JPH03261655A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法Info
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- JPH03261655A JPH03261655A JP2061463A JP6146390A JPH03261655A JP H03261655 A JPH03261655 A JP H03261655A JP 2061463 A JP2061463 A JP 2061463A JP 6146390 A JP6146390 A JP 6146390A JP H03261655 A JPH03261655 A JP H03261655A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生ずる異常高電圧、ノ
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
イズ、静電気などから機器の半導体および回路を保護す
るためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法
に関するものである。
従来の技術
従来、各種の電気機器、電子ｉ器における異常高電圧の
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる。
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために電
圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、Ｚ
ｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバリ
スタの電圧−電流特性は近似的に次式のように表すこと
ができる。
１−（Ｖ／Ｃ）α
ここで、■は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
、αは電圧−電流非直線指数である。
、αは電圧−電流非直線指数である。
ＳｉＣバリスタのαは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタで
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が５Ｘ１０’程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。しかし、このような半
導体コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧
または電流が印加されると、静電容量が減少したり破壊
したりしてコンデンサとしての機能を果たさなくなった
りする。
誘電率が５Ｘ１０’程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。しかし、このような半
導体コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧
または電流が印加されると、静電容量が減少したり破壊
したりしてコンデンサとしての機能を果たさなくなった
りする。
そこで最近になって５ｒＴｉＯａを主成分とし、バリス
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子１１７１ Ｒ８におけ
るＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子の保護に利用されてい
る。
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子１１７１ Ｒ８におけ
るＩＣ，ＬＳＩなどの半導体素子の保護に利用されてい
る。
発明が解決しようとするＲ１題
上記の５ｒＴｉ（ｈを主成分とするバリスタとコンデン
サの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた。
サの両方の機能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた。
そこで本発明では、誘電率が大きくバリスタ電圧が低く
、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記、問題点を解決するために本発明では、Ｓｒ＋−、
Ｍｇｘ ＴｌＯ２（０，００１≦χ≦０．３００ ）
（以下、第１威分と呼ぶ）を９０．０００〜９９．９
９８ｍｏ １％、Ｎｂ２Ｏ３，ＴｈＯｓ。
Ｍｇｘ ＴｌＯ２（０，００１≦χ≦０．３００ ）
（以下、第１威分と呼ぶ）を９０．０００〜９９．９
９８ｍｏ １％、Ｎｂ２Ｏ３，ＴｈＯｓ。
Ｔａ２Ｏ３，ＴｈＯｓ＋ＷＯ３＋ Ｄｙ２Ｏ３，ＴｈＯ
ｉ＋ ｈｏｔ、 Ｌａ２Ｏ３，ＴｈＯ：＋、 Ｃｅｎｔ
、 ５１１２０３ＰｒＪ＋＋＋ Ｎｂ２Ｏ３，ＴｈＯｚ
のうち１１００℃以上（以下、第２成分と呼ぶ）を０．
００１〜５．０００ｍｏ １％、＾１２Ｊ＋ ５ｂｔＯ
３，Ｂａｄ、 Ｂｅｄ、 ｐｂｏ、 ＢＺＯ３＋ Ｃｒ
ｔＯｘＦｅｔＯｖ、 ＣｄＯ，に２０＋ Ｃａｂ、 Ｃ
Ｏ２Ｏ３ＣＬＩＯ，Ｃ１ｌ！Ｏ，ＬｉｔＯ＋ＬｉＦ、
ＭｇＯ，門ｎｏ、 ＭｏＯ３，Ｎａ２Ｏ３，ＴｈＯ，Ｎ
ａｐ、 ＮｉＯ，ＲｈｔＯ。
ｉ＋ ｈｏｔ、 Ｌａ２Ｏ３，ＴｈＯ：＋、 Ｃｅｎｔ
、 ５１１２０３ＰｒＪ＋＋＋ Ｎｂ２Ｏ３，ＴｈＯｚ
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００１〜５．０００ｍｏ １％、＾１２Ｊ＋ ５ｂｔＯ
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５ｅ０２． 八ｇｚｏ、 ５ｉｆｔ、 ＳｉＣ，
ＳｒＯ，Ｔｉ□Ｏｉ、ＴｈＪ、 ＴｉｄｙＶｚ０５．
Ｂｉ２Ｏ３，ＴｈＯｚ、 ＺｎＯ，ＺｒＬ、 Ｓｎｏ
ｗのうち少なくとも１ｍ類以上（以下、第３成分と呼ぶ
）を０．００１〜５．０ＯＯｓｏ１％含有してなる主１
種類以上を００重量部と、ＣａＴｉ０＊ ６０．００
０〜３２．５ＯＯｓｏ １％、５ｉＯｚ４０．０００〜
６７．５厖ｏ１％からなる混合物を１２００〜１３００
”ｃ以上で焼成してなる添加物（以下、第４戒分と呼ぶ
） ０．００１〜１０．０００重要部とからなる電圧
依存性非直線抵抗体磁器＆Ｕ威放物得ることにより、問
題を解決しようとするものである。
ＳｒＯ，Ｔｉ□Ｏｉ、ＴｈＪ、 ＴｉｄｙＶｚ０５．
Ｂｉ２Ｏ３，ＴｈＯｚ、 ＺｎＯ，ＺｒＬ、 Ｓｎｏ
ｗのうち少なくとも１ｍ類以上（以下、第３成分と呼ぶ
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種類以上を００重量部と、ＣａＴｉ０＊ ６０．００
０〜３２．５ＯＯｓｏ １％、５ｉＯｚ４０．０００〜
６７．５厖ｏ１％からなる混合物を１２００〜１３００
”ｃ以上で焼成してなる添加物（以下、第４戒分と呼ぶ
） ０．００１〜１０．０００重要部とからなる電圧
依存性非直線抵抗体磁器＆Ｕ威放物得ることにより、問
題を解決しようとするものである。
作用
上記の発明において、第１戊分は主たる成分であり、５
ｒＴｉＯ＝のＳｒの一部をＭｇで置換することにより、
粒界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる。
ｒＴｉＯ＝のＳｒの一部をＭｇで置換することにより、
粒界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる。
第２成分は主に第１成分の半導体化を促進する金属酸化
物である。また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量の
改善に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の
低下、誘電率の改善に有効なものである。特に、第４戒
分は融点が１２３０〜１２５０°Ｃと比較的低いため、
融点前後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分
の反応を促進すると共に粒子の成長を促進する。そのた
め粒界部分に第３成分が偏析しやすくなり、粒界が高抵
抗化され易くなり、バリスタ機能およびコンデンサ機能
が改善される。また、粒成長が促進されるためバリスタ
電圧が低くなり、粒径の均一性が向上するため特性の安
定性が良くなり、特にサージ耐量が改善されることとな
る。
物である。また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量の
改善に寄与するものであり、第４成分はバリスタ電圧の
低下、誘電率の改善に有効なものである。特に、第４戒
分は融点が１２３０〜１２５０°Ｃと比較的低いため、
融点前後の温度で焼成すると液相となり、その他の成分
の反応を促進すると共に粒子の成長を促進する。そのた
め粒界部分に第３成分が偏析しやすくなり、粒界が高抵
抗化され易くなり、バリスタ機能およびコンデンサ機能
が改善される。また、粒成長が促進されるためバリスタ
電圧が低くなり、粒径の均一性が向上するため特性の安
定性が良くなり、特にサージ耐量が改善されることとな
る。
実施例
以下に、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する。
まず、ＣａＴｉＯ３，ＳｉＯ□を下記の第１表に示すよ
うに組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２０
Ｈｒ混合する０次に、乾燥した後、下記の第１表に示す
ように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルなどで
２０Ｈｒ粉砕した後、乾燥し、第４戒分とする。次いで
、第１威分、第２威分、第３成分、第４成分を下記の第
１表に示した組成比になるように秤量し、ボールミルな
どで２４１１ｒ混合した後、乾燥し、ポリビニルアルコ
ールなどの有機バインダーを１０−１％添加して造粒し
た後、１（ｔ／ｃｄ）のプレス圧力で１０φＸＩＬ（閣
）の円板状に底形し、１０５０°Ｃで１２１１ｒ焼威し
脱バインダーする０次に、第１表に示したように温度と
時間を種々変えて焼威（第１焼成）し、その後還元性雰
囲気、例えばＮ、：１１□＝９＝１のガス中で温度と時
間を種々変えて焼成（第２焼成）する。さらに、その後
、、還元性雰囲気中で温度と時間を種々変えて焼成（第
３焼ｒｔｉ、）する。
うに組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２０
Ｈｒ混合する０次に、乾燥した後、下記の第１表に示す
ように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルなどで
２０Ｈｒ粉砕した後、乾燥し、第４戒分とする。次いで
、第１威分、第２威分、第３成分、第４成分を下記の第
１表に示した組成比になるように秤量し、ボールミルな
どで２４１１ｒ混合した後、乾燥し、ポリビニルアルコ
ールなどの有機バインダーを１０−１％添加して造粒し
た後、１（ｔ／ｃｄ）のプレス圧力で１０φＸＩＬ（閣
）の円板状に底形し、１０５０°Ｃで１２１１ｒ焼威し
脱バインダーする０次に、第１表に示したように温度と
時間を種々変えて焼威（第１焼成）し、その後還元性雰
囲気、例えばＮ、：１１□＝９＝１のガス中で温度と時
間を種々変えて焼成（第２焼成）する。さらに、その後
、、還元性雰囲気中で温度と時間を種々変えて焼成（第
３焼ｒｔｉ、）する。
こうして、得られた第１図、第２図に示す焼結体１の両
平面に外周を残すようにしてＡｇなとの導電性ペースト
をスクリーン印刷などにより塗布し、５７０°Ｃ、１０
ｍ１ｎで焼威し、電極２．３を形成する。
平面に外周を残すようにしてＡｇなとの導電性ペースト
をスクリーン印刷などにより塗布し、５７０°Ｃ、１０
ｍ１ｎで焼威し、電極２．３を形成する。
次に、半田などによりリード線（図示せず）を取付け、
エポキシなどの樹脂を塗装する。このようにして得られ
た素子の特性を下記の第２表に示す。
エポキシなどの樹脂を塗装する。このようにして得られ
た素子の特性を下記の第２表に示す。
なお、誘電率はＩＫＩｌｚでの静電容量から計算したも
のであり、αは ａ ＝ １ ／ Ｌｏｇ Ｖ ＋ ｏａＡ／ Ｖ ＋
ａｍ（タタシ、Ｖ １Ａ 、 Ｖ ＋ｏ−ａ！！ ｌ
−ａ、 １０１、ａ （７）′ｒ１’ａを流した時に素
子の両端にかかる電圧である。）で評価した。また、サ
ージ耐量はパルス性の電流を印加した後のＶ １ｍＡの
変化率が±１０％以内である時の最大のパルス性電流値
により評価している。
のであり、αは ａ ＝ １ ／ Ｌｏｇ Ｖ ＋ ｏａＡ／ Ｖ ＋
ａｍ（タタシ、Ｖ １Ａ 、 Ｖ ＋ｏ−ａ！！ ｌ
−ａ、 １０１、ａ （７）′ｒ１’ａを流した時に素
子の両端にかかる電圧である。）で評価した。また、サ
ージ耐量はパルス性の電流を印加した後のＶ １ｍＡの
変化率が±１０％以内である時の最大のパルス性電流値
により評価している。
（以下余白）
また、第１成分の５ｒＩ−＊ ｎｇ、 Ｔｉ０＊のχの
範囲を規定したのは、χが０．００１よりも小さいと効
果を示さず、０．３００を超えると格子欠陥が発生しに
くくなるため半導体化が促進されず、粒界にＭｇが単−
相として析出するため、＆［ｌ織が不均一になり、ＶＩ
ＳＡが高くなりすぎて特性が劣化するためである。さら
に、第２成分は０−００１ｓ＋ｏ１％未満では効果を示
さず、５．０００ｓ＋ｏ１％を超えると粒界に偏析して
粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するため
特性劣化するものである。そして、第３成分は０．００
１ｍｏ１％未満では効果を示さず、５．０ＯＯｓ＋ｏ１
％を超えると粒界に偏析して第２相を形成するため特性
が劣化するものである。また、第４戒分はＣａＴｉ０：
＋とＳｉＯ２の２成分系の相図のなかで最も融点の低い
領域で１ｙＩ質であり、その範囲外では融点が高くなる
ものである。さらに、第４威分の添加量は、０．００１
重量部未満では効果を示さず、１０．０００重量部を超
えると粒界の抵抗は高くなるが粒界の幅が厚くなるため
、静電容量が小さくなると共にＶＩｍＡが高くなり、サ
ージに対して弱くなるためである。また、第４威分の焼
成温度を規定したのは、低融点の第４戒分が台底される
温度が１２００°Ｃ以上であるため、さらに、第１焼威
の温度を規定したのは、第４戒分の融点が１２３０〜１
２５０°Ｃであるため、１１００°Ｃ以上の温度で焼成
すると第４戒分が液相に近い状態になって焼結が促進さ
れるためであり、１１００°Ｃ未満では第４威分の液相
焼結効果がないためである。また、第２焼成の温度を規
定したのは、１２００°Ｃ未満では第１焼威後の焼結体
が十分に還元されず、バリスタ特性、コンデンサ特性共
に劣化するためである。そして、第３焼戒の温度を規定
したのは、９００°Ｃ未満では粒界の高抵抗化が十分に
進まないため、■１−が低くなりすぎバリスタ特性が劣
化するためであり、１３００°Ｃを超えると静電容量が
小さくなりすぎコンデンサ特性が劣化するためである。
範囲を規定したのは、χが０．００１よりも小さいと効
果を示さず、０．３００を超えると格子欠陥が発生しに
くくなるため半導体化が促進されず、粒界にＭｇが単−
相として析出するため、＆［ｌ織が不均一になり、ＶＩ
ＳＡが高くなりすぎて特性が劣化するためである。さら
に、第２成分は０−００１ｓ＋ｏ１％未満では効果を示
さず、５．０００ｓ＋ｏ１％を超えると粒界に偏析して
粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するため
特性劣化するものである。そして、第３成分は０．００
１ｍｏ１％未満では効果を示さず、５．０ＯＯｓ＋ｏ１
％を超えると粒界に偏析して第２相を形成するため特性
が劣化するものである。また、第４戒分はＣａＴｉ０：
＋とＳｉＯ２の２成分系の相図のなかで最も融点の低い
領域で１ｙＩ質であり、その範囲外では融点が高くなる
ものである。さらに、第４威分の添加量は、０．００１
重量部未満では効果を示さず、１０．０００重量部を超
えると粒界の抵抗は高くなるが粒界の幅が厚くなるため
、静電容量が小さくなると共にＶＩｍＡが高くなり、サ
ージに対して弱くなるためである。また、第４威分の焼
成温度を規定したのは、低融点の第４戒分が台底される
温度が１２００°Ｃ以上であるため、さらに、第１焼威
の温度を規定したのは、第４戒分の融点が１２３０〜１
２５０°Ｃであるため、１１００°Ｃ以上の温度で焼成
すると第４戒分が液相に近い状態になって焼結が促進さ
れるためであり、１１００°Ｃ未満では第４威分の液相
焼結効果がないためである。また、第２焼成の温度を規
定したのは、１２００°Ｃ未満では第１焼威後の焼結体
が十分に還元されず、バリスタ特性、コンデンサ特性共
に劣化するためである。そして、第３焼戒の温度を規定
したのは、９００°Ｃ未満では粒界の高抵抗化が十分に
進まないため、■１−が低くなりすぎバリスタ特性が劣
化するためであり、１３００°Ｃを超えると静電容量が
小さくなりすぎコンデンサ特性が劣化するためである。
また、第１焼成の雰囲気は、還元性雰囲気でも還元性雰
囲気でも同様の効果があることをｂ’ｆｌ Ｌ’２した
。
囲気でも同様の効果があることをｂ’ｆｌ Ｌ’２した
。
なお、本実施例では添加物の組み合わせについては、第
１威分としてＳｒ、−１１Ｍｇ、 Ｔｉ（ｈ（０，００
１≦χ≦０．３００）、第２戒分としてＮｂｔＯｓ、Ｔ
ａ２Ｏ３，ＴｈＯｓ＋ｊｔＯｓ＋ Ｄｙｇ０３、 Ｙ
２Ｏ３，ＴｈＯｓ、 ＬａｔＯｚ＋ Ｃｅｎｔ、
Ｓ＠ｘ（ｈ＋ Ｐｒ、Ｏ＋＋＋ Ｎｂ２Ｏ３，Ｔ
ｈＯｓ第３成分としてＡｌ２Ｏ３，ＴｈＯ＊、 ＰｂＯ
，Ｃｒ２Ｏ３，ＴｈＯ＝、ＣｄＯ，ｘ、ｏ。
１威分としてＳｒ、−１１Ｍｇ、 Ｔｉ（ｈ（０，００
１≦χ≦０．３００）、第２戒分としてＮｂｔＯｓ、Ｔ
ａ２Ｏ３，ＴｈＯｓ＋ｊｔＯｓ＋ Ｄｙｇ０３、 Ｙ
２Ｏ３，ＴｈＯｓ、 ＬａｔＯｚ＋ Ｃｅｎｔ、
Ｓ＠ｘ（ｈ＋ Ｐｒ、Ｏ＋＋＋ Ｎｂ２Ｏ３，Ｔ
ｈＯｓ第３成分としてＡｌ２Ｏ３，ＴｈＯ＊、 ＰｂＯ
，Ｃｒ２Ｏ３，ＴｈＯ＝、ＣｄＯ，ｘ、ｏ。
Ｃｏ！０３ ＣＵＯ，Ｃｕ２Ｏ３，ＴｈＯ，ＭｇＯ，Ｍ
ｎ０ｚ＋ ＭＯ０３１Ｎｉｐ、Ａｇ２Ｏ３，ＴｈＯ５
ｉＣＴｉｔｏｌＺｒＯｚ、第４戒分としてＣａＴｉＯｓ
、 ５ｉｆｔについてのみ示したが、その他の組み合わ
せとして第２戒分として５１１２０！、 ＰｒａＯ＋＋
を、また第３戒分としてｓｂ、ｏ、、 Ｂａｄ、 Ｂ
ｅｄ、 ＢｇＯ：ｌ＋ Ｆｅｔ０３． Ｃａｂ。
ｎ０ｚ＋ ＭＯ０３１Ｎｉｐ、Ａｇ２Ｏ３，ＴｈＯ５
ｉＣＴｉｔｏｌＺｒＯｚ、第４戒分としてＣａＴｉＯｓ
、 ５ｉｆｔについてのみ示したが、その他の組み合わ
せとして第２戒分として５１１２０！、 ＰｒａＯ＋＋
を、また第３戒分としてｓｂ、ｏ、、 Ｂａｄ、 Ｂ
ｅｄ、 ＢｇＯ：ｌ＋ Ｆｅｔ０３． Ｃａｂ。
Ｌｉ２Ｏ３，ＴｈＯ，ＬｉＦ、 Ｎａ２Ｏ３，ＴｈＯ，
ＮａＦ、 ＲｈｚＪ、 ＳｅＪ、 Ｓｉｎｇ、 ５ｒＯ
ＴｈＯ７Ｔ！Ｏｔ＋シ２０ｉ Ｂｉ２Ｏ３，ＴｈＯ＋、
ＺｎＯ，Ｓｎｕｇを用いた組み合わせでも同様の効果
が得られることをｉｔ認した。また、第１成分、第２成
分、第３戒分、第４戊分を第１焼威しただけでもバリス
タ電圧が低く、ｍＮ率εを大きくするのに効果があるこ
とを確認した。
ＮａＦ、 ＲｈｚＪ、 ＳｅＪ、 Ｓｉｎｇ、 ５ｒＯ
ＴｈＯ７Ｔ！Ｏｔ＋シ２０ｉ Ｂｉ２Ｏ３，ＴｈＯ＋、
ＺｎＯ，Ｓｎｕｇを用いた組み合わせでも同様の効果
が得られることをｉｔ認した。また、第１成分、第２成
分、第３戒分、第４戊分を第１焼威しただけでもバリス
タ電圧が低く、ｍＮ率εを大きくするのに効果があるこ
とを確認した。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、粒子径が大きいた
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが大きく、粒
子径のばらつきが小さいためサージ電流が素子に均一に
流れ、またＭｇによって粒界が効果的に高抵抗化される
ため、サージ耐量が大きくなるという効果が得られる。
めバリスタ電圧が低く、誘電率εおよびαが大きく、粒
子径のばらつきが小さいためサージ電流が素子に均一に
流れ、またＭｇによって粒界が効果的に高抵抗化される
ため、サージ耐量が大きくなるという効果が得られる。
１・・・・・・焼結体、２．３・・・・・・電極。
Claims (3)
- （１）Ｓｒ＿１＿−＿χＭｇ＿χＴｉＯ＿３（０．００
１≦χ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％、Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｂ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｉ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＣａＴｉＯ＿３６０．０００〜
３２．５００ｍｏｌ％、ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７
．５ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼成し
てなる添加物０．００１〜１０．０００重要部とからな
ることを特徴とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物
。 - （２）Ｓｒ＿１＿−＿χＭｇ＿χＴｉＯ＿３（０．００
１≦χ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％、Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｂ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｉ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２うち少なくとも１種類
以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる主
成分１００重量部と、ＣａＴｉＯ＿３６０．０００〜３
２．５００ｍｏｌ％、ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７．
５ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼成して
なる添加物０．００１〜１０．０００重要部とからなる
組成物を１１００℃以上で焼成したことを特徴とするバ
リスタの製造方法。 - （３）Ｓｒ＿１＿−＿χＭｇ＿χＴｉＯ＿３（０．００
１≦χ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％、Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｂ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｉ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＣａＴｉＯ＿３ ６０．０００
〜３２．５００ｍｏｌ％ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７
．５ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼成し
てなる添加物０．００１〜１０．０００重要部とからな
る組成物を１１００℃以上で焼成した後、還元性雰囲気
中で１２００℃以上で焼成し、その後酸化性雰囲気中で
９００〜１３００℃で焼成したことを特徴とするバリス
タの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2061463A JP2830322B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2061463A JP2830322B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03261655A true JPH03261655A (ja) | 1991-11-21 |
| JP2830322B2 JP2830322B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=13171758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2061463A Expired - Fee Related JP2830322B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830322B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104446426A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-03-25 | 无锡信大气象传感网科技有限公司 | 一种传感器用高磁导率低损耗铁氧体材料 |
| CN104446413A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-03-25 | 无锡信大气象传感网科技有限公司 | 一种热敏传感器用铁氧体材料 |
| CN104478427A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-04-01 | 无锡信大气象传感网科技有限公司 | 一种传感器用热敏磁心 |
| CN104926297A (zh) * | 2015-06-09 | 2015-09-23 | 苏州博恩希普新材料科技有限公司 | 一种温度稳定、介电常数可调的微波介质陶瓷及制备方法 |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP2061463A patent/JP2830322B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104446426A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-03-25 | 无锡信大气象传感网科技有限公司 | 一种传感器用高磁导率低损耗铁氧体材料 |
| CN104446413A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-03-25 | 无锡信大气象传感网科技有限公司 | 一种热敏传感器用铁氧体材料 |
| CN104478427A (zh) * | 2014-11-14 | 2015-04-01 | 无锡信大气象传感网科技有限公司 | 一种传感器用热敏磁心 |
| CN104926297A (zh) * | 2015-06-09 | 2015-09-23 | 苏州博恩希普新材料科技有限公司 | 一种温度稳定、介电常数可调的微波介质陶瓷及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2830322B2 (ja) | 1998-12-02 |
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