JPH03245101A - 反射鏡 - Google Patents
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- JPH03245101A JPH03245101A JP2043432A JP4343290A JPH03245101A JP H03245101 A JPH03245101 A JP H03245101A JP 2043432 A JP2043432 A JP 2043432A JP 4343290 A JP4343290 A JP 4343290A JP H03245101 A JPH03245101 A JP H03245101A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、照明器具の反射鏡に関する。
従来、屋外スポーツ照明、工場照明、道路照明、広場照
明等に用いられるHID光源を持つ照明器具の反射鏡に
は、一般に、高い鏡面性(反射率)を有すること、ラン
プの輻射熱による高温に耐え得ること、ならびに、湿気
、腐食性ガスなどに対する耐性が高いこと等が求められ
ている。このような要求を満足させ、さらに反射率を上
げるために、金属基材の表面に下地層として耐熱樹脂を
焼き付けて表面を平滑にし、その上にAI、Ag等の光
輝性金属膜およびSiOオ、Altoz等の酸化物保護
被膜を順次蒸着形成した反射鏡が開発された。
明等に用いられるHID光源を持つ照明器具の反射鏡に
は、一般に、高い鏡面性(反射率)を有すること、ラン
プの輻射熱による高温に耐え得ること、ならびに、湿気
、腐食性ガスなどに対する耐性が高いこと等が求められ
ている。このような要求を満足させ、さらに反射率を上
げるために、金属基材の表面に下地層として耐熱樹脂を
焼き付けて表面を平滑にし、その上にAI、Ag等の光
輝性金属膜およびSiOオ、Altoz等の酸化物保護
被膜を順次蒸着形成した反射鏡が開発された。
ところが、近年、照明器具のランプの出力が増加するに
つれて、300℃以上のより高い耐熱性を有する反射鏡
がますます要求されるようになってきた。高耐熱性を有
する反射鏡としては、これまで、たとえば、下記(1+
、(2)、〈3)に列記する反射鏡がある。
つれて、300℃以上のより高い耐熱性を有する反射鏡
がますます要求されるようになってきた。高耐熱性を有
する反射鏡としては、これまで、たとえば、下記(1+
、(2)、〈3)に列記する反射鏡がある。
<11 特開昭55−65902号公報等記載の一連
の発明にみるように、金属基材の表面に下地層として高
耐熱性の高γり−ルシリコン樹脂系塗料を塗装、焼き付
けた反射鏡。
の発明にみるように、金属基材の表面に下地層として高
耐熱性の高γり−ルシリコン樹脂系塗料を塗装、焼き付
けた反射鏡。
(2)特開昭59−98842号公報等に記載のように
、下地塗料が熱硬化型アクリル系である反射鏡。
、下地塗料が熱硬化型アクリル系である反射鏡。
(3)特願昭63−314785号等に記載のように、
下地塗料がシリコンアルコキシド系コーテイング材であ
る反射鏡。
下地塗料がシリコンアルコキシド系コーテイング材であ
る反射鏡。
以上の例示において、(1)の反射鏡は、下地層に用い
る耐熱性樹脂の焼き付は温度が高く、基材が熱変形を起
こしやすい、また、焼き付は工程も複雑なため、コスト
的に不利である。一方、(2)の反射鏡における下地塗
料は、低温焼き付けができる利点を有するが、200〜
300℃で熱劣化を起こす、(3)の反射鏡におけるシ
リコンアルコキシド系コーテイング材は、低温焼き付け
ができ、耐熱的にも300℃以上の性能が得られるが、
塗膜厚がIonを超えるとクラックや剥離が生しるなど
、塗装条件(塗布量、温度、湿度)の管理が難しく、生
産性の面で不利である。
る耐熱性樹脂の焼き付は温度が高く、基材が熱変形を起
こしやすい、また、焼き付は工程も複雑なため、コスト
的に不利である。一方、(2)の反射鏡における下地塗
料は、低温焼き付けができる利点を有するが、200〜
300℃で熱劣化を起こす、(3)の反射鏡におけるシ
リコンアルコキシド系コーテイング材は、低温焼き付け
ができ、耐熱的にも300℃以上の性能が得られるが、
塗膜厚がIonを超えるとクラックや剥離が生しるなど
、塗装条件(塗布量、温度、湿度)の管理が難しく、生
産性の面で不利である。
耐熱性の高い反射鏡を得るには下地層に高耐熱性樹脂を
用いることが重要なポイントであるが、上に示した従来
例は、いずれも湿式法(塗装法)による成膜技術であり
、それぞれに問題を有している。
用いることが重要なポイントであるが、上に示した従来
例は、いずれも湿式法(塗装法)による成膜技術であり
、それぞれに問題を有している。
以上の事情に鑑み、この発明は、上記高耐熱性を要求さ
れる反射鏡において、300℃以上の高耐熱性の要求以
外の他の要求性能をも満たし、しかも、製造が容易でコ
スト的にも安価なものを提供することを課題とする。
れる反射鏡において、300℃以上の高耐熱性の要求以
外の他の要求性能をも満たし、しかも、製造が容易でコ
スト的にも安価なものを提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、この発明にかかる反射鏡は、
基材表面に下地層、光輝性金M膜および保護被膜が順次
密着形成されてなる反射鏡において、前記下地層が乾式
法により形成された高耐熱性樹脂層であることを特徴と
するものである。
基材表面に下地層、光輝性金M膜および保護被膜が順次
密着形成されてなる反射鏡において、前記下地層が乾式
法により形成された高耐熱性樹脂層であることを特徴と
するものである。
この発明にかかる反射鏡に用いられる基材としては、特
に限定されないが、たとえば、Al、Fe等の金属が挙
げられる。その成形方法も、特に限定されず、通常のS
US絞り成形性、プレス成形法等により行ってよい。
に限定されないが、たとえば、Al、Fe等の金属が挙
げられる。その成形方法も、特に限定されず、通常のS
US絞り成形性、プレス成形法等により行ってよい。
下地層の形成に用いられる高耐熱性樹脂としては、特に
限定されないが、たとえば、シリコン系、ポリイミド系
、ポリアミド系、ポリアミドイミド系の各樹脂等が挙げ
られる。これらは、湿式法で膜形成する場合、250〜
400℃の温度で焼き付けないと膜が得られないため、
A7!基村なとは熱変形を起こしてしまう。しかも、高
温焼き付けは生産性の面で不利でもある。これに対し、
この発明では、前記高耐熱性樹脂を用いて、下地層を、
真空蒸着重合法、プラズマ重合法等の乾式法により形成
するようにしている。乾式法を用いた場合には、基材温
度を室温〜200″Cに維持すればj;l−な高耐熱性
の下地層が得られる。すなわち、低温処理になる。
限定されないが、たとえば、シリコン系、ポリイミド系
、ポリアミド系、ポリアミドイミド系の各樹脂等が挙げ
られる。これらは、湿式法で膜形成する場合、250〜
400℃の温度で焼き付けないと膜が得られないため、
A7!基村なとは熱変形を起こしてしまう。しかも、高
温焼き付けは生産性の面で不利でもある。これに対し、
この発明では、前記高耐熱性樹脂を用いて、下地層を、
真空蒸着重合法、プラズマ重合法等の乾式法により形成
するようにしている。乾式法を用いた場合には、基材温
度を室温〜200″Cに維持すればj;l−な高耐熱性
の下地層が得られる。すなわち、低温処理になる。
前記樹脂からなる下地層を乾式法によって形成するには
、前記樹脂のモノマーおよびポリマーを用いる。七ツマ
−としては、特に限定されfiいが、たとえば、ビニル
トリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ビニ
ルトリメチルシランなどのシリコン系モノマー;二無水
ピロメリット酸、テレフタル酸クロリドなどを酸成分と
し、4゜4′−ジアミノジフェニルエーテル、p−フェ
ニレンジアミンとそのシリル化物などをジアミン酸分と
するポリイミド系、ポリアミド系またはポリアミドイミ
ド糸上ツマー等を挙げることができる。
、前記樹脂のモノマーおよびポリマーを用いる。七ツマ
−としては、特に限定されfiいが、たとえば、ビニル
トリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ビニ
ルトリメチルシランなどのシリコン系モノマー;二無水
ピロメリット酸、テレフタル酸クロリドなどを酸成分と
し、4゜4′−ジアミノジフェニルエーテル、p−フェ
ニレンジアミンとそのシリル化物などをジアミン酸分と
するポリイミド系、ポリアミド系またはポリアミドイミ
ド糸上ツマー等を挙げることができる。
また、ポリマーとしては、前記モノマーから得られたプ
レポリマー等が挙げられる。
レポリマー等が挙げられる。
前記乾式成膜方法のうち、真空蒸着重合法の場合は、1
0−’torrの真空中でモノマーをハロゲンヒータ等
により加熱して昇華させると、蒸発した七ツマー分子は
、基材表面に到達した後、基材表面を動き回り、衝突・
反応を起こして高分子膜を形成する。プラズマ重合法の
場合は、I O−’torrの真空槽中にモノマーガス
を流し込み、ガス圧力0、1 = 10 torr程度
で数百〜数千■の直流または交流電圧を印加するか、あ
るいは、13.56MHzの高周波を用いて、グロー放
電を起こすことにより、基材表面に高分子膜を形成する
。
0−’torrの真空中でモノマーをハロゲンヒータ等
により加熱して昇華させると、蒸発した七ツマー分子は
、基材表面に到達した後、基材表面を動き回り、衝突・
反応を起こして高分子膜を形成する。プラズマ重合法の
場合は、I O−’torrの真空槽中にモノマーガス
を流し込み、ガス圧力0、1 = 10 torr程度
で数百〜数千■の直流または交流電圧を印加するか、あ
るいは、13.56MHzの高周波を用いて、グロー放
電を起こすことにより、基材表面に高分子膜を形成する
。
下地層の膜厚は、基材表面の仕上げ方(面粗さ)により
異なるが、通常のSUS絞り底形加工であれば、約5n
以上で良好な鏡面性が得られる。
異なるが、通常のSUS絞り底形加工であれば、約5n
以上で良好な鏡面性が得られる。
下地層FIi、膜時の基材温度は常温とし、底膜後、X
空中または大気中で200℃前後の後加熱を】0〜30
分間行うことにすれば完全な重合膜が得られる。
空中または大気中で200℃前後の後加熱を】0〜30
分間行うことにすれば完全な重合膜が得られる。
光輝性金amに用いる光輝性金属としては、特に限定さ
れないが、たとえば、Al、AgSCr、N 1等が挙
げられる。しかし、反射率、コスト、蒸着の容易さ等の
点からAlを用いることが最も好ましい。
れないが、たとえば、Al、AgSCr、N 1等が挙
げられる。しかし、反射率、コスト、蒸着の容易さ等の
点からAlを用いることが最も好ましい。
保護被膜としては、特に限定されないが、たとえば、S
iO% S iOz 、T 10 s 、A l x
○。
iO% S iOz 、T 10 s 、A l x
○。
等が挙げられる。しかしながら、透明性、安定性、経済
性の点からSingを用いることが最も好ましい。
性の点からSingを用いることが最も好ましい。
基材表面と光輝性金属膜の間に挿入する下地層を高耐熱
性樹脂で形成すると、300℃以上の高耐熱性を有する
ようになる。この高耐熱性樹脂を乾式法で基材表面に密
着形成するようにすると、従来の湿式法の欠点をすべて
解消できる。
性樹脂で形成すると、300℃以上の高耐熱性を有する
ようになる。この高耐熱性樹脂を乾式法で基材表面に密
着形成するようにすると、従来の湿式法の欠点をすべて
解消できる。
次に、この発明を実施例に基づいて詳しく説明するが、
この発明は下記実施例に限定されない。
この発明は下記実施例に限定されない。
第1図は、この発明にかかる反射鏡の一実施例を表す。
図にみるように、あらかしめ脱脂乾燥させておいた金属
基材11の表面に、下地層12として、乾式法により高
耐熱性樹脂膜が5n以上の厚さで形成されている。この
樹脂膜は、湿式法により得られたものとは異なり、溶剤
、未硬化物、封入ガス等が膜中に残ったり、ゴミ等の異
物が侵入したりすることがなく、膜質的に均一に成膜さ
れたものとなっている。
基材11の表面に、下地層12として、乾式法により高
耐熱性樹脂膜が5n以上の厚さで形成されている。この
樹脂膜は、湿式法により得られたものとは異なり、溶剤
、未硬化物、封入ガス等が膜中に残ったり、ゴミ等の異
物が侵入したりすることがなく、膜質的に均一に成膜さ
れたものとなっている。
下地層12の上には、光輝性金属膜13が蒸着法により
形成されている。この蒸着は通常の方法で行えばよい。
形成されている。この蒸着は通常の方法で行えばよい。
すなわち、10−4〜10 ”’torrの真空下で光
輝性金属を抵抗加熱または電子線加熱により蒸発させて
下地層12の上に金属膜13として形成するのである。
輝性金属を抵抗加熱または電子線加熱により蒸発させて
下地層12の上に金属膜13として形成するのである。
金f:膜13の膜厚は300〜100OAの範囲に設定
することが好ましい。膜厚が300人未満だと下地層1
2が透けて見えるようになって、反射率が低下する。一
方、膜厚が1000人を超えても効果の増大がそれ以上
望めず、コストの点で不経済になるからである。
することが好ましい。膜厚が300人未満だと下地層1
2が透けて見えるようになって、反射率が低下する。一
方、膜厚が1000人を超えても効果の増大がそれ以上
望めず、コストの点で不経済になるからである。
なお、必要に応して、下地層12と光輝性金属膜13と
の密着性を向上させるために、蒸着の直前に下地層12
に対しボンバード処理を行うようにしてもよい。
の密着性を向上させるために、蒸着の直前に下地層12
に対しボンバード処理を行うようにしてもよい。
光輝性金属膜13の上には、酸化物からなる保護被膜1
4が蒸着形成されている。これは、たとえば、10−4
〜10−’torrの真空下で電子線加熱により酸化物
を蒸発させる方法による。保護被膜14の膜厚は0.3
〜2μの範囲に設定することが好ましい。膜厚が0.3
n未満だと保護被膜14にピンホールが入り易くなり、
耐蝕性が低下する。
4が蒸着形成されている。これは、たとえば、10−4
〜10−’torrの真空下で電子線加熱により酸化物
を蒸発させる方法による。保護被膜14の膜厚は0.3
〜2μの範囲に設定することが好ましい。膜厚が0.3
n未満だと保護被膜14にピンホールが入り易くなり、
耐蝕性が低下する。
一方、膜厚が2nを超えても効果の増大がそれ以上望め
ず、しかも、蒸着に時間がかかるため、不経済になるか
らである。なお、この保護被膜14の形成の際にも、必
要に応して、酸化物の蒸着前にボンバード処理を行って
、保護被膜14と光輝性金属I!i!13との密着性を
向上させるようにしてもよい。保護被膜14の他の形成
方法として、イオンブレーティング法を用いて、保護被
膜14と光輝性金属膜13との密着性をより向上させ、
ランプ点灯時の輻射熱による保護被膜14へのクラック
の発生を起こりにくくするようにしてもよい。保護被膜
14形威後、反射鏡1を150〜300℃中で1〜12
時間アニール処理するようにしてもよい。
ず、しかも、蒸着に時間がかかるため、不経済になるか
らである。なお、この保護被膜14の形成の際にも、必
要に応して、酸化物の蒸着前にボンバード処理を行って
、保護被膜14と光輝性金属I!i!13との密着性を
向上させるようにしてもよい。保護被膜14の他の形成
方法として、イオンブレーティング法を用いて、保護被
膜14と光輝性金属膜13との密着性をより向上させ、
ランプ点灯時の輻射熱による保護被膜14へのクラック
の発生を起こりにくくするようにしてもよい。保護被膜
14形威後、反射鏡1を150〜300℃中で1〜12
時間アニール処理するようにしてもよい。
この反射鏡lは、300〜400℃の高温でも保護被膜
にクラックが発生しないため、高ワツトのHID光源を
用いた照明器具の反射鏡として最適なものとなっている
。
にクラックが発生しないため、高ワツトのHID光源を
用いた照明器具の反射鏡として最適なものとなっている
。
反射鏡の下地層を乾式法で形成する場合の製造上の特徴
としては、下地層、光輝性金N膜および保護被膜の形成
を同一真空槽内でインライン方式で連続処理して行うこ
とができること、下地層のバラツキが湿式法に比べて少
ないため、品質的にも安定した反射鏡が得られること等
が挙げられる次に、この発明のさらに具体的な実施例を
比較例と併せて説明する。なお、下記実施例および比較
例において、基材として、1n厚のアルミニウム板を1
5C1lX15C1lの大きさに切断し、脱脂、化学研
磨後、乾燥したものを使用した。
としては、下地層、光輝性金N膜および保護被膜の形成
を同一真空槽内でインライン方式で連続処理して行うこ
とができること、下地層のバラツキが湿式法に比べて少
ないため、品質的にも安定した反射鏡が得られること等
が挙げられる次に、この発明のさらに具体的な実施例を
比較例と併せて説明する。なお、下記実施例および比較
例において、基材として、1n厚のアルミニウム板を1
5C1lX15C1lの大きさに切断し、脱脂、化学研
磨後、乾燥したものを使用した。
一実施例1−
2 X 10−’torrの真空下で二無水ピロメリッ
ト酸と4.4′−ジアミノジフェニルエーテルをそれぞ
れ180℃、160℃に加熱して、基材表面にポリイミ
ド樹脂からなる下地層を形成した。この時のポリイミド
樹脂の成膜速度は50人/秒で膜厚5μであった0次に
同一真空中で200℃で30分間加熱処理した後、5
X 10−’torrの真空中で前記下地層上に純度9
9.99%のアルミニウムを抵抗加熱により蒸着して、
厚さ1000人のアルミニウム膜を形成した。次に、真
空度を5×10−’torrに保ったまま、同アルミニ
ウム膜上に電子線加熱によりSiOxを蒸着して、厚さ
5000大の3i0.膜を形成し、反射鏡を得た。
ト酸と4.4′−ジアミノジフェニルエーテルをそれぞ
れ180℃、160℃に加熱して、基材表面にポリイミ
ド樹脂からなる下地層を形成した。この時のポリイミド
樹脂の成膜速度は50人/秒で膜厚5μであった0次に
同一真空中で200℃で30分間加熱処理した後、5
X 10−’torrの真空中で前記下地層上に純度9
9.99%のアルミニウムを抵抗加熱により蒸着して、
厚さ1000人のアルミニウム膜を形成した。次に、真
空度を5×10−’torrに保ったまま、同アルミニ
ウム膜上に電子線加熱によりSiOxを蒸着して、厚さ
5000大の3i0.膜を形成し、反射鏡を得た。
一実施例2−
2 X 10−’torrの真空下で二無水ピロメリッ
ト酸とp−フェニレンジアミンをそれぞれ180℃、1
20℃に加熱して、基材表面にポリイミド樹脂からなる
下地層を形成した。この時のポリイミド樹脂膜の成膜速
度は60人/秒で膜厚は5nであった0次に、同−真空
内で170℃で10分間加熱処理した後は、実施例1と
同様の処理を行って、反射鏡を得た。
ト酸とp−フェニレンジアミンをそれぞれ180℃、1
20℃に加熱して、基材表面にポリイミド樹脂からなる
下地層を形成した。この時のポリイミド樹脂膜の成膜速
度は60人/秒で膜厚は5nであった0次に、同−真空
内で170℃で10分間加熱処理した後は、実施例1と
同様の処理を行って、反射鏡を得た。
実施例3
2 X 10−’torrの真空下でテレフタル酸クロ
リドと4,4′−ジアミノジフェニルエーテルをそれぞ
れ40℃、160℃に加熱して、基材表面にポリアミド
樹脂からなる下地層を形成した。この時のポリアミド樹
脂膜の成膜速度は50人/秒で膜厚は6μであった。次
に、同−真空内で160℃で30分間加熱処理した後は
、実施例1と同様の処理を行って、反射鏡を得た。
リドと4,4′−ジアミノジフェニルエーテルをそれぞ
れ40℃、160℃に加熱して、基材表面にポリアミド
樹脂からなる下地層を形成した。この時のポリアミド樹
脂膜の成膜速度は50人/秒で膜厚は6μであった。次
に、同−真空内で160℃で30分間加熱処理した後は
、実施例1と同様の処理を行って、反射鏡を得た。
実施例4−
2 X 10−”torrの真空下でテレフタル酸クロ
リドとp−フェニレンジアミンをそれぞれ40℃、12
0℃に加熱して、基材表面にポリアミド樹脂からなる下
地層を形成した。この時のボリア礼ド樹脂膜の成膜速度
は60A/秒で膜厚は6μであった。次に、同−真空内
で150℃で30分間加熱処理した後は、実施例1と同
様の処理を行って、反射鏡を得た。
リドとp−フェニレンジアミンをそれぞれ40℃、12
0℃に加熱して、基材表面にポリアミド樹脂からなる下
地層を形成した。この時のボリア礼ド樹脂膜の成膜速度
は60A/秒で膜厚は6μであった。次に、同−真空内
で150℃で30分間加熱処理した後は、実施例1と同
様の処理を行って、反射鏡を得た。
一実施例5−
I X 10−’torrの真空下にメチルトリメトキ
シシランガスをQ、 l torr導入し、13.56
門Hzの高周波を印加するプラズマ重合法により基材
表面に有機シリコン系樹脂からなる下地層を5nの厚さ
に形成した。その後は、実施例1と同様の処理を行って
、反射鏡を得た。
シシランガスをQ、 l torr導入し、13.56
門Hzの高周波を印加するプラズマ重合法により基材
表面に有機シリコン系樹脂からなる下地層を5nの厚さ
に形成した。その後は、実施例1と同様の処理を行って
、反射鏡を得た。
一比較例1−
基材表面に高アリールシリコン樹脂系コーテイング材を
スプレー法により塗布し、250℃で1時間焼き付けて
、同基材表面に厚さ5nの下地層を形成した後は、実施
例と同様の処理を行って、反射鏡を得た。
スプレー法により塗布し、250℃で1時間焼き付けて
、同基材表面に厚さ5nの下地層を形成した後は、実施
例と同様の処理を行って、反射鏡を得た。
以上の実施例1〜5および比較例1で得られた反射鏡に
ついて、分光反射率特性、耐熱性および耐蝕性を調べた
。
ついて、分光反射率特性、耐熱性および耐蝕性を調べた
。
分光反射率特性は、自動記録分光光度計(日立製、 U
−3410)により反射鏡の全反射率および拡散反射率
を測定して評価した。
−3410)により反射鏡の全反射率および拡散反射率
を測定して評価した。
耐熱性は、作製後1ケ月を経た反射鏡をさらに300℃
の恒温層内で120時間放置した後、膜のフクレやクラ
ックの有無等の外観検査を行うとともに、ゴバン目セロ
テープ剥離試験におけるゴバン目100個中に存在する
剥離しないものの個数により膜の密着性を測定して、評
価した。
の恒温層内で120時間放置した後、膜のフクレやクラ
ックの有無等の外観検査を行うとともに、ゴバン目セロ
テープ剥離試験におけるゴバン目100個中に存在する
剥離しないものの個数により膜の密着性を測定して、評
価した。
耐蝕性は、JIS−H−8617に基づく1サイクルが
8時間のl1jfiと16時間の休止からなる塩水噴霧
試験を10サイクル行った後、アルミニウム膜の腐食の
有無等の外観を検査して、評価した。
8時間のl1jfiと16時間の休止からなる塩水噴霧
試験を10サイクル行った後、アルミニウム膜の腐食の
有無等の外観を検査して、評価した。
それらの結果を第1表に示す。
第1表にみるように、実施例にかかる反射鏡は、分光反
射率特性および耐蝕性の点について、比較例にかかる反
射鏡と同等の性能を有し、しかも、耐熱性に関しては、
比較例に比べてはるかに優れていることがわかる。
射率特性および耐蝕性の点について、比較例にかかる反
射鏡と同等の性能を有し、しかも、耐熱性に関しては、
比較例に比べてはるかに優れていることがわかる。
この発明にかかる反射鏡は、基材表面と光輝性金属膜の
間に挿入された下地層が乾式法により密着形成された高
耐熱性樹脂であるため、300℃以上の高温下でも高い
反射率を保つことができる。同反射鏡は、また、湿気、
腐食性ガス、塩水などに対する耐性にも優れ、しかも、
その製造方法が容易で、低コストで得ることができ、品
質的にも安定したものとなっている。
間に挿入された下地層が乾式法により密着形成された高
耐熱性樹脂であるため、300℃以上の高温下でも高い
反射率を保つことができる。同反射鏡は、また、湿気、
腐食性ガス、塩水などに対する耐性にも優れ、しかも、
その製造方法が容易で、低コストで得ることができ、品
質的にも安定したものとなっている。
第1図は、この発明の一実施例を表す側断面図である。
1・・・反射鏡 11・・・基材 12・・・下地層
13光輝性金属膜 14・・・保護被膜
13光輝性金属膜 14・・・保護被膜
Claims (1)
- 1 基材表面に下地層、光輝性金属膜および保護被膜が
順次密着形成されてなる反射鏡において、前記下地層が
乾式法により形成された高耐熱性樹脂層であることを特
徴とする反射鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2043432A JPH03245101A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2043432A JPH03245101A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 反射鏡 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03245101A true JPH03245101A (ja) | 1991-10-31 |
Family
ID=12663538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2043432A Pending JPH03245101A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 反射鏡 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03245101A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1085035A3 (en) * | 1999-09-17 | 2001-09-05 | DuPont-Toray Co., Ltd. | Reflector substrate for illumination device and reflector for illumination device |
US6492031B1 (en) | 1999-03-12 | 2002-12-10 | Dupont-Toray Co. Ltd. | Reflector substrate for illumination device and reflector for illumination device |
JP2011158877A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Taiwan Paiho Ltd | 反射シート、及びこれを用いた液晶ディスプレイ |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2043432A patent/JPH03245101A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6492031B1 (en) | 1999-03-12 | 2002-12-10 | Dupont-Toray Co. Ltd. | Reflector substrate for illumination device and reflector for illumination device |
EP1085035A3 (en) * | 1999-09-17 | 2001-09-05 | DuPont-Toray Co., Ltd. | Reflector substrate for illumination device and reflector for illumination device |
JP2011158877A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Taiwan Paiho Ltd | 反射シート、及びこれを用いた液晶ディスプレイ |
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