JPH03270655A

JPH03270655A - 電力伝送装置

Info

Publication number: JPH03270655A
Application number: JP2065886A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Okujima; 奥島　章宏; Shiro Fujioka; 藤岡　志朗
Original assignee: Omron Corp; Omron Tateisi Electronics Co
Current assignee: Omron Corp
Priority date: 1990-03-15
Filing date: 1990-03-15
Publication date: 1991-12-02

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、例えば壁に対して移動される窓枠に電力を供
給する場合に用いて好適な電力伝送装置に関する。

［従来の技術］窓枠は壁に対して移動されるため、窓枠に取り付けられ
た換気扇に電力を供給するような場合、コードを用いる
と不便である。そこで、本出願人は特願昭６３−２７４
１５２号として、コイルの電磁誘導を利用して壁側から
窓枠に電力を供給する装置を提案した。

すなわち、先の提案においては、コルピッツ発振回路の
一部を構成する第１のコイルを壁側に配置し、第１のコ
イルと電磁的に結合する第２のコイルを窓枠側に配置す
るようにした。

このようにすると、窓枠を閉めた状態のとき、第２のコ
イルが第１のコイルに近接配置され、電磁的に結合され
るため、第１のコイルから第２のコイルを介して、第２
のコイルに接続された換気扇のモータ等に電力を供給し
、換気扇を回転駆動することができる。

［発明が解決しようとする課題］しかしながら、先に提案した装置においては、第２のコ
イル側が無負荷状態になると、第１及び第２のコイルに
比較的大きな電流が流れ、発熱するおそれがあった。

本発明はこのような状況に鑑みてなされたもので、無負
荷時における発熱を防止するものである。

［課題を解決するための手段］本発明の電力伝送装置は、少なくとも増幅素子と第１の
コイルを含み、所定の周波数で発振する発振回路と、第
１のコイルと電磁結合し、負荷に電力を伝送する第２の
コイルと、増幅素子のバイアス電圧を設定するバイアス
回路と、発振回路の出力のレベルを検出する検出回路と
、検出回路の出力に対応してスイッチングし、増幅素子
の動作電圧を変更するスイッチング回路とを備えること
を特徴とする。

［作用］上記構成の電力伝送装置においては、発振回路の出力レ
ベルが所定値以上になると、スイッチング回路が動作し
、増幅素子の動作電圧が低下される。従って、無負荷時
に、必要以上に電流が供給さ八　発熱するようなことが
防止される。

［実施例］第１図は本発明の電力伝送装置の一実施例の構成を示す
ブロック図である。

同図において、６はコルピッツ発振回路であり、コイル
３と、コイル３に並列に接続された２つのコンデンサ１
．２よりなる直列回路と、コンデンサ１．２とコイル３
よりなる共振回路に接続された増幅素子としてのＦＥＴ
４と、ＦＥＴ４に接続された抵抗５により構成されてい
る。１０はＦＥＴ４のバイアス電圧を設定するバイアス
回路であり、直列に接続された抵抗７．８と、抵抗８に
並列接続されたコンデンサ９とにより構成されている。

１６は発熱を防止するための保護回路であり、スイッチ
ング素子としてのＰＮＰトランジスタ１４、ＰＮＰトラ
ンジスタ１４のベース電圧を設定する抵抗１２．１３、
ダイオード１１、ツェナーダイオード１５により構成さ
れている。

以上の回路は壁側に装着される。

一方、窓枠には、コイル３と電磁結合されるコイル２１
と、コイル２１の出力を整流して負荷２３に出力する整
流回路２２が取り付けられる。

次に、第２図を参照してその動作を説明する。

抵抗７．８により分圧されたバイアス電圧がＦＥＴ４の
ゲートに供給されると、発振回路６は発振動作を行なう
。窓枠が壁側に閉じられると、コイル２１がコイル３に
近接配置され、電磁結合される。これにより、コイル２
１にコイル１からの発振出力に対応する電圧が誘導され
る。この電圧は整流回路２２により整流され、負荷２３
に供給される。

負荷２３が適正に接続されている場合、抵抗５とＦＥＴ
４が接続された点Ａにおける電圧は、第２図（ａ）に示
すように、発振回路６の出力電圧及び周波数に対応して
所定のレベルで変化する。ツェナーダイオード１５の降
伏電圧ｖ１は、このときのレベル変化の１／２の輻より
大きい値に設定されている。従って、このとき、ツェナ
ーダイオード１５及びＰＮＰトランジスタ１４はオフし
ている。

これに対して、無負荷状態になると、点Ａにおけるレベ
ル変化は、第２図（ｂ）に示すように、検出回路として
のツェナーダイオード１５の降伏電圧ｖ１より大きくな
る。従って、図中ハツチングを施して示す部分における
場合のように、点Ａの電位が降伏電圧Ｖ１を越えて低下
したとき、ツェナーダイオード１５がオンする。これに
より、ＰＮＰトランジスタ１４のベース電位が低下し、
ＰＮＰトランジスタ１４がオンする。その結果、抵抗８
がＰＮＰ）ランジスタ１４により短絡され、第２図（Ｃ
）に示すように、バイアス回路１０より出力されるＦＥ
Ｔ４のゲート電圧が低下するので、発振回路６の出力レ
ベルも低下する。

第３図は本発明の電力伝送装置の他の実施例の構成を表
わしている。

この実施例においては、保護回路１６が、スイッチング
素子としてのＮＰＮトランジスタ３４と、そのベース電
圧を規定する抵抗３２．３３と、検出回路としてのツェ
ナーダイオード３１により構成されている。

その他の構成は第１図における場合と同様である。

この実施例の場合、負荷２３が適正であるとき、第４図
（ａ）に示すように、点Ａにおけるレベル変化は小さい
。従って、このとき、ツェナーダイオード３１はオフし
、ＮＰＮトランジスタ３４もオフしている。

これに対して、無負荷時においては、点Ａのレベル変化
が大きくなる。その結果、第４図（ｂ）にハツチングを
施して示す部分における場合のように、点Ａの電位が、
ツェナーダイオード３１の降伏電圧Ｖ２を越えて大きく
なったとき、ツェナーダイオード３１がオンする。これ
により、ＮＰＮトランジスタ３４のベース電位が上昇し
、ＮＰＮトランジスタ３４がオンする。その結果、上述
した場合と同様に、抵抗８がＮＰＮトランジスタ３４に
より短絡され、第４図（Ｃ）に示すように、バイアス回
路１０より出力されるゲート電圧が低下し、発振回路６
の出力レベルが抑制される。

従って、無負荷時における発熱が防止される。

［発明の効果１以上のように、本発明の電力伝送装置によれば、発振回
路の出力レベルに対応してスイッチング回路を動作させ
、増幅素子のバイアスを低下させるようにしたので、無
負荷時における発熱を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電力伝送装置の一実施例の構成を示す
ブロック図、第２図（ａ）乃至（ｃ）は第１図の実施例
の動作を説明する波形図、第３図は本発明の電力伝送装
置の他の実施例の構成を示すブロック図、第４図（ａ）
乃至（ｃ）は第３図の実施例の動作を説明する波形図で
ある。３．２１・・・コイル、４・・・ＦＥＴ、６・・・発１
辰回路、１０・・・バイアス回路、１４・・・ＰＮＰ　
トランジスタ、１５．３１・・・ツェナーダイオード、
１６・・・保護回路、２３・・・負荷、３４・・・ＮＰ
Ｎトランジスタ。

Claims

【特許請求の範囲】　少なくとも増幅素子と第１のコイルを含み、所定の周
波数で発振する発振回路と、前記第１のコイルと電磁結合し、負荷に電力を伝送する
第２のコイルと、前記増幅素子のバイアス電圧を設定するバイアス回路と
、前記発振回路の出力のレベルを検出する検出回路と、前記検出回路の出力に対応してスイッチングし、前記増
幅素子の動作電圧を変更するスイッチング回路とを備え
ることを特徴とする電力伝送装置。