JPH07218515A - 金属箔を加工した探針部品およびその製造方法 - Google Patents
金属箔を加工した探針部品およびその製造方法Info
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- JPH07218515A JPH07218515A JP32189892A JP32189892A JPH07218515A JP H07218515 A JPH07218515 A JP H07218515A JP 32189892 A JP32189892 A JP 32189892A JP 32189892 A JP32189892 A JP 32189892A JP H07218515 A JPH07218515 A JP H07218515A
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Abstract
せ、品質のよい金属箔探針部品を作製する。 【構成】 表面が平坦なセラミックなどの基板に接着剤
を塗布する接着剤塗布工程と、厚さ数μm以下の薄い金
属箔を平坦に重ねる金属箔接着工程と、フォトレジスト
を塗布し、所望のパターンを複数個露光して現像するこ
とによるマスキング層形成工程と、金属箔を所望の形状
に複数個加工するエッチング工程と、基板を一個ずつ切
断する切断工程と、エッチングされた金属箔を固着する
金属ブロック固着工程と、有機溶剤により基板と金属箔
の間の接着剤を溶融して探針部品を剥離する接着剤剥離
工程とにより作製した探針走査型顕微鏡などに用いる金
属箔を加工した探針部品。金属箔は、金属ブロックとの
固着部分の厚さを数μm程度に、また探針部分の厚さを
1μm程度にと、金属ブロック固着部分の厚さを探針部
分より厚くした。
Description
下、単にAFMという)とトンネル顕微鏡(単に、ST
Mという)などを複合した探針走査形顕微鏡ならびに走
査形トンネリング分光装置(以下、単にSTSという)
に用いられる金属箔を加工した探針部品に関する。
料に対して微小距離まで近づけ、探針部品と試料の間に
作用する原子間力を探針部品の変位として検出し、探針
部品を試料表面上を走査させることにより、試料の形状
や表面の物性などを測定するものである。
トンネル電流が流れる程度に接近させて、両者間に電圧
を印加し、その時に流れるトンネル電流が一定になるよ
うに両者間の距離を制御しながら探針部品を走査させた
場合における制御信号の変化から試料表面の形状を検出
するものである。
の測定時にそれぞれの測定点において走査系を保持する
と共に、探針部品と試料との距離を制御するアクチュエ
−タの駆動電圧も保持し、それらの制御を一時中断した
状態で、探針部品と試料との間に印加する電圧を変化さ
せ、その時の電流の変化を測定することにより、トンネ
リング分光を行うものである。
とSTSの同時測定を行うためには、導電性のカンチレ
バー状の探針部品を用いる必要がある。また、分解能良
く測定を行うためには、探針部品の形状は小さくする必
要があり、長さは200μm以下、厚さは数μm、幅は
20μm以下が望まれる。さらに、トンネル電流を安定
に検出するためには、探針部品材料としては、STMで
実績のある白金系の金属材料が望ましい。また、特に原
子レベルの分解能で高速に測定するためには、厚さは1
μm程度、長さは100μm程度のものが必要となる。
品を製造する方法として、本願出願人による特願平04
−192443号『金属箔を加工した探針部品の製造方
法』がある。以下、本発明を説明する前に、この既出願
について概略説明する。
法の一例を示す製造工程図である。順次、工程にそって
説明する。 (イ)接着剤塗布工程:セラミック基板1にポリアミド
系の接着剤2を塗布した後、熱乾燥し、接着剤2に含ま
れる溶媒を蒸発させ、半乾燥状態にする。 (ロ)金属箔接着工程:接着剤2の上に厚さ数μmの白
金箔3を重ねる。これを平面度の良い金属板4(あるい
は硝子板)で上下より押圧し、白金箔3を均等に展伸ば
し平面度を良くする。このまま加熱し、接着剤2を硬化
させる。 (ハ)マスキング層形成:バリ取りし、脱脂などの表面
処理を施した白金箔3の上に、フォトレジストをスピン
コートで適当な厚さに塗布する。所望の形状を複数個形
成したフォトマスクを密着して、露光、現像しマスキン
グ層5を形成する。 (ニ)エッチング工程:ドライエッチングにより白金箔
3を加工し、所望の形状の白金箔3aを複数個形成す
る。この時、マスキング層5も同時にエッチングされる
が、白金箔3のエッチングが終了するまで、マスキング
層5が残っているようにマスキング層5の厚さを設定す
る。白金箔3の厚さをTpt、エッチングレートをEptと
し、マスキング層5のエッチングレートをEmとする
と、マスキング層5の厚さTmは次式で求められる。 Tm≧Tpt×Em/Ept マスキング層5が除去された後、さらに短時間エッチン
グを行い、白金箔3aの表面を1μm以下僅かに加工し
て、白金箔3aの表面を平滑にし、光沢を与える。これ
は、AFMで、探針部品の変位を光学式変位センサで検
出するときに白金箔表面が反射面になるので、良好な反
射面を形成するために必要である。 (ホ)切断工程:白金箔3aが複数個形成された基板1
を1個ずつ切断する。これは、半田付条件の安定化また
剥離作業を容易にするために必要である。 (ヘ)金属ブロック固着工程:予め金メッキ(金メッキ
層6)した金属ブロック7に融点が80℃〜200℃の
低融点半田を予備半田(半田層8)しておく。これを白
金箔3aの所用の位置に位置決めし、上から約0.5〜
1Kg程度で押圧する。これをパルスヒートリフロー方
式などで加熱し、半田を溶融し、冷却して白金箔3aと
金属ブロック7を固着する。ワークを徐々に半田の融点
以下に昇温し、暫く保持し、急速に融点以上に昇温す
る。ワークを熱伝導の悪いものの上に置き、徐冷する。
この温度条件により、白金箔3aに皺が発生せず、白金
箔3aと金属ブロック7を半田付することができる。 (ト)接着剤剥離工程:白金箔3aと金属ブロック7と
を半田付けしたものを有機溶剤9中に浸積し、数時間放
置し、接着剤2aの層を溶解させ、白金箔3aとセラミ
ック基板1aを分離する。白金箔3aに変形、傷などを
付けないために、自然に剥離させる。有機溶剤9として
は、ポリアミド系接着剤を容易に溶解するために、Nメ
チル−2ピロリドンを用いる。 (チ)乾燥:白金箔探針部品を有機溶剤9中から引上
げ、必要に応じてアルコール置換により残留する有機溶
剤9を洗浄する。溶剤を乾燥して完成する。
い金属箔を長さ200μm以下に微細に加工でき、安定
にトンネル電流を検出でき、ハンドリングなどの取扱い
の容易な、探針部品を一度に大量に安価に作製すること
ができる。
法により、さらに薄い厚さ1μm程度の白金箔を加工し
た場合、白金箔の金属ブロック固着部分に皺を生じるた
め、安定して品質のよい探針部品を得ることはできなか
った。
されたものであり、金属箔の探針部分より金属ブロック
固着部分を厚くすることにより、金属ブロック固着部分
の皺の発生を低減し、安定に得られる厚さ1μm程度の
金属箔を加工した探針部品を提供することを目的とした
ものである。
の本発明は、カンチレバ−状の探針部品を試料に対して
微小距離まで近づけ、前記探針部品と試料の間に作用す
る原子間力や磁気力などを前記探針部品の変位として検
出し、前記探針部品を前記試料表面上を走査させること
により、前記試料の形状や表面の物性などを測定すると
共に、前記探針部品は導電性であり、この探針部品と前
記試料に任意の電位を与えた時に前記探針部品と試料間
に流れる電流を検出することなどによって前記試料の電
気的特性も測定するようにした探針走査型顕微鏡などに
用いる金属箔を加工した探針部品であって、表面が平坦
なセラミックなどの基板に接着剤を塗布する接着剤塗布
工程と、この接着剤の上に厚さ数μm以下の薄い金属箔
を平坦に重ねる金属箔接着工程と、この金属箔の上にフ
ォトレジストを塗布し、所望のパターンを複数個露光し
て現像することにより所望のマスキング層を形成するマ
スキング層形成工程と、エッチングして、前記金属箔を
所望の形状に複数個加工するエッチング工程と、前記金
属箔が複数個形成された前記基板を一個ずつ切断する切
断工程と、金属製のブロックに前記エッチングされた金
属箔を固着する金属ブロック固着工程と、有機溶剤によ
り前記基板と金属箔の間の前記接着剤を溶融して前記探
針部品を剥離する接着剤剥離工程とにより作製した前記
探針部品において、前記金属箔は、前記金属ブロックと
の固着部分の厚さを数μm程度に、また探針部分の厚さ
を1μm程度にと、前記金属ブロック固着部分の厚さを
前記探針部分より厚くしたことを特徴とする。また、前
記記載の金属箔を加工した探針部品の製造方法であっ
て、この探針部品は、前記金属箔として厚さ1μm程度
のものを用い、前記エッチング工程と切断工程との間に
下記工程を設けることにより作製したことを特徴とす
る。 (1)金属箔の金属ブロック固着部分以外の部分をフォ
トレジストの塗布、パターンの露光、現像によりマスキ
ングするマスキング層形成工程と、(2)金属ブロック
固着部分のみにメッキを施して厚みを増すメッキ工程
と、(3)レジストを剥離する工程。また、前記記載の
金属箔を加工した探針部品であって、この探針部品は、
前記金属箔として厚さ数μm程度のものを用い、前記エ
ッチング工程と切断工程との間に下記工程を設けること
により作製したことを特徴とする。 (1)金属箔の金属ブロック固着部分をフォトレジスト
の塗布、パターンの露光、現像によりマスキングするマ
スキング層形成工程と、(2)ドライエッチングにより
マスキングされている金属ブロック固着部分以外の部分
を厚さが1μm程度になるまでエッチングするエッチン
グ工程と、(3)レジストを剥離する工程。
属ブロック固着部分を数μm厚くすることにより、金属
ブロック固着部分の皺の発生を低減することができ、品
質のよい金属箔探針部品を安定して作製することがで
き、AFM装置に組み込んだときに、原子レベルを安定
に、さらに高速に測定できる。
ず、本発明の第1の実施例では、図3に示した製造工程
の(ニ)エッチング工程と(ホ)切断工程の間に下記の
3つの工程を加えた製造工程としている。下記3つの工
程以外の工程は従来技術にて既に説明しているため、下
記では本発明に係わる工程のみ説明する。なお、用いる
白金箔の厚さは1μm程度である。図1は金属箔を加工
した探針部品の作製工程の内、本発明に係わる金属ブロ
ック固着部分のメッキ工程を示す製造工程図である。順
次、工程にそって説明する。
所望の形状の白金箔3aが複数個形成された後、 (1)マスキング層形成工程:白金箔3aの上に、フォ
トレジストをスピンコートで適当な厚さに塗布する。金
属ブロック固着部分以外がマスキングされるようパター
ンを形成したフォトマスクを密着して、露光、現像し、
マスキング層を形成する。 (2)メッキ工程:金属ブロック固着部分にメッキを施
し、厚さ数μmとする。なお、図中、○で示した部分は
メッキを施すための通電用の結線である。 (3)レジスト剥離工程:レジストを剥離する。その
後、図3に示す(ホ)切断工程以降の製造工程により、
白金箔探針部品を完成する。
り、第2の実施例においても図3に示した製造工程の
(ニ)エッチング工程と(ホ)切断工程の間に下記の3
つの工程を加えた製造工程としている。図1と同様に、
下記3つの工程以外の工程は従来技術にて既に説明して
いるため、下記では本発明に係わる工程のみ説明する。
なお、用いる白金箔の厚さは数μm程度である。図2は
金属箔を加工した探針部品の作製工程の内、本発明に係
わる金属ブロック固着部分以外の部分のエッチング工程
を示す製造工程図である。順次、工程にそって説明す
る。
所望の形状の白金箔3aが複数個形成された後、 (1)マスキング層形成工程:白金箔3aの上に、フォ
トレジストをスピンコートで適当な厚さに塗布する。金
属ブロック固着部分がマスキングされるようパターンを
形成したフォトマスクを密着して、露光、現像し、マス
キング層を形成する。 (2)エッチング工程:ドライエッチングにより、マス
キングされている金属ブロック固着部分以外の部分を厚
さが1μm程度になるまでエッチングする。 (3)レジスト剥離工程:レジストを剥離する。その
後、図3に示す(ホ)切断工程以降の製造工程により、
白金箔探針部品を完成する。
において作製された探針部品においては、製造工程上、
金属箔は、金属ブロックとの固着部分の厚さを数μm程
度に、また探針部分の厚さを1μm程度にと、金属ブロ
ック固着部分の厚さを探針部分より厚くしている。した
がって、金属ブロック固着部分の皺の発生を低減するこ
とができるため、品質のよい探針部品を安定して作製す
ることができる。
金箔に限らず、金、タングステン、ステンレスなどの薄
い箔に加工できる材料であれば良い。
うに、本発明によれば、金属ブロック固着部分の皺の発
生を低減することができるため、品質のよい金属箔探針
部品を安定して作製することができるようになり、AF
M装置に組み込んだときに、原子レベルを安定に、さら
に高速に測定できる効果を有する金属箔を加工した探針
部品およびその製造方法を実現できる。
発明に係わる金属ブロック固着部分のメッキ工程を示す
製造工程図である。
発明に係わる金属ブロック固着部分以外の部分のエッチ
ング工程を示す製造工程図である。
である。
Claims (3)
- 【請求項1】 カンチレバ−状の探針部品を試料に対し
て微小距離まで近づけ、前記探針部品と試料の間に作用
する原子間力や磁気力などを前記探針部品の変位として
検出し、前記探針部品を前記試料表面上を走査させるこ
とにより、前記試料の形状や表面の物性などを測定する
と共に、前記探針部品は導電性であり、この探針部品と
前記試料に任意の電位を与えた時に前記探針部品と試料
間に流れる電流を検出することなどによって前記試料の
電気的特性も測定するようにした探針走査型顕微鏡など
に用いる金属箔を加工した探針部品であって、 表面が平坦なセラミックなどの基板に接着剤を塗布する
接着剤塗布工程と、この接着剤の上に厚さ数μm以下の
薄い金属箔を平坦に重ねる金属箔接着工程と、この金属
箔の上にフォトレジストを塗布し、所望のパターンを複
数個露光して現像することにより所望のマスキング層を
形成するマスキング層形成工程と、エッチングして、前
記金属箔を所望の形状に複数個加工するエッチング工程
と、前記金属箔が複数個形成された前記基板を一個ずつ
切断する切断工程と、金属製のブロックに前記エッチン
グされた金属箔を固着する金属ブロック固着工程と、有
機溶剤により前記基板と金属箔の間の前記接着剤を溶融
して前記探針部品を剥離する接着剤剥離工程とにより作
製した前記探針部品において、 前記金属箔は、前記金属ブロックとの固着部分の厚さを
数μm程度に、また探針部分の厚さを1μm程度にと、
前記金属ブロック固着部分の厚さを前記探針部分より厚
くしたことを特徴とする金属箔を加工した探針部品。 - 【請求項2】 請求項1記載の金属箔を加工した探針部
品において、 この探針部品は、前記金属箔として厚さ1μm程度のも
のを用い、前記エッチング工程と切断工程との間に下記
工程を設けることにより作製したことを特徴とする金属
箔を加工した探針部品の製造方法。 (1)金属箔の金属ブロック固着部分以外の部分をフォ
トレジストの塗布、パターンの露光、現像によりマスキ
ングするマスキング層形成工程と、(2)金属ブロック
固着部分のみにメッキを施して厚みを増すメッキ工程
と、(3)レジストを剥離する工程。 - 【請求項3】 請求項1記載の金属箔を加工した探針部
品において、 この探針部品は、前記金属箔として厚さ数μm程度のも
のを用い、前記エッチング工程と切断工程との間に下記
工程を設けることにより作製したことを特徴とする金属
箔を加工した探針部品の製造方法。 (1)金属箔の金属ブロック固着部分をフォトレジスト
の塗布、パターンの露光、現像によりマスキングするマ
スキング層形成工程と、(2)ドライエッチングにより
マスキングされている金属ブロック固着部分以外の部分
を厚さが1μm程度になるまでエッチングするエッチン
グ工程と、(3)レジストを剥離する工程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32189892A JP3197083B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 金属箔を加工した探針部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32189892A JP3197083B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 金属箔を加工した探針部品およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07218515A true JPH07218515A (ja) | 1995-08-18 |
JP3197083B2 JP3197083B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=18137639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32189892A Expired - Fee Related JP3197083B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 金属箔を加工した探針部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3197083B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002156323A (ja) * | 2000-09-15 | 2002-05-31 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | プローブの製造方法及びその装置 |
KR101156769B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2012-06-18 | 주식회사 신성프리시젼 | 지그를 이용한 금속박판 에칭공법 |
-
1992
- 1992-12-01 JP JP32189892A patent/JP3197083B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002156323A (ja) * | 2000-09-15 | 2002-05-31 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | プローブの製造方法及びその装置 |
JP4610811B2 (ja) * | 2000-09-15 | 2011-01-12 | アイメック | プローブの製造方法及びその装置 |
KR101156769B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2012-06-18 | 주식회사 신성프리시젼 | 지그를 이용한 금속박판 에칭공법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3197083B2 (ja) | 2001-08-13 |
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