JPH0833354A - 電源装置 - Google Patents

電源装置

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JPH0833354A
JPH0833354A JP6190958A JP19095894A JPH0833354A JP H0833354 A JPH0833354 A JP H0833354A JP 6190958 A JP6190958 A JP 6190958A JP 19095894 A JP19095894 A JP 19095894A JP H0833354 A JPH0833354 A JP H0833354A
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JP
Japan
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output
circuit
voltage
overcurrent
transistor
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Application number
JP6190958A
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English (en)
Inventor
Yoichi Mitsuhara
洋一 光原
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 発振回路が他励式の場合に出力トランスの2
次側の出力を短絡した場合でも発振回路の動作を抑制さ
せること。 【構成】 抵抗R1 により矩形波出力電流を電圧に変換
し、ダイオードD1 及びコンデンサC2 により直流信号
に平滑する。このA点の電位は通常出力時の方が出力短
絡時より高電位となるので、通常出力時にツエナーダイ
オードZD1 がオンし、トランジスタQ6 をオンさせ
る。そしてトランジスタQ5 はオフなので、発振は持続
している。出力が短絡されたとき、抵抗R1 による検出
電圧が通常時より小さいので、ツエナーダイオードZD
1 がオフする。従ってトランジスタQ6 がオフし、トラ
ンジスタQ5 がオンし、制御用トランジスタQ3 をオフ
させ、発振回路1へ供給する電源電圧が低下する。これ
により発振回路1の発振は停止(あるいは微小)し、出
力電流は停止(あるいは微小)する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、他励式で矩形波出力の
高圧の電源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図6は過電流保護回路を備えた電源装置
の回路図を示し、発振回路1は自励式で2個のトランジ
スタQ1 ,Q2 からなるプッシュプル・コンバータで構
成されている。出力トランスTの1次側の主巻線NP
はトランジスタQ1 ,Q2 のコレクタが接続され、ベー
スにはそれぞれベース巻線NB1,NB2が接続されてい
る。また出力トランスTの主巻線NP の中点に電源VIN
が制御用トランジスタQ3を介して印加されるようにな
っている。この制御用トランジスタQ3 は、2個のトラ
ンジスタをダーリントン接続して構成されており、制御
用トランジスタQ3 のベースには増幅器3からの出力端
が接続されている。
【0003】上記出力トランスTのフィードバック巻線
F からの出力電圧をダイオードD1 とコンデンサC1
にて整流・平滑し、その整流・平滑した電圧を比較増幅
回路2にフィードバックしている。そして、フィードバ
ックした電圧と予め定めた基準電圧を比較して上記増幅
器3に入力している。また、出力トランスTの2次側の
出力巻線NO の一端には負荷RL が接続されるようにな
っており、出力巻線NO の他端にはDCバイアス回路4
が接続されている。なお、このDCバイアス回路4は実
施例のところで説明する。
【0004】また、この回路には過電流保護回路5が設
けられており、この過電流保護回路5は、トランジスタ
4 、抵抗R2 ,R3 で構成されている。
【0005】次に、動作を説明する。電源が投入される
と制御用トランジスタQ3 、起動用抵抗R1 を介してト
ランジスタQ1 ,Q2 のベースに電圧がそれぞれ印加さ
れる。ここで、トランジスタQ1 ,Q2 の電流増幅率h
FE等のバラツキによりいずれかのトランジスタ例えばQ
1 がオンし、主巻線NP1にコレクタ電流が流れる。そし
て出力トランスTが磁気飽和を起こすとトランジスタQ
1 のベース電流に対してhFEが不足し、さらにベース巻
線NB1に誘起される電圧も低下することで、トランジス
タQ1 が急激にオフする。
【0006】同時にベース巻線NB2に今までとは逆極性
の誘起電圧が発生し、今度はトランジスタQ2 のベース
を正方向にバイアスしてオンさせる。そして、上記と同
じように反対の極性で出力トランスTが磁気飽和を起こ
し、出力巻線NO に交流電圧を発生させる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ここで、負荷RL 側を
短絡した場合の過電流保護回路5の動作について説明す
ると、出力を短絡すると自励特性(フの字特性)により
発振電圧が小さくなり、フィードバック巻線NF に発生
する電圧も小さくなる。したがって、A点には検出電圧
が発生しなくなる。よって、比較増幅回路2は出力を上
げようと働き、増幅器3の出力は最大となる。このた
め、制御用トランジスタQ3 のエミッタ側のB点の電位
が上昇し、抵抗R2 とR3 で分圧されるC点の電位も上
昇し、トランジスタQ4 がオンする。トランジスタQ4
がオンすると、トランジスタQ4 のコレクタ電位がLレ
ベルとなるため、増幅器3の出力をダウンさせるため制
御用トランジスタQ3 がオフとなる。したがって発振回
路1に電源が供給されなくなることから、発振が停止
(あるいは微小)し、出力電流が過大になるのを防いで
いる。
【0008】かかる従来の回路は発振回路1が自励式な
ので出力が短絡した場合にも過電流保護回路5が動作し
て、発振回路1を停止させて出力電流が過大になるのを
防止している。ところが、他励式の発振回路の場合に
は、出力を短絡しても発振が持続するため、上記の過電
流保護回路5は有効に働かず、スイッチング素子である
トランジスタQ1 ,Q2 等が破壊してしまうという問題
があった。
【0009】本発明は上述の点に鑑みて提供したもので
あって、発振回路が他励式の場合に出力トランスの2次
側の出力電流を1次側にフィードバックして出力を短絡
した場合でも発振回路の動作を抑制させてスイッチング
素子の破壊を防止することを目的とした電源装置を提供
するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の電源装
置では、出力トランスTと、この出力トランスTの1次
側に設けられた他励式の発振回路1と、この発振回路1
に電源を供給する制御用トランジスタQ3 と、上記出力
トランスTの2次側から負荷RL に流れる出力電流から
過電流や短絡電流を検出する出力電流検出手段R1 と、
この出力電流検出手段R1 からの検出信号にて過電流や
短絡時に上記制御用トランジスタQ3 を制御して上記発
振回路1の動作を抑制する保護回路6とを備えているこ
とを特徴としている。
【0011】また、請求項2記載の電源装置では、他励
式の発振回路1と、この発振回路1に電源を供給する制
御用トランジスタQ3 と、1次側に設けられた上記発振
回路1により2次側には矩形波の出力電圧を出力する出
力トランスTと、この出力トランスTの2次側から負荷
L に流れる出力電流を直接に流して検出し、その出力
電流に応じて電圧に変換する抵抗R1 と、過電流や短絡
電流等の異常電流などの時に上記抵抗R1 にて検出した
電圧を所定の基準電圧を有するツエナーダイオードZD
1 で比較し、その比較出力にて異常電流時に上記制御用
トランジスタQ3 を制御して上記発振回路1の動作を抑
制する保護回路6とを備えていることを特徴としてい
る。
【0012】さらに、請求項3記載の電源装置では、上
記抵抗R1 にて検出する電圧は、通常出力時より過電流
や短絡時の方が低電圧であることを特徴としている。
【0013】
【作用】本発明の請求項1記載の電源装置によれば、出
力トランスTの2次側の出力が短絡したり過電流となっ
た場合には、出力電流検出手段R1 により短絡や過電流
を検出し、その検出出力を保護回路6に送り、この保護
回路6にて1次側の制御用トランジスタQ3 を制御して
発振回路1の動作を抑制させるようにしている。これに
より、他励式の場合でも出力の過電流や短絡を検出して
保護回路6を有効に働かせることで、発振回路1のスイ
ッチング素子も破壊も防止することができる。また、出
力トランスTの2次側で過電流や短絡電流を検出し、そ
の検出出力を保護回路6を介して制御用トランジスタQ
3 を制御して発振回路1の動作を抑制しているために、
他励式に限らず、自励式の場合にも有効に機能させるこ
とができる。
【0014】また、請求項2記載の電源装置によれば、
出力電流検出用の抵抗R1 に出力電流を直接流して検出
していることで、出力トランスTの2次側の出力が短絡
したり、過電流となった場合でも、抵抗R1 による電圧
の検出により誤動作なく検出できて、その検出電圧と保
護回路6のツエナーダイオードZD1 の基準電圧と比較
し、その比較出力にて過電流や短絡電流等の異常電流の
場合に制御用トランジスタQ3 を制御して発振回路1の
動作を抑制している。これにより、他励式の場合でも出
力の過電流や短絡を検出して保護回路6を有効に働かせ
ることで、発振回路1のスイッチング素子も破壊も防止
することができる。また、抵抗R1 により直接的に出力
電流を検出しているので、誤動作もなく、抵抗R1 また
はツエナーダイオードZD1 のレベルを微調整すること
により、検出レベルも精度良く設定できるものである。
また、出力トランスTの2次側で過電流や短絡電流を検
出し、その検出出力を保護回路6を介して制御用トラン
ジスタQ3 を制御して発振回路1の動作を抑制している
ために、他励式に限らず、自励式の場合にも有効に機能
させることができる。
【0015】さらに、請求項3記載の電源装置によれ
ば、抵抗R1 にて検出する電圧は、通常出力時より過電
流や短絡時の方が低電圧であることから、無負荷の場合
でも抵抗R1 による検出電圧が小さいため、過電流や短
絡等の場合と同様にツエナーダイオードZD1 により異
常が検出されることになる。したがって無負荷になった
場合にも本保護回路6が動作して発振回路1の動作を抑
制し、スイッチング素子の破壊が防止できる。このよう
に過電流や短絡の他に無負荷の場合でも効力を有するも
のである。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1は本発明の電源装置の具体回路図を示してい
る。本実施例における発振回路1は2個のトランジスタ
1 ,Q2 からなる他励式のプッシュプル・コンバータ
にて構成されている。この発振回路1のトランジスタQ
1 ,Q2 のベースにはそれぞれ方形波信号発生回路7か
らの信号がそれぞれ入力されていて、トランジスタQ
1 ,Q2 を交互にオン、オフさせて発振を行うようにな
っている。また、比較増幅回路2、増幅器3、制御用ト
ランジスタQ3 等の構成は従来と同じである。
【0017】出力トランスTの出力巻線NO の一端側は
従来と同様に負荷RL が接続され、また他端にはDCバ
イアス回路4が接続されている。図4はDCバイアス回
路4の具体回路図を示し、出力トランスTの別巻線ND
にて発生する電圧を整流し、出力巻線NO から発生して
いる交流電圧に負方向、あるいは正方向にバイアスを与
えるものである。図4に示すようにDCバイアス回路4
は、整流用のダイオードD2 、平滑用のコンデンサC
4 、トランジスタQ7 、ツエナーダイオードZD2 、抵
抗等で構成されていて、本実施例では出力巻線NO から
発生する交流電圧を負の方向にDCバイアスを与えてい
る。なお、トランジスタQ7 とツエナーダイオードZD
2 は定電圧の回路を構成している。
【0018】また、図1には示されていないが図5に示
すように、定電圧制御を行うための回路も設けてある。
すなわち、出力トランスTにはフィードバック巻線NF
が設けてあり、このフィードバック巻線NF から発生す
る電圧をダイオードD3 で整流し、コンデンサC5 で平
滑した信号電圧を制御系へフィードバック(磁気フィー
ドバック)している。つまり、図5に示すB点を増幅器
3を構成しているオペアンプの反転入力端子に入力して
おき、B点の電位が大きくなれば、増幅器3の出力が小
さくなり、制御用トランジスタQ3 の出力も小さくな
り、出力トランスTの出力電圧も小さくなるというフィ
ードバックをかけている。
【0019】次に過電流や短絡電流を検出して発振回路
1の動作を停止させる保護回路6について説明する。出
力トランスTの出力巻線NO の出力電流を直接流して出
力電流を検出する抵抗(出力電流検出手段)R1 がコン
デンサC1 を介して図4に示すように出力巻線NO の他
端に接続されている。そして、保護回路6は、ダイオー
ドD1 、コンデンサC2 、ツエナーダイオードZD1
トランジスタQ5 ,Q6 、抵抗R2 ,R3 、コンデンサ
3 等で構成されている。
【0020】上記コンデンサC1 は、出力電流バイパス
用コンデンサであり、ダイオードD1 及びコンデンサC
2 は、出力電流検出用の抵抗R1 による検出電圧を整流
・平滑するものである。また、ツエナーダイオードZD
1 は、しきい電圧の検出用であり、抵抗R2 及びコンデ
ンサC3 は遅延回路である。この遅延回路は、起動時、
検出電圧が小さいことによる保護回路6の動作を抑制さ
せるものである。さらに、ツエナーダイオードZD1
よりオン、オフされるトランジスタQ6のコレクタは抵
抗R3 を介して制御用トランジスタQ3 のエミッタに接
続され、トランジスタQ6 により制御されるトランジス
タQ5 のコレクタは制御用トランジスタQ3 のベースに
接続してある。
【0021】次に動作について説明する。発振回路1の
トランジスタQ1 ,Q2 は方形波信号発生回路7により
交互にオン、オフされて出力トランスTの出力巻線NO
より負荷RL に矩形波の交流電圧を発生している。図2
の(a)は通常時の負荷RL側の出力電圧波形を示し、
図2(b)は抵抗R1 に流れる出力電流波形を示してい
る。ここで、通常の出力時はLC発振しているため、方
形波の傾きの部分で(図2(a)参照)共振電流が流
れ、出力電流は図2(b)に示すようにパルス状にな
る。
【0022】そして、抵抗R1 により矩形波出力電流を
電圧に変換し、ダイオードD1 及びコンデンサC2 によ
り直流信号に平滑する。この平滑したA点の電位は通常
出力時の方が後述するように出力短絡時より高電位とな
るので、通常出力時にツエナーダイオードZD1 がオン
し、トランジスタQ6 をオンさせる。トランジスタQ6
がオンしているときは、トランジスタQ5 はオフなの
で、制御用トランジスタQ3 は増幅器3により制御され
て、発振は持続している。
【0023】ここで、出力を短絡すると、L成分が極端
に小さくなり、図3に示すように出力電流は、出力電圧
の逆波形で流れ、実効電流は大きいが方形波となるた
め、ピーク電流は小さくなる。そのため、抵抗R1 によ
る検出電圧は、出力短絡時ではパルス状に出力電流が流
れる通常出力の場合よりも小さくなる(図3(b)参
照)。そして、出力が短絡されたとき、上述のように抵
抗R1 による検出電圧が通常時より小さいので、ツエナ
ーダイオードZD1 がオフする。したがってトランジス
タQ6 がオフするので、トランジスタQ5 がオンし、制
御用トランジスタQ3のベースがLレベルとなって、発
振回路1へ供給する電源電圧が低下する。これにより発
振回路1の発振は停止(あるいは微小)し、出力電流は
停止(あるいは微小)する。したがって、他励式の場合
でも保護回路6が有効に働き、スイッチング素子である
トランジスタQ1 ,Q2 等の破壊が防止できる。
【0024】また、出力トランスTの2次側に設けた抵
抗R1 により過電流や短絡電流を検出し、その検出出力
を保護回路6を介して制御用トランジスタQ3 を制御し
て発振回路1の動作を抑制しているために、他励式に限
らず、自励式の場合にも有効に機能させることができ
る。
【0025】ここで、本実施例における通常時の図1の
A点での検出電圧は約12Vであり、出力短絡時の検出
電圧は約7Vである。よって、ツエナーダイオードZD
1 はツエナー電圧が約10Vのものを使用すれば良い。
【0026】また、本実施例では、負荷RL に流れる出
力電流を抵抗R1 に直接流して検出するようにしている
ので、誤動作がない。さらに、抵抗R1 またはツエナー
ダイオードZD1 のレベルを微調整することにより、検
出レベルも精度良く設定できるものである。また、抵抗
1 による検出電圧が通常時より小さくなった場合に、
出力が短絡したと判断してツエナーダイオードZD1
オフし、トランジスタQ6 をオフ、トランジスタQ5
オンさせて制御用トランジスタQ3 をオフさせるように
しているため、出力電流が過電流となった場合や、無負
荷となった場合にも、抵抗R1 による検出電圧が低下す
ることで、過電流や無負荷といった異常になった場合に
も有効に機能するものである。
【0027】なお、本実施例ではDCバイアス回路4を
用いた場合について説明したが、DCバイアス回路4が
ない場合にも本発明を適用することができるものであ
り、この場合には、コンデンサC1 は不要となる。ま
た、発振回路1を他励式のプッシュプル・コンバータで
構成しているが、これに限定されるものではない。例え
ば、他励式のフルブリッジ式やハーフブリッジ式の場合
にも本発明を適用することができる。
【0028】
【発明の効果】本発明の請求項1記載の電源装置によれ
ば、出力トランスの2次側の出力が短絡したり過電流と
なった場合には、出力電流検出手段により短絡や過電流
を検出し、その検出出力を保護回路に送り、この保護回
路にて1次側の制御用トランジスタを制御して発振回路
の動作を抑制させるようにしている。これにより、他励
式の場合でも出力の過電流や短絡を検出して保護回路を
有効に働かせることで、発振回路のスイッチング素子も
破壊も防止することができる。また、出力トランスの2
次側で過電流や短絡電流を検出し、その検出出力を保護
回路を介して制御用トランジスタを制御して発振回路の
動作を抑制しているために、他励式に限らず、自励式の
場合にも有効に機能させることができる。
【0029】また、請求項2記載の電源装置によれば、
出力電流検出用の抵抗に出力電流を直接流して検出して
いることで、出力トランスの2次側の出力が短絡した
り、過電流となった場合でも、抵抗による電圧の検出に
より誤動作なく検出できて、その検出電圧と保護回路の
ツエナーダイオードの基準電圧と比較し、その比較出力
にて過電流や短絡電流等の異常電流の場合に制御用トラ
ンジスタを制御して発振回路の動作を抑制している。こ
れにより、他励式の場合でも出力の過電流や短絡を検出
して保護回路を有効に働かせることで、発振回路のスイ
ッチング素子も破壊も防止することができる。また、抵
抗により直接的に出力電流を検出しているので、誤動作
もなく、抵抗またはツエナーダイオードのレベルを微調
整することにより、検出レベルも精度良く設定できるも
のである。また、出力トランスの2次側で過電流や短絡
電流を検出し、その検出出力を保護回路を介して制御用
トランジスタを制御して発振回路の動作を抑制している
ために、他励式に限らず、自励式の場合にも有効に機能
させることができる。
【0030】さらに、請求項3記載の電源装置によれ
ば、抵抗にて検出する電圧は、通常出力時より過電流や
短絡時の方が低電圧であることから、無負荷の場合でも
抵抗による検出電圧が小さいため、過電流や短絡等の場
合と同様にツエナーダイオードにより異常が検出される
ことになる。したがって無負荷になった場合にも本保護
回路が動作して発振回路の動作を抑制し、スイッチング
素子の破壊が防止できる。このように過電流や短絡の他
に無負荷の場合でも効力を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の電源装置の具体回路図であ
る。
【図2】本発明の実施例の通常の出力電圧、出力電流の
波形を示す図である。
【図3】本発明の実施例の出力短絡時の出力電圧、出力
電流の波形を示す図である。
【図4】本発明の実施例のDCバイアス回路の具体回路
図である。
【図5】本発明の実施例のフィードバック回路を示す図
である。
【図6】従来例の電源装置の具体回路図である。
【符号の説明】
1 発振回路 6 保護回路 T 出力トランス Q3 制御用トランジスタ R1 抵抗(出力電流検出手段) ZD1 ツエナーダイオード RL 負荷

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 出力トランス(T)と、この出力トラン
    ス(T)の1次側に設けられた他励式の発振回路(1)
    と、この発振回路(1)に電源を供給する制御用トラン
    ジスタ(Q3 )と、上記出力トランス(T)の2次側か
    ら負荷(RL)に流れる出力電流から過電流や短絡電流
    を検出する出力電流検出手段(R1 )と、この出力電流
    検出手段(R1 )からの検出信号にて過電流や短絡時に
    上記制御用トランジスタ(Q3 )を制御して上記発振回
    路(1)の動作を抑制する保護回路(6)とを備えてい
    ることを特徴とする電源装置。
  2. 【請求項2】 他励式の発振回路(1)と、この発振回
    路(1)に電源を供給する制御用トランジスタ(Q3
    と、1次側に設けられた上記発振回路(1)により2次
    側には矩形波の出力電圧を出力する出力トランス(T)
    と、この出力トランス(T)の2次側から負荷(RL
    に流れる出力電流を直接に流して検出し、その出力電流
    に応じて電圧に変換する抵抗(R1 )と、過電流や短絡
    電流等の異常電流などの時に上記抵抗(R1 )にて検出
    した電圧を所定の基準電圧を有するツエナーダイオード
    (ZD1 )で比較し、その比較出力にて異常電流時に上
    記制御用トランジスタ(Q3 )を制御して上記発振回路
    (1)の動作を抑制する保護回路(6)とを備えている
    ことを特徴とする電源装置。
  3. 【請求項3】 上記抵抗(R1 )にて検出する電圧は、
    通常出力時より過電流や短絡時の方が低電圧であること
    を特徴とする請求項2記載の電源装置。
JP6190958A 1994-07-20 1994-07-20 電源装置 Pending JPH0833354A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5744380A (en) * 1993-08-23 1998-04-28 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method of fabricating an epitaxial wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5744380A (en) * 1993-08-23 1998-04-28 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Method of fabricating an epitaxial wafer

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