JPH03247562A - Ｐｌｚｔ透明セラミックスの製造法 - Google Patents
Ｐｌｚｔ透明セラミックスの製造法Info
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- JPH03247562A JPH03247562A JP2042630A JP4263090A JPH03247562A JP H03247562 A JPH03247562 A JP H03247562A JP 2042630 A JP2042630 A JP 2042630A JP 4263090 A JP4263090 A JP 4263090A JP H03247562 A JPH03247562 A JP H03247562A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は一般式
％式％
（式中、Ｘは０．０１〜０．３であり、ｙは０．０５〜
０．９５である） で表わされる組成を有するＰＬＺＴ透明セラミックスの
製造法に関する。
０．９５である） で表わされる組成を有するＰＬＺＴ透明セラミックスの
製造法に関する。
ＰＬＺＴセラミックスは、光シヤツター、画像蓄積装置
、光変調素子などのオプトエレクトロニクス材料や、電
歪材料、圧電材料等としての広範囲の応用が期待されて
いる。
、光変調素子などのオプトエレクトロニクス材料や、電
歪材料、圧電材料等としての広範囲の応用が期待されて
いる。
［従来の技術］
従来、ＰＬＺＴ透明セラミックスの製造法としては、乾
式法、共沈法、アルコキシド法でＰＬＺＴの原料仮焼粉
末を製造し、この粉末を所定形状に成形した後、ホット
プレスする方法あるいは酸素ガス雰囲気下で常圧焼成す
る方法が知られている。
式法、共沈法、アルコキシド法でＰＬＺＴの原料仮焼粉
末を製造し、この粉末を所定形状に成形した後、ホット
プレスする方法あるいは酸素ガス雰囲気下で常圧焼成す
る方法が知られている。
乾式法は、Ｐｂ、 Ｌａ、 Ｚｒ及びＴｉの構成原料の
化合物（酸化物）を混合し、これを仮焼する方法である
。この仮焼粉末を所定形状に成形し、ホットプレスと呼
ばれる加圧焼成を行うことにより、優れた機能を有する
ＰＬＺＴセラミックスを得ることができる（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ ＣｅｒａｍｉｃＳｏｃ
ｉｅｔｙ、 Ｖｏｌ、５４． Ｎｏ、１． ｐ １（１
９７１）に記載されている）。しかし、ホットプレス法
はダイスの大きさに制限があるため、任意の形状の成形
品が得られないこと、また量産化が困難であること等の
欠点がある。このため酸素雰囲気下での常圧焼成の可能
なＰＬＺＴ仮焼粉末の製造が望まれていた。
化合物（酸化物）を混合し、これを仮焼する方法である
。この仮焼粉末を所定形状に成形し、ホットプレスと呼
ばれる加圧焼成を行うことにより、優れた機能を有する
ＰＬＺＴセラミックスを得ることができる（Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ ＣｅｒａｍｉｃＳｏｃ
ｉｅｔｙ、 Ｖｏｌ、５４． Ｎｏ、１． ｐ １（１
９７１）に記載されている）。しかし、ホットプレス法
はダイスの大きさに制限があるため、任意の形状の成形
品が得られないこと、また量産化が困難であること等の
欠点がある。このため酸素雰囲気下での常圧焼成の可能
なＰＬＺＴ仮焼粉末の製造が望まれていた。
上記問題点を解決するために、共沈法、アルコキシド法
等の湿式法が開発されてきた。例えば、特開昭６２−１
５８１１７号公報には、Ｐｂ％Ｌａ、Ｚｒ及びＴｉの各
成分溶液を沈殿形成液と接触させて沈殿させ、生成した
上記四成分含有の沈殿物を仮焼して易焼結性のＰＬＺＴ
仮焼粉末を製造する方法が開示されている。このＰＬＺ
Ｔ仮焼粉末を常圧で雰囲気焼成することによりホットプ
レスと同程度の高い光透過率を有するＰＬＺＴセラミッ
クスが得られる。しかし、この方法は工程が複雑で、ま
た原料コストも高いという問題があった。
等の湿式法が開発されてきた。例えば、特開昭６２−１
５８１１７号公報には、Ｐｂ％Ｌａ、Ｚｒ及びＴｉの各
成分溶液を沈殿形成液と接触させて沈殿させ、生成した
上記四成分含有の沈殿物を仮焼して易焼結性のＰＬＺＴ
仮焼粉末を製造する方法が開示されている。このＰＬＺ
Ｔ仮焼粉末を常圧で雰囲気焼成することによりホットプ
レスと同程度の高い光透過率を有するＰＬＺＴセラミッ
クスが得られる。しかし、この方法は工程が複雑で、ま
た原料コストも高いという問題があった。
したがって、原料が安価で製造の容易な乾式法でＰＬＺ
Ｔ仮焼粉末を製造し、この粉末を所定形状に成形し、常
圧で雰囲気焼成する技術が切望されていた。
Ｔ仮焼粉末を製造し、この粉末を所定形状に成形し、常
圧で雰囲気焼成する技術が切望されていた。
特開昭６４−７９０６８号公報に開示された技術は、有
蓋のアルミナ製反応容器中にｐｂ雰四囲気粉所定量装入
し、該雰囲気粉上にＭｇＯ板を設置し、該ＭｇＯ板上に
ＰＬＺＴ粉末の生形体を置き、酸素ガス中で常圧焼成す
るものである。この方法を採用することにより、乾式法
で製造したＰＬＺＴ仮焼粉末を使用して比較的高い光透
過率を有するＰＬＺＴセラミックスを得ている。しかし
、乾式法によるＰＬＺＴ粉末は、湿式法に比較して、粒
子径が大きく、焼結性が不十分であるため、再現性など
の問題点があり、また光透過率も十分に高いものではな
かった。
蓋のアルミナ製反応容器中にｐｂ雰四囲気粉所定量装入
し、該雰囲気粉上にＭｇＯ板を設置し、該ＭｇＯ板上に
ＰＬＺＴ粉末の生形体を置き、酸素ガス中で常圧焼成す
るものである。この方法を採用することにより、乾式法
で製造したＰＬＺＴ仮焼粉末を使用して比較的高い光透
過率を有するＰＬＺＴセラミックスを得ている。しかし
、乾式法によるＰＬＺＴ粉末は、湿式法に比較して、粒
子径が大きく、焼結性が不十分であるため、再現性など
の問題点があり、また光透過率も十分に高いものではな
かった。
［発明が解決しようとする課題］
本発明は、乾式法により易焼結性のＰＬＺＴの仮焼粉末
を製造し、この仮焼粉末を所定形状に形成し、常温焼成
することにより高い透過率を有するＰＬＺＴ透明セラミ
ックスを再現性よく製造できる方法を提供することを目
的とするものである。
を製造し、この仮焼粉末を所定形状に形成し、常温焼成
することにより高い透過率を有するＰＬＺＴ透明セラミ
ックスを再現性よく製造できる方法を提供することを目
的とするものである。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは、前記目的を達成すべ（鋭意研究の結果、
焼結助剤としてＳｍａＯｓ又はＢｉａｓｓを仮焼粉末に
添加して易焼結性のＰＬＺＴの仮焼粉末とすることが有
効であることを見出した。
焼結助剤としてＳｍａＯｓ又はＢｉａｓｓを仮焼粉末に
添加して易焼結性のＰＬＺＴの仮焼粉末とすることが有
効であることを見出した。
本発明は一般式
％式％
（式中、Ｘは０．０１〜０．３であり、ｙは０．０５〜
０．９５である） で表わされる組成を有するＰＬＺＴ透明セラミックスの
製造法において、Ｐｂ、 Ｌａ、 Ｚｒ、 Ｔｉの各々
の酸化物又は仮焼により該酸化物に変換できる化合物を
出発原料として用いてＰＬＺＴの仮焼粉末を製造し、該
仮焼粉末に焼結助剤としてＳｍｚ０３又はＢｉＪｉを混
合し、該混合物を所定形状に成形した後、該成形物を酸
素ガスと鉛蒸気とからなる雰囲気中で１０００〜１３０
０℃で常圧焼結することを特徴とする。
０．９５である） で表わされる組成を有するＰＬＺＴ透明セラミックスの
製造法において、Ｐｂ、 Ｌａ、 Ｚｒ、 Ｔｉの各々
の酸化物又は仮焼により該酸化物に変換できる化合物を
出発原料として用いてＰＬＺＴの仮焼粉末を製造し、該
仮焼粉末に焼結助剤としてＳｍｚ０３又はＢｉＪｉを混
合し、該混合物を所定形状に成形した後、該成形物を酸
素ガスと鉛蒸気とからなる雰囲気中で１０００〜１３０
０℃で常圧焼結することを特徴とする。
上記の一般式において、Ｘ及びｙは用途に応じて種々の
値をとり得るが、オプトエレクトロニクス材料、圧電材
料等に使用される場合には、好適にはＸは０．０１〜０
．３であり、ｙは０．０５〜０．９５である。
値をとり得るが、オプトエレクトロニクス材料、圧電材
料等に使用される場合には、好適にはＸは０．０１〜０
．３であり、ｙは０．０５〜０．９５である。
本発明の製造法において、仮焼によりＰｂ、 Ｌａ、Ｚ
ｒ、 Ｔｉの各々の酸化物に変換できる化合物、例えば
炭酸塩、水酸化物、酢酸塩を出発原料として用いる場合
には、仮焼工程においてこれらの化合物が酸化物に変換
される。
ｒ、 Ｔｉの各々の酸化物に変換できる化合物、例えば
炭酸塩、水酸化物、酢酸塩を出発原料として用いる場合
には、仮焼工程においてこれらの化合物が酸化物に変換
される。
本発明のＰＬＺＴ透明セラミックスの製造法は、例えば
下記のような方法で実施することができる。出発原料で
ある所定量の酸化鉛、酸化ランタン、酸化ジルコニウム
及び酸化チタンを水、アルコール等の溶媒と共にボール
ミル混合する。次いで水、アルコール等を除去し、粉砕
し、酸素含有ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）中で８０
０〜１０００℃で約２時間程度仮焼する。この仮焼粉末
に対して、仮焼粉末のモル量基準で０．００１〜５モル
％の酸化サマリウムあるいは酸化ビスマスを添加し、水
、アルコール等の溶媒と共にボールミル混合を行う。次
いで、溶媒を除去し、粉砕して易焼結性のＰＬＺＴの仮
焼粉末を得る。この仮焼粉末をポリビニルアルコールの
如き有機バインダーと共に混合して均質にし、乾燥し、
粉砕し、次いで加圧成形（圧力１００〜３０００ｋｇ／
ｃｍ”）する。その成形物を酸素ガスと鉛蒸気とからな
る雰囲気中で１０００〜１３００℃で５〜５０時間常圧
焼結して高い光透過率を有するＰＬＺＴ透明セラミック
スを得る。
下記のような方法で実施することができる。出発原料で
ある所定量の酸化鉛、酸化ランタン、酸化ジルコニウム
及び酸化チタンを水、アルコール等の溶媒と共にボール
ミル混合する。次いで水、アルコール等を除去し、粉砕
し、酸素含有ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）中で８０
０〜１０００℃で約２時間程度仮焼する。この仮焼粉末
に対して、仮焼粉末のモル量基準で０．００１〜５モル
％の酸化サマリウムあるいは酸化ビスマスを添加し、水
、アルコール等の溶媒と共にボールミル混合を行う。次
いで、溶媒を除去し、粉砕して易焼結性のＰＬＺＴの仮
焼粉末を得る。この仮焼粉末をポリビニルアルコールの
如き有機バインダーと共に混合して均質にし、乾燥し、
粉砕し、次いで加圧成形（圧力１００〜３０００ｋｇ／
ｃｍ”）する。その成形物を酸素ガスと鉛蒸気とからな
る雰囲気中で１０００〜１３００℃で５〜５０時間常圧
焼結して高い光透過率を有するＰＬＺＴ透明セラミック
スを得る。
［実施例］
以下に実施例により本発明を更に詳しく説明する。
実施例１
酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ランタン（Ｌａｉｅｓ）、酸化
ジルコニウム（ＺｒＯ□）及び酸化チタン（ＴｉＯ□）
の各粉末を式（Ｐｂａ、 ｅ ＋Ｌａｏ、 ｏｓ） （
Ｚｒｏ、 ａｓＴｉｏ’、 ５ｓ）ａ、 １ｙｙｓｏｓ
の組成となるような量で配合し、エタノールと共にボー
ルミル混合を行った。次いでエタノールを除去し、粉砕
し、空気雰囲気中で９００℃で２時間仮焼した。この仮
焼粉末に対して、仮焼粉末のモル量基準で０．５モル％
の酸化サマリウム（Ｓｍ２ｍａ）を添加し、エタノール
とともにボールミル混合を行った。次いでエタノールを
除去し、粉砕して易焼結性のＰＬＺＴの仮焼粉末を得た
。この仮焼粉末にポリビニルアルコールをｏ、 ８ｗｔ
％加え、Ｉｔ／ｃｍ”の圧力下で直径２０ｍｍφ、厚さ
２ｍｍに成形し、酸素ガスと鉛蒸気とからなる混合雰囲
気中、常圧、１２００℃で２５時間焼成した。得られた
焼結体の光透過率と波長との関係は、厚さ４００μｍの
場合に第１図中の線Ａに示す通りであり、波長６３０ｎ
ｍでは光透過率は６５％であった。
ジルコニウム（ＺｒＯ□）及び酸化チタン（ＴｉＯ□）
の各粉末を式（Ｐｂａ、 ｅ ＋Ｌａｏ、 ｏｓ） （
Ｚｒｏ、 ａｓＴｉｏ’、 ５ｓ）ａ、 １ｙｙｓｏｓ
の組成となるような量で配合し、エタノールと共にボー
ルミル混合を行った。次いでエタノールを除去し、粉砕
し、空気雰囲気中で９００℃で２時間仮焼した。この仮
焼粉末に対して、仮焼粉末のモル量基準で０．５モル％
の酸化サマリウム（Ｓｍ２ｍａ）を添加し、エタノール
とともにボールミル混合を行った。次いでエタノールを
除去し、粉砕して易焼結性のＰＬＺＴの仮焼粉末を得た
。この仮焼粉末にポリビニルアルコールをｏ、 ８ｗｔ
％加え、Ｉｔ／ｃｍ”の圧力下で直径２０ｍｍφ、厚さ
２ｍｍに成形し、酸素ガスと鉛蒸気とからなる混合雰囲
気中、常圧、１２００℃で２５時間焼成した。得られた
焼結体の光透過率と波長との関係は、厚さ４００μｍの
場合に第１図中の線Ａに示す通りであり、波長６３０ｎ
ｍでは光透過率は６５％であった。
実施例２
酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ランタン（Ｌａ、０□）、酸化
ジルコニウム（ＺｒＬ）及び酸化チタン（ＴｉＯａ）の
各粉末を式（Ｐｂｏ、 ｓ＋Ｌａｏ、 ａｓ） （Ｚｒ
ｏ、 ａｓＴｉａ、 ｓｓ）。９７？ＳＯ３の組成とな
るような量で配合し、エタノールと共にボールミル混合
を行った。次いでエタノールを除去し、粉砕し、空気雰
囲気中で９００℃で２時間仮焼した。この仮焼粉末に対
して、仮焼粉末のモル量基準で０．５モル％の酸化ビス
マス（Ｂ１２０３）を添加し、エタノールとともにボー
ルミル混合を行った。次いでエタノールを除去し、粉砕
して易焼結性のＰＬＺＴの仮焼粉末を得た。この仮焼粉
末にポリビニルアルコールを０．８ｗｔ％加え、Ｉｔ／
Ｃｍ２の圧力下で直径２０ｍｍφ、厚さ２ｍｍに成形し
、酸素ガスと鉛蒸気とからなる混合雰囲気中、常圧、１
２００℃で２５時間焼成した。得られた焼結体の光透過
率と波長の関係は、厚さ４００μｍの場合に第１図中の
線Ａに示す通りであり、波長６３０ｎｍで光透過率は６
４％であった。
ジルコニウム（ＺｒＬ）及び酸化チタン（ＴｉＯａ）の
各粉末を式（Ｐｂｏ、 ｓ＋Ｌａｏ、 ａｓ） （Ｚｒ
ｏ、 ａｓＴｉａ、 ｓｓ）。９７？ＳＯ３の組成とな
るような量で配合し、エタノールと共にボールミル混合
を行った。次いでエタノールを除去し、粉砕し、空気雰
囲気中で９００℃で２時間仮焼した。この仮焼粉末に対
して、仮焼粉末のモル量基準で０．５モル％の酸化ビス
マス（Ｂ１２０３）を添加し、エタノールとともにボー
ルミル混合を行った。次いでエタノールを除去し、粉砕
して易焼結性のＰＬＺＴの仮焼粉末を得た。この仮焼粉
末にポリビニルアルコールを０．８ｗｔ％加え、Ｉｔ／
Ｃｍ２の圧力下で直径２０ｍｍφ、厚さ２ｍｍに成形し
、酸素ガスと鉛蒸気とからなる混合雰囲気中、常圧、１
２００℃で２５時間焼成した。得られた焼結体の光透過
率と波長の関係は、厚さ４００μｍの場合に第１図中の
線Ａに示す通りであり、波長６３０ｎｍで光透過率は６
４％であった。
比較例１
酸化サマリウムを添加しなかった以外は実施例１と同様
な操作を行った。すなわち、 ｐｂｏ、Ｌａ、０．。
な操作を行った。すなわち、 ｐｂｏ、Ｌａ、０．。
ＺｒＯヨ及びＴｉＯ□の各粉末を式
％式％
の組成となるような量で配合し、エタノールと共にボー
ルミル混合を行った。次いでエタノールを除去し、粉砕
し、空気雰囲気中で９００℃で２時間仮焼した。この仮
焼粉末を粉砕してＰＬＺＴの仮焼粉末を得た。この仮焼
粉末にポリビニルアルコールを０．８ｗｔ％加え、ｉｔ
／ｃｍ”の圧力下で直径２０ｍｍψ、厚さ２ｍｍに成形
し、酸素ガスと鉛蒸気とからなる混合雰囲気中、常圧、
１２００℃で２５時間焼成した。得られた焼結体の光透
過率と波長との関係は、厚さ４００ ｕｍの場合に第１
図中の線Ｂに示す通りであり、波長６３０ｎｍでは光透
過率は５８％と低かった。
ルミル混合を行った。次いでエタノールを除去し、粉砕
し、空気雰囲気中で９００℃で２時間仮焼した。この仮
焼粉末を粉砕してＰＬＺＴの仮焼粉末を得た。この仮焼
粉末にポリビニルアルコールを０．８ｗｔ％加え、ｉｔ
／ｃｍ”の圧力下で直径２０ｍｍψ、厚さ２ｍｍに成形
し、酸素ガスと鉛蒸気とからなる混合雰囲気中、常圧、
１２００℃で２５時間焼成した。得られた焼結体の光透
過率と波長との関係は、厚さ４００ ｕｍの場合に第１
図中の線Ｂに示す通りであり、波長６３０ｎｍでは光透
過率は５８％と低かった。
［発明の効果］
本発明では、製造が容易で原料が安価な乾式法により易
焼結性のＰＬＺＴの仮焼粉末が製造でき、この仮焼粉末
を成形し、常圧焼成することにより高い光透過率を有す
るＰＬＺＴ透明セラミックスを再現性よく得ることがで
きる。
焼結性のＰＬＺＴの仮焼粉末が製造でき、この仮焼粉末
を成形し、常圧焼成することにより高い光透過率を有す
るＰＬＺＴ透明セラミックスを再現性よく得ることがで
きる。
第１図は、本発明による焼結体及び従来技術の焼結体の
光透過率と波長との関係を示すグラフである。 手 続 ネ甫 正 １Ｌ 平成 ３年 ２月２０日
光透過率と波長との関係を示すグラフである。 手 続 ネ甫 正 １Ｌ 平成 ３年 ２月２０日
Claims (2)
- １．一般式 （Ｐｂ＿１＿−＿ｘＬａ＿ｘ）（Ｚｒ＿１＿−＿ｙＴｉ
＿ｙ）＿１＿−＿０＿．＿２＿５＿ｘＯ＿３（式中、ｘ
は０．０１〜０．３であり、ｙは０．０５〜０．９５で
ある） で表わされる組成を有するＰＬＺＴ透明セラミックスの
製造法において、Ｐｂ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｔｉの各々の酸化
物又は仮焼により該酸化物に変換できる化合物を出発原
料として用いてＰＬＺＴの仮焼粉末を製造し、該仮焼粉
末に焼結助剤としてＳｍ＿２Ｏ＿３又はＢｉ＿２Ｏ＿３
を混合し、該混合物を所定形状に成形した後、該成形物
を酸素ガスと鉛蒸気とからなる雰囲気中で１０００〜１
３００℃で常圧焼結することを特徴とするＰＬＺＴ透明
セラミックスの製造法。 - ２．前記Ｓｍ＿２Ｏ＿３又はＢｉ＿２Ｏ＿３の混合量が
前記仮焼粉末のモル量基準で０．００１〜５モル％であ
る請求項１記載の、ＰＬＺＴ透明セラミックスの製造法
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042630A JPH0818874B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | Ｐｌｚｔ透明セラミックスの製造法 |
| DE4105992A DE4105992A1 (de) | 1990-02-26 | 1991-02-26 | Durchsichtige plzt-keramik und verfahren zu ihrer herstellung |
| US07/660,832 US5139689A (en) | 1990-02-26 | 1991-02-26 | Method for preparing plzt transparent ceramic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2042630A JPH0818874B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | Ｐｌｚｔ透明セラミックスの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03247562A true JPH03247562A (ja) | 1991-11-05 |
| JPH0818874B2 JPH0818874B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=12641339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2042630A Expired - Lifetime JPH0818874B2 (ja) | 1990-02-26 | 1990-02-26 | Ｐｌｚｔ透明セラミックスの製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5139689A (ja) |
| JP (1) | JPH0818874B2 (ja) |
| DE (1) | DE4105992A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US5519278A (en) * | 1994-12-23 | 1996-05-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Actuators with graded activity |
| US5545184A (en) * | 1995-04-19 | 1996-08-13 | The Penn State Research Foundation | Cardiac defibrillator with high energy storage antiferroelectric capacitor |
| US6277254B1 (en) | 1999-12-16 | 2001-08-21 | Honeywell International Inc. | Ceramic compositions, physical vapor deposition targets and methods of forming ceramic compositions |
| CN108455985B (zh) * | 2018-03-21 | 2021-05-18 | 陕西学前师范学院 | 一种随温度改变颜色的陶瓷材料及其制备方法 |
| CN113512261A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-10-19 | 苏州攀特电陶科技股份有限公司 | 一种用于触摸反馈的高灵敏压电复合材料及其制备方法 |
| CN113979747A (zh) * | 2021-11-18 | 2022-01-28 | 厦门乃尔电子有限公司 | 一种外加锑酸铋的改性锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法 |
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| JPS60176969A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | 日本鉱業株式会社 | Ｐｌζｔの製造方法 |
| JPS6287460A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | 住友精化株式会社 | Ｐｌｚｔ透光性セラミツクスの製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| US3816750A (en) * | 1971-06-04 | 1974-06-11 | Honeywell Inc | Pyroelectric detector |
| US3917780A (en) * | 1973-08-09 | 1975-11-04 | Us Air Force | Preparation of lead lanthanum zirconate titanate bodies |
| US4219866A (en) * | 1979-01-12 | 1980-08-26 | Sprague Electric Company | Ceramic capacitor having a dielectric of (Pb,La) (Zr,Ti)O3 and BaTiO3 |
| US4990324A (en) * | 1986-12-17 | 1991-02-05 | Nippondenso Co., Ltd. | Method for producing two-component or three-component lead zirconate-titanate |
-
1990
- 1990-02-26 JP JP2042630A patent/JPH0818874B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-02-26 DE DE4105992A patent/DE4105992A1/de not_active Withdrawn
- 1991-02-26 US US07/660,832 patent/US5139689A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176969A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-11 | 日本鉱業株式会社 | Ｐｌζｔの製造方法 |
| JPS6287460A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | 住友精化株式会社 | Ｐｌｚｔ透光性セラミツクスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5139689A (en) | 1992-08-18 |
| DE4105992A1 (de) | 1991-08-29 |
| JPH0818874B2 (ja) | 1996-02-28 |
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