JPH03254103A - 低損失Ｍｎ―Ｚｎ系フェライト - Google Patents
低損失Ｍｎ―Ｚｎ系フェライトInfo
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- JPH03254103A JPH03254103A JP2050828A JP5082890A JPH03254103A JP H03254103 A JPH03254103 A JP H03254103A JP 2050828 A JP2050828 A JP 2050828A JP 5082890 A JP5082890 A JP 5082890A JP H03254103 A JPH03254103 A JP H03254103A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
- C04B35/2658—Other ferrites containing manganese or zinc, e.g. Mn-Zn ferrites
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、スイッチング電源用トランス等の用途に供
して好適な電力損失の少ないＭｎ −Ｚｎ系フェライト
に関するものである。
して好適な電力損失の少ないＭｎ −Ｚｎ系フェライト
に関するものである。
（従来の技術）
Ｍｎ −Ｚｎ系酸化物磁性材料いわゆるＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライトは、各種通信機器、電源等のコイル、トランス
材として広く用いられているが、最近のＯＡ機器の普及
により、約１００ｋＨｚの高周波域で動作するスイッチ
ング電源のトランス材料としても使用されている。
ェライトは、各種通信機器、電源等のコイル、トランス
材として広く用いられているが、最近のＯＡ機器の普及
により、約１００ｋＨｚの高周波域で動作するスイッチ
ング電源のトランス材料としても使用されている。
かかるトランス材料として使用されるＭｎ−Ｚｎ系フェ
ライトに要求される特性としては、高飽和磁束密度、高
透磁率および低鉄損など種々の特性が挙げられるが、特
にこの発明で対象とするようなスイッチング電源用トラ
ンスについては、高磁場下において低損失であることが
とりわけ重要とされる。
ライトに要求される特性としては、高飽和磁束密度、高
透磁率および低鉄損など種々の特性が挙げられるが、特
にこの発明で対象とするようなスイッチング電源用トラ
ンスについては、高磁場下において低損失であることが
とりわけ重要とされる。
このためＭｎ−Ｚｎ系フェライトにおいては、従来から
種々の微量成分を添加することによってその改善が試み
られている。
種々の微量成分を添加することによってその改善が試み
られている。
例えば特開昭５８−１５０３７号公報ではＮｂ２Ｏ５の
添加により、また特開昭６０−１３２３０１号公報では
Ｎｂ、Ｏ５゜Ｃａｂ、 ＳｉＯ２、 Ｖ２Ｏ５，Ｚｒ０
ｚ、 Ａ１２０３１５ｎＯｚ＋ ＣｕＯおよびＣｏｏ等
の添加により、現在スイッチング周波数として標準にな
りつつある１００ｋＨｚにおける損失の改善を図ってお
り、１００ ｋＨｚ、 ２００ ｍＴにおける電力損失
が３００〜３５０ ｍＷ／ｃｍ３程度のレベルまで実現
されている。
添加により、また特開昭６０−１３２３０１号公報では
Ｎｂ、Ｏ５゜Ｃａｂ、 ＳｉＯ２、 Ｖ２Ｏ５，Ｚｒ０
ｚ、 Ａ１２０３１５ｎＯｚ＋ ＣｕＯおよびＣｏｏ等
の添加により、現在スイッチング周波数として標準にな
りつつある１００ｋＨｚにおける損失の改善を図ってお
り、１００ ｋＨｚ、 ２００ ｍＴにおける電力損失
が３００〜３５０ ｍＷ／ｃｍ３程度のレベルまで実現
されている。
（発明が解決しようとする課題）
この発明は、前述したとおり、現在スイッチング電源周
波数として標準になりつつある１００ ｋｆ（ｚ。
波数として標準になりつつある１００ ｋｆ（ｚ。
２００ ｍＴにおける電力損失３００−３５０ ｍＷ／
ｃｍ３をさらに改善し、スイッチング電源用トランスと
して使用した場合において損失を大幅に低減することが
できる低損失Ｍｎ −Ｚｎ系フェライトを提案すること
を目的とする。
ｃｍ３をさらに改善し、スイッチング電源用トランスと
して使用した場合において損失を大幅に低減することが
できる低損失Ｍｎ −Ｚｎ系フェライトを提案すること
を目的とする。
（課題を解決するための手段）
すなわちこの発明は、
ＦｅｚＯ：＋ ： ５２〜５４．５ ｍｏｌ％、Ｍｎ０
＝３３〜４０ｍｏｌ％および ＺｎＯ： ６〜１４ ｍｏｌ％ からなる基本成分中に ＳｉＯ２ ： ０．００５〜０．０４０ ｗｔ％、Ｃａ
Ｏ： ０．０２〜０．２０ ｗｔ％、酸化ニオブ： ０
．０１〜０．０８ ｗｔ％および酸化チタン： ０．０
５〜０．４０ ｗｔ％を含有させてなる低損失Ｍｎ −
Ｚｎ系フェライト（第１発明）である。
＝３３〜４０ｍｏｌ％および ＺｎＯ： ６〜１４ ｍｏｌ％ からなる基本成分中に ＳｉＯ２ ： ０．００５〜０．０４０ ｗｔ％、Ｃａ
Ｏ： ０．０２〜０．２０ ｗｔ％、酸化ニオブ： ０
．０１〜０．０８ ｗｔ％および酸化チタン： ０．０
５〜０．４０ ｗｔ％を含有させてなる低損失Ｍｎ −
Ｚｎ系フェライト（第１発明）である。
またこの発明は、
ＦｅｚＯｚ ： ５２〜５４．５ ｍｏｌ％、ＭｎＯ：
３３〜４０ ｍｏｌ％およびＺｎＯ：６〜１４ ｍｏ
ｌ％ からなる基本成分中に ＳｉＯ２ ： ０．００５〜０．０４０ ｗｔ％、Ｃａ
Ｏ： ０．０２〜０．２０ ｗｔ％、酸化ニオブ： ０
．０１〜０．０８ ｗｔ％オヨび酸化アンチモン： ０
．００５〜０．０８ ｗｔ％を含有させてなる低損失Ｍ
ｎ−Ｚｎ系フェライト（第２発明）である。
３３〜４０ ｍｏｌ％およびＺｎＯ：６〜１４ ｍｏ
ｌ％ からなる基本成分中に ＳｉＯ２ ： ０．００５〜０．０４０ ｗｔ％、Ｃａ
Ｏ： ０．０２〜０．２０ ｗｔ％、酸化ニオブ： ０
．０１〜０．０８ ｗｔ％オヨび酸化アンチモン： ０
．００５〜０．０８ ｗｔ％を含有させてなる低損失Ｍ
ｎ−Ｚｎ系フェライト（第２発明）である。
（作 用）
まずこの発明において、基本成分の割合を上記の範囲に
限定した理由について説明する。
限定した理由について説明する。
ＦｅｚＯ＋ ： ５２〜５４．５ ｍｏｌ％、ＭｎＯ：
３３〜４０ ｍｏｌ％およびＺｎＯ：６〜１４ ｍｏ
ｌ％ スイッチング電源用トランスの動作温度は、通常６０〜
７０°Ｃであり、従ってこの温度範囲で電力損失が低く
、かつ室温から動作温度を超える８０〜１２０℃程度の
温度域まで鉄損が負の温度依存性をもつことが望ましい
。この観点からＦｅｚＯ：＋＋ ＭｎＯおよびＺｎＯの
割合を検討した結果、上記の範囲が得られたのである。
３３〜４０ ｍｏｌ％およびＺｎＯ：６〜１４ ｍｏ
ｌ％ スイッチング電源用トランスの動作温度は、通常６０〜
７０°Ｃであり、従ってこの温度範囲で電力損失が低く
、かつ室温から動作温度を超える８０〜１２０℃程度の
温度域まで鉄損が負の温度依存性をもつことが望ましい
。この観点からＦｅｚＯ：＋＋ ＭｎＯおよびＺｎＯの
割合を検討した結果、上記の範囲が得られたのである。
そしてこの発明では、上記したような主要成分中に、５
ｉｎ２． ＣａＯおよび酸化ニオブと、さらに酸化チタ
ンおよび酸化アンチモンのいずれか一種とを含有させる
ところに特徴がある。この場合これらの成分の含有量は
次のとおりである。
ｉｎ２． ＣａＯおよび酸化ニオブと、さらに酸化チタ
ンおよび酸化アンチモンのいずれか一種とを含有させる
ところに特徴がある。この場合これらの成分の含有量は
次のとおりである。
ＳｉＯ□： ０．００５〜０．０４０ ｗｔ％５ｉｎ２
は、ＣａＯとの共存によって粒界の比抵抗を高め、渦電
流損の低減に有効に寄与するが、含有量が、０ 、００
５ｗ ｔ％に満たないとその添加効果に乏しく、一方０
．０４０ｗｔ％を超えると焼成時に異常粒成長が起こり
易く特性が不安定になるので、０．００５〜０．０４０
ｔｍｔ％の範囲に限定した。
は、ＣａＯとの共存によって粒界の比抵抗を高め、渦電
流損の低減に有効に寄与するが、含有量が、０ 、００
５ｗ ｔ％に満たないとその添加効果に乏しく、一方０
．０４０ｗｔ％を超えると焼成時に異常粒成長が起こり
易く特性が不安定になるので、０．００５〜０．０４０
ｔｍｔ％の範囲に限定した。
ＣａＯ： ０．０２〜０．２０ｗｔ％
ＣａＯは、ＳｉＯ２との共存下で効果的に粒界抵抗を高
め、もって低鉄損をもたらす有用成分であるが、含有量
が０．０２ｗｔ％に満たないと粒界抵抗の向上効果に乏
しく、一方０．２０ｗｔ％を超えると逆に損失が大きく
なるので、０．０２〜０．２０ｉｍｔ％の範囲で添加す
るものとした。
め、もって低鉄損をもたらす有用成分であるが、含有量
が０．０２ｗｔ％に満たないと粒界抵抗の向上効果に乏
しく、一方０．２０ｗｔ％を超えると逆に損失が大きく
なるので、０．０２〜０．２０ｉｍｔ％の範囲で添加す
るものとした。
酸化ニオブ： ０．０１〜０．０８ｗｔ％酸化ニオブ（
主にＮｂｚＯｓ ）は、高周波領域での損失の低減に有
効に寄与する。酸化ニオブの添加によって損失が改善さ
れる理由はまだ明確に解明されたわけではないが、Ｓｉ
ｎ、、ＣａＯとの複合含有によって形成される高抵抗の
粒界相を変質させ、比抵抗を増加させると共に、異質の
相が粒界に存在することによる磁気的な悪影響を緩和す
る働きがあるためと考えられる。しかしながら含有量が
０．０１ｗｔ％に満たないとその効果に乏しく、一方０
．０８ｗｔ％を超えて含有されると焼結時に異常粒成長
を起こし易くなるので、０．０１〜０ 、０８ｗ ｔ％
の範囲で添加するものとした。
主にＮｂｚＯｓ ）は、高周波領域での損失の低減に有
効に寄与する。酸化ニオブの添加によって損失が改善さ
れる理由はまだ明確に解明されたわけではないが、Ｓｉ
ｎ、、ＣａＯとの複合含有によって形成される高抵抗の
粒界相を変質させ、比抵抗を増加させると共に、異質の
相が粒界に存在することによる磁気的な悪影響を緩和す
る働きがあるためと考えられる。しかしながら含有量が
０．０１ｗｔ％に満たないとその効果に乏しく、一方０
．０８ｗｔ％を超えて含有されると焼結時に異常粒成長
を起こし易くなるので、０．０１〜０ 、０８ｗ ｔ％
の範囲で添加するものとした。
酸化チタン：Ｏ，ＯＳ〜０．４０ｗｔ％酸化チタン（主
にＴｉｅ２）は、フェライトコア焼成時の冷却過程での
粒界の再酸化を促進して、コアの比抵抗を高め、高周波
領域での損失を低減する効果があるが、０．０５ｗｔ％
に満たないとその効果が少なく、一方０．４０ｗｔ％を
超えると逆に損失の増加を招くので、０．０５〜０．４
０ｗｔ％の範囲で添加するものとした。
にＴｉｅ２）は、フェライトコア焼成時の冷却過程での
粒界の再酸化を促進して、コアの比抵抗を高め、高周波
領域での損失を低減する効果があるが、０．０５ｗｔ％
に満たないとその効果が少なく、一方０．４０ｗｔ％を
超えると逆に損失の増加を招くので、０．０５〜０．４
０ｗｔ％の範囲で添加するものとした。
酸化アンチモン： ０．００５〜０．０８ ｗｔ％酸化
アンチモン（主に５ｂｚ０３）を、５ｘＯｚ＋ ＣａＯ
およびＮｂ２Ｏ％と複合して含有させることによって、
−層の損失が改善される。その理由は、現時点ではまだ
明確に解明されてはいないが、粒界に偏析し、上述した
酸化ニオブと同様な効果を与えるものと考えられる。こ
の効果は、ＳｉＯ２およびＣａＯ１さらにはＮｂ２Ｏ５
との共存下で一層大きい。しかしながら含有量が０ 、
００５ｗ ｔ％に満たないとその添加効果に乏しく、一
方０．０８ｗｔ％を超えると逆に損失の増加を招（ので
、０．００５〜０．０８ｉｍｔ％の範囲で添加するもの
とした。
アンチモン（主に５ｂｚ０３）を、５ｘＯｚ＋ ＣａＯ
およびＮｂ２Ｏ％と複合して含有させることによって、
−層の損失が改善される。その理由は、現時点ではまだ
明確に解明されてはいないが、粒界に偏析し、上述した
酸化ニオブと同様な効果を与えるものと考えられる。こ
の効果は、ＳｉＯ２およびＣａＯ１さらにはＮｂ２Ｏ５
との共存下で一層大きい。しかしながら含有量が０ 、
００５ｗ ｔ％に満たないとその添加効果に乏しく、一
方０．０８ｗｔ％を超えると逆に損失の増加を招（ので
、０．００５〜０．０８ｉｍｔ％の範囲で添加するもの
とした。
以上述べたとおり、１００ｋＨｚに及ぶ高周波領域での
損失の低減には、比抵抗を高めることが非常に有効なわ
けであるが、この発明では、ＳｉＯ□、 ＣａＯの共存
下で酸化ニオブ、さらには酸化チタンまたは酸化アンチ
モンを添加し、粒界に均一に分散させることにより、上
記の目的を達成したものである。
損失の低減には、比抵抗を高めることが非常に有効なわ
けであるが、この発明では、ＳｉＯ□、 ＣａＯの共存
下で酸化ニオブ、さらには酸化チタンまたは酸化アンチ
モンを添加し、粒界に均一に分散させることにより、上
記の目的を達成したものである。
ここにこの発明に従うフェライトを製造するには、常法
に従って処理を施せば良い。
に従って処理を施せば良い。
すなわちフェライトの最終組成として、酸化鉄をＦｅ２
Ｏ３換算で５２〜５４．５ ｍｏｌ％、酸化マンガンを
ＭｎＯ換算で３３〜４０ｍｏｌ％、酸化亜鉛をＺｎＯ換
算で６〜１４ ｍｏｌ％の割合で含有するように混合し
、ついで微量成分としてＳｉＯ２を０．００５〜０．０
４０ ｗｔ％、ＣａＯを０．０：２〜０．２０ｗｔ％、
酸化ニオブ（Ｎｂ、Ｏ３換算）を０６０１〜０．０８ｗ
ｔ％と、さらには酸化チタン（ＴｉＯ□換算）：０．０
５〜０．４０ｗｔ％および酸化アンチモン（Ｓｂ２０．
換算） ：０．００５〜０．０８ｗｔ％のいずれか一
種とをそれぞれ含有するように添加したものを原料とす
る。ただし微量成分の添加時期は、後述する仮焼の後で
あっても差し支えない。
Ｏ３換算で５２〜５４．５ ｍｏｌ％、酸化マンガンを
ＭｎＯ換算で３３〜４０ｍｏｌ％、酸化亜鉛をＺｎＯ換
算で６〜１４ ｍｏｌ％の割合で含有するように混合し
、ついで微量成分としてＳｉＯ２を０．００５〜０．０
４０ ｗｔ％、ＣａＯを０．０：２〜０．２０ｗｔ％、
酸化ニオブ（Ｎｂ、Ｏ３換算）を０６０１〜０．０８ｗ
ｔ％と、さらには酸化チタン（ＴｉＯ□換算）：０．０
５〜０．４０ｗｔ％および酸化アンチモン（Ｓｂ２０．
換算） ：０．００５〜０．０８ｗｔ％のいずれか一
種とをそれぞれ含有するように添加したものを原料とす
る。ただし微量成分の添加時期は、後述する仮焼の後で
あっても差し支えない。
この原料粉を８００°Ｃ以上の温度で仮焼し、ついで微
粉砕後、１２５０″Ｃ以上の高温にて酸素濃度を制御し
た窒素ガス中で焼成する。
粉砕後、１２５０″Ｃ以上の高温にて酸素濃度を制御し
た窒素ガス中で焼成する。
なおＦｅｚＯ＝原料としては、ＦｅｚＯ＋だけでなく、
Ｆ ｅ Ｏ’ｐ Ｆ ｅ ３０ ａ、さらには焼成によ
りＦｅｚＯ３に変わることのできる化合物、例えば水酸
化鉄、しゅう酸化鉄などを使用することができる。また
ＭｎＯ原料としては、ＭｎＯのみならず、Ｍｎ０ｚ＋
ＭｎｚＯａさらには焼成によりＭｎＯに変わることので
きる化合物、例えば炭酸マンガン、しゅう酸マンガンな
どを使用することができる。さらにＺｎＯ原料としては
、Ｚｎのみに限らず、焼成によりＺｎＯに変わることの
できる化合物、例えば炭酸亜鉛、しゅう酸亜鉛などを使
用することができる。
Ｆ ｅ Ｏ’ｐ Ｆ ｅ ３０ ａ、さらには焼成によ
りＦｅｚＯ３に変わることのできる化合物、例えば水酸
化鉄、しゅう酸化鉄などを使用することができる。また
ＭｎＯ原料としては、ＭｎＯのみならず、Ｍｎ０ｚ＋
ＭｎｚＯａさらには焼成によりＭｎＯに変わることので
きる化合物、例えば炭酸マンガン、しゅう酸マンガンな
どを使用することができる。さらにＺｎＯ原料としては
、Ｚｎのみに限らず、焼成によりＺｎＯに変わることの
できる化合物、例えば炭酸亜鉛、しゅう酸亜鉛などを使
用することができる。
（実施例）
実施例１
最終！Ｊｌ戒としてＦｅｚＯ３： ５３．５ ｍｏｌ％
、ＭｎＯ： ３４．５ｍｏｌ％およびＺｎＯ： １２
ｍｏｌ％となる基本組成の原料を混合したのち、大気中
にて９００’Ｃ１３時間の仮焼を施した。この仮焼粉に
対し、表１に示す最終組成としての割合でＳｉＯ□、
ＣａＯ（ＣａＣＯ３として添加）Ｎｂ２０ＳおよびＴｉ
ｅ、を添加配合し、同時に湿式ボールミルで粉砕・混合
した。ついで粉砕粉にバインダーとしてＰＶＡを添加し
、造粒した後、外径３６ｍｍ、内径２４ｍｍ、高さ１２
ｍｍのリング状に底形したのち、酸素分圧を制御した窒
素雰囲気中で１３２０″Ｃ１３時間の焼成を行った。
、ＭｎＯ： ３４．５ｍｏｌ％およびＺｎＯ： １２
ｍｏｌ％となる基本組成の原料を混合したのち、大気中
にて９００’Ｃ１３時間の仮焼を施した。この仮焼粉に
対し、表１に示す最終組成としての割合でＳｉＯ□、
ＣａＯ（ＣａＣＯ３として添加）Ｎｂ２０ＳおよびＴｉ
ｅ、を添加配合し、同時に湿式ボールミルで粉砕・混合
した。ついで粉砕粉にバインダーとしてＰＶＡを添加し
、造粒した後、外径３６ｍｍ、内径２４ｍｍ、高さ１２
ｍｍのリング状に底形したのち、酸素分圧を制御した窒
素雰囲気中で１３２０″Ｃ１３時間の焼成を行った。
かくして得られた焼結コアの周波数： １００ ｋ）Ｉ
ｚ、最大磁束密度：ｏ、２’ｒ、温度８０°Ｃにおける
鉄損値を交流ＢＨ小ループレーサーにて測定した結果を
表１に併記する。
ｚ、最大磁束密度：ｏ、２’ｒ、温度８０°Ｃにおける
鉄損値を交流ＢＨ小ループレーサーにて測定した結果を
表１に併記する。
表
１
表１から明らかなように、この発明に従い、副成分とし
てＳｉＯ２、 Ｃａｂ、 Ｎｂ２ｏｓおよびＴｉ０ｚを
複合含有させたものはいずれも、３００ ｍＷ／ｃｍ″
を下回る低い電力損失が達成されている。
てＳｉＯ２、 Ｃａｂ、 Ｎｂ２ｏｓおよびＴｉ０ｚを
複合含有させたものはいずれも、３００ ｍＷ／ｃｍ″
を下回る低い電力損失が達成されている。
これに対し、この発明の適正範囲から外れたものはいず
れも、損失の改善効果は少なく、甚だしい場合には異常
粒成長によって損失特性は逆に劣化している。
れも、損失の改善効果は少なく、甚だしい場合には異常
粒成長によって損失特性は逆に劣化している。
また第１図に、適合例２と比較例８の電力損失の温度特
性について調べた結果を示したが、動作温度域全域にわ
たって、適合例の方が良好な損失特性を呈している。
性について調べた結果を示したが、動作温度域全域にわ
たって、適合例の方が良好な損失特性を呈している。
実施例２
最終組成としてＦｅｚＯ１： ５２．７ ｍｏｌ％、Ｍ
ｎＯ： ３４．６ｍｏｌ％およびＺｎＯ： １２．７
ｍｏｌ％となる基本Ｕ或の原料を混合したのち、大気中
にて９００°Ｃ１３時間の仮焼を施した。この仮焼粉に
対し、表２に示す最終組成としての割合で５ｉ（ｈ、
ＣａＯ（ＣａＣＯ＊を使用）。
ｎＯ： ３４．６ｍｏｌ％およびＺｎＯ： １２．７
ｍｏｌ％となる基本Ｕ或の原料を混合したのち、大気中
にて９００°Ｃ１３時間の仮焼を施した。この仮焼粉に
対し、表２に示す最終組成としての割合で５ｉ（ｈ、
ＣａＯ（ＣａＣＯ＊を使用）。
Ｎｂ２Ｏ５およびｓｂ、ｏ、を添加配合し、同時に湿式
ボールミルで粉砕・混合した。ついで粉砕粉にバインダ
ーとしてＰＶＡを添加し、造粒した後、外径３６閣、内
径２４［ＩＩＩＩ＋、高さ１２ｍｍのリング状に成形し
たのち、酸素濃度を制御した窒素雰囲気中で１３２０°
Ｃ１３時間の坑底を行った。
ボールミルで粉砕・混合した。ついで粉砕粉にバインダ
ーとしてＰＶＡを添加し、造粒した後、外径３６閣、内
径２４［ＩＩＩＩ＋、高さ１２ｍｍのリング状に成形し
たのち、酸素濃度を制御した窒素雰囲気中で１３２０°
Ｃ１３時間の坑底を行った。
かくして得られた焼結コアの周波数： １００ ｋＨｚ
、最大磁束密度： ２００＋＊Ｔ 、温度８０’Ｃにお
ける鉄損値を交流ＢＨ小ループレーサーにて測定した結
果を表２に併記する。
、最大磁束密度： ２００＋＊Ｔ 、温度８０’Ｃにお
ける鉄損値を交流ＢＨ小ループレーサーにて測定した結
果を表２に併記する。
表
（発明の効果）
かくしてこの発明によれば、スイッチング電源周波数が
１００ ｋＨｚ程度の高周波電源用トランスのコアとし
て、従来の材料と比較して高磁場下での損失が格段に小
さいＭｎ−Ｚｎ系ソフトフェライトを得ることができる
。
１００ ｋＨｚ程度の高周波電源用トランスのコアとし
て、従来の材料と比較して高磁場下での損失が格段に小
さいＭｎ−Ｚｎ系ソフトフェライトを得ることができる
。
第１図は、この発明に従い得られたＭｎ −Ｚｎ系フェ
ライトと従来材における電力損失の温度依存性を比較し
て示したグラフである。 第１ 湯！！（’Ｃ）
ライトと従来材における電力損失の温度依存性を比較し
て示したグラフである。 第１ 湯！！（’Ｃ）
Claims (2)
- １．Ｆｅ＿２Ｏ＿３：５２〜５４．５ｍｏｌ％、ＭｎＯ
：３３〜４０ｍｏｌ％および ＺｎＯ：６〜１４ｍｏｌ％ からなる基本成分中に ＳｉＯ＿２：０．００５〜０．０４０ｗｔ％、ＣａＯ：
０．０２〜０．２０ｗｔ％、 酸化ニオブ：０．０１〜０．０８ｗｔ％および酸化チタ
ン：０．０５〜０．４０ｗｔ％ を含有させてなる低損失Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト。 - ２．ＦｅＯ＿２：５２〜５４．５ｍｏｌ％、ＭｎＯ：３
３〜４０ｍｏｌ％および ＺｎＯ：６〜１４ｍｏｌ％ からなる基本成分中に ＳｉＯ＿２：０．００５〜０．０４０ｗｔ％、ＣａＯ：
０．０２〜０．２０ｗｔ％、 酸化ニオブ：０．０１〜０．０８ｗｔ％および酸化アン
チモン：０．００５〜０．０８ｗｔ％を含有させてなる
低損失Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2050828A JPH0744098B2 (ja) | 1990-03-03 | 1990-03-03 | 低損失Ｍｎ―Ｚｎ系フェライト |
| US07/662,425 US5143638A (en) | 1990-03-03 | 1991-02-28 | Low power loss mn-zn ferrites |
| DE91301637T DE69100763T2 (de) | 1990-03-03 | 1991-02-28 | Mn-Zn-Ferrite geringer Verlustleistung. |
| EP91301637A EP0445965B1 (en) | 1990-03-03 | 1991-02-28 | Low power loss Mn-Zn ferrites |
| US08/140,362 US5368763A (en) | 1990-03-03 | 1993-10-20 | Low power loss Mn-Zn ferrites |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2050828A JPH0744098B2 (ja) | 1990-03-03 | 1990-03-03 | 低損失Ｍｎ―Ｚｎ系フェライト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03254103A true JPH03254103A (ja) | 1991-11-13 |
| JPH0744098B2 JPH0744098B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=12869629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2050828A Expired - Fee Related JPH0744098B2 (ja) | 1990-03-03 | 1990-03-03 | 低損失Ｍｎ―Ｚｎ系フェライト |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5143638A (ja) |
| EP (1) | EP0445965B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0744098B2 (ja) |
| DE (1) | DE69100763T2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0577244A2 (en) * | 1992-04-03 | 1994-01-05 | General Electric Company | A device for inspecting a component |
| US6627103B2 (en) | 2000-03-31 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Mn-Zn ferrite production process, Mn-Zn ferrite, and ferrite core for power supplies |
| JP2016141602A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | Fdk株式会社 | ＮｉＭｎＺｎ系フェライト |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0716053B1 (en) * | 1992-01-14 | 1999-03-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | An oxide magnetic material |
| DE4304843A1 (de) * | 1993-02-17 | 1994-08-18 | Siemens Matsushita Components | Mangan/Zink-Ferrit |
| EP0707323B1 (en) * | 1994-04-27 | 2001-10-10 | TDK Corporation | Ferrite and ferrite core for switching power source |
| US6858155B1 (en) | 2001-12-12 | 2005-02-22 | Spang & Company | Ferrite materials, methods of preparing the same, and products formed therefrom |
| US20070267594A1 (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Fanton Mark A | Ferrite materials, methods of preparing the same, and products formed therefrom |
| CN107082634A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-08-22 | 泰州茂翔电子器材有限公司 | 一种高频低损耗高导磁率的mp52软磁材料 |
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| JPH03248404A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Hitachi Ferrite Ltd | 低損失フェライト |
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| FR1358126A (fr) * | 1962-06-25 | 1964-04-10 | Siemens Ag | Mangano-zinco-ferrite ferromagnétique à perméabilité maximale élevée et procédé pour sa préparation |
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| JPS6199908A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-19 | Alps Electric Co Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS6241797A (ja) * | 1985-08-15 | 1987-02-23 | Ngk Insulators Ltd | 単結晶フェライト体の製造法 |
| JPH01242494A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Ngk Insulators Ltd | 単結晶フェライトの製造法 |
-
1990
- 1990-03-03 JP JP2050828A patent/JPH0744098B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-02-28 US US07/662,425 patent/US5143638A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-28 DE DE91301637T patent/DE69100763T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-28 EP EP91301637A patent/EP0445965B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-10-20 US US08/140,362 patent/US5368763A/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2016141602A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | Fdk株式会社 | ＮｉＭｎＺｎ系フェライト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69100763D1 (de) | 1994-01-27 |
| EP0445965A1 (en) | 1991-09-11 |
| DE69100763T2 (de) | 1994-04-07 |
| US5368763A (en) | 1994-11-29 |
| EP0445965B1 (en) | 1993-12-15 |
| JPH0744098B2 (ja) | 1995-05-15 |
| US5143638A (en) | 1992-09-01 |
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