JPH043592Y2 - - Google Patents

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JPH043592Y2
JPH043592Y2 JP1985191207U JP19120785U JPH043592Y2 JP H043592 Y2 JPH043592 Y2 JP H043592Y2 JP 1985191207 U JP1985191207 U JP 1985191207U JP 19120785 U JP19120785 U JP 19120785U JP H043592 Y2 JPH043592 Y2 JP H043592Y2
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voltage
transistor
switching transistor
winding
circuit
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Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は、スイツチング電源の補助電源として
広く用いられるリンギング・チヨーク・コンバー
タに関するものである。
(従来の技術) 第4図は、従来回路の一例を示す構成接続図で
ある。図において、Tは巻線N1,N2,N3を有し
たトランス、Q1は巻線N1に直列に接続されたス
イツチング・トランジスタで、入力直流電圧Vi
をオン、オフする。R1は起動電流iSを供給するた
めの起動抵抗、R2及びC1はトランジスタQ1のベ
ースに接続したベース電流iBを供給する抵抗及び
コンデンサである。D1は巻線N2に得られる電圧
を整流するダイオード、C2は平滑コンデンサ、
ZDは基準電圧を得るためのツエナダイオードで、
これらは安定化回路RGを構成しており、コンデ
ンサC2に得られる電圧と基準電圧の差が、トラ
ンジスタQ1のベースに印加されるようになつて
いる。Doは巻線N3に得られる電圧を整流するダ
イオード、Coは平滑コンデンサで、このコンデ
ンサの両端に出力電圧Voを得る。
このような構成の従来装置において、入力直流
電圧Viが印加されると、起動抵抗R1を介して起
動電流iSが与えられ、スイツチング・トランジス
タQ1は能動状態となる。トランジスタQ1が能動
状態となると、巻線N1→巻線N2→ベース電流iB
→コレクタ電流iC→巻線N1の順で正帰還がかか
り、発振が開始する。平滑コンデンサC2には、
出力電圧Voに対応した直流電圧が得られ、ツエ
ナダイオードZDによつてトランジスタQ1のベー
スインピーダンスが変化し、トランジスタQ1
オン、オフが制御され、出力電圧Voを一定に維
持している。
(考案が解決しようとする問題点) このような構成の装置においては、トランジス
タQ1のベース電流が出力電圧Vo(Vi=N2//N1)と ベースのインピーダンスで決まるため、過負荷状
態となると、トランジスタQ1が、飽和領域から
はずれてオフ状態となり、このトランジスタの保
護が適切に行なえないという問題点がある。
本考案は、このような問題点に鑑みてなされた
もので、その目的は過負荷状態において、スイツ
チング・トランジスタの保護を確実に行なえるよ
うにしたリンギング・チヨーク・コンバータを実
現しようとするものである。
(問題点を解決するための手段) 前記した問題点を解決する本考案は、巻線N1
N2,N3を有したトランスと、巻線N1に入力直流
電圧をオン、オフして与えるスイツチング・トラ
ンジスタと、巻線N3に得られた電圧を整流、平
滑して出力電圧を得る回路と、前記スイツチン
グ・トランジスタのベースに巻線N2の一端間に
設けられたスイツチング・トランジスタにベース
電流を供給する回路を備えた装置において、前記
スイツチング・トランジスタのエミツタに当該ト
ランジスタを流れる電流を検出する電流検出抵抗
R3を接続するとともに、この電流検出抵抗に生
ずる電圧が所定の値以上となつた時前記スイツチ
ング・トランジスタをオフさせる制御回路を設け
たことを特徴としている。
(実施例) 第1図は、本考案に係る装置の一例を示す構成
接続図である。この図において、第4図の各部分
と対応する部分には同一符号を付して示す。
本考案の装置においては、スイツチング・トラ
ンジスタQ1のエミツタに、このトランジスタに
流れる電流を検出するための電流検出抵抗R3
接続するとともに、この電流検出抵抗R3に生ず
る電圧eiが所定電圧Vth以上になつた時、トラン
ジスタQ1をオフさせる制御回路CNTを設けたも
のである。制御回路CNTは、エミツタにツエナ
ダイオードZDが接続されたトランジスタQ2を含
み、電流検出抵抗R3に生ずる電圧eiをトランジス
タQ2のベースに印加させる抵抗R4と、各トラン
ジスタQ1,Q2のベース・コレクタ間を結ぶダイ
オードD2と、トランジスタQ2のエミツタとコモ
ンとを結ぶダイオードD3とで構成されている。
このように構成した装置における過負荷状態で
の動作を、次に第2図の動作波形図を参照しなが
ら説明する。
トランスTの一次巻線N1に、入力直流電圧Vi
を印加すると、トランジスタQ1は起動抵抗R1
介して正にバイアスされ、トランジスタQ1はオ
ン状態となる。トランジスタQ1がオンとなると、
巻線N2のトランジスタQ1を更にオンとするよう
な電圧が発生し、このトランジスタQ1は急速に
オンとなる。これによつて、トランジスタQ1
コレクタ電流iCは、第2図ロに示すように急激に
増大し、また、電流検出抵抗R3の電圧eiもハに示
すように増大する。そして、この電圧eiが安定化
回路RGから与えられている電圧Vthと、トラン
ジスタQ2のベース、エミツタ間電圧VBEの和、
Vth+VBEより大きくなると、トランジスタQ2
オン状態となる。トランジスタQ2がオンとなる
と、トランジスタQ1のベースに流れ込んでいた
ベース電流iBが、ダイオードD2を介してトランジ
スタQ2側に流れ込み、トランジスタQ1のベース
電圧VBが第2図ニに示すように急激に引き下げ
られる。これによつて、トランジスタQ1はオフ
に転ずる。そして、トランジスタQ1がオフ状態
では、このトランジスタQ1のベースには、ニに
示すように逆方向の電圧が加わる。
以上のような動作によつて、過負荷状態では、
トランジスタQ1に流れる電流が一定値以上増大
することはなく、トランジスタQ1の保護を確実
に行なうことができる。
第3図は、本考案装置の他の実施例を示す構成
接続図である。この実施例においては、スイツチ
ング・トランジスタQ1としてMOSFETを用いた
点が、第1図実施例と異なる点である。本考案に
おいては、このように第1図回路に用いられてい
る回路構成を何んら変更することなくMOSFET
にも適用が可能である。
(考案の効果) 以上説明したように、本考案は、スイツチン
グ・トランジスタQ1に流れる電流iCを検出し、
それが次第に増大していつて、所定の値になつた
らトランジスタQ1をオフとするような電流制御
方式とすることができ、スイツチング素子として
特性の優れたMOSFETを用いることが可能とな
る。
また、過負荷時には、スイツチング・トランジ
スタに流れる電流が急激に増大することとなるの
で、制御回路CNTの動作により、スイツチン
グ・トランジスタを確実にオフに制御することが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案に係る装置の一例を示す構成
接続図、第2図はその動作波形図、第3図は本考
案装置の他の例を示す構成接続図、第4図は従来
回路の構成接続図である。 T……トランス、N1,N2,N3……巻線、Q1
…スイツチング・トランジスタ、RG……安定化
回路、CNT……制御回路、R3……電流検出回
路、Q2……トランジスタ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 巻線N1,N2,N3を有したトランスと、巻
    線N1に入力直流電圧Viをオン、オフして与え
    るスイツチング・トランジスタQ1と、巻線N3
    に得られた電圧を整流、平滑して出力電圧Voを
    得る回路と、前記スイツチング・トランジスタQ
    1のベースに巻線N2で得られた信号を与えるた
    めのベース電流供給回路C1,R2とを備えたリ
    ンギング・チヨーク・コンバータにおいて、 前記スイツチング・トランジスタQ1のエミツ
    タに接続され当該トランジスタに流れる電流を検
    出する電流検出用抵抗R3と、 巻線N2に生ずる電圧を整流平滑化して安定な
    電圧信号を得る安定化回路RGと、 電流検出用抵抗R3に生ずる電圧eiと前記安定
    化回路から得られる電圧Vthとを比較し、電流検
    出用抵抗R3に生ずる電圧eiが安定化回路から得
    られる電圧Vthより大きくなると、前記スイツチ
    ング・トランジスタQ1のベース電流を制御して
    当該スイツチング・トランジスタQ1をオフにす
    る制御回路CNTと を設けたことを特徴とするリンギング・チヨー
    ク・コンバータ。
JP1985191207U 1985-12-12 1985-12-12 Expired JPH043592Y2 (ja)

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JP1985191207U JPH043592Y2 (ja) 1985-12-12 1985-12-12

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JPS6298490U JPS6298490U (ja) 1987-06-23
JPH043592Y2 true JPH043592Y2 (ja) 1992-02-04

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5635209A (en) * 1979-08-29 1981-04-07 Mitsubishi Electric Corp Program producing device
JPS5932221U (ja) * 1982-08-24 1984-02-28 三菱電機株式会社 空調機用のぞき窓装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5635209A (en) * 1979-08-29 1981-04-07 Mitsubishi Electric Corp Program producing device
JPS5932221U (ja) * 1982-08-24 1984-02-28 三菱電機株式会社 空調機用のぞき窓装置

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JPS6298490U (ja) 1987-06-23

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