ではない（(a) 図参
照）。この焼成基板１に次の加工を施して、所望のセラ
ミック基板を得る。
【００１７】先ずこの焼成基板１の表面を平面研削盤或
いは平面ラップ盤により平面研磨して平坦化し、焼成基
板1Aを得る。この際、生産性（加工速度）の関係で比較
的粗い砥石或いは砥粒を使用するから、焼成基板1Aの表
面はかなり粗い。しかも表面には脱粒による穴や、ボイ
ドを生じている。
いは平面ラップ盤により平面研磨して平坦化し、焼成基
板1Aを得る。この際、生産性（加工速度）の関係で比較
的粗い砥石或いは砥粒を使用するから、焼成基板1Aの表
面はかなり粗い。しかも表面には脱粒による穴や、ボイ
ドを生じている。
【００１８】次にこの焼成基板1Aを洗浄した後、この表
面にガラス粉末からなるグレーズペーストをスクリーン
印刷し、加熱焼成して厚さ20〜30μm 程度のグレーズ層
２を形成する（(b) 図参照）。ガラスとしては、BaO-Al
203-SiO2-CaO系ガラス、BaO-B2O3-Al203-SiO2 系ガラス
等を使用する。後工程に高温処理を含む場合には、Li 2O
3-BaO-B2O3-SiO2 系結晶化ガラス等が適当である。加熱
温度はガラスの種類により異なり、 500〜1300℃程度で
ある。ガラス粉末をスプレー法、或いはスピンコート法
で塗布することも可能である。
面にガラス粉末からなるグレーズペーストをスクリーン
印刷し、加熱焼成して厚さ20〜30μm 程度のグレーズ層
２を形成する（(b) 図参照）。ガラスとしては、BaO-Al
203-SiO2-CaO系ガラス、BaO-B2O3-Al203-SiO2 系ガラス
等を使用する。後工程に高温処理を含む場合には、Li 2O
3-BaO-B2O3-SiO2 系結晶化ガラス等が適当である。加熱
温度はガラスの種類により異なり、 500〜1300℃程度で
ある。ガラス粉末をスプレー法、或いはスピンコート法
で塗布することも可能である。
【００１９】次にこのグレーズ層２の表面を粒度の小さ
い砥粒を使用したラッピング或いはポリッシング等の仕
上げ研磨を行い、表面が平滑なグレーズ層2Aとする。次
に全体を洗浄して所望のセラミック基板３を得る。
い砥粒を使用したラッピング或いはポリッシング等の仕
上げ研磨を行い、表面が平滑なグレーズ層2Aとする。次
に全体を洗浄して所望のセラミック基板３を得る。
【００２０】このようにして得たセラミック基板３の表
面に蒸着法或いはスパッタリング法により導体金属を被
着し、これをフォトエッチング法によりパターニング
し、このパターンにメッキを施して薄膜導体パターン４
を形成し、セラミック配線板を得る。
面に蒸着法或いはスパッタリング法により導体金属を被
着し、これをフォトエッチング法によりパターニング
し、このパターンにメッキを施して薄膜導体パターン４
を形成し、セラミック配線板を得る。
【００２１】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば焼
成基板がアルミナ以外のセラミックスの場合でも、本発
明は有効である。
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば焼
成基板がアルミナ以外のセラミックスの場合でも、本発
明は有効である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
焼成基板の表面は平面研磨加工により平坦化され、この
平面研磨加工により生じる焼成基板表面の脱粒穴やボイ
ドはガラスのグレーズ層により塞がれ、更にこのグレー
ズ層の表面は仕上げ研磨加工が施されているから、表面
が平滑且つ平坦なセラミック基板を提供することが出
来、従ってこのセラミック基板を使用することにより、
薄膜導体パターンに脱粒穴やボイドに起因する欠陥や変
色がなく、且つＴＡＢ方式のアウタリード・ボンディン
グが可能なセラミック配線板を提供することが出来、セ
ラミック配線板の製造歩留り向上等に寄与する。
焼成基板の表面は平面研磨加工により平坦化され、この
平面研磨加工により生じる焼成基板表面の脱粒穴やボイ
ドはガラスのグレーズ層により塞がれ、更にこのグレー
ズ層の表面は仕上げ研磨加工が施されているから、表面
が平滑且つ平坦なセラミック基板を提供することが出
来、従ってこのセラミック基板を使用することにより、
薄膜導体パターンに脱粒穴やボイドに起因する欠陥や変
色がなく、且つＴＡＢ方式のアウタリード・ボンディン
グが可能なセラミック配線板を提供することが出来、セ
ラミック配線板の製造歩留り向上等に寄与する。
【図１】 本発明の実施例の説明図である。
【図２】 従来例の説明図である。
１, 1A 焼成基板 1B セラミック基板 ２, 2A グレーズ層 ３ セラミック基板 ４ 薄膜導体パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 平面研磨により平坦化された表面を有す
る焼成基板(1A)と該焼成基板(1A)の平坦化された表面上
に形成されたガラスのグレーズ層(2A)とを有し、 該グレーズ層(2A)の表面は仕上げ研磨加工が施されてい
ることを特徴とするセラミック基板。 - 【請求項２】 焼成基板(1) の表面を平面研磨して表面
が平坦な焼成基板(1A)とする工程と、 該焼成基板(1A)の平坦化された表面上にガラスのグレー
ズ層(2) を形成する工程と、 該グレーズ層(2) の表面を仕上げ研磨して表面が平滑な
グレーズ層(2A)とする工程とを有することを特徴とする
セラミック基板の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のセラミック基板の前記グ
レーズ層(2A)の表面に薄膜導体パターン(4) を形成して
なることを特徴とするセラミック配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28527591A JPH05129458A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | セラミツク基板とその製造方法並びにこの基板を用いたセラミツク配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28527591A JPH05129458A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | セラミツク基板とその製造方法並びにこの基板を用いたセラミツク配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05129458A true JPH05129458A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17689404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28527591A Pending JPH05129458A (ja) | 1991-10-31 | 1991-10-31 | セラミツク基板とその製造方法並びにこの基板を用いたセラミツク配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05129458A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076192A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 窒化アルミニウム基板およびそれを用いた半導体パッケージ |
| JP2005136396A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 薄膜電子部品用セラミック基板及びその製造方法並びにこれを用いた薄膜電子部品 |
| JP2007123468A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Tdk Corp | 薄膜電子部品用基板及びそれを用いた薄膜電子部品並びにそれらの製造方法 |
| JP2011019043A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Ngk Insulators Ltd | 複合基板及び複合基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-10-31 JP JP28527591A patent/JPH05129458A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2005136396A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 薄膜電子部品用セラミック基板及びその製造方法並びにこれを用いた薄膜電子部品 |
| JP4668577B2 (ja) * | 2003-10-06 | 2011-04-13 | 日本特殊陶業株式会社 | 薄膜電子部品用セラミック基板及びその製造方法並びにこれを用いた薄膜電子部品 |
| JP2007123468A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Tdk Corp | 薄膜電子部品用基板及びそれを用いた薄膜電子部品並びにそれらの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991130 |